JPH09161229A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH09161229A JPH09161229A JP31506395A JP31506395A JPH09161229A JP H09161229 A JPH09161229 A JP H09161229A JP 31506395 A JP31506395 A JP 31506395A JP 31506395 A JP31506395 A JP 31506395A JP H09161229 A JPH09161229 A JP H09161229A
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- angle
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は薄膜磁気ヘッドに関するもので、低
歪率の薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。 【解決手段】 ＭＲ素子２上に複数個の導体細片３ａ〜
３ｇが被着され、導体細片３ａ〜３ｇの形状が、ＭＲ素
子２の磁化容易軸に対し傾斜角を有し、前記傾斜角はＭ
Ｒ素子２の中央部で３０〜６０゜とし、ＭＲ素子の端部
近傍において隣接する導体細片の少なくとも片側の導体
細片の傾斜角度は中央部の傾斜角度よりも小さくするこ
とにより、ＭＲ素子中を流れるセンス電流の角度ばらつ
きが減少し、歪率の小さいヘッドを構成できる。
歪率の薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。 【解決手段】 ＭＲ素子２上に複数個の導体細片３ａ〜
３ｇが被着され、導体細片３ａ〜３ｇの形状が、ＭＲ素
子２の磁化容易軸に対し傾斜角を有し、前記傾斜角はＭ
Ｒ素子２の中央部で３０〜６０゜とし、ＭＲ素子の端部
近傍において隣接する導体細片の少なくとも片側の導体
細片の傾斜角度は中央部の傾斜角度よりも小さくするこ
とにより、ＭＲ素子中を流れるセンス電流の角度ばらつ
きが減少し、歪率の小さいヘッドを構成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録再生装置に
使用する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
使用する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野において、高記録密
度化に伴い、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）
を使用したＭＲヘッドが必要となっている。
度化に伴い、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）
を使用したＭＲヘッドが必要となっている。
【０００３】ＭＲ素子の出力の線形応答を改善するた
め、特公昭５４−７５６４号公報に開示されたＭＲ素子
上に導体を配置しセンス電流角度を制御する方法が知ら
れている。
め、特公昭５４−７５６４号公報に開示されたＭＲ素子
上に導体を配置しセンス電流角度を制御する方法が知ら
れている。
【０００４】上記公報に示された従来のＭＲヘッドを図
５を用いて説明する。従来のＭＲヘッドは基板５１上に
ＭＲ素子５２が所定のパターンに形成され、ＭＲ素子５
２上に導体５３ａ〜５３ｇ が被着された構成を有す
る。
５を用いて説明する。従来のＭＲヘッドは基板５１上に
ＭＲ素子５２が所定のパターンに形成され、ＭＲ素子５
２上に導体５３ａ〜５３ｇ が被着された構成を有す
る。
【０００５】次に動作について説明する。センス電流が
導体５３ａ，５３ｇにより印加される（電流源等は記載
せず）。この状態で記録媒体５４から信号磁界がＭＲ素
子５２に印加されるとＭＲ素子中の磁化（図示せず）が
信号磁界の大きさに依存してその角度が変化し、センス
電流と磁化のなす角度でＭＲ素子５２の抵抗値が変化
し、その抵抗変化をセンス電流で読み出す。
導体５３ａ，５３ｇにより印加される（電流源等は記載
せず）。この状態で記録媒体５４から信号磁界がＭＲ素
子５２に印加されるとＭＲ素子中の磁化（図示せず）が
信号磁界の大きさに依存してその角度が変化し、センス
電流と磁化のなす角度でＭＲ素子５２の抵抗値が変化
し、その抵抗変化をセンス電流で読み出す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ＭＲヘッドに
