CN111554806A - 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法 - Google Patents

一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111554806A
CN111554806A CN202010328165.7A CN202010328165A CN111554806A CN 111554806 A CN111554806 A CN 111554806A CN 202010328165 A CN202010328165 A CN 202010328165A CN 111554806 A CN111554806 A CN 111554806A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
silk fibroin
bioaffinity
layer
ferromagnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010328165.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111554806B (zh
Inventor
刘明
周子尧
张晓慧
胡忠强
李春雷
查茜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN202010328165.7A priority Critical patent/CN111554806B/zh
Publication of CN111554806A publication Critical patent/CN111554806A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111554806B publication Critical patent/CN111554806B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0052—Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details

Abstract

一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法，包括基底、铁磁层和电极，铁磁层设置在基底上表面，铁磁层上表面设置有电极；基底为丝素蛋白纤维基底。本发明将生物亲和材料丝素蛋白纤维与各向异性磁阻传感器相结合的方法，克服了丝素蛋白的缺点，没有使用传统的光刻工艺，而是借助专门设计的掩模版，仅通过真空磁控溅射的方法，制作了具有生物亲和性的各向异性磁阻传感器。本发明使磁传感器具有了生物亲和性，可以拓宽其在生物医学领域的应用，且具有低成本、工艺简单的优点。

