JPH09168964A - ポリッシング装置および方法 - Google Patents
ポリッシング装置および方法Info
- Publication number
- JPH09168964A JPH09168964A JP5095696A JP5095696A JPH09168964A JP H09168964 A JPH09168964 A JP H09168964A JP 5095696 A JP5095696 A JP 5095696A JP 5095696 A JP5095696 A JP 5095696A JP H09168964 A JPH09168964 A JP H09168964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- pressing force
- top ring
- guide ring
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 249
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 101100491335 Caenorhabditis elegans mat-2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 101100495256 Caenorhabditis elegans mat-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ４の周縁部における研磨量の過
不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことがで
き、また半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増
減することができるポリッシング装置および方法を提供
する。 【解決手段】 上面に研磨布６を貼ったターンテーブ
ル５とトップリング１とを有し、ターンテーブル５とト
ップリング１との間に半導体ウエハ４を介在させて所定
の力で押圧することによって半導体ウエハ４を研磨し、
平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、半導体
ウエハ４をトップリング１の下端面内に保持するガイド
リング３をトップリング１の周囲に上下動自在に配置
し、ガイドリング３を研磨布６に対して押圧する押圧手
段を設け、押圧手段の押圧力を可変にした。
不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことがで
き、また半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増
減することができるポリッシング装置および方法を提供
する。 【解決手段】 上面に研磨布６を貼ったターンテーブ
ル５とトップリング１とを有し、ターンテーブル５とト
ップリング１との間に半導体ウエハ４を介在させて所定
の力で押圧することによって半導体ウエハ４を研磨し、
平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、半導体
ウエハ４をトップリング１の下端面内に保持するガイド
リング３をトップリング１の周囲に上下動自在に配置
し、ガイドリング３を研磨布６に対して押圧する押圧手
段を設け、押圧手段の押圧力を可変にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシ
ング装置および方法に係り、特にポリッシング対象物の
周縁部の研磨量を制御する機構を具備したポリッシング
装置および方法に関する。
リッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシ
ング装置および方法に係り、特にポリッシング対象物の
周縁部の研磨量を制御する機構を具備したポリッシング
装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の１手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の１手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。
【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、ター
ンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一
定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとト
ップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
ンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一
定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとト
ップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
【０００４】上述したポリッシング装置において、トッ
プリングの半導体ウエハ保持面に弾性を有する、例えば
ポリウレタン等の弾性マットを貼り、トップリングから
ポリッシング対象物に印加する押圧力を均一にしようと
する試みがなされている。これは押圧力を均一化するこ
とで半導体ウエハが局部的に研磨されることを緩和し、
ポリッシング対象物の平坦度を向上させることを目的と
している。
プリングの半導体ウエハ保持面に弾性を有する、例えば
ポリウレタン等の弾性マットを貼り、トップリングから
ポリッシング対象物に印加する押圧力を均一にしようと
する試みがなされている。これは押圧力を均一化するこ
とで半導体ウエハが局部的に研磨されることを緩和し、
ポリッシング対象物の平坦度を向上させることを目的と
している。
【０００５】図９は従来のポリッシング装置の主要部を
示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨布４２
を貼った回転するターンテーブル４１と、回転および押
圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ４３を
保持するトップリング４５と、研磨布４２に砥液Ｑを供
給する砥液供給ノズル４８を備えている。トップリング
４５はトップリングシャフト４９に連結されており、ま
たトップリング４５はその下面にポリウレタン等の弾性
マット４７を備えており、弾性マットに接触させて半導
体ウエハ４３を保持する。さらにトップリング４５は、
研磨中に半導体ウエハ４３がトップリング４５の下面か
ら外れないようにするため、円筒状のガイドリング４６
を外周縁部に備えている。ここで、ガイドリング４６は
トップリング４５に対して固定されており、その下端面
はトップリング４５の保持面から突出するように形成さ
れ、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３が保持
面内に保持され、研磨中に研磨布４２との摩擦力によっ
てトップリング外へ飛び出さないようになっている。
示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨布４２
を貼った回転するターンテーブル４１と、回転および押
圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ４３を
保持するトップリング４５と、研磨布４２に砥液Ｑを供
給する砥液供給ノズル４８を備えている。トップリング
４５はトップリングシャフト４９に連結されており、ま
たトップリング４５はその下面にポリウレタン等の弾性
マット４７を備えており、弾性マットに接触させて半導
体ウエハ４３を保持する。さらにトップリング４５は、
研磨中に半導体ウエハ４３がトップリング４５の下面か
ら外れないようにするため、円筒状のガイドリング４６
を外周縁部に備えている。ここで、ガイドリング４６は
トップリング４５に対して固定されており、その下端面
はトップリング４５の保持面から突出するように形成さ
れ、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３が保持
面内に保持され、研磨中に研磨布４２との摩擦力によっ
てトップリング外へ飛び出さないようになっている。
【０００６】半導体ウエハ４３をトップリング４５の下
面の弾性マット４７の下部に保持し、ターンテーブル４
１上の研磨布４２に半導体ウエハ４３をトップリング４
５によって押圧するとともに、ターンテーブル４１およ
びトップリング４５を回転させて研磨布４２と半導体ウ
エハ４３を相対運動させて研磨する。このとき、砥液供
給ノズル４８から研磨布４２上に砥液Ｑを供給する。砥
液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁
したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥
粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウ
エハを研磨する。
面の弾性マット４７の下部に保持し、ターンテーブル４
１上の研磨布４２に半導体ウエハ４３をトップリング４
５によって押圧するとともに、ターンテーブル４１およ
びトップリング４５を回転させて研磨布４２と半導体ウ
エハ４３を相対運動させて研磨する。このとき、砥液供
給ノズル４８から研磨布４２上に砥液Ｑを供給する。砥
液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁
したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥
粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウ
エハを研磨する。
【０００７】図１０は研磨時の半導体ウエハと研磨布と
弾性マットの状態を示す拡大断面図である。図１０に示
すように、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３
の周縁は、研磨布４２との接触／非接触の境界であると
同時に、弾性マット４７との接触／非接触との境界にな
っている。このため、これらの境界であるポリッシング
対象物の周縁において、ポリッシング対象物に加わる研
磨圧力が不均一になり、ポリッシング対象物の周縁のみ
が多く研磨され、いわゆる「縁だれ」を起こしてしまう
という問題点があった。
弾性マットの状態を示す拡大断面図である。図１０に示
すように、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３
の周縁は、研磨布４２との接触／非接触の境界であると