おいては出力の歪率が小さいことが要求され、上記従来
のＭＲヘッドではヘッド出力の線形応答化のためＭＲ素
子５２の磁化方向とセンス電流５５の方向が４５゜の角
度をなすようにＭＲ素子５２上に導体５３ａ〜５３ｇを
配置している。しかしながら、図６（Ａ）に示されるよ
うにＭＲ素子５２を流れるセンス電流５５は一定の角度
で流れず、特にＭＲ素子５２の上下両端部で水平に近い
角度で流れる。このセンス電流５５の角度分布の計算結
果の一例を図６（Ｂ）に示す。
おいては出力の歪率が小さいことが要求され、上記従来
のＭＲヘッドではヘッド出力の線形応答化のためＭＲ素
子５２の磁化方向とセンス電流５５の方向が４５゜の角
度をなすようにＭＲ素子５２上に導体５３ａ〜５３ｇを
配置している。しかしながら、図６（Ａ）に示されるよ
うにＭＲ素子５２を流れるセンス電流５５は一定の角度
で流れず、特にＭＲ素子５２の上下両端部で水平に近い
角度で流れる。このセンス電流５５の角度分布の計算結
果の一例を図６（Ｂ）に示す。
【０００７】この図６（Ｂ）が示すように、電流角度は
３７゜をピークに角度が小さい方に偏った分布をしてお
り、このため、電流角度の小さい領域ではＭＲ素子出力
の線形応答性が悪く、再生出力の歪率を劣化させるとい
う問題点があった。
３７゜をピークに角度が小さい方に偏った分布をしてお
り、このため、電流角度の小さい領域ではＭＲ素子出力
の線形応答性が悪く、再生出力の歪率を劣化させるとい
う問題点があった。
【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、再生出力の歪率の小さい、良好な薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的としてなされたものである。
で、再生出力の歪率の小さい、良好な薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的としてなされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子上に複数個の
導体細片が被着され、その導体細片の形状が、ＭＲ素子
の磁化容易軸に対し傾斜角を有し、その傾斜角はＭＲ素
子の中央部で３０〜６０゜とし、ＭＲ素子の端部近傍に
おいて隣接する導体細片の少なくとも片側の傾斜角度
が、中央部の傾斜角度（３０〜６０゜）よりも小なるこ
とを特徴とする。
め、本発明の薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子上に複数個の
導体細片が被着され、その導体細片の形状が、ＭＲ素子
の磁化容易軸に対し傾斜角を有し、その傾斜角はＭＲ素
子の中央部で３０〜６０゜とし、ＭＲ素子の端部近傍に
おいて隣接する導体細片の少なくとも片側の傾斜角度
が、中央部の傾斜角度（３０〜６０゜）よりも小なるこ
とを特徴とする。
【００１０】これによりＭＲ素子中を流れるセンス電流
の角度をばらつかせることなく一定の角度とすることが
でき歪率の小さいヘッドを構成できる。
の角度をばらつかせることなく一定の角度とすることが
でき歪率の小さいヘッドを構成できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記磁気抵抗効果素子上に複数個の導体細片が被着
され、前記導体細片の形状が、前記磁気抵抗効果素子の
磁化容易軸に対し傾斜角を有しており、前記傾斜角が前
記磁気抵抗効果素子の中央部で３０〜６０゜であり、前
記磁気抵抗効果素子の端部近傍において隣接する前記導
体細片の少なくとも片側の導体細片の傾斜角度が前記磁
気抵抗効果素子中央部の傾斜角度よりも小なることとし
たものであり、これにより前記磁気抵抗効果素子中を流
れるセンス電流の角度分布を良化させ、歪率を低下させ
るという作用を有する。
は、磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記磁気抵抗効果素子上に複数個の導体細片が被着
され、前記導体細片の形状が、前記磁気抵抗効果素子の
磁化容易軸に対し傾斜角を有しており、前記傾斜角が前
記磁気抵抗効果素子の中央部で３０〜６０゜であり、前
記磁気抵抗効果素子の端部近傍において隣接する前記導
体細片の少なくとも片側の導体細片の傾斜角度が前記磁
気抵抗効果素子中央部の傾斜角度よりも小なることとし
たものであり、これにより前記磁気抵抗効果素子中を流