Description

一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法
技术领域
本发明属于磁传感器技术领域，特别涉及一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法。
背景技术
磁传感器是一种将磁场、应变、温度、光照等环境因素变化作用下致使敏感元件的磁性发生相应的变化并将其转换成电信号，更加直观的表现出各种影响因素的变化。各向异性磁阻传感器是磁传感器中的一个重要的分支，其原理主要是利用了铁磁材料所具有的各向异性磁电阻效应。各向异性磁阻传感器是最适合在小磁场变化下工作的磁传感器，并且具有测量精度高、体积小、工作稳定、成本低等优点。由于各向异性磁阻传感器具有的诸多优点，使其可以应用到各类交通工具中，主要应用方向包括旋转位置传感器、电流传感、定向传感、航海类传感器以及虚拟现实技术。当然，各向异性磁阻传感器也在导航、车流控制、地表探测等方面给人们的生活和生产实践提供了帮助。
将各向异性磁阻传感器与生物亲和材料丝素蛋白纤维衬底相结合的过程中面临着诸多问题。首先，由于丝素蛋白纤维容易被水破坏的特殊性，致使其不能使用传统的光刻技术来制作磁传感器。其次，在丝素上生长薄膜引起的热效应会影响丝素卷曲，影响生长过程。这些问题阻碍着各向异性磁阻传感器在生物亲和性方面的发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法，以解决上述问题。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器，包括基底、铁磁层和电极，铁磁层设置在基底上表面，铁磁层上表面设置有电极；基底为丝素蛋白纤维基底。
进一步的，其中铁磁层薄膜为NiFe、NiCr、CoFe、CoFeB、FeGaB、SmFe或FeCoSiB中的一种；电极为铜电极。
进一步的，一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，制备丝素蛋白纤维基底备用；
步骤2，制备掩膜版；
步骤3，使用步骤2的掩膜版固定步骤1的丝素蛋白纤维基底，然后用制备的丝素蛋白纤维基底制备铁磁层薄膜；
步骤4，在铁磁层薄膜上生长电极，形成样品；
步骤5，对样品进行最敏感角度和转角测试，得到合格的生物亲和型各向异性磁电阻传感器。
进一步的，步骤1具体为：
1)从蚕茧中提取出丝素蛋白纤维并对其进行提纯；
2)将丝素蛋白在1M LiCl/DMSO溶液中进行溶解后与甲基丙烯酸异氰基乙酯在60℃和干燥氮气环境下反应5小时来制备得到混合物；
3)将上述混合物倒入过量的冷乙醇中，沉淀出具有共轭甲基丙烯酸酯基团的蛋白质；
4)使用冷乙醇/丙酮的混合物对蛋白混合物进行洗涤，离心48小时以获得丝素溶液；
5)转移溶液到塑料容器中，确定溶液深度在4mm，静置12小时，待溶液凝固后将凝固的丝素薄膜取下，得到丝素基底。
进一步的，步骤2具体为：掩膜版由底层、中间层、顶层三个部分组成，底层是60*60*3mm的特制铝合金薄板；中间层是60*60*0.2mm的定制铝合金薄板，中间层共有两个图样，一个用来生长铁磁条，另一个用于生长电极；顶层是厚度为60*60*2mm的铝合金薄板。
进一步的，步骤3具体为：将丝素基底裁剪至合适大小并使用氮气吹净丝素基底表面后，使用特制的掩膜版将其固定在薄膜生长平台上；转移进磁控主腔后，用直流磁控溅射法在8.5x10-8Torr的真空度条件下，生长出铁磁薄膜。
进一步的，步骤4具体为：使用真空磁控溅射在8.5x10-8Torr的真空度条件下，在铁磁薄膜上生长出Cu电极。
与现有技术相比，本发明有以下技术效果：
本发明公开了一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法。将生物亲和材料丝素蛋白纤维与各向异性磁阻传感器相结合的方法，克服了丝素蛋白的缺点，没有使用传统的光刻工艺，而是借助专门设计的掩模版，仅通过真空磁控溅射的方法，制作了具有生物亲和性的各向异性磁阻传感器。本发明使磁传感器具有了生物亲和性，可以拓宽其在生物医学领域的应用，且具有低成本、工艺简单的优点。
附图说明
图1为本发明中各向异性磁电阻传感器的剖面示意图；
图2为掩膜版底层图样；
图3为掩膜版中间层图样；
图4为掩膜版顶层图样；
图5为最敏感角测试结果；
图6为转角测试结果。
具体实施方式
以下结合附图对本发明进一步说明：
请参阅图1至图6，一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器，包括基底、铁磁层和电极，铁磁层设置在基底上表面，铁磁层上表面设置有电极；基底为丝素蛋白纤维基底。
其中铁磁层薄膜为NiFe、NiCr、CoFe、CoFeB、FeGaB、SmFe或FeCoSiB中的一种；电极为铜电极。
一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，制备丝素蛋白纤维基底备用；
步骤2，制备掩膜版；
步骤3，使用步骤2的掩膜版固定步骤1的丝素蛋白纤维基底，然后用制备的丝素蛋白纤维基底制备铁磁层薄膜；
步骤4，在铁磁层薄膜上生长电极，形成样品；
步骤5，对样品进行最敏感角度和转角测试，得到合格的生物亲和型各向异性磁电阻传感器。
步骤1具体为：
1)从蚕茧中提取出丝素蛋白纤维并对其进行提纯；
2)将丝素蛋白在1M LiCl/DMSO溶液中进行溶解后与甲基丙烯酸异氰基乙酯在60℃和干燥氮气环境下反应5小时来制备得到混合物；
3)将上述混合物倒入过量的冷乙醇中，沉淀出具有共轭甲基丙烯酸酯基团的蛋白质；
4)使用冷乙醇/丙酮的混合物对蛋白混合物进行洗涤，离心48小时以获得丝素溶液；
5)转移溶液到塑料容器中，确定溶液深度在4mm，静置12小时，待溶液凝固后将凝固的丝素薄膜取下，得到丝素基底。
步骤2具体为：掩膜版由底层、中间层、顶层三个部分组成，底层是60*60*3mm的特制铝合金薄板；中间层是60*60*0.2mm的定制铝合金薄板，中间层共有两个图样，一个用来生长铁磁条，另一个用于生长电极；顶层是厚度为60*60*2mm的铝合金薄板。