同時に、弾性マット４７との接触／非接触との境界にな
っている。このため、これらの境界であるポリッシング
対象物の周縁において、ポリッシング対象物に加わる研
磨圧力が不均一になり、ポリッシング対象物の周縁のみ
が多く研磨され、いわゆる「縁だれ」を起こしてしまう
という問題点があった。
【０００８】図１１は半導体ウエハ上に酸化膜（ＳｉＯ
2 ）等の被膜が形成された６インチ半導体ウエハについ
て有限要素法（finite element method ）で求めた半径
方向位置と研磨圧力との関係及び半径方向位置と膜厚と
の関係を示すグラフである。図中、白丸は有限要素法で
求めた研磨圧力（gf／ｃｍ2）の計算値を示し、黒丸は
研磨後の膜厚（オングストローム）の測定値を示す。計
算で求められた研磨圧力は半導体ウエハの周縁部（７０
〜７４mm）で不均一であり、これに応じて膜厚は半導体
ウエハの周縁部（７０〜７３．５mm）で不均一になって
いる。そして、膜厚の実測値から明らかなように半導体
ウエハの周縁部が過研磨になって縁だれが生じているの
がわかる。
2 ）等の被膜が形成された６インチ半導体ウエハについ
て有限要素法（finite element method ）で求めた半径
方向位置と研磨圧力との関係及び半径方向位置と膜厚と
の関係を示すグラフである。図中、白丸は有限要素法で
求めた研磨圧力（gf／ｃｍ2）の計算値を示し、黒丸は
研磨後の膜厚（オングストローム）の測定値を示す。計
算で求められた研磨圧力は半導体ウエハの周縁部（７０
〜７４mm）で不均一であり、これに応じて膜厚は半導体
ウエハの周縁部（７０〜７３．５mm）で不均一になって
いる。そして、膜厚の実測値から明らかなように半導体
ウエハの周縁部が過研磨になって縁だれが生じているの
がわかる。
【０００９】従来、上述した半導体ウエハの縁だれを防
止するため、ガイドリングをリング状の重りによって構
成し、ガイドリングをトップリングに対して上下動可能
とし、ガイドリングの重量によって研磨布を押圧する構
造を採用したものがある（例えば、特開昭５５−１５７
４７３号）。また、トップリングとガイドリングとの間
にバネを介装し、バネ力によってガイドリングを研磨布
に押圧する構造を採用したものがある（例えば、特公昭
５８−１０１９３号）。
止するため、ガイドリングをリング状の重りによって構
成し、ガイドリングをトップリングに対して上下動可能
とし、ガイドリングの重量によって研磨布を押圧する構
造を採用したものがある（例えば、特開昭５５−１５７
４７３号）。また、トップリングとガイドリングとの間
にバネを介装し、バネ力によってガイドリングを研磨布
に押圧する構造を採用したものがある（例えば、特公昭
５８−１０１９３号）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のガイド
リングの重量によって研磨布を押圧する構造のものにお
いては、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トッ
プリングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研
磨布に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研
磨布を押圧する押圧力は常に一定であり変更することが
できないため、トップリングの押圧力に比べてガイドリ
ングの研磨布に対する押圧力が低すぎたり高すぎたりす
る場合があり、半導体ウエハの周縁部のみが多く研磨さ
れたり、逆に研磨量が少なかったりするという問題点が
あった。
リングの重量によって研磨布を押圧する構造のものにお
いては、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トッ
プリングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研
磨布に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研
磨布を押圧する押圧力は常に一定であり変更することが
できないため、トップリングの押圧力に比べてガイドリ
ングの研磨布に対する押圧力が低すぎたり高すぎたりす
る場合があり、半導体ウエハの周縁部のみが多く研磨さ
れたり、逆に研磨量が少なかったりするという問題点が
あった。
【００１１】また、上述したバネ力によってガイドリン
グを研磨布に押圧する構造のものにおいては、使用する
バネによって押圧力が決定されてしまい、上述と同様
に、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トップリ
ングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研磨布
に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研磨布
を押圧する押圧力は変更することができないため、トッ
プリングの押圧力に比べてガイドリングの研磨布に対す
る押圧力が低すぎたり高すぎたりする場合があり、半導
体ウエハの周縁部のみが多く研磨されたり、逆に研磨量
が少なかったりするという問題点があった。
グを研磨布に押圧する構造のものにおいては、使用する
バネによって押圧力が決定されてしまい、上述と同様
に、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トップリ
ングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研磨布
に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研磨布
を押圧する押圧力は変更することができないため、トッ
プリングの押圧力に比べてガイドリングの研磨布に対す
る押圧力が低すぎたり高すぎたりする場合があり、半導
体ウエハの周縁部のみが多く研磨されたり、逆に研磨量
が少なかったりするという問題点があった。
【００１２】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、ポリッシング対象物や研磨条件に応じてガイドリン
グが研磨布に最適な押圧力を与えるようにすることによ
りポリッシング対象物の周縁部における研磨量の過不足
を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができるポ
リッシング装置および方法を提供することを目的とす
る。
で、ポリッシング対象物や研磨条件に応じてガイドリン
グが研磨布に最適な押圧力を与えるようにすることによ
りポリッシング対象物の周縁部における研磨量の過不足
を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができるポ
リッシング装置および方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】また本発明は、半導体ウエハ等のポリッシ
ング対象物によってはポリッシング対象物の周縁部で内
部側より研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請にも答えることができるようにポ
リッシング対象物の周縁部の研磨量を意図的に増減する
ことができるポリッシング装置および方法を提供するこ
とを目的とする。
ング対象物によってはポリッシング対象物の周縁部で内
部側より研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請にも答えることができるようにポ
リッシング対象物の周縁部の研磨量を意図的に増減する
ことができるポリッシング装置および方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１４】
【発明を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため本発明のポリッシング装置は、上面に研磨布を貼っ
たターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターン
テーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を
介在させて所定の力で押圧することによって該ポリッシ
ング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化するポリッシング
装置において、前記ポリッシング対象物を前記トップリ
ングの下端面内に保持するガイドリングをトップリング
の周囲に上下動自在に配置し、前記ガイドリングを研磨
布に対して押圧する押圧手段を設け、該押圧手段の押圧
力を可変にしたことを特徴とするものである。
ため本発明のポリッシング装置は、上面に研磨布を貼っ
たターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターン
テーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を
介在させて所定の力で押圧することによって該ポリッシ
ング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化するポリッシング
装置において、前記ポリッシング対象物を前記トップリ
ングの下端面内に保持するガイドリングをトップリング
の周囲に上下動自在に配置し、前記ガイドリングを研磨
布に対して押圧する押圧手段を設け、該押圧手段の押圧
力を可変にしたことを特徴とするものである。
【００１５】また本発明のポリッシング方法は、上面に
研磨布を貼ったターンテーブルとトップリングとを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の力で押圧することによ
って該ポリッシング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化す
るポリッシング方法において、前記トップリングの周囲
にガイドリングを上下動自在に配置し、ポリッシング対
象物が接触する研磨布の周囲を、ガイドリングによりト
ップリングの押圧力に基づいて決定された押圧力で押圧
しながら研磨することを特徴とするものである。
研磨布を貼ったターンテーブルとトップリングとを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の力で押圧することによ
って該ポリッシング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化す
るポリッシング方法において、前記トップリングの周囲
にガイドリングを上下動自在に配置し、ポリッシング対
象物が接触する研磨布の周囲を、ガイドリングによりト
ップリングの押圧力に基づいて決定された押圧力で押圧
しながら研磨することを特徴とするものである。
【００１６】図１は本発明の基本概念を示す図である。
図１において、符号１はトップリングであり、トップリ