れるセンス電流の角度分布を良化させ、歪率を低下させ
るという作用を有する。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について図１か
ら図４を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける薄膜磁気ヘッドを示し、図２（Ａ）にその部分拡大
図を示す。
ら図４を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける薄膜磁気ヘッドを示し、図２（Ａ）にその部分拡大
図を示す。
【００１３】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは図
１に示すように、基板１上にＭＲ素子２を所定の形状に
パターニングした後、ＭＲ素子２上に導体細片３ａ〜３
ｇを形成する。その後、絶縁層（図示せず）を形成し、
保護基板（図示せず）を接着し、所定の形状に加工して
ヘッドが構成される。
１に示すように、基板１上にＭＲ素子２を所定の形状に
パターニングした後、ＭＲ素子２上に導体細片３ａ〜３
ｇを形成する。その後、絶縁層（図示せず）を形成し、
保護基板（図示せず）を接着し、所定の形状に加工して
ヘッドが構成される。
【００１４】ＭＲ素子２は図２（Ａ）に示すようにＭＲ
素子２の長手方向が磁化容易軸５となるよう形成されて
いる。ＭＲ素子２はＮｉ−Ｆｅ膜からなり、膜厚を０．
０４μｍとした。
素子２の長手方向が磁化容易軸５となるよう形成されて
いる。ＭＲ素子２はＮｉ−Ｆｅ膜からなり、膜厚を０．
０４μｍとした。
【００１５】導体細片３ａ〜３ｇは図２（Ａ）に示され
るように、ＭＲ素子２の中央部（図２（Ａ）、領域Ｂ）
では４５゜の傾斜角度をもち、ＭＲ素子の下端部近傍
（図２（Ａ）、領域Ａ）において隣接する前記導体細片
３ｃ、３ｄの片側導体細片３ｄの傾斜角度が３０゜、Ｍ
Ｒ素子の上端部近傍（図２（Ａ）、領域Ｃ）において隣
接する前記導体細片３ｃ、３ｄの片側導体細片３ｃの傾
斜角度が３０゜となるようパターニングされている（図
２には導体細片３ｃ、３ｄのみ記載したが、導体細片３
ａ〜３ｇが導体細片３ｃ、３ｄと同様な形状を持つこと
はいうまでもない。）。導体細片３ａ〜３ｇはＡｕで構
成され、膜厚を０．４μｍとした。
るように、ＭＲ素子２の中央部（図２（Ａ）、領域Ｂ）
では４５゜の傾斜角度をもち、ＭＲ素子の下端部近傍
（図２（Ａ）、領域Ａ）において隣接する前記導体細片
３ｃ、３ｄの片側導体細片３ｄの傾斜角度が３０゜、Ｍ
Ｒ素子の上端部近傍（図２（Ａ）、領域Ｃ）において隣
接する前記導体細片３ｃ、３ｄの片側導体細片３ｃの傾
斜角度が３０゜となるようパターニングされている（図
２には導体細片３ｃ、３ｄのみ記載したが、導体細片３
ａ〜３ｇが導体細片３ｃ、３ｄと同様な形状を持つこと
はいうまでもない。）。導体細片３ａ〜３ｇはＡｕで構
成され、膜厚を０．４μｍとした。
【００１６】導体細片３ａ、３ｇはセンス電流を印加す
る電極にも使用される。導体細片３ａ〜３ｇの隣接間隔
は５μｍ、図２（Ａ）に示した領域Ａ、ＣはＭＲ素子端
部より１．５μｍとした。
る電極にも使用される。導体細片３ａ〜３ｇの隣接間隔
は５μｍ、図２（Ａ）に示した領域Ａ、ＣはＭＲ素子端
部より１．５μｍとした。
【００１７】つぎに動作について説明する。ヘッド動作
時には導体細片３ａ、３ｇよりセンス電流が印加され、
記録媒体４より信号磁界がＭＲ素子２に印加される。こ
のときＭＲ素子２の磁化は磁化容易軸方向を基準とし、
信号磁界の大きさに依存した角度を向く。この信号磁界
の角度と、センス電流印加方向とのなす角に依存してＭ
Ｒ素子２の抵抗値が変化し、この抵抗変化をセンス電流
にて検知し、ヘッド出力とする。なお、本実施の形態に
おいて図示はしていないが、ＭＲ素子２の出力の線形応
答性を調節するバイアス磁界を印加するためのをバイア
ス層を形成し、動作時にバイアス層に直流電流を印加し
ている。
時には導体細片３ａ、３ｇよりセンス電流が印加され、
記録媒体４より信号磁界がＭＲ素子２に印加される。こ
のときＭＲ素子２の磁化は磁化容易軸方向を基準とし、
信号磁界の大きさに依存した角度を向く。この信号磁界
の角度と、センス電流印加方向とのなす角に依存してＭ
Ｒ素子２の抵抗値が変化し、この抵抗変化をセンス電流
にて検知し、ヘッド出力とする。なお、本実施の形態に
おいて図示はしていないが、ＭＲ素子２の出力の線形応
答性を調節するバイアス磁界を印加するためのをバイア