步骤3具体为：将丝素基底裁剪至合适大小并使用氮气吹净丝素基底表面后，使用特制的掩膜版将其固定在薄膜生长平台上；转移进磁控主腔后，用直流磁控溅射法在8.5x10-8Torr的真空度条件下，生长出铁磁薄膜。
步骤4具体为：使用真空磁控溅射在8.5x10-8Torr的真空度条件下，在铁磁薄膜上生长出Cu电极。
实施例1
一种采用真空磁性粒子生长的方法，在生物亲和衬底丝素蛋白纤维表面制作各向异性磁电阻传感器的方法，包括如下步骤：
1)制备丝素蛋白纤维基底：从蚕茧中提取纤维蛋白并进行提纯；通过将纤维蛋白质溶解在1M LiCl/DMSO溶液中并与化学计量的甲基丙烯酸异氰基乙酯(IEM)在60℃和5小时的干燥氮气环境下反应来制备得到混合物；将混合物倒入过量的冷乙醇中，以沉淀出具有共轭甲基丙烯酸酯基团的蛋白质；将混合物在冷乙醇/丙酮的混合物中洗涤，离心48小时以获得丝素溶液；将溶液转移到直径4英寸的塑料容器中，保证溶液深度为4mm左右，静置12小时，待溶液凝固后将凝固的丝素薄膜取下，得到最终产物丝素蛋白纤维基底。
2)本发明中的掩膜版由底层、中间层、顶层三个部分组成，材料为铝合金，特制掩膜版的制作：底层是60*60*3mm的特制铝合金薄板，共需1片，主要作用是对薄膜进行机械地固定；中间层是60*60*0.2mm的定制铝合金薄板，起到遮挡作用，并可以利用其遮挡作用绘制出特定图案，中间层共有两个模型，一个为长条状用来生长铁磁条，另一个是四个正方形用于生长电极；顶层是60*60*2mm的铝合金薄板。
3)铁磁层薄膜的制备：将丝素基底裁剪至合适大小并使用氮气吹净丝素基底表面后；使用capton胶带将其固定在生长平台；转移进磁控主腔后，调整基底盘和靶材间距为27mm；使用直流磁控溅射法在8.5x10-8Torr的真空度条件下，控制氩气气压为5mTorr，在功率为50W下进行生长Ni0.81Fe0.19铁磁层，生长时间为400s，铁磁层厚度为10nm。
4)生长电极：在本底真空度为8.5x10-8Torr的条件下，控制氩气气压为5mTorr，在50W功率下进行磁控溅射生长Cu电极，生长时间为666.7s，电极厚度约为30nm；最终组成具有各向异性磁阻传感器功能的磁性薄膜。
实施例2
一种采用真空磁性粒子生长的方法，在生物亲和衬底丝素蛋白纤维表面制作各向异性磁电阻传感器的方法，包括如下步骤：
1)制备丝素蛋白纤维基底：从蚕茧中提取纤维蛋白并进行提纯；通过将纤维蛋白质溶解在1M LiCl/DMSO溶液中并与化学计量的甲基丙烯酸异氰基乙酯(IEM)在60℃和5小时的干燥氮气环境下反应来制备得到混合物；将混合物倒入过量的冷乙醇中，以沉淀出具有共轭甲基丙烯酸酯基团的蛋白质；将混合物在冷乙醇/丙酮的混合物中洗涤，离心48小时以获得丝素溶液；将溶液转移到直径4英寸的塑料容器中，保证溶液深度为4mm左右，静置12小时，待溶液凝固后将凝固的丝素薄膜取下，得到最终产物丝素蛋白纤维基底。
2)本发明中的掩膜版由底层、中间层、顶层三个部分组成，材料为铝合金，特制掩膜版的制作：底层是60*60*3mm的特制铝合金薄板，共需1片，主要作用是对薄膜进行机械地固定；中间层是60*60*0.2mm的定制铝合金薄板，起到遮挡作用，并可以利用其遮挡作用绘制出特定图案，中间层共有两个模型，一个为长条状用来生长铁磁条，另一个是四个正方形用于生长电极；顶层是60*60*2mm的铝合金薄板。
3)铁磁层薄膜的制备：将丝素基底裁剪至合适大小并使用氮气吹净丝素基底表面后；使用capton胶带将其固定在生长平台；转移进磁控主腔后，调整基底盘和靶材间距为27mm；使用直流磁控溅射法在8.5x10-8Torr的真空度条件下，控制氩气气压为5mTorr，在功率为50W下进行生长Co0.4Fe0.4B0.2铁磁层，生长时间为526.3s，铁磁层厚度约为10nm；
4)生长电极：在本底真空度为8.5x10-8Torr的条件下，控制氩气气压为5mTorr，在50W功率下进行磁控溅射生长Cu电极，生长时间为666.7s，厚度约为30nm；最终组成具有各向异性磁阻传感器功能的磁性薄膜。
本发明的附图1用于展示各向异性磁电阻传感器的剖面示意图，该器件由丝素基底、铁磁层和电极三部分组成。
本发明的附图2、附图3、附图4为实施例1、实施例2的步骤2中使用的掩膜版图样，为克服丝素衬底怕水的缺点，本发明中利用特定的掩膜版结合真空磁性粒子生长的方法避免了该问题的出现：本发明中的掩膜版由底层、中间层、顶层三个部分组成：底层是60*60*3mm的特制铝合金薄板，共需1片，主要作用是对薄膜进行机械地固定。图样如图1，图中圆孔为预留螺丝孔，便于将掩膜版组装和固定；中间层是60*60*0.2mm的定制铝合金薄板，起到遮挡作用，并可以利用其遮挡作用绘制出特定图案。本发明中设计的掩模图案，主要用于生长各向异性磁阻传感器结构。中间层共有两个模型，一个为长条状用来生长铁磁条，另一个是四个正方形用于生长电极。图样如图2，左侧两图样用于生长电极，右侧两图样用于生长铁磁长条，四周圆点为固定螺丝预留位；顶层是60*60*2mm的铝合金薄板，顶层和底层将中间层的掩模版和丝素基底固定并压平，防止薄膜在生长中受热蜷曲。顶层图样如图3，图中圆点为固定螺丝预留位，小正方形区域为生长薄膜留出空缺。
利用上述三部分组合而成的掩膜版，可以克服生物亲和材料丝素蛋白基底怕水的缺点，避免了使用传统的光刻工艺。利用本发明中的掩膜版，即可在真空磁性粒子生长的方法下，生成制备出具有生物亲和性的各向异性磁阻传感器。为各向异性磁阻传感器和生物亲和性材料的结合在一定程度上提供了解决办法。
本发明的附图5为实施例1中的各向异性磁阻传感器的最敏感角度测试结果，该样品在两组测试过程中，当磁性长条固定在与磁场方向夹角为45°时，磁阻对磁场强度的变化最为敏感，即此时电流方向和磁化方向平行，并将此时的角度确定为样品的最敏感角度。可以初步保证本发明制作的各向异性磁阻传感器具有基本的功能，样品满足了本发明的目标。
本发明的附图6为对实施例1中的部分样品进行转角测试结果。由图5可知，在固定磁场强度的情况下，测试样品在磁性长条与磁场夹角角度不同时，磁阻有着不同的变化强度，斜率越大处说明磁阻的变化越快。

