JPH09155723A - 半導体基板研磨装置 - Google Patents

半導体基板研磨装置

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JPH09155723A
JPH09155723A JP7317884A JP31788495A JPH09155723A JP H09155723 A JPH09155723 A JP H09155723A JP 7317884 A JP7317884 A JP 7317884A JP 31788495 A JP31788495 A JP 31788495A JP H09155723 A JPH09155723 A JP H09155723A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 異物の混入によるマイクロスクラッチの発生
を防止するとともに、半導体ウエハー研磨厚の面内均一
性を向上させ、歩留まりの向上及び信頼性の向上を実現
する。 【解決手段】 キャリアー１２は、半導体ウエハー１１
の被研磨面を上方に向けて保持する。ポリッシングベル
ト１３は、半導体ウエハーの被研磨面に接触しながら移
動するようにプーリー１８を介して巻取リール１７に巻
き取られる。コンディショニングパッド１６は、ポリッ
シングベルト１３の表面を整える。ノズル１５は、ポリ
ッシングベルトの裏面にスラリーを供給する。加圧ロー
ラー１４は、ポリッシングベルトの裏面上のスラリーを
表面に染み出させるとともに、ポリッシングベルト及び
染み出したスラリーを半導体ウエハーの表面に押し付け
る。スラリーに混入した異物は、ポリッシングベルトに
より除去される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板研磨装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板研磨装置（ＣＭＰ装
置；Chemical Mechnical Polishing装置）は、図３に示
すように、半導体ウエハー３１を保持するキャリアー３
２と、キャリアー３２に所定の距離を置いて対向配置さ
れた圧力盤３３と、キャリアー３２と圧力盤３３との間
を通るように複数のプーリー３４に巻き掛けられたポリ
ッシングベルト３５と、ポリッシングベルト３５上に砥
液（ポリッシングスラリー）を供給するノズル３６と、
ポリッシングベルト３５を洗浄する洗浄液を溜める洗浄
液槽３７と、ポリッシングベルト３５の洗浄を行うスク
ラバロール３８と、及びポリッシングベルト３５の再生
を行う再生ロール３９とを有している。
【０００３】このＣＭＰ装置では、半導体ウエハー３１
が、被研磨面を下向きにした状態でキャリアー３２に保
持される。そして、ポリッシングベルト３５を周回移動
させる。このとき、ノズル３６から砥液が吐出され、圧
力盤３３からは水等の圧力流体が上向きに吐出される。
【０００４】圧力盤３３から吐出された圧力流体は、圧
力盤３３とポリッシングベルト３５との間に流体膜を形
成し、ポリッシングベルト３５を押し上げる。これによ
り、ポリッシングベルト３５は、半導体ウエハー３１の
表面に強く押圧される。ポリッシングベルト３５は、ノ
ズル３６から吐出されたスラリーを保持した状態で、半
導体ウエハー３１の被研磨面に押しつけられながら移動
する。こうして、半導体ウエハー３１の被研磨面はスラ
リーにより研磨される。
【０００５】上記研磨を行いながら、キャリアー３２を
ポリッシングベルト３５の移動方向と直交する方向に往
復運動させると、より一層効果的に半導体ウエハー３１
を研磨することができる。
【０００６】ポリッシングベルト３５は、上記研磨を行
うと汚れ、劣化する。そこで、洗浄液槽３７内で、スク
ラバロール３８及び再生ロール３９により研磨可能な状
態に再生される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体基板研磨
装置では、ポリッシングベルトの表面（研磨面）上にノ
ズルからスラリーを吐出させている。このため、ポリッ
シングベルト上に異物等が落下、混入しやすく研磨され
る半導体ウエハーの表面にマイクロスクラッチが発生し
易いという問題点がある。
【０００８】また、ポリッシングベルト上に吐出された
スラリーは、半導体ウエハーのエッジに当たって、半導
体ウエハーとポリッシングベルトとの間への侵入が阻害
されるため、ウエハの中央部への到達できないため、半
導体ウエハーの研磨厚が面内で均一にならないという問
題点もある。
【０００９】本発明は、異物の混入によるマイクロスク
ラッチの発生を防止するとともに、半導体ウエハー研磨
厚の面内均一性を向上させ、歩留まりの向上及び信頼性
の向上を実現する半導体基板研磨装置を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板を保持するキャリアと、該キャリアに対向配置さ
れ、ポリッシングスラリーを保持して前記半導体基板を
研磨するパッドとを有する半導体基板研磨装置におい
て、前記半導体基板の被研磨面が上を向くように前記キ
ャリアと前記パッドとを配置するとともに、前記パッド
として前記ポリッシングスラリーを裏面から研磨面まで
浸透させる浸透性パッドを用い、前記ポリッシングスラ
リーを前記パッドの裏面から供給するようにしたことを