ング１の下面には弾性マット２が貼着されている。また
トップリング１の外周部にはガイドリング３が配置され
ている。このガイドリング３はトップリング１に対して
上下動自在になっている。
図１において、符号１はトップリングであり、トップリ
ング１の下面には弾性マット２が貼着されている。また
トップリング１の外周部にはガイドリング３が配置され
ている。このガイドリング３はトップリング１に対して
上下動自在になっている。
【００１７】上述の構成において、トップリング１がポ
リッシング対象物である半導体ウエハ４をターンテーブ
ル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1（単位面積当た
りの圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変とし、またガイドリン
グ３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2（単位面積当たり
の圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変としている。そして、押
圧力Ｆ1 と押圧力Ｆ2 とは、それぞれ独立して押圧力を
変更できるようになっている。したがって、ガイドリン
グ３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 をトップリング１
が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応
じて変更することができる。
リッシング対象物である半導体ウエハ４をターンテーブ
ル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1（単位面積当た
りの圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変とし、またガイドリン
グ３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2（単位面積当たり
の圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変としている。そして、押
圧力Ｆ1 と押圧力Ｆ2 とは、それぞれ独立して押圧力を
変更できるようになっている。したがって、ガイドリン
グ３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 をトップリング１
が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応
じて変更することができる。
【００１８】この場合、理論的には、トップリング１が
半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 とガイ
ドリング３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 とを等しく
すれば、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４の中
心部から周縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある
ガイドリング３の外周部までの研磨圧力の分布が連続か
つ均一になる。そのため、ポリッシング対象物である半
導体ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止す
ることができる。
半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 とガイ
ドリング３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 とを等しく
すれば、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４の中
心部から周縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある
ガイドリング３の外周部までの研磨圧力の分布が連続か
つ均一になる。そのため、ポリッシング対象物である半
導体ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止す
ることができる。
【００１９】図２はトップリング１が半導体ウエハ４を
研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1とガイドリング３が研磨
布６を押圧する押圧力Ｆ2との関係を変えた場合の模式
図であり、図２（ａ）はＦ1＞Ｆ2の場合を示し、図２
（ｂ）はＦ1≒Ｆ2の場合を示し、図２（ｃ）はＦ1＜Ｆ2
の場合を示す。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示される
ように、ガイドリング３に押圧力Ｆ2を加えた場合、研
磨布６が圧縮され、半導体ウエハ４の周縁部に対する研
磨布６の接触状態が変化していく。このため、Ｆ1とＦ2
との関係を変更することにより半導体ウエハ４の研磨圧
力の分布を内部側と周縁部とで種々に変えることができ
る。
研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1とガイドリング３が研磨
布６を押圧する押圧力Ｆ2との関係を変えた場合の模式
図であり、図２（ａ）はＦ1＞Ｆ2の場合を示し、図２
（ｂ）はＦ1≒Ｆ2の場合を示し、図２（ｃ）はＦ1＜Ｆ2
の場合を示す。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示される
ように、ガイドリング３に押圧力Ｆ2を加えた場合、研
磨布６が圧縮され、半導体ウエハ４の周縁部に対する研
磨布６の接触状態が変化していく。このため、Ｆ1とＦ2
との関係を変更することにより半導体ウエハ４の研磨圧
力の分布を内部側と周縁部とで種々に変えることができ
る。
【００２０】図２から明らかなように、Ｆ1＞Ｆ2の場合
には半導体ウエハ４の周縁部の研磨圧力が内部より高く
なり、半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を内部の研磨量
より多くすることができる。Ｆ1≒Ｆ2の場合には半導体
ウエハ４の中心部から周縁部、さらにはガイドリングの
外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一になり、半
導体ウエハ４は中心部から周縁部まで均一な研磨量が得
られる。Ｆ1＜Ｆ2の場合には半導体ウエハ４の周縁部の
研磨圧力が内部より低くなり、半導体ウエハ４の周縁部
の研磨量を内部の研磨量より少なくすることができる。
には半導体ウエハ４の周縁部の研磨圧力が内部より高く
なり、半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を内部の研磨量
より多くすることができる。Ｆ1≒Ｆ2の場合には半導体
ウエハ４の中心部から周縁部、さらにはガイドリングの
外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一になり、半
導体ウエハ４は中心部から周縁部まで均一な研磨量が得
られる。Ｆ1＜Ｆ2の場合には半導体ウエハ４の周縁部の
研磨圧力が内部より低くなり、半導体ウエハ４の周縁部
の研磨量を内部の研磨量より少なくすることができる。
【００２１】図３は本発明の基本概念に基づいて半導体
ウエハを研磨した場合の実験結果を示すグラフである。
半導体ウエハは８インチのものを使用し、トップリング
による半導体ウエハに加わる押圧力（研磨圧力）は４０
０ｇf/cm2 で一定であり、ガイドリングの押圧力は６０
０〜２００ｇf/cm2 まで変更したものである。図３
（ａ）はガイドリングの押圧力を６００ｇf/cm2 、図３
（ｂ）は同押圧力を５００ｇf/cm2 、図３（ｃ）は同押
圧力を４００ｇf/cm2 、図３（ｄ）は同押圧力を３００
ｇf/cm2、図３（ｅ）は同押圧力を２００gf/cm2とした
ものである。各図において横軸は半導体ウエハの中心か
らの距離（mm）、縦軸は研磨量（オングストローム）を
示す。
ウエハを研磨した場合の実験結果を示すグラフである。
半導体ウエハは８インチのものを使用し、トップリング
による半導体ウエハに加わる押圧力（研磨圧力）は４０
０ｇf/cm2 で一定であり、ガイドリングの押圧力は６０
０〜２００ｇf/cm2 まで変更したものである。図３
（ａ）はガイドリングの押圧力を６００ｇf/cm2 、図３
（ｂ）は同押圧力を５００ｇf/cm2 、図３（ｃ）は同押
圧力を４００ｇf/cm2 、図３（ｄ）は同押圧力を３００
ｇf/cm2、図３（ｅ）は同押圧力を２００gf/cm2とした
ものである。各図において横軸は半導体ウエハの中心か
らの距離（mm）、縦軸は研磨量（オングストローム）を
示す。
【００２２】図３から明らかなように、ガイドリングの
押圧力を変えることによって、半導体ウエハの半径方向
位置の研磨量が影響を受けていることがわかる。即ち、
ガイドリングの押圧力が２００〜３００ｇf/cm2 の場合
（図３（ｄ），図３（ｅ））には、半導体ウエハの周縁
部で縁だれが生じており、同押圧力が４００〜５００ｇ
f/cm2 の場合（図３（ｂ），図３（ｃ））には半導体ウ
エハの周縁部の縁だれが少なく、さらに同押圧力が６０
０ｇf/cm2 の場合（図３（ａ））には半導体ウエハの周
縁部で研磨不足が生じている。
押圧力を変えることによって、半導体ウエハの半径方向
位置の研磨量が影響を受けていることがわかる。即ち、
ガイドリングの押圧力が２００〜３００ｇf/cm2 の場合
（図３（ｄ），図３（ｅ））には、半導体ウエハの周縁
部で縁だれが生じており、同押圧力が４００〜５００ｇ
f/cm2 の場合（図３（ｂ），図３（ｃ））には半導体ウ
エハの周縁部の縁だれが少なく、さらに同押圧力が６０
０ｇf/cm2 の場合（図３（ａ））には半導体ウエハの周
縁部で研磨不足が生じている。
【００２３】以上のように、実験結果からガイドリング
の押圧力をトップリングの押圧力とは独立に変更するこ
とにより、ポリッシング対象物の周縁部における研磨量
の過不足を調整できることが裏付けられた。理論的には
ガイドリングの押圧力はトップリングの押圧力と等しい
場合がポリッシング対象物の周縁部の研磨結果は良くな
るはずであるが、ポリッシング対象物や研磨条件によっ
て一概には云いきれないため、本発明においてはポリッ
シング対象物や研磨条件によって、ガイドリングの押圧
力をトップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択す
る。
の押圧力をトップリングの押圧力とは独立に変更するこ
とにより、ポリッシング対象物の周縁部における研磨量
の過不足を調整できることが裏付けられた。理論的には
ガイドリングの押圧力はトップリングの押圧力と等しい
場合がポリッシング対象物の周縁部の研磨結果は良くな