Claims (7)

1.一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器，其特征在于，包括基底、铁磁层和电极，铁磁层设置在基底上表面，铁磁层上表面设置有电极；基底为丝素蛋白纤维基底。
2.根据权利要求1所述的一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器，其特征在于，其中铁磁层薄膜为NiFe、NiCr、CoFe、CoFeB、FeGaB、SmFe或FeCoSiB中的一种；电极为铜电极。
3.一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，基于权利要求1至2任意一项所述的一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器，包括以下步骤：
步骤1，制备丝素蛋白纤维基底备用；
步骤2，制备掩膜版；
步骤3，使用步骤2的掩膜版固定步骤1的丝素蛋白纤维基底，然后用制备的丝素蛋白纤维基底制备铁磁层薄膜；
步骤4，在铁磁层薄膜上生长电极，形成样品；
步骤5，对样品进行最敏感角度和转角测试，得到合格的生物亲和型各向异性磁电阻传感器。
4.根据权利要求3所述的一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，步骤1具体为：
1)从蚕茧中提取出丝素蛋白纤维并对其进行提纯；
2)将丝素蛋白在1M LiCl/DMSO溶液中进行溶解后与甲基丙烯酸异氰基乙酯在60℃和干燥氮气环境下反应5小时来制备得到混合物；
3)将上述混合物倒入过量的冷乙醇中，沉淀出具有共轭甲基丙烯酸酯基团的蛋白质；
4)使用冷乙醇/丙酮的混合物对蛋白混合物进行洗涤，离心48小时以获得丝素溶液；
5)转移溶液到塑料容器中，确定溶液深度在4mm，静置12小时，待溶液凝固后将凝固的丝素薄膜取下，得到丝素基底。
5.根据权利要求3所述的一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，步骤2具体为：掩膜版由底层、中间层、顶层三个部分组成，底层是60*60*3mm的特制铝合金薄板；中间层是60*60*0.2mm的定制铝合金薄板，中间层共有两个图样，一个用来生长铁磁条，另一个用于生长电极；顶层是厚度为60*60*2mm的铝合金薄板。
6.根据权利要求3所述的一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，步骤3具体为：将丝素基底裁剪至合适大小并使用氮气吹净丝素基底表面后，使用特制的掩膜版将其固定在薄膜生长平台上；转移进磁控主腔后，用直流磁控溅射法在8.5x10-8Torr的真空度条件下，生长出铁磁薄膜。
7.根据权利要求3所述的一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，步骤4具体为：使用真空磁控溅射在8.5x10-8Torr的真空度条件下，在铁磁薄膜上生长出Cu电极。
CN202010328165.7A 2020-04-23 2020-04-23 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法 Active CN111554806B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010328165.7A CN111554806B (zh) 2020-04-23 2020-04-23 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010328165.7A CN111554806B (zh) 2020-04-23 2020-04-23 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111554806A true CN111554806A (zh) 2020-08-18
CN111554806B CN111554806B (zh) 2022-02-11