ス層を形成し、動作時にバイアス層に直流電流を印加し
ている。
【００１８】ＭＲ素子２中を流れるセンス電流は図２
（Ａ）のセンス電流６に示されるようにＭＲ素子２の幅
方向全域にわたって一定の角度で流れる。本実施の形態
におけるセンス電流分布の計算結果を図２（Ｂ）に示
す。電流分布は３７゜を中心に左右対称に分布してお
り、このため、歪率は良化する。
（Ａ）のセンス電流６に示されるようにＭＲ素子２の幅
方向全域にわたって一定の角度で流れる。本実施の形態
におけるセンス電流分布の計算結果を図２（Ｂ）に示
す。電流分布は３７゜を中心に左右対称に分布してお
り、このため、歪率は良化する。
【００１９】なお、本実施の形態においてノンシールド
型ＭＲヘッドとしたが、シールド型、ヨーク型のいずれ
のＭＲヘッドにおいても同様な効果を有することはいう
までもない。
型ＭＲヘッドとしたが、シールド型、ヨーク型のいずれ
のＭＲヘッドにおいても同様な効果を有することはいう
までもない。
【００２０】また、導体細片の傾斜角度が小さくなる領
域Ａ、ＣをＭＲ素子端部より１．５μｍとしたが、隣接
導体細片間隔をＬとしたとき、領域Ａ、ＣをＭＲ素子端
部よりＬ／√２となる領域において良好な角度分布をな
し、歪率も良化する。
域Ａ、ＣをＭＲ素子端部より１．５μｍとしたが、隣接
導体細片間隔をＬとしたとき、領域Ａ、ＣをＭＲ素子端
部よりＬ／√２となる領域において良好な角度分布をな
し、歪率も良化する。
【００２１】（実施の形態２）次に第２の実施の形態に
ついて図３を用いて説明する。第２の実施の形態におい
て導体細片を除く構造については第１の実施の形態と同
様であり、図３は第２の実施の形態のヘッド部分拡大図
であり導体細片１３ｃ、１３ｄを示したもので、第１の
実施の形態と同様のものについては同一番号を付す。
ついて図３を用いて説明する。第２の実施の形態におい
て導体細片を除く構造については第１の実施の形態と同
様であり、図３は第２の実施の形態のヘッド部分拡大図
であり導体細片１３ｃ、１３ｄを示したもので、第１の
実施の形態と同様のものについては同一番号を付す。
【００２２】第２の実施の形態の導体細片は図３（Ａ）
に示されるように、ＭＲ素子２の中央部（図３（Ａ）、
領域Ｂ）では４５゜の傾斜角度をもち、ＭＲ素子の下端
部近傍（図３（Ａ）、領域Ａ）において隣接する導体細
片１３ｃ、１３ｄの傾斜角度が３０゜、ＭＲ素子の上端
部近傍（図３（Ａ）、領域Ｃ）において隣接する導体細
片１３ｃ、１３ｄの傾斜角度が３０゜となるようパター
ニングされている（図３には導体細片１３ｃ、１３ｄの
み記載したが、ＭＲ素子２上に形成される導体細片が導
体細片１３ｃ、１３ｄと同様な形状を持つことはいうま
でもない。）。ＭＲ素子２の両端に形成される導体細片
はセンス電流を印加する電極にも使用される。導体細片
の隣接間隔は５μｍ、図３（Ａ）に示した領域Ａ、Ｃは
ＭＲ素子端部より１．５μｍとした。
に示されるように、ＭＲ素子２の中央部（図３（Ａ）、
領域Ｂ）では４５゜の傾斜角度をもち、ＭＲ素子の下端
部近傍（図３（Ａ）、領域Ａ）において隣接する導体細
片１３ｃ、１３ｄの傾斜角度が３０゜、ＭＲ素子の上端
部近傍（図３（Ａ）、領域Ｃ）において隣接する導体細
片１３ｃ、１３ｄの傾斜角度が３０゜となるようパター
ニングされている（図３には導体細片１３ｃ、１３ｄの
み記載したが、ＭＲ素子２上に形成される導体細片が導
体細片１３ｃ、１３ｄと同様な形状を持つことはいうま
でもない。）。ＭＲ素子２の両端に形成される導体細片
はセンス電流を印加する電極にも使用される。導体細片
の隣接間隔は５μｍ、図３（Ａ）に示した領域Ａ、Ｃは
ＭＲ素子端部より１．５μｍとした。
【００２３】つぎに動作については第１の実施の形態と
同様であるので説明を省略する。ＭＲ素子２中を流れる
センス電流は図３（Ａ）のセンス電流１６に示されるよ
うにＭＲ素子２の幅方向全域にわたって一定の角度で流
れる。本実施の形態におけるセンス電流分布は第１の実
施の形態と同様３７゜を中心に左右対称に分布してお
り、歪率は良化する。
同様であるので説明を省略する。ＭＲ素子２中を流れる
センス電流は図３（Ａ）のセンス電流１６に示されるよ
うにＭＲ素子２の幅方向全域にわたって一定の角度で流
れる。本実施の形態におけるセンス電流分布は第１の実
施の形態と同様３７゜を中心に左右対称に分布してお
り、歪率は良化する。
【００２４】（実施の形態３）次に第３の実施の形態に
ついて図４を用いて説明する。第３の実施の形態におい