るはずであるが、ポリッシング対象物や研磨条件によっ
て一概には云いきれないため、本発明においてはポリッ
シング対象物や研磨条件によって、ガイドリングの押圧
力をトップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択す
る。
【００２４】また半導体ウエハ等のポリッシング対象物
によっては、ポリッシング対象物の周縁部を内部側より
意図的に研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請に対してもガイドリングの押圧力
をトップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択する
ことによりポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意図
的に増減することができる。
によっては、ポリッシング対象物の周縁部を内部側より
意図的に研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請に対してもガイドリングの押圧力
をトップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択する
ことによりポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意図
的に増減することができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置および
方法の一実施例を図４及び図５を参照して説明する。図
４はポリッシング装置の全体構成を示す断面図であり、
図５はポリッシング装置の要部構成を示す断面図であ
る。図４および図５において、符号１はトップリングで
あり、トップリング１の下面には弾性マット２が貼着さ
れている。またトップリング１の外周部にはガイドリン
グ３が配置されている。またトップリング１の下方に
は、上面に研磨布６を貼ったターンテーブル５が設置さ
れている。
方法の一実施例を図４及び図５を参照して説明する。図
４はポリッシング装置の全体構成を示す断面図であり、
図５はポリッシング装置の要部構成を示す断面図であ
る。図４および図５において、符号１はトップリングで
あり、トップリング１の下面には弾性マット２が貼着さ
れている。またトップリング１の外周部にはガイドリン
グ３が配置されている。またトップリング１の下方に
は、上面に研磨布６を貼ったターンテーブル５が設置さ
れている。
【００２６】前記トップリング１はボール７を介してト
ップリングシャフト８に接続されており、このトップリ
ングシャフト８はトップリングヘッド９に固定されたト
ップリング用エアシリンダ１０に連結されており、この
トップリング用エアシリンダ１０によってトップリング
シャフト８は上下動し、トップリング１の下端面に保持
された半導体ウエハ４をターンテーブル５に押圧するよ
うになっている。
ップリングシャフト８に接続されており、このトップリ
ングシャフト８はトップリングヘッド９に固定されたト
ップリング用エアシリンダ１０に連結されており、この
トップリング用エアシリンダ１０によってトップリング
シャフト８は上下動し、トップリング１の下端面に保持
された半導体ウエハ４をターンテーブル５に押圧するよ
うになっている。
【００２７】また、トップリングシャフト８はキー（図
示せず）を介して回転筒１１に連結されており、この回
転筒１１はその外周部にタイミングプーリ１２を有して
いる。そして、タイミングプーリ１２は、タイミングベ
ルト１３を介して、トップリングヘッド９に固定された
トップリング用モータ１４に設けられたタイミングプー
リ１５に接続されている。したがって、トップリング用
モータ１４を回転駆動することによってタイミングプー
リ１５、タイミングベルト１３およびタイミングプーリ
１２を介して回転筒１１及びトップリングシャフト８が
一体に回転し、トップリング１が回転する。トップリン
グヘッド９は、フレーム（図示せず）に固定支持された
トップリングヘッドシャフト１６によって支持されてい
る。
示せず）を介して回転筒１１に連結されており、この回
転筒１１はその外周部にタイミングプーリ１２を有して
いる。そして、タイミングプーリ１２は、タイミングベ
ルト１３を介して、トップリングヘッド９に固定された
トップリング用モータ１４に設けられたタイミングプー
リ１５に接続されている。したがって、トップリング用
モータ１４を回転駆動することによってタイミングプー
リ１５、タイミングベルト１３およびタイミングプーリ
１２を介して回転筒１１及びトップリングシャフト８が
一体に回転し、トップリング１が回転する。トップリン
グヘッド９は、フレーム（図示せず）に固定支持された
トップリングヘッドシャフト１６によって支持されてい
る。
【００２８】一方、ガイドリング３はキー１８を介して
トップリング１に連結されており、ガイドリング３はト
ップリング１に対して上下動自在であるとともにトップ
リング１と一体に回転可能になっている。そして、ガイ
ドリング３はベアリング１９を保持したベアリング押え
２０およびシャフト２１を介してガイドリング用エアシ
リンダ２２に連結されている。ガイドリング用エアシリ
ンダ２２はトップリングヘッド９に固定されている。ガ
イドリング用エアシリンダ２２は円周上に複数個（本実
施例では３個）配設されている。
トップリング１に連結されており、ガイドリング３はト
ップリング１に対して上下動自在であるとともにトップ
リング１と一体に回転可能になっている。そして、ガイ
ドリング３はベアリング１９を保持したベアリング押え
２０およびシャフト２１を介してガイドリング用エアシ
リンダ２２に連結されている。ガイドリング用エアシリ
ンダ２２はトップリングヘッド９に固定されている。ガ
イドリング用エアシリンダ２２は円周上に複数個（本実
施例では３個）配設されている。
【００２９】トップリング用エアシリンダ１０及びガイ
ドリング用エアシリンダ２２は、それぞれレギュレータ
Ｒ１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。
そして、レギュレータＲ１によってトップリング用エア
シリンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりト
ップリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押
圧力を調整することができ、レギュレータＲ２によって
ガイドリング用エアシリンダ２２へ供給する空気圧を調
整することによりガイドリング３が研磨布６を押圧する
押圧力を調整することができる。
ドリング用エアシリンダ２２は、それぞれレギュレータ
Ｒ１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。
そして、レギュレータＲ１によってトップリング用エア
シリンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりト
ップリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押
圧力を調整することができ、レギュレータＲ２によって
ガイドリング用エアシリンダ２２へ供給する空気圧を調
整することによりガイドリング３が研磨布６を押圧する
押圧力を調整することができる。
【００３０】また、ターンテーブル５の上方には砥液供
給ノズル２５が設置されており、砥液供給ノズル２５に
よってターンテーブル５上の研磨布６上に研磨砥液Ｑが
供給されるようになっている。
給ノズル２５が設置されており、砥液供給ノズル２５に
よってターンテーブル５上の研磨布６上に研磨砥液Ｑが
供給されるようになっている。
【００３１】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング１の下面に半導体ウエハ４を保持させ、トッ
プリング用エアシリンダ１０を作動させてトップリング
１をターンテーブル５に向かって押圧し、回転している
ターンテーブル５の上面の研磨布６に半導体ウエハ４を
押圧する。一方、砥液供給ノズル２５から研磨砥液Ｑを
流すことにより、研磨布６に研磨砥液Ｑが保持されてお
り、半導体ウエハ４の研磨される面（下面）と研磨布６
の間に研磨砥液Ｑが存在した状態でポリッシングが行わ
れる。
ップリング１の下面に半導体ウエハ４を保持させ、トッ
プリング用エアシリンダ１０を作動させてトップリング
１をターンテーブル５に向かって押圧し、回転している
ターンテーブル５の上面の研磨布６に半導体ウエハ４を
押圧する。一方、砥液供給ノズル２５から研磨砥液Ｑを
流すことにより、研磨布６に研磨砥液Ｑが保持されてお
り、半導体ウエハ４の研磨される面（下面）と研磨布６
の間に研磨砥液Ｑが存在した状態でポリッシングが行わ
れる。
【００３２】トップリング用エアシリンダ１０によるト
ップリング１の押圧力に応じてガイドリング用エアシリ
ンダ２２によるガイドリング３の研磨布６への押圧力を
適宜調整して半導体ウエハ４の研磨を行う。研磨中にレ
ギュレータＲ１によってトップリング１が半導体ウエハ
４をターンテーブル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ
1 を変更でき、レギュレータＲ２によってガイドリング
３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 を変更できる（図１
参照）。したがって、研磨中に、ガイドリング３が研磨
布６を押圧する押圧力Ｆ2 を、トップリング１が半導体
ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応じて変更
することができる。この押圧力Ｆ1 に対する押圧力Ｆ2
を適宜調整することにより、半導体ウエハ４の中心部か
ら周縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にあるガイド
リング３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一
になる。そのため、半導体ウエハ４の周縁部における研
磨量の過不足を防止することができる。
ップリング１の押圧力に応じてガイドリング用エアシリ
ンダ２２によるガイドリング３の研磨布６への押圧力を
適宜調整して半導体ウエハ４の研磨を行う。研磨中にレ
ギュレータＲ１によってトップリング１が半導体ウエハ
４をターンテーブル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ
1 を変更でき、レギュレータＲ２によってガイドリング
３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 を変更できる（図１
参照）。したがって、研磨中に、ガイドリング３が研磨
布６を押圧する押圧力Ｆ2 を、トップリング１が半導体
ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応じて変更
することができる。この押圧力Ｆ1 に対する押圧力Ｆ2
を適宜調整することにより、半導体ウエハ４の中心部か
ら周縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にあるガイド
リング３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一
になる。そのため、半導体ウエハ４の周縁部における研
磨量の過不足を防止することができる。
【００３３】また半導体ウエハ４の周縁部で内部側より
意図的に研磨量を多くし又は逆に少なくしたい場合に
は、ガイドリングリングの押圧力Ｆ2をトップリングの
押圧力Ｆ1に基づいて最適な値に選択することにより、
半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減でき
る。
意図的に研磨量を多くし又は逆に少なくしたい場合に
は、ガイドリングリングの押圧力Ｆ2をトップリングの
押圧力Ｆ1に基づいて最適な値に選択することにより、
半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減でき
る。
【００３４】図６は本発明のポリッシング装置の第２実
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にあるガイドリング３はガイドリング押え
２６により保持されており、ガイドリング押え２６は複
数のローラ２７により押圧されるようになっている。ロ
ーラ２７はシャフト２８を介してトップリングヘッド９
に固定されたガイドリング用エアシリンダ２２に連結さ
れている。ガイドリング３がトップリング１に対して上
下動自在でトップリング１とともに回転できることは、
図４及び図５に示す実施例と同様である。
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にあるガイドリング３はガイドリング押え
２６により保持されており、ガイドリング押え２６は複
数のローラ２７により押圧されるようになっている。ロ
ーラ２７はシャフト２８を介してトップリングヘッド９
に固定されたガイドリング用エアシリンダ２２に連結さ
れている。ガイドリング３がトップリング１に対して上
下動自在でトップリング１とともに回転できることは、
図４及び図５に示す実施例と同様である。
【００３５】本実施例においては、トップリング１の回
転中にローラ２７はガイドリング押え２６と摺接して自
身の軸心回わりに回転し、ガイドリング３はローラ２７
によってガイドリング押え２６を介して下方に押圧され
る。その結果、ガイドリング３は研磨布６を所定の押圧
力で押圧する。その他の構成は図４および図５に示す実
施例と同様である。また作用効果も図４および図５に示
す実施例と同様である。上述のように、第１実施例及び
第２実施例においては、トップリングシャフト８の周囲
に別個に設けられ、トップリングシャフト８と一緒に回
転することはしない部材２１及び２８を介してガイドリ
ング押圧力が伝達されるので、研磨中すなわちトップリ
ングが回転中であっても、ガイドリング押圧力を変更す
ることが可能である。
転中にローラ２７はガイドリング押え２６と摺接して自
身の軸心回わりに回転し、ガイドリング３はローラ２７
によってガイドリング押え２６を介して下方に押圧され
る。その結果、ガイドリング３は研磨布６を所定の押圧
力で押圧する。その他の構成は図４および図５に示す実
施例と同様である。また作用効果も図４および図５に示
す実施例と同様である。上述のように、第１実施例及び
第２実施例においては、トップリングシャフト８の周囲
に別個に設けられ、トップリングシャフト８と一緒に回
転することはしない部材２１及び２８を介してガイドリ
ング押圧力が伝達されるので、研磨中すなわちトップリ
ングが回転中であっても、ガイドリング押圧力を変更す
ることが可能である。
【００３６】図７は本発明のポリッシング装置の第３実
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にあるガイドリング３は、トップリング１
に固定されたガイドリング用エアシリンダ３１に連結さ
れている。ガイドリング用エアシリンダ３１はトップリ
ングシャフト８内の連通路８ａ、ロータリージョイント
３２、レギュレータＲ２を介して圧縮空気源２４に接続
されている。
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にあるガイドリング３は、トップリング１
に固定されたガイドリング用エアシリンダ３１に連結さ
れている。ガイドリング用エアシリンダ３１はトップリ
ングシャフト８内の連通路８ａ、ロータリージョイント
３２、レギュレータＲ２を介して圧縮空気源２４に接続
されている。
【００３７】またトップリング用エアシリンダ１０は図
４の実施例と同様にレギュレータＲ１を介して圧縮空気
源２４に接続されている。またレギュレータＲ１，Ｒ２
は演算器３３に接続されている。
４の実施例と同様にレギュレータＲ１を介して圧縮空気
源２４に接続されている。またレギュレータＲ１，Ｒ２
は演算器３３に接続されている。
【００３８】本実施例においても、半導体ウエハ４はト
ップリング用エアシリンダ１０によるトップリング１の
押圧力によって研磨布６に押圧されて研磨される。また
ガイドリング３はガイドリング用エアシリンダ３１によ
って研磨布６に押圧される。ガイドリング３を研磨布６
に押圧すると、ガイドリング３は反力を受けて、トップ
リング１の押圧力に影響を与えることになる。そのた
め、本実施例においては、トップリング１の押圧力とガ
イドリング３の押圧力の設定値を演算器３３に入力し、
演算器３３によってトップリング用エアシリンダ１０お
よびガイドリング用エアシリンダ３１に与える空気圧を
演算し、レギュレータＲ１，Ｒ２を調整して、所定の空
気圧のエアをトップリング用エアシリンダ１０およびガ
イドリング用エアシリンダ３１にそれぞれ供給する。こ
れによってトップリング１の押圧力とガイドリング３の
押圧力としてそれぞれ所望の値が得られるようになって
いる。即ち、トップリング１の押圧力とガイドリング３
の押圧力は、研磨中にそれぞれ影響を受けることなく独
立に変更可能になっている。その他の構成は図４および
図５に示す実施例と同様である。また作用効果も図４お
よび図５に示す実施例と同様である。この第３実施例に
おいても、ロータリージョイントを介して圧縮空気を供
給しているので、研磨中すなわちトップリングが回転中
であっても、ガイドリング押圧力を変更することができ
る。
ップリング用エアシリンダ１０によるトップリング１の
押圧力によって研磨布６に押圧されて研磨される。また
ガイドリング３はガイドリング用エアシリンダ３１によ
って研磨布６に押圧される。ガイドリング３を研磨布６
に押圧すると、ガイドリング３は反力を受けて、トップ
リング１の押圧力に影響を与えることになる。そのた
め、本実施例においては、トップリング１の押圧力とガ
イドリング３の押圧力の設定値を演算器３３に入力し、
演算器３３によってトップリング用エアシリンダ１０お
よびガイドリング用エアシリンダ３１に与える空気圧を
演算し、レギュレータＲ１，Ｒ２を調整して、所定の空
気圧のエアをトップリング用エアシリンダ１０およびガ
イドリング用エアシリンダ３１にそれぞれ供給する。こ
れによってトップリング１の押圧力とガイドリング３の
押圧力としてそれぞれ所望の値が得られるようになって
いる。即ち、トップリング１の押圧力とガイドリング３
の押圧力は、研磨中にそれぞれ影響を受けることなく独
立に変更可能になっている。その他の構成は図４および
図５に示す実施例と同様である。また作用効果も図４お
よび図５に示す実施例と同様である。この第３実施例に
おいても、ロータリージョイントを介して圧縮空気を供
給しているので、研磨中すなわちトップリングが回転中
であっても、ガイドリング押圧力を変更することができ
る。
【００３９】図８はポリッシング対象物の周縁部を内部
側より意図的に研磨量を少なくする場合の例を示す説明
図である。図８に示す例では、半導体デバイスは、シリ
コンからなる基材４０と、基材４０上の酸化膜４１と、
酸化膜４１上の金属膜４２と、金属膜４２上の酸化膜４
３とから構成されている。図８（ａ）は研磨前の状態を
示し、図８（ｂ）は研磨後の状態を示す。研磨後には、
半導体デバイスの周縁部で金属膜４２が露出している。
研磨後に薬液洗浄すると、図８（ｃ）に示すように金属
膜４２が薬液によって侵される。金属膜４２を薬液に侵
されないようにするためには、図８（ｄ）に示すように
周縁部の研磨量を内部側より少なくして周縁部の酸化膜
４３を厚く残すことが好ましい。このような要請に本発
明は好適である。
側より意図的に研磨量を少なくする場合の例を示す説明
図である。図８に示す例では、半導体デバイスは、シリ
コンからなる基材４０と、基材４０上の酸化膜４１と、
酸化膜４１上の金属膜４２と、金属膜４２上の酸化膜４
３とから構成されている。図８（ａ）は研磨前の状態を
示し、図８（ｂ）は研磨後の状態を示す。研磨後には、
半導体デバイスの周縁部で金属膜４２が露出している。
研磨後に薬液洗浄すると、図８（ｃ）に示すように金属
膜４２が薬液によって侵される。金属膜４２を薬液に侵
されないようにするためには、図８（ｄ）に示すように
周縁部の研磨量を内部側より少なくして周縁部の酸化膜
４３を厚く残すことが好ましい。このような要請に本発
明は好適である。
【００４０】なお、以上の実施例はポリッシング対象物
として半導体ウエハを用いた例について説明したが、ポ
リッシング対象物としてはガラス製品、液晶板、或いは
セラミック製品等にも適用可能であるのは勿論である。
またトップリング１およびガイドリング３の押圧手段と
してエアシリンダを説明したが、液体圧シリンダでも勿
論よい。さらにガイドリングの押圧手段として機械的手
段を説明したが、ピエゾ素子や電磁気力を使用した電気
的手段であってもよい。
として半導体ウエハを用いた例について説明したが、ポ
リッシング対象物としてはガラス製品、液晶板、或いは
セラミック製品等にも適用可能であるのは勿論である。
またトップリング１およびガイドリング３の押圧手段と
してエアシリンダを説明したが、液体圧シリンダでも勿
論よい。さらにガイドリングの押圧手段として機械的手
段を説明したが、ピエゾ素子や電磁気力を使用した電気
的手段であってもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のポリッシン
グ装置および方法によれば、ポリッシングに際してポリ
ッシング対象物の周縁部における押圧力分布が不均一に
なることを防止して研磨圧力をポリッシング対象物の全
面に亘って均一にし、ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量が過不足となることを防止することができる。従っ
て、ポリッシング対象物の全面を平坦かつ鏡面に研磨す