Family

ID=72007697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010328165.7A Active CN111554806B (zh) 2020-04-23 2020-04-23 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111554806B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112052A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Hitachi Ltd 磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置
WO2014021954A2 (en) * 2012-04-13 2014-02-06 Trustees Of Tufts College Magneto-sensitive silk fibroin-based materials
CN105866715A (zh) * 2016-03-23 2016-08-17 电子科技大学 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法
CN109722039A (zh) * 2018-12-07 2019-05-07 厦门大学 一种丝素蛋白复合膜及其制备方法、应用
CN110197872A (zh) * 2019-06-03 2019-09-03 西安交通大学 测量范围可调的各向异性磁电阻传感器及其制备方法
CN110412487A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 电子科技大学 一种织物型柔性复合式传感器及其制作方法
CN111116965A (zh) * 2019-12-25 2020-05-08 西安交通大学 一种用于丝素蛋白基生物传感器的柔性剥离方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112052A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Hitachi Ltd 磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置
WO2014021954A2 (en) * 2012-04-13 2014-02-06 Trustees Of Tufts College Magneto-sensitive silk fibroin-based materials
CN105866715A (zh) * 2016-03-23 2016-08-17 电子科技大学 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法
CN109722039A (zh) * 2018-12-07 2019-05-07 厦门大学 一种丝素蛋白复合膜及其制备方法、应用
CN110197872A (zh) * 2019-06-03 2019-09-03 西安交通大学 测量范围可调的各向异性磁电阻传感器及其制备方法
CN110412487A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 电子科技大学 一种织物型柔性复合式传感器及其制作方法
CN111116965A (zh) * 2019-12-25 2020-05-08 西安交通大学 一种用于丝素蛋白基生物传感器的柔性剥离方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BOWEN ZHU等: ""Silk Fibroin for Flexible Electronic Devices"", 《ADVANCED MATERIALS》 *
ZHIGUANG WANG等: ""Highly Sensitive Flexible Magnetic Sensor Based on Anisotropic Magnetoresistance Effect"", 《ADVANCED MATERIALS》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111554806B (zh) 2022-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105866715B (zh) 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法
CN106248735A (zh) 一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法
CN109669149B (zh) 一种线性各向异性磁电阻传感器及其实现方法
WO2015014277A1 (zh) 单芯片推挽桥式磁场传感器
WO2012136132A1 (zh) 单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法
CN204514847U (zh) 一种柔性石墨烯纳米墙电阻式湿度传感器
CN111554806B (zh) 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法
CN101871787B (zh) 一种薄膜磁阻传感器
CN102854339A (zh) 一种硅基巨磁阻效应微加速度传感器
CN103018288A (zh) 一种可控加热除霜电容式高空湿度传感器及其制备方法
CN110176534A (zh) 测量范围可调的隧道结磁电阻传感器及其制备方法
CN110212085A (zh) 测量范围可调的巨磁电阻传感器及其制备方法
CN109888088A (zh) 一种磁阻传感器结构及其制造方法
CN110197872A (zh) 测量范围可调的各向异性磁电阻传感器及其制备方法
CN100431188C (zh) 基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法
CN1694276A (zh) 基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法
CN102564466B (zh) 汽车电子油门位置传感器
CN201697638U (zh) 一种薄膜磁阻传感器
CN109346597B (zh) 一种自偏置各向异性磁电阻传感单元的制备方法
CN112490351A (zh) 一种柔性tmr磁阻传感器及其制备方法
CN113217313B (zh) 响应致动器件、制备方法及应用
CN113866691B (zh) 隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法
CN206905691U (zh) 一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器
CN100585898C (zh) 一种提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法
Taparia et al. Systematic investigation of the effect of layer thickness on the linear sensing characteristics of asymmetric structured CoFe/Rh/CoFe/Cu/CoFe fully epitaxial CIP-GMR based magnetic sensors

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant