JPH09160015A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH09160015A JPH09160015A JP34504795A JP34504795A JPH09160015A JP H09160015 A JPH09160015 A JP H09160015A JP 34504795 A JP34504795 A JP 34504795A JP 34504795 A JP34504795 A JP 34504795A JP H09160015 A JPH09160015 A JP H09160015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易でかつ非表示領域が完全に遮光さ
れた液晶表示素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 対向基板上の非表示領域には、角部が三
角状に除去された枠状のブラックマスク３２が配置され
ている。ＴＦＴ基板上のブラックマスク３２の角部と対
向する位置には、遮光膜２４が形成されている。遮光膜
２４は、データライン又はゲートラインを形成する過程
で形成される。
れた液晶表示素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 対向基板上の非表示領域には、角部が三
角状に除去された枠状のブラックマスク３２が配置され
ている。ＴＦＴ基板上のブラックマスク３２の角部と対
向する位置には、遮光膜２４が形成されている。遮光膜
２４は、データライン又はゲートラインを形成する過程
で形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、簡単な構成で非
表示領域が完全に遮光された液晶表示素子に関する。
表示領域が完全に遮光された液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子にはアクティブマト
リクス型のカラー表示モードがあり、図７（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、シール材１で接合された一対の基
板間２、３に封止された液晶４を備えており、ＴＦＴ基
板２には画素電極がマトリクス状に配列され、対向基板
３には対向面にカラーフィルタ及び遮光膜を兼ねた樹脂
膜５及び対向電極が配置されている。このような樹脂膜
５は、カラーフィルタに対応する表示領域が赤、緑、青
の各色に染色され、遮光領域が黒色に染色された厚さが
ｄ１の樹脂膜からなっており、また、シール材１は対向
基板３の対向電極をＴＦＴ基板２側に接続するためのコ
ンタクト領域のために四隅が内側に入り込んだ形状にな
っている。
リクス型のカラー表示モードがあり、図７（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、シール材１で接合された一対の基
板間２、３に封止された液晶４を備えており、ＴＦＴ基
板２には画素電極がマトリクス状に配列され、対向基板
３には対向面にカラーフィルタ及び遮光膜を兼ねた樹脂
膜５及び対向電極が配置されている。このような樹脂膜
５は、カラーフィルタに対応する表示領域が赤、緑、青
の各色に染色され、遮光領域が黒色に染色された厚さが
ｄ１の樹脂膜からなっており、また、シール材１は対向
基板３の対向電極をＴＦＴ基板２側に接続するためのコ
ンタクト領域のために四隅が内側に入り込んだ形状にな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のような液晶表示
素子では、所望の色を表示するため厚さｄ１をセル厚ｄ
２に対し十分厚くしなければならず、このため、シール
材１内に樹脂膜５の遮光領域を重ねてしまうとシール材
１内のスペーサが樹脂膜５上にのってしまい、適正なセ
ル厚制御ができなくなってしまうので、特にセル厚の制
御が液晶配列に大きい影響をもたらす強誘電性液晶を用
いた液晶表示素子では、樹脂膜５をシール材１の内側に
クリアランスを持たせて重ねないように配置していた。
したがって、このクリアランス、特にシール材１の四隅
には遮光できないため、漏光領域が生じてしまい、バッ
クライト等の光が外に漏れてしまい、表示特性を著しく
低下させていた。
素子では、所望の色を表示するため厚さｄ１をセル厚ｄ
２に対し十分厚くしなければならず、このため、シール
材１内に樹脂膜５の遮光領域を重ねてしまうとシール材
１内のスペーサが樹脂膜５上にのってしまい、適正なセ
ル厚制御ができなくなってしまうので、特にセル厚の制
御が液晶配列に大きい影響をもたらす強誘電性液晶を用
いた液晶表示素子では、樹脂膜５をシール材１の内側に
クリアランスを持たせて重ねないように配置していた。
したがって、このクリアランス、特にシール材１の四隅
には遮光できないため、漏光領域が生じてしまい、バッ
クライト等の光が外に漏れてしまい、表示特性を著しく
低下させていた。
【０００４】この発明は、上記実状に鑑みてなされたも
ので、セル厚を容易に制御できると共に表示特性の良好
な液晶表示素子を提供することを目的とする。
ので、セル厚を容易に制御できると共に表示特性の良好
な液晶表示素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の請求項１にかかる液晶表示素子は、対向
面にそれぞれ電極を有する表基板及び裏基板と、前記表
基板及び前記裏基板を接合するシール材と、前記表基板
及び裏基板間に封止された液晶と、前記表基板及び裏基
板のいずれか一方上の前記表基板及び裏基板を電気的に
導通するコンタクト領域と前記コンタクト領域周辺の前
記シール材内縁の非表示領域とに設けられた電気伝導性
の遮光膜と、を備えることを特徴とする。
め、この発明の請求項１にかかる液晶表示素子は、対向
面にそれぞれ電極を有する表基板及び裏基板と、前記表
基板及び前記裏基板を接合するシール材と、前記表基板
及び裏基板間に封止された液晶と、前記表基板及び裏基
板のいずれか一方上の前記表基板及び裏基板を電気的に
導通するコンタクト領域と前記コンタクト領域周辺の前
記シール材内縁の非表示領域とに設けられた電気伝導性
の遮光膜と、を備えることを特徴とする。
【０００６】従って、遮光膜によりコンタクト領域周辺
のシール材の内縁から光が漏れることを防止し、良好な
表示特性を得ることができる。また、電気伝導性である
ためコンタクト領域での表基板及び裏基板を電気的に導
通する部材の一部に用いることができる。
のシール材の内縁から光が漏れることを防止し、良好な
表示特性を得ることができる。また、電気伝導性である
ためコンタクト領域での表基板及び裏基板を電気的に導
通する部材の一部に用いることができる。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、前記表基板
及び裏基板の一方の電極は、マトリクス状に配列された
複数の画素電極であり、前記画素電極にはそれぞれ薄膜
トランジスタが接続され、前記遮光膜は、前記薄膜トラ
ンジスタのゲート電極材料膜及びソース・ドレイン電極
材料膜のいずれかをパターニングして形成されることを
特徴とする。このように、パターニングを変えれば遮光
膜が薄膜トランジスタの製造工程で形成することができ
るので極めて容易に製造することができる。
及び裏基板の一方の電極は、マトリクス状に配列された
複数の画素電極であり、前記画素電極にはそれぞれ薄膜
トランジスタが接続され、前記遮光膜は、前記薄膜トラ
ンジスタのゲート電極材料膜及びソース・ドレイン電極
材料膜のいずれかをパターニングして形成されることを
特徴とする。このように、パターニングを変えれば遮光
膜が薄膜トランジスタの製造工程で形成することができ
るので極めて容易に製造することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を、
ＴＦＴ液晶表示素子を例に図面を参照して説明する。図
１は一実施形態にかかる液晶表示素子の拡大断面構造を
示し、図２はＴＦＴ基板の平面構造を示し、図３は対向
基板の平面構造を示す。
ＴＦＴ液晶表示素子を例に図面を参照して説明する。図
１は一実施形態にかかる液晶表示素子の拡大断面構造を
示し、図２はＴＦＴ基板の平面構造を示し、図３は対向
基板の平面構造を示す。
【０００９】図１に示すように、この液晶表示素子は一
対の透明基板１１、１２と、一対の透明基板１１、１２
間にシール材ＳＣにより封止された液晶１３とより構成
された液晶セル１６と、液晶セル１６を挟んで配置され
た一対の偏光板１４、１５と、より構成される。偏光板
１４の外側にはバックライト４１が配置され、偏光板１
５の外側にはシールドケース４２が配置されている。
対の透明基板１１、１２と、一対の透明基板１１、１２
間にシール材ＳＣにより封止された液晶１３とより構成
された液晶セル１６と、液晶セル１６を挟んで配置され
た一対の偏光板１４、１５と、より構成される。偏光板
１４の外側にはバックライト４１が配置され、偏光板１
５の外側にはシールドケース４２が配置されている。
【００１０】透明基板１１、１２はガラス、透明樹脂等
から構成される。透明基板（以下、ＴＦＴ基板）１１に
は、図１、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）２１と、画素電極２２とがマトリクス状に配置され
ている。
から構成される。透明基板（以下、ＴＦＴ基板）１１に
は、図１、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）２１と、画素電極２２とがマトリクス状に配置され
ている。
【００１１】ＴＦＴ２１は、ＴＦＴ基板１１上に形成さ
れたゲート電極２１１と、ゲート電極２１１を覆ってＴ
ＦＴ基板１１のほぼ全面に形成されたゲート絶縁膜２１
２と、ゲート絶縁膜２１２上に形成されたアモルファス
シリコンからなる半導体層２１３と、半導体層２１３に
接続されたドレイン電極２１４及びソース電極２１５と
から構成されている。ゲート電極２１１、ドレイン電極
２１４、ソース電極２１５はＡｌ、Ｃｒ等の金属から構
成されている。
れたゲート電極２１１と、ゲート電極２１１を覆ってＴ
ＦＴ基板１１のほぼ全面に形成されたゲート絶縁膜２１
２と、ゲート絶縁膜２１２上に形成されたアモルファス
シリコンからなる半導体層２１３と、半導体層２１３に
接続されたドレイン電極２１４及びソース電極２１５と
から構成されている。ゲート電極２１１、ドレイン電極
２１４、ソース電極２１５はＡｌ、Ｃｒ等の金属から構
成されている。
【００１２】各ＴＦＴ２１のソース電極２１５は、ゲー
ト絶縁膜２１２上に形成された各画素電極２２にそれぞ
れ接続されている。また、各行のＴＦＴ２１のゲート電
極２１１は対応するゲートラインＧＬに接続され、各列
のＴＦＴ２１のドレイン電極２１４は対応するデータラ
インＤＬに接続されている。画素電極２２は、ＩＴＯ等
から形成され、ＴＦＴ２１を介してデータラインＤＬか
ら信号電圧が印加される。
ト絶縁膜２１２上に形成された各画素電極２２にそれぞ
れ接続されている。また、各行のＴＦＴ２１のゲート電
極２１１は対応するゲートラインＧＬに接続され、各列
のＴＦＴ２１のドレイン電極２１４は対応するデータラ
インＤＬに接続されている。画素電極２２は、ＩＴＯ等
から形成され、ＴＦＴ２１を介してデータラインＤＬか
ら信号電圧が印加される。
【００１３】各ＴＦＴ２１及び画素電極２２が配置され
た表示領域の外側には、バックライト４１からの光を遮
蔽する四角形の遮光膜２４が配置されている。遮光膜２
４は、ゲート絶縁膜２１２上に形成されたＡｌ、Ｃｒ等
の金属膜をエッチングしてデータラインＤＬを形成する
過程で、同時に形成される。
た表示領域の外側には、バックライト４１からの光を遮
蔽する四角形の遮光膜２４が配置されている。遮光膜２
４は、ゲート絶縁膜２１２上に形成されたＡｌ、Ｃｒ等
の金属膜をエッチングしてデータラインＤＬを形成する
過程で、同時に形成される。
【００１４】また、ＴＦＴ基板１１上にはゲート絶縁膜
２１２を介して複数の画素電極２２に対向する、Ｃｒ、
Ａｌ等からなる補償容量電極２５が配置され、それぞれ
が接続端子に接続されて遮光膜２４に接続されている。
遮光膜２４は、コンタクト領域２４Ｃでシール材ＳＣの
外側に配置された導電性材料からなるコンタクト材ＣＣ
と接続されている。また、ＴＦＴ２１及び画素電極２２
の上には、配向膜２３が全面に配置されている。
２１２を介して複数の画素電極２２に対向する、Ｃｒ、
Ａｌ等からなる補償容量電極２５が配置され、それぞれ
が接続端子に接続されて遮光膜２４に接続されている。
遮光膜２４は、コンタクト領域２４Ｃでシール材ＳＣの
外側に配置された導電性材料からなるコンタクト材ＣＣ
と接続されている。また、ＴＦＴ２１及び画素電極２２
の上には、配向膜２３が全面に配置されている。
【００１５】他方の透明基板（以下、対向基板）１２に
は、図３に示すように、ブラックマスク３２とカラーフ
ィルタ３３とが一体的に形成された樹脂膜３０が設けら
れている。ブラックマスク３２は樹脂中に黒色顔料或い
は黒色染料が含まれており、可視光を透過しないように
なっている。また、カラーフィルタ３３は、赤、緑、青
色のいずれかの色の顔料或いは染料が含まれている。こ
のような樹脂膜３０は、膜厚が厚いのでシール材ＳＣに
含まれる液晶層厚を制御するギャップ材に重なると配向
ムラや色ムラが生じるので、シール材ＳＣの内側から一
定のクリアランスをもって配置され、また、四隅はコン
タクト領域３１Ｃのため切り欠いている。ここで、カラ
ーフィルタ３３は、ＴＦＴ基板１１の画素電極２２に対
応して設けられ、ブラックマスク３２は、画素の視認性
向上のためにカラーフィルタ３３の周囲及び表示領域の
周囲の非表示領域に配置されている。
は、図３に示すように、ブラックマスク３２とカラーフ
ィルタ３３とが一体的に形成された樹脂膜３０が設けら
れている。ブラックマスク３２は樹脂中に黒色顔料或い
は黒色染料が含まれており、可視光を透過しないように
なっている。また、カラーフィルタ３３は、赤、緑、青
色のいずれかの色の顔料或いは染料が含まれている。こ
のような樹脂膜３０は、膜厚が厚いのでシール材ＳＣに
含まれる液晶層厚を制御するギャップ材に重なると配向
ムラや色ムラが生じるので、シール材ＳＣの内側から一
定のクリアランスをもって配置され、また、四隅はコン
タクト領域３１Ｃのため切り欠いている。ここで、カラ
ーフィルタ３３は、ＴＦＴ基板１１の画素電極２２に対
応して設けられ、ブラックマスク３２は、画素の視認性
向上のためにカラーフィルタ３３の周囲及び表示領域の
周囲の非表示領域に配置されている。
【００１６】樹脂膜３０は、全面にオーバーコート層
（保護膜）３４が被膜され、この上及び対向基板１２上
にＩＴＯからなる一枚の対向電極３１が形成され、さら
にその上にポリイミドからなる配向膜３６が形成され、
コンタクト領域３１Ｃは、コンタクト材ＣＣに接続され
ている。シールドケース４２は、長方形状の偏光板１５
のために四隅の切欠を除く非表示領域の周囲を覆ってい
る。シール材ＳＣ、コンタクト領域のために四隅を切り
欠いており、また、ブラックマスク３２はシール材ＳＣ
の内側周辺が切り欠いている。
（保護膜）３４が被膜され、この上及び対向基板１２上
にＩＴＯからなる一枚の対向電極３１が形成され、さら
にその上にポリイミドからなる配向膜３６が形成され、
コンタクト領域３１Ｃは、コンタクト材ＣＣに接続され
ている。シールドケース４２は、長方形状の偏光板１５
のために四隅の切欠を除く非表示領域の周囲を覆ってい
る。シール材ＳＣ、コンタクト領域のために四隅を切り
欠いており、また、ブラックマスク３２はシール材ＳＣ
の内側周辺が切り欠いている。
【００１７】遮光膜２４は、コンタクト領域及び上記シ
ール材ＳＣの内側周辺を覆っているので、図４に示すよ
うに、この切欠は遮光膜２４により遮光され、バックラ
イト４１からの光が漏れることを抑制することができ
る。
ール材ＳＣの内側周辺を覆っているので、図４に示すよ
うに、この切欠は遮光膜２４により遮光され、バックラ
イト４１からの光が漏れることを抑制することができ
る。
【００１８】遮光膜２４はデータラインＤＬを形成する
過程で同時に形成されるため、製造工程を増加させるこ
となく、簡単に構成することができる。また、遮光膜２
４は、対向電極３１と補償容量電極２５とを接続する配
線の役割を有している。従って、遮光膜２４以外に補償
容量電極２５の接続端子２５Ｃと対向電極３１とを接続
させるための専用接続線を設ける必要がなく、配線構造
を簡単にすることができる。
過程で同時に形成されるため、製造工程を増加させるこ
となく、簡単に構成することができる。また、遮光膜２
４は、対向電極３１と補償容量電極２５とを接続する配
線の役割を有している。従って、遮光膜２４以外に補償
容量電極２５の接続端子２５Ｃと対向電極３１とを接続
させるための専用接続線を設ける必要がなく、配線構造
を簡単にすることができる。
【００１９】この発明は、上記実施形態に限定されず、
種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施形
態においては、遮光膜２４をデータラインＤＬを形成す
る時に、同時に形成した。しかし、遮光膜２４をゲート
電極２１１及びゲートラインＧＬを形成する工程で、形
成してもよい。この場合、図５に示すように、ＴＦＴ基
板１１上にＡｌ、Ｃｒ等の金属からなる金属膜を形成
し、この金属膜をエッチングによりパターニングして、
ゲート電極２１１、遮光膜２４、補償容量電極２５を同
時に形成する。さらに、ゲート絶縁膜２１２にコンタク
トホールを設けて遮光膜２４とコンタクト材ＣＣを接続
して、これらを介して対向電極３１と補償容量電極２５
とを電気的に接続してもよい。
種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施形
態においては、遮光膜２４をデータラインＤＬを形成す
る時に、同時に形成した。しかし、遮光膜２４をゲート
電極２１１及びゲートラインＧＬを形成する工程で、形
成してもよい。この場合、図５に示すように、ＴＦＴ基
板１１上にＡｌ、Ｃｒ等の金属からなる金属膜を形成
し、この金属膜をエッチングによりパターニングして、
ゲート電極２１１、遮光膜２４、補償容量電極２５を同
時に形成する。さらに、ゲート絶縁膜２１２にコンタク
トホールを設けて遮光膜２４とコンタクト材ＣＣを接続
して、これらを介して対向電極３１と補償容量電極２５
とを電気的に接続してもよい。
【００２０】この際、遮光膜２４及び補償容量電極は、
ゲート絶縁膜２１２に設けられたコンタクトホールを介
してソース・ドレイン電極２１４、２１５及びドレイン
ラインＤＬと同時に形成された接続ライン５０により互
いに接続されるか、或いは、ドレインラインＤＬと同方
向にゲート電極２１１及びゲートラインＧＬと同時に形
成された第１接続ライン５１と、ゲート絶縁膜２１２を
介してゲートラインＧＬに跨りソース・ドレイン電極２
１４、２１５及びドレインラインＤＬと同時に形成され
た第２接続ライン５２が、接続された接続ライン５３に
より互いに接続されている。上記各実施形態は、視認側
に対向基板１２が配置されたが、これに限らず、図６に
示すように視認側にＴＦＴ基板１１をもってきてもよ
い。
ゲート絶縁膜２１２に設けられたコンタクトホールを介
してソース・ドレイン電極２１４、２１５及びドレイン
ラインＤＬと同時に形成された接続ライン５０により互
いに接続されるか、或いは、ドレインラインＤＬと同方
向にゲート電極２１１及びゲートラインＧＬと同時に形
成された第１接続ライン５１と、ゲート絶縁膜２１２を
介してゲートラインＧＬに跨りソース・ドレイン電極２
１４、２１５及びドレインラインＤＬと同時に形成され
た第２接続ライン５２が、接続された接続ライン５３に
より互いに接続されている。上記各実施形態は、視認側
に対向基板１２が配置されたが、これに限らず、図６に
示すように視認側にＴＦＴ基板１１をもってきてもよ
い。
【００２１】なお、遮光膜２４はオーバーエッチング領
域を遮光できるならば、四角形に限定されず、その他の
多角形または円形等の形状で構成してもよい。
域を遮光できるならば、四角形に限定されず、その他の
多角形または円形等の形状で構成してもよい。
【００２２】上記実施形態においては、ＴＦＴをアクテ
ィブ素子とする液晶表示素子を例にこの発明を説明した
が、この発明は、ＭＩＭをアクティブ素子とする液晶表
示素子にも適用可能である。また、アクティブ素子を使
用しないパッシブマトリクス方式の液晶表示素子にも適
用可能である。
ィブ素子とする液晶表示素子を例にこの発明を説明した
が、この発明は、ＭＩＭをアクティブ素子とする液晶表
示素子にも適用可能である。また、アクティブ素子を使
用しないパッシブマトリクス方式の液晶表示素子にも適
用可能である。
【００２３】上記実施形態においては、バックライト４
１を配置した透過型液晶表示素子を例にこの発明を説明
したが、この発明は、バックライト４１を配置しない透
過型液晶表示素子や反射型液晶表示素子にも適用可能で
ある。
１を配置した透過型液晶表示素子を例にこの発明を説明
したが、この発明は、バックライト４１を配置しない透
過型液晶表示素子や反射型液晶表示素子にも適用可能で
ある。
【００２４】また、上記実施形態においては、カラー液
晶表示素子にこの発明を適用したが、白黒階調表示の液
晶表示素子にも同様に適用可能である。
晶表示素子にこの発明を適用したが、白黒階調表示の液
晶表示素子にも同様に適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、製造が容易でかつ非表示領域が完全に遮光された液
晶表示素子を提供することができる。
ば、製造が容易でかつ非表示領域が完全に遮光された液
晶表示素子を提供することができる。
【図１】この発明の一実施形態にかかるＴＦＴ液晶表示
素子の構成を示す拡大断面図である。
素子の構成を示す拡大断面図である。
【図２】ＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図３】対向基板の電極とブラックマスクの構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】実施の形態にかかる液晶表示素子の漏光領域の
状態を示す平面図である。
状態を示す平面図である。
【図５】実施の形態にかかる液晶表示素子の構成を示す
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図６】実施の形態にかかる液晶表示素子の構成を示す
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図７】従来の液晶表示素子の構成を示す図である。
１１・・・ＴＦＴ基板、１２・・・対向基板、１３・・・液晶、
１６・・・液晶セル、２１・・・ＴＦＴ、２１１・・・ゲート電
極、２１２・・・ゲート絶縁膜、２１３・・・真性半導体層、
２１４・・・ドレイン電極、２１５・・・ソース電極、、２２
・・・画素電極、２３・・・配向膜、２４・・・遮光膜、２４Ｃ・
・・コンタクト領域、２５・・・補償容量電極、３０・・・樹脂
膜、３１・・・対向電極、３１Ｃ・・・コンタクト領域、３２
・・・ブラックマスク、３３・・・カラーフィルタ、３４・・・
オーバーコート層、３６・・・配向膜、ＳＣ・・・シール材、
ＣＣ・・・コンタクト材、ＧＬ・・・ゲートライン、ＤＬ・・・
データライン
１６・・・液晶セル、２１・・・ＴＦＴ、２１１・・・ゲート電
極、２１２・・・ゲート絶縁膜、２１３・・・真性半導体層、
２１４・・・ドレイン電極、２１５・・・ソース電極、、２２
・・・画素電極、２３・・・配向膜、２４・・・遮光膜、２４Ｃ・
・・コンタクト領域、２５・・・補償容量電極、３０・・・樹脂
膜、３１・・・対向電極、３１Ｃ・・・コンタクト領域、３２
・・・ブラックマスク、３３・・・カラーフィルタ、３４・・・
オーバーコート層、３６・・・配向膜、ＳＣ・・・シール材、
ＣＣ・・・コンタクト材、ＧＬ・・・ゲートライン、ＤＬ・・・
データライン
Claims (4)
- 【請求項１】対向面にそれぞれ電極を有する表基板及び
裏基板と、前記表基板及び前記裏基板を接合するシール
材と、前記表基板及び裏基板間に封止された液晶と、前
記表基板及び裏基板のいずれか一方上の前記表基板及び
裏基板を電気的に導通するコンタクト領域と前記コンタ
クト領域周辺の前記シール材内縁の非表示領域とに設け
られた電気伝導性の遮光膜と、を備えることを特徴とす
る液晶表示素子。 - 【請求項２】前記表基板及び裏基板の一方の電極は、マ
トリクス状に配列された複数の画素電極であり、前記画
素電極にはそれぞれ薄膜トランジスタが接続され、前記
遮光膜は、前記薄膜トランジスタのゲート電極材料膜及
びソース・ドレイン電極材料膜のいずれかをパターニン
グして形成されることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示素子。 - 【請求項３】前記シール材はギャップ材を含み、前記表
基板及び裏基板の他方上のシール材の内側に樹脂からな
るブラックマスクが形成されることを特徴とする請求項
１または２に記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】前記表基板及び裏基板の他方に設けられた
ブラックマスクは、前記コンタクト領域周辺に切欠部を
有し、前記遮光膜は、前記表基板及び裏基板の一方上の
前記コンタクト領域周辺のシール材の内縁の非表示領域
と前記シール材と前記コンタクト領域上に跨がって形成
されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34504795A JP3582194B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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