ることができる。そして、半導体製造工程等に用いてよ
り質の高いポリッシングを行うことができ、また半導体
ウエハの周縁部まで製品に供することができるため、半
導体ウエハの歩留りの向上に寄与するものである。
グ装置および方法によれば、ポリッシングに際してポリ
ッシング対象物の周縁部における押圧力分布が不均一に
なることを防止して研磨圧力をポリッシング対象物の全
面に亘って均一にし、ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量が過不足となることを防止することができる。従っ
て、ポリッシング対象物の全面を平坦かつ鏡面に研磨す
ることができる。そして、半導体製造工程等に用いてよ
り質の高いポリッシングを行うことができ、また半導体
ウエハの周縁部まで製品に供することができるため、半
導体ウエハの歩留りの向上に寄与するものである。
【００４２】また本発明によれば、半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物によってはポリッシング対象物の周縁
部で内部側より意図的に研磨量を多く又は逆に少なくし
たいという要請があるため、この要請にも答えることが
できるようにポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意
図的に増減することができる。
リッシング対象物によってはポリッシング対象物の周縁
部で内部側より意図的に研磨量を多く又は逆に少なくし
たいという要請があるため、この要請にも答えることが
できるようにポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意
図的に増減することができる。
【図１】本発明の基本概念を説明する説明図である。
【図２】トップリングの押圧力とガイドリングの押圧力
の関係を変更した場合の挙動を説明する説明図である。
の関係を変更した場合の挙動を説明する説明図である。
【図３】本発明の基本概念に基づいて半導体ウエハを研
磨した場合の実験結果を示すグラフである。
磨した場合の実験結果を示すグラフである。
【図４】本発明に係るポリッシング装置の第１実施例の
全体構成を示す断面図である。
全体構成を示す断面図である。
【図５】本発明に係るポリッシング装置の第１実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図６】本発明に係るポリッシング装置の第２実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図７】本発明に係るポリッシング装置の第３実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図８】ポリッシング対象物の周縁部を内部側より意図
的に研磨量を少なくする場合の例を示す説明図である。
的に研磨量を少なくする場合の例を示す説明図である。
【図９】従来のポリッシング装置の概略構造を示す断面
図である。
図である。
【図１０】従来のポリッシング装置における半導体ウエ
ハと研磨布と弾性マットとの状態を示す拡大断面図であ
る。
ハと研磨布と弾性マットとの状態を示す拡大断面図であ
る。
【図１１】半導体ウエハの半径方向位置と研磨圧力との
関係及び半径方向位置と膜厚との関係を示すグラフであ
る。
関係及び半径方向位置と膜厚との関係を示すグラフであ
る。
１ トップリング ２ 弾性マット ３ ガイドリング ４ 半導体ウエハ ５ ターンテーブル ６ 研磨布 ７ ボール ８ トップリングシャフト ９ トップリングヘッド １０ トップリング用エアシリンダ １８ キー １９ ベアリング ２０ ベアリング押え ２２ ガイドリング用エアシリンダ ２４ 圧縮空気源 ２５ 砥液供給ノズル ２６ ガイドリング押え ２７ ローラ ３１ ガイドリング用エアシリンダ ３２ ロータリジョイント ３３ 演算器 Ｒ１，Ｒ２ レギュレータ
Claims (13)
- 【請求項１】 上面に研磨布を貼ったターンテーブルと
トップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリ
ングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の力
で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
し、平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、 前記ポリッシング対象物を前記トップリングの下端面内
に保持するガイドリングをトップリングの周囲に上下動
自在に配置し、前記ガイドリングを研磨布に対して押圧
する押圧手段を設け、該押圧手段の押圧力を可変にした
ことを特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項２】 前記トップリングがポリッシング対象物
に与える押圧力と前記ガイドリングが研磨布に与える押
圧力は、それぞれ独立に変更可能であることを特徴とす
る請求項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記ガイドリングが研磨布に与える押圧
力は、前記トップリングがポリッシング対象物に与える
押圧力に基づいて決定することを特徴とする請求項１記
載のポリッシング装置。 - 【請求項４】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨
量を内部の研磨量より多くするように、前記ガイドリン
グが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリッ
シング対象物に与える押圧力より小さくすることを特徴
とする請求項３記載のポリッシング装置。 - 【請求項５】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨
量を内部の研磨量より少なくするように、前記ガイドリ
ングが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリ
ッシング対象物に与える押圧力より大きくすることを特
徴とする請求項３記載のポリッシング装置。 - 【請求項６】 前記ガイドリングの押圧手段は、流体圧
シリンダからなることを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれか１項に記載のポリッシング装置。 - 【請求項７】 前記流体圧シリンダはトップリングを支
持するトップリングヘッドに固定されていることを特徴
とする請求項６記載のポリッシング装置。 - 【請求項８】 前記流体圧シリンダはトップリングに固
定されていることを特徴とする請求項６記載のポリッシ
ング装置。 - 【請求項９】 上面に研磨布を貼ったターンテーブルと
トップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリ
ングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の力
で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
し、平坦且つ鏡面化するポリッシング方法において、 前記トップリングの周囲にガイドリングを上下動自在に
配置し、ポリッシング対象物が接触する研磨布の周囲
を、ガイドリングによりトップリングの押圧力に基づい
て決定された押圧力で押圧しながら研磨することを特徴
とするポリッシング方法。 - 【請求項１０】 前記トップリングがポリッシング対象
物に与える押圧力と前記ガイドリングが研磨布に与える
押圧力は、それぞれ独立に変更可能であることを特徴と
する請求項９記載のポリッシング方法。 - 【請求項１１】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量を内部の研磨量より多くするように、前記ガイドリ
ングが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリ
ッシング対象物に与える押圧力より小さくすることを特
徴とする請求項９記載のポリッシング方法。 - 【請求項１２】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量を内部の研磨量より少なくするように、前記ガイド
リングが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポ
リッシング対象物に与える押圧力より大きくすることを
特徴とする請求項９記載のポリッシング方法。 - 【請求項１３】 半導体製造方法において、ターンテー
ブルとトップリングとの間に半導体ウエハを介在させて
所定の力で押圧することによって半導体ウエハを研磨す
るに際して、トップリングの周囲にガイドリングを上下
動自在に配置し、半導体ウエハが接触する研磨布の周囲
を、ガイドリングによりトップリングの押圧力に基づい
て決定された押圧力で押圧しながら研磨することを特徴
とする半導体製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095696A JP3724869B2 (ja) | 1995-10-09 | 1996-02-14 | ポリッシング装置および方法 |
| KR1019960044548A KR100435302B1 (ko) | 1995-10-09 | 1996-10-08 | 작업물폴리싱장치및방법 |
| EP01122244A EP1170090B1 (en) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | Apparatus for and method of polishing workpiece |
| US08/728,070 US6033520A (en) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | Apparatus for and method of polishing workpiece |
| EP96116163A EP0768148B1 (en) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | Apparatus for and method of polishing workpiece |
| DE69634144T DE69634144T2 (de) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Werkstücken |
| DE69620333T DE69620333T2 (de) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Werkstücken |
