JPH0581620A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
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- JPH0581620A JPH0581620A JP24157491A JP24157491A JPH0581620A JP H0581620 A JPH0581620 A JP H0581620A JP 24157491 A JP24157491 A JP 24157491A JP 24157491 A JP24157491 A JP 24157491A JP H0581620 A JPH0581620 A JP H0581620A
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- Japan
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- conductor
- bias
- lead
- lead conductor
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造工程を簡略化し歩留りを向上するためになされ
た。 【構成】 ＭＲ素子２とリード導体４とをスルーホール
１１を介して接合するようにしたことにより、バイアス
導体６とリード導体４とを同一の層に同一工程で成膜で
きるようにした。
の製造工程を簡略化し歩留りを向上するためになされ
た。 【構成】 ＭＲ素子２とリード導体４とをスルーホール
１１を介して接合するようにしたことにより、バイアス
導体６とリード導体４とを同一の層に同一工程で成膜で
きるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗効果型の薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、特にその製造
効率の向上に関する。
膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、特にその製造
効率の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のヨーク型薄膜磁気ヘッド（以下Ｙ
ＭＲヘッドという）の構造および製造方法を図６〜図８
を用いて説明する。
ＭＲヘッドという）の構造および製造方法を図６〜図８
を用いて説明する。
【０００３】まず図６において、このＹＭＲヘッドは、
磁気記録媒体９から発生する信号磁界を抵抗変化として
検出する磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）２、ヘッドギャ
ップ１０からＭＲ素子２に磁束を導く上側フロントヨー
ク１，上側バックヨーク５および下側ヨーク７、ＭＲ素
子２を単磁区状態とする強磁性膜３、ＭＲ素子２の幅方
向にバイアス磁界を印加するバイアス導体６、ＭＲ素子
２の長手方向にセンス電流を流すとともにＭＲ素子２の
両端子間の電圧を検出するための一対のリード導体４と
を備えている。さらに、これら上側フロントヨーク１，
ＭＲ素子２，上側バックヨーク５，バイアス導体６およ
び下側ヨーク７の間にはそれぞれ磁気的電気的な絶縁層
が設けられ、さらに、これらを保護するために図示しな
い保護層が設けられる。なお、前記バイアス導体６とリ
ード導体４は、ともにＣｕ，Ａｌ，Ａｌ−Ｃｕ合金等の
導電膜であり蒸着法あるいはスパッタ法等により形成さ
れる。
磁気記録媒体９から発生する信号磁界を抵抗変化として
検出する磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）２、ヘッドギャ
ップ１０からＭＲ素子２に磁束を導く上側フロントヨー
ク１，上側バックヨーク５および下側ヨーク７、ＭＲ素
子２を単磁区状態とする強磁性膜３、ＭＲ素子２の幅方
向にバイアス磁界を印加するバイアス導体６、ＭＲ素子
２の長手方向にセンス電流を流すとともにＭＲ素子２の
両端子間の電圧を検出するための一対のリード導体４と
を備えている。さらに、これら上側フロントヨーク１，
ＭＲ素子２，上側バックヨーク５，バイアス導体６およ
び下側ヨーク７の間にはそれぞれ磁気的電気的な絶縁層
が設けられ、さらに、これらを保護するために図示しな
い保護層が設けられる。なお、前記バイアス導体６とリ
ード導体４は、ともにＣｕ，Ａｌ，Ａｌ−Ｃｕ合金等の
導電膜であり蒸着法あるいはスパッタ法等により形成さ
れる。
【０００４】図６，図８に示すように、上記リード導体
４とＭＲ素子２との接続部および強磁性膜３はＹＭＲヘ
ッドのＭＲ素子２の長手方向の寸法を小さくするため上
側フロントヨーク１および上側バックヨーク５の対向部
に接近した位置に上下層に重ねて配置されている。
４とＭＲ素子２との接続部および強磁性膜３はＹＭＲヘ
ッドのＭＲ素子２の長手方向の寸法を小さくするため上
側フロントヨーク１および上側バックヨーク５の対向部
に接近した位置に上下層に重ねて配置されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】バイアス導体６とリー
ド導体４は上述したように同一素材で形成され、形成時
の基板温度や膜厚等の条件は全く同じである。これは両
導体層とも電流を流し電位差を検出するという導電体と
しての機能を満足すれば十分だからである。
ド導体４は上述したように同一素材で形成され、形成時
の基板温度や膜厚等の条件は全く同じである。これは両
導体層とも電流を流し電位差を検出するという導電体と
しての機能を満足すれば十分だからである。
【０００６】しかし、図６〜図８に示す構成ではリード
導体４がバイアス導体６よりも上層に形成されていた。
すなわち、バイアス導体６とリード導体４は全く別工程
で成膜および加工されていた。薄膜層を１層成膜するた
めには、その温度管理，雰囲気の管理等極めて多くの条
件を厳しく管理する必要がある。したがって、形成しな
ければならない薄膜が１層増加するのみでその製造工程
が複雑化し、不良の発生率も高くなって歩留りが低下す
るという欠点があった。
導体４がバイアス導体６よりも上層に形成されていた。
すなわち、バイアス導体６とリード導体４は全く別工程
で成膜および加工されていた。薄膜層を１層成膜するた
めには、その温度管理，雰囲気の管理等極めて多くの条
件を厳しく管理する必要がある。したがって、形成しな
ければならない薄膜が１層増加するのみでその製造工程
が複雑化し、不良の発生率も高くなって歩留りが低下す
るという欠点があった。
【０００７】本発明は、バイアス導体６とリード導体４
とを同一工程で成膜・加工することにより、生産性の向
上および歩留りの向上が図れる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。
とを同一工程で成膜・加工することにより、生産性の向
上および歩留りの向上が図れる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１の発
明は、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化と
して検出する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素
子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体と、
前記磁気抵抗効果素子の両端に接続され、該磁気抵抗効
果素子の長手方向にセンス電流を流すとともにその両端
に発生する電圧変化を取り出すための一対のリード導体
とを備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記バイアス導体およびリード導体は同一の層内に形成さ
れ、前記磁気抵抗効果素子は前記バイアス導体外まで延
長され、且つ、その延長点において前記リード導体と接
続されたことを特徴とする。
明は、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化と
して検出する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素
子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体と、
前記磁気抵抗効果素子の両端に接続され、該磁気抵抗効
果素子の長手方向にセンス電流を流すとともにその両端
に発生する電圧変化を取り出すための一対のリード導体
とを備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記バイアス導体およびリード導体は同一の層内に形成さ
れ、前記磁気抵抗効果素子は前記バイアス導体外まで延
長され、且つ、その延長点において前記リード導体と接
続されたことを特徴とする。
【０００９】この出願の請求項２の発明は、基板上に形
成された第１絶縁層上に導電体層を成膜する工程と、こ
の導電体層からバイアス導体およびリード導体を含むパ
ターンを形成する工程と、前記パターン上に絶縁層を成
膜する工程と、前記リード導体の先端部の絶縁層にスル
ーホールを形成する工程と、前記スルーホールを含む絶
縁層上に磁気抵抗効果層を成膜する工程とを含むことを
特徴とする。
成された第１絶縁層上に導電体層を成膜する工程と、こ
の導電体層からバイアス導体およびリード導体を含むパ
ターンを形成する工程と、前記パターン上に絶縁層を成
膜する工程と、前記リード導体の先端部の絶縁層にスル
ーホールを形成する工程と、前記スルーホールを含む絶
縁層上に磁気抵抗効果層を成膜する工程とを含むことを
特徴とする。
【００１０】
【作用】この発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型
の薄膜磁気ヘッドである。バイアス導体とリード導体と
を離して同一層に形成したことにより、これらを同時に
加工することができる。
の薄膜磁気ヘッドである。バイアス導体とリード導体と
を離して同一層に形成したことにより、これらを同時に
加工することができる。
【００１１】この発明の薄膜磁気ヘッドは、バイアス導
体とリード導体とを同一層で形成し、さらに、ＭＲ素子
をバイアス導体外まで延長し、その延長点においてリー
ド導体と接続している。これにより、バイアス導体とリ
ード導体とを同一の成膜・加工工程で形成することがで
きる。また、ＭＲ素子をバイアス導体外まで延長（コ字
形に延長するとよい）したことにより、リード導体とＭ
Ｒ素子部とを層を貫いて接続される。
体とリード導体とを同一層で形成し、さらに、ＭＲ素子
をバイアス導体外まで延長し、その延長点においてリー
ド導体と接続している。これにより、バイアス導体とリ
ード導体とを同一の成膜・加工工程で形成することがで
きる。また、ＭＲ素子をバイアス導体外まで延長（コ字
形に延長するとよい）したことにより、リード導体とＭ
Ｒ素子部とを層を貫いて接続される。
【００１２】この薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、
バイアス導体とリード導体とを同時に成膜・加工し、そ
の上に形成される第２絶縁層上にＭＲ素子を形成する。
このＭＲ素子とリード導体とを接続するため、予め第２
絶縁層にスルーホールを形成しておく。ＭＲ素子を形成
したとき、このスルーホール部にも層が成膜され、ＭＲ
素子部とリード導体部との電気的接続が確保される。こ
れにより、リード部のみを形成する工程が省略される。
バイアス導体とリード導体とを同時に成膜・加工し、そ
の上に形成される第２絶縁層上にＭＲ素子を形成する。
このＭＲ素子とリード導体とを接続するため、予め第２
絶縁層にスルーホールを形成しておく。ＭＲ素子を形成
したとき、このスルーホール部にも層が成膜され、ＭＲ
素子部とリード導体部との電気的接続が確保される。こ
れにより、リード部のみを形成する工程が省略される。
【００１３】
【実施例】図１〜図５はこの発明の実施例に係るＹＭＲ
ヘッドを説明する図である。このＹＭＲヘッドは下側ヨ
ーク７となる基板上に上側フロントヨーク１，上側バッ
クヨーク５，ＭＲ素子２，強磁性膜３，リード導体４，
バイアス導体６および第１絶縁層１２，第２絶縁層１３
および図示しない保護層を形成したものである。基板
は、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト，単結晶あるいは多結
晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の高透磁率磁性体で構成され
ている。上側フロントヨーク１は下側ヨーク７の前端面
（媒体摺動面）７ａから後方に延設され、上側バックヨ
ーク５は上側フロントヨーク１の後方に適当な間隔をお
いてさらに後方に延設されている。上側フロントヨーク
１はその前端面においては下側ヨーク７との間にヘッド
ギャップ１０を隔てて対向されており、後端部で斜め上
に段上がり状に折り曲げられている。上側バックヨーク
５の前端面は、上側フロントヨーク１の後端面に適当な
間隔をおいて対向されており、後方で斜め下に段落ち状
に折り曲げられて下側ヨーク７に接続されている。これ
ら上側フロントヨーク１，上側バックヨーク５は例えば
０．５μｍ〜１．０μｍ程度の膜厚のパーマロイで作ら
れ、磁気記録媒体９において発生した信号磁界をヘッド
ギャップ１０からＭＲ素子２に導く磁束導入路を構成し
ている。
ヘッドを説明する図である。このＹＭＲヘッドは下側ヨ
ーク７となる基板上に上側フロントヨーク１，上側バッ
クヨーク５，ＭＲ素子２，強磁性膜３，リード導体４，
バイアス導体６および第１絶縁層１２，第２絶縁層１３
および図示しない保護層を形成したものである。基板
は、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト，単結晶あるいは多結
晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の高透磁率磁性体で構成され
ている。上側フロントヨーク１は下側ヨーク７の前端面
（媒体摺動面）７ａから後方に延設され、上側バックヨ
ーク５は上側フロントヨーク１の後方に適当な間隔をお
いてさらに後方に延設されている。上側フロントヨーク
１はその前端面においては下側ヨーク７との間にヘッド
ギャップ１０を隔てて対向されており、後端部で斜め上
に段上がり状に折り曲げられている。上側バックヨーク
５の前端面は、上側フロントヨーク１の後端面に適当な
間隔をおいて対向されており、後方で斜め下に段落ち状
に折り曲げられて下側ヨーク７に接続されている。これ
ら上側フロントヨーク１，上側バックヨーク５は例えば
０．５μｍ〜１．０μｍ程度の膜厚のパーマロイで作ら
れ、磁気記録媒体９において発生した信号磁界をヘッド
ギャップ１０からＭＲ素子２に導く磁束導入路を構成し
ている。
【００１４】磁気記録媒体９から発生する信号磁界を抵
抗変化として検出するＭＲ素子２は例えば２００Å〜４
００Åの膜厚のパーマロイで形成され、上側フロントヨ
ーク１および上側バックヨーク５の間の隙間の下側に絶
縁層を介して配設される。
抗変化として検出するＭＲ素子２は例えば２００Å〜４
００Åの膜厚のパーマロイで形成され、上側フロントヨ
ーク１および上側バックヨーク５の間の隙間の下側に絶
縁層を介して配設される。
【００１５】ＭＲ素子２は前記上側フロントヨーク１，
上側バックヨーク５間のギャップ下側に絶縁層を介して
形成されており、ギャップを縦断するよう横手方向に長
く形成されている。ＭＲ素子は磁気記録媒体９から発生
する信号磁界を抵抗変化として検出するため、２００Å
〜４００Åの膜厚のパーマロイで形成される。このＭＲ
素子２は図２に示すようにコ字形に形成されており、そ
の先端部においてスルーホール１１を介してリード導体
４と接続されている。リード導体４は２０００Å〜４０
００Å程度の膜厚のＡｌ−Ｃｕ膜等の良好な導電性を有
する薄膜からなっている。このスルーホール部１１はＭ
Ｒ素子２とリード導体４との良好な電気的接合をとるた
め、図３に示すように断面形状をテーパー状にするのが
望ましい。また、コ字形状のＭＲ素子２の両折曲部に強
磁性膜３が形成される。この強磁性膜３は良好な導電性
と保磁力の大きなＣｏ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｏ，
Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ等の強磁性体からなっている。膜厚は１
０００Å〜３０００Åである。
上側バックヨーク５間のギャップ下側に絶縁層を介して
形成されており、ギャップを縦断するよう横手方向に長
く形成されている。ＭＲ素子は磁気記録媒体９から発生
する信号磁界を抵抗変化として検出するため、２００Å
〜４００Åの膜厚のパーマロイで形成される。このＭＲ
素子２は図２に示すようにコ字形に形成されており、そ
の先端部においてスルーホール１１を介してリード導体
４と接続されている。リード導体４は２０００Å〜４０
００Å程度の膜厚のＡｌ−Ｃｕ膜等の良好な導電性を有
する薄膜からなっている。このスルーホール部１１はＭ
Ｒ素子２とリード導体４との良好な電気的接合をとるた
め、図３に示すように断面形状をテーパー状にするのが
望ましい。また、コ字形状のＭＲ素子２の両折曲部に強
磁性膜３が形成される。この強磁性膜３は良好な導電性
と保磁力の大きなＣｏ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｏ，
Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ等の強磁性体からなっている。膜厚は１
０００Å〜３０００Åである。
【００１６】ＭＲ素子２と下側ヨーク７との間には、こ
れらとそれぞれ絶縁層を介してバイアス導体６が形成さ
れる。このバイアス導体６は平面図（図２）においてＭ
Ｒ素子２全体を含む範囲に形成され、２０００Å〜４０
００Å程度の膜厚のＡｌ−Ｃｕ膜等で作られている。こ
のバイアス導体６に直流を通電することによりＭＲ素子
２の幅方向に所望の強さのバイアス磁界を印加できるよ
うになっている。
れらとそれぞれ絶縁層を介してバイアス導体６が形成さ
れる。このバイアス導体６は平面図（図２）においてＭ
Ｒ素子２全体を含む範囲に形成され、２０００Å〜４０
００Å程度の膜厚のＡｌ−Ｃｕ膜等で作られている。こ
のバイアス導体６に直流を通電することによりＭＲ素子
２の幅方向に所望の強さのバイアス磁界を印加できるよ
うになっている。
【００１７】上記のＹＭＲヘッドにおいては強磁性膜３
によって磁化固定される領域は従来のＹＭＲヘッドと比
較して何ら変わる所がないので再生出力に影響しない。
によって磁化固定される領域は従来のＹＭＲヘッドと比
較して何ら変わる所がないので再生出力に影響しない。
【００１８】上記のＹＭＲヘッドは以下の手順で製造さ
れる（図３〜図５参照）。
れる（図３〜図５参照）。
【００１９】 耐磨耗性に優れたフェライト等からな
る下側ヨーク７をなす薄膜磁気ヘッド基板上にＳｉＯ，
ＳｉＯ2 等の第１絶縁層１２をＲＦスパッタ法等により
形成する。
る下側ヨーク７をなす薄膜磁気ヘッド基板上にＳｉＯ，
ＳｉＯ2 等の第１絶縁層１２をＲＦスパッタ法等により
形成する。
【００２０】 つぎにこの第１絶縁層１２上にＣｕ，
Ａｌ，Ａｌ−Ｃｕ合金等の導電体層を蒸着法あるいはＲ
Ｆスパッタ法等により形成する。
Ａｌ，Ａｌ−Ｃｕ合金等の導電体層を蒸着法あるいはＲ
Ｆスパッタ法等により形成する。
【００２１】 この導電体層を通常のフォトリソグラ
フィ技術とケミカルエッチング法によりバイアス導体６
とリード導体４とに分離したパターンに加工する。
フィ技術とケミカルエッチング法によりバイアス導体６
とリード導体４とに分離したパターンに加工する。
【００２２】 上記導体パターンを覆う第２絶縁層１
３をＲＦスパッタ法等により形成する。
３をＲＦスパッタ法等により形成する。
【００２３】 反応性イオンエッチング法等により、
第２絶縁層１３にスルーホール部１１を形成し、リード
導体４の一部を露出させる。
第２絶縁層１３にスルーホール部１１を形成し、リード
導体４の一部を露出させる。
【００２４】 ＭＲ素子部２を形成する。このときＭ
Ｒ素子部の先端部がスルーホール部１１を介してリード
導体４と接触し、電気的結合がとられる。
Ｒ素子部の先端部がスルーホール部１１を介してリード
導体４と接触し、電気的結合がとられる。
【００２５】 ＭＲ素子２上に強磁性膜３をメッキ法
等により形成する。
等により形成する。
【００２６】こののち、従来のＹＭＲヘッドの製造工程
と同様に、 フロントギャップ部の絶縁層および上側バックヨー
ク５と下側ヨーク７の接合部に位置する絶縁層をエッチ
ングする。
と同様に、 フロントギャップ部の絶縁層および上側バックヨー
ク５と下側ヨーク７の接合部に位置する絶縁層をエッチ
ングする。
【００２７】 ギャップ層と上側ヨークを形成する。
【００２８】以上の工程によってＹＭＲヘッドが完成す
る。
る。
【００２９】なお、上記実施例においてはスルーホール
部１１を加工したのちＭＲ素子２と強磁性膜３を形成
し、そののちフロントギャップ部とバックギャップ部を
加工したが、スルーホール部１１の加工と同一工程でフ
ロントおよびバックギャップの加工も行えばより一層の
工程数の削減を実現できる。
部１１を加工したのちＭＲ素子２と強磁性膜３を形成
し、そののちフロントギャップ部とバックギャップ部を
加工したが、スルーホール部１１の加工と同一工程でフ
ロントおよびバックギャップの加工も行えばより一層の
工程数の削減を実現できる。
【００３０】さらに、上記の各実施例ではＹＭＲヘッド
について説明したが両面シールド型ヘッドにも本発明を
適用できることは勿論である。
について説明したが両面シールド型ヘッドにも本発明を
適用できることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、再生出力
等のヘッド特性に影響を与えることなくバイアス導体と
リード導体が同時に加工できるので生産性が向上し、高
品質の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを高い歩留りで製
造することができる。
等のヘッド特性に影響を与えることなくバイアス導体と
リード導体が同時に加工できるので生産性が向上し、高
品質の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを高い歩留りで製
造することができる。
【図１】この発明の実施例であるＹＭＲヘッドの斜視図
【図２】同ＹＭＲヘッドの平面図
【図３】上記平面図におけるＡ−Ａ断面図
【図４】上記平面図におけるＢ−Ｂ断面図
【図５】上記平面図におけるＣ−Ｃ断面図
【図６】従来のＹＭＲヘッドの斜視図
【図７】上記従来のＹＭＲヘッドの平面図
【図８】上記平面図のＤ−Ｄ断面図
１−上側フロントヨーク ２−ＭＲ素子 ３−強磁性膜 ４−リード導体 ５−上側バックヨーク ６−バイアス導体 ７−下側ヨーク ９−磁気記録媒体 １０−ヘッドギャップ １１−スルーホール部 １２−第１絶縁層 １３−第２絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵
抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵
抗効果素子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス
導体と、前記磁気抵抗効果素子の両端に接続され、該磁
気抵抗効果素子の長手方向にセンス電流を流すとともに
その両端に発生する電圧変化を取り出すための一対のリ
ード導体とを備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにお
いて、 前記バイアス導体およびリード導体は同一の層内に形成
され、前記磁気抵抗効果素子は前記バイアス導体外まで
延長され、且つ、その延長点において前記リード導体と
接続されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に形成された第１絶縁層上に導電
体層を成膜する工程と、この導電体層からバイアス導体
およびリード導体を含むパターンを形成する工程と、前
記パターン上に絶縁層を成膜する工程と、前記リード導
体の先端部の絶縁層にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを含む絶縁層上に磁気抵抗効果層を成
膜する工程とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24157491A JPH0581620A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24157491A JPH0581620A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581620A true JPH0581620A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17076351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24157491A Pending JPH0581620A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0581620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293105A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24157491A patent/JPH0581620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293105A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
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