て導体細片を除く構造については第１、第２の実施の形
態と同様であり、図４は第３の実施の形態のヘッド部分
拡大図であり導体細片２３ｃ、２３ｄを示したもので、
第１の実施の形態、第２の実施の形態と同様のものにつ
いては同一番号を付す。
ついて図４を用いて説明する。第３の実施の形態におい
て導体細片を除く構造については第１、第２の実施の形
態と同様であり、図４は第３の実施の形態のヘッド部分
拡大図であり導体細片２３ｃ、２３ｄを示したもので、
第１の実施の形態、第２の実施の形態と同様のものにつ
いては同一番号を付す。
【００２５】導体細片２３ｃ、２３ｄは図４に示される
ように、ＭＲ素子２の中央部（図４、領域Ｂ）では４５
゜の傾斜角度をもち、ＭＲ素子の下端部近傍（図４、領
域Ａ）において隣接する導体細片２３ｃ、２３ｄの片側
導体細片２３ｄと、ＭＲ素子の上端部近傍（図４、領域
Ｃ）において隣接する導体細片２３ｃ、２３ｄの片側導
体細片２３ｃの傾斜角度は４５゜以下にパターニングさ
れている。即ち、領域Ａ中の領域Ａ2、領域Ｃ中の領域
Ｃ2では傾斜角度を２０゜、領域Ａ中の領域Ａ3、領域Ｃ
中の領域Ｃ3では傾斜角度を３０゜とした（図４には導
体細片２３ｃ、２３ｄのみ記載したが、ＭＲ素子２上に
形成される導体細片が導体細片２３ｃ、２３ｄと同様な
形状を持つことはいうまでもない。）。導体細片の隣接
間隔は５μｍ、図４に示した領域Ａ、ＣはＭＲ素子端部
より２．０μｍとした。
ように、ＭＲ素子２の中央部（図４、領域Ｂ）では４５
゜の傾斜角度をもち、ＭＲ素子の下端部近傍（図４、領
域Ａ）において隣接する導体細片２３ｃ、２３ｄの片側
導体細片２３ｄと、ＭＲ素子の上端部近傍（図４、領域
Ｃ）において隣接する導体細片２３ｃ、２３ｄの片側導
体細片２３ｃの傾斜角度は４５゜以下にパターニングさ
れている。即ち、領域Ａ中の領域Ａ2、領域Ｃ中の領域
Ｃ2では傾斜角度を２０゜、領域Ａ中の領域Ａ3、領域Ｃ
中の領域Ｃ3では傾斜角度を３０゜とした（図４には導
体細片２３ｃ、２３ｄのみ記載したが、ＭＲ素子２上に
形成される導体細片が導体細片２３ｃ、２３ｄと同様な
形状を持つことはいうまでもない。）。導体細片の隣接
間隔は５μｍ、図４に示した領域Ａ、ＣはＭＲ素子端部
より２．０μｍとした。
【００２６】ＭＲ素子２中を流れるセンス電流は図４の
センス電流２６に示されるようにＭＲ素子２の幅方向全
域にわたって一定の角度で流れる。本実施の形態におい
てもセンス電流分布は第１、第２の実施の形態同様良好
で、歪率は良化する。
センス電流２６に示されるようにＭＲ素子２の幅方向全
域にわたって一定の角度で流れる。本実施の形態におい
てもセンス電流分布は第１、第２の実施の形態同様良好
で、歪率は良化する。
【００２７】第３の実施の形態において、隣接する導体
細片の片方のみＭＲ素子両端近傍で傾斜角度を中央より
も小としたが、第２の実施の形態のように隣接する導体
細片の両側を第３の実施の形態のようにパターニングし
ても同様の効果が得られる。
細片の片方のみＭＲ素子両端近傍で傾斜角度を中央より
も小としたが、第２の実施の形態のように隣接する導体
細片の両側を第３の実施の形態のようにパターニングし
ても同様の効果が得られる。
【００２８】なお、第２、第３の実施の形態において、
シールド型、ヨーク型のいずれのＭＲヘッドに適用して
も同様な効果を有することはいうまでもない。
シールド型、ヨーク型のいずれのＭＲヘッドに適用して
も同様な効果を有することはいうまでもない。
【００２９】また、第２、第３の実施の形態において導
体細片の傾斜角度が小さくなる領域Ａ、Ｃを、隣接導体
細片間隔をＬとしたとき、領域Ａ、ＣをＭＲ素子端部よ
りＬ／√２となる領域において良好な角度分布をなし、
歪率も良化することは第１の実施の形態と同様である。
体細片の傾斜角度が小さくなる領域Ａ、Ｃを、隣接導体
細片間隔をＬとしたとき、領域Ａ、ＣをＭＲ素子端部よ
りＬ／√２となる領域において良好な角度分布をなし、
歪率も良化することは第１の実施の形態と同様である。
【００３０】さらに、第１、第２、第３の実施の形態に
おいてＭＲ素子中央部の導体細片の角度を４５゜とした
がこの角度を調節してバイアス層にて生じさせるバイア
ス磁界を０になるよう設定することもでき、この角度を
３０〜６０゜とすれば歪率を低下させず、バイアス磁界
を０とすることができる。
おいてＭＲ素子中央部の導体細片の角度を４５゜とした
がこの角度を調節してバイアス層にて生じさせるバイア
ス磁界を０になるよう設定することもでき、この角度を
３０〜６０゜とすれば歪率を低下させず、バイアス磁界
を０とすることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明の薄膜ヘッドＭＲ
素子上に複数個の導体細片が被着され、前記導体細片の
形状が、ＭＲ素子の磁化容易軸に対し傾斜角を有してお
り、前記傾斜角がＭＲ素子の中央部で３０〜６０゜であ
り、ＭＲ素子の端部近傍において隣接する前記導体細片
の少なくとも片側の導体細片の傾斜角度が前記ＭＲ素子
中央部の傾斜角度よりも小なることによりＭＲ素子中を
流れる電流角度分布が良化し、歪率を低下させるという
効果を有する。
素子上に複数個の導体細片が被着され、前記導体細片の
形状が、ＭＲ素子の磁化容易軸に対し傾斜角を有してお
り、前記傾斜角がＭＲ素子の中央部で３０〜６０゜であ
り、ＭＲ素子の端部近傍において隣接する前記導体細片
の少なくとも片側の導体細片の傾斜角度が前記ＭＲ素子
中央部の傾斜角度よりも小なることによりＭＲ素子中を
流れる電流角度分布が良化し、歪率を低下させるという
効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施の形態における薄膜磁気ヘ
ッドを示す図
ッドを示す図
【図２】（Ａ）同部分拡大図 （Ｂ）同実施の形態におけるセンス電流分布の計算結果
を示す図
を示す図
【図３】（Ａ）本発明の第２の実施の形態における薄膜
磁気ヘッドの部分拡大図 （Ｂ）同実施の形態におけるセンス電流分布の計算結果
を示す図
磁気ヘッドの部分拡大図 （Ｂ）同実施の形態におけるセンス電流分布の計算結果
を示す図
【図４】本発明の第３の実施の形態における薄膜磁気ヘ
ッドの部分拡大図
ッドの部分拡大図
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドを示す図
【図６】（Ａ）同部分拡大図 （Ｂ）同センス電流分布の計算結果を示す図
１、５１ 基板 ２、５２ ＭＲ素子 ３、１３、２３、５３ 導体細片 ４、５４ 記録媒体 ５ 磁化容易軸 ６、１６、２６、５５ センス電流
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッ
ドであって、前記磁気抵抗効果素子上に複数個の導体細
片が被着され、前記導体細片の形状が、前記磁気抵抗効
果素子の磁化容易軸に対し傾斜角を有しており、前記傾
斜角が前記磁気抵抗効果素子の中央部で３０〜６０゜で
あり、前記磁気抵抗効果素子の端部近傍において隣接す
る前記導体細片の少なくとも片側の導体細片の傾斜角度
が前記磁気抵抗効果素子中央部の傾斜角度よりも小なる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31506395A JPH09161229A (ja) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31506395A JPH09161229A (ja) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161229A true JPH09161229A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18060995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31506395A Pending JPH09161229A (ja) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09161229A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532377B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 비편향 자기 저항 헤드 |
-
1995
- 1995-12-04 JP JP31506395A patent/JPH09161229A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532377B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 비편향 자기 저항 헤드 |
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