| US09/499,472 US6432258B1 (en) | 1995-10-09 | 2000-02-07 | Apparatus for and method of polishing workpiece |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-287976 | 1995-10-09 | ||
| JP28797695 | 1995-10-09 | ||
| JP5095696A JP3724869B2 (ja) | 1995-10-09 | 1996-02-14 | ポリッシング装置および方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005106998A Division JP4159558B2 (ja) | 1995-10-09 | 2005-04-04 | ポリッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09168964A true JPH09168964A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3724869B2 JP3724869B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=26391458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095696A Expired - Lifetime JP3724869B2 (ja) | 1995-10-09 | 1996-02-14 | ポリッシング装置および方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6033520A (ja) |
| EP (2) | EP0768148B1 (ja) |
| JP (1) | JP3724869B2 (ja) |
| KR (1) | KR100435302B1 (ja) |
| DE (2) | DE69634144T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999051397A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Ebara Corporation | Polishing device |
| US6149499A (en) * | 1998-03-27 | 2000-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing apparatus and polishing method |
| US7004827B1 (en) | 2004-02-12 | 2006-02-28 | Komag, Inc. | Method and apparatus for polishing a workpiece |
| EP1944123A2 (en) | 2000-10-11 | 2008-07-16 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus |
| US8332064B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-12-11 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus, and program for controlling polishing apparatus |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3724869B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2005-12-07 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置および方法 |
| ATE228915T1 (de) * | 1996-01-24 | 2002-12-15 | Lam Res Corp | Halbleiterscheiben-polierkopf |
| JPH10230455A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-09-02 | Nec Corp | 研磨装置 |
| US5857899A (en) * | 1997-04-04 | 1999-01-12 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing head with pad dressing element |
| EP0870576A3 (en) * | 1997-04-08 | 2000-10-11 | Ebara Corporation | Polishing Apparatus |
| US6425812B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-07-30 | Lam Research Corporation | Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology |
| US6244946B1 (en) | 1997-04-08 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Polishing head with removable subcarrier |
| JP2000060091A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Ebara Corp | 回転電機 |
| US6666756B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-12-23 | Lam Research Corporation | Wafer carrier head assembly |
| JP2001298006A (ja) | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2001338901A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 平坦化加工方法及び、装置並びに，半導体装置の製造方法 |
| EP1177859B1 (en) * | 2000-07-31 | 2009-04-15 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus |
| JP2005034959A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Ebara Corp | 研磨装置及びリテーナリング |
| US7186651B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Chemical mechanical polishing method and apparatus |
| US7338569B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-03-04 | Agere Systems Inc. | Method and system of using offset gage for CMP polishing pad alignment and adjustment |
| US20140273756A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Chih Hung Chen | Substrate precession mechanism for cmp polishing head |
| JP6888476B2 (ja) | 2016-08-23 | 2021-06-16 | 信越化学工業株式会社 | 基板の製造方法 |
| JP7074606B2 (ja) * | 2018-08-02 | 2022-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板を保持するためのトップリングおよび基板処理装置 |
| CN115091359B (zh) * | 2022-05-26 | 2023-09-05 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 抛光载体 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911423B2 (ja) * | 1974-04-10 | 1984-03-15 | 株式会社日立製作所 | ラツピング装置 |
| JPS55157473A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Polishing method |
| JPS5727659A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-15 | Supiide Fuamu Kk | Lapping machine |
| JPS62213960A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Hitachi Ltd | ラツピング治具 |
| JPS6410642A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Sony Corp | Bonding method for semiconductor substrate |
| WO1989007508A1 (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Gruzinsky Politekhnichesky Institut Imeni V.I.Leni | Method and cassette for abrasive machining of the surface of parts |
| US4954142A (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| US5205082A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
| JP3370112B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2003-01-27 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハーの研磨装置 |
| US5635083A (en) * | 1993-08-06 | 1997-06-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate |
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| US5651724A (en) * | 1994-09-08 | 1997-07-29 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing workpiece |
| JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| US5665656A (en) * | 1995-05-17 | 1997-09-09 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer |
| US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
| US5795215A (en) * | 1995-06-09 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for using a retaining ring to control the edge effect |
| JP3724869B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2005-12-07 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置および方法 |
| JP3072962B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2000-08-07 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨のための被加工物の保持具及びその製法 |
| US5839947A (en) * | 1996-02-05 | 1998-11-24 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| KR100485002B1 (ko) * | 1996-02-16 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 작업물폴리싱장치및방법 |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP5095696A patent/JP3724869B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-08 KR KR1019960044548A patent/KR100435302B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-09 DE DE69634144T patent/DE69634144T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-09 EP EP96116163A patent/EP0768148B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-09 EP EP01122244A patent/EP1170090B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-09 US US08/728,070 patent/US6033520A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-09 DE DE69620333T patent/DE69620333T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-07 US US09/499,472 patent/US6432258B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6149499A (en) * | 1998-03-27 | 2000-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing apparatus and polishing method |
| WO1999051397A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Ebara Corporation | Polishing device |
| US6293858B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Polishing device |
| KR100550034B1 (ko) * | 1998-04-06 | 2006-02-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
| EP1944123A2 (en) | 2000-10-11 | 2008-07-16 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus |
| US7004827B1 (en) | 2004-02-12 | 2006-02-28 | Komag, Inc. | Method and apparatus for polishing a workpiece |
| US8332064B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-12-11 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus, and program for controlling polishing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1170090B1 (en) | 2004-12-29 |
| KR970063545A (ko) | 1997-09-12 |
| EP0768148B1 (en) | 2002-04-03 |
| DE69620333D1 (de) | 2002-05-08 |
| US6432258B1 (en) | 2002-08-13 |
| EP1170090A1 (en) | 2002-01-09 |
| US6033520A (en) | 2000-03-07 |
| DE69634144T2 (de) | 2005-12-29 |
| DE69634144D1 (de) | 2005-02-03 |
| DE69620333T2 (de) | 2002-11-14 |
| KR100435302B1 (ko) | 2004-10-22 |
| JP3724869B2 (ja) | 2005-12-07 |
| EP0768148A1 (en) | 1997-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3724869B2 (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
| US6350346B1 (en) | Apparatus for polishing workpiece | |
| USRE38826E1 (en) | Apparatus for and method for polishing workpiece | |
| JP3807807B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP5291151B2 (ja) | ポリッシング装置及び方法 | |
| JP3795128B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| KR20080041408A (ko) | 화학적 기계적 연마장치 및 방법 | |
| JP3045966B2 (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
| US6015337A (en) | Polishing apparatus | |
| USRE39471E1 (en) | Apparatus for and method for polishing workpiece | |
| JP2002239894A (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP4159558B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP4342528B2 (ja) | ポリッシング方法 | |
| JP3944260B2 (ja) | 基板研磨方法及びその装置 | |
| JP2000094316A (ja) | 平坦化研磨装置 | |
| JP2000024909A (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP3902715B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JPH09326379A (ja) | 半導体基板の研磨方法および装置 | |
| JP3681226B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JP3729538B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP2000233360A (ja) | ポリッシング装置 | |
| JPH1177520A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
| JP2000233360A5 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050404 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050621 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050818 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050902 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050920 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050920 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130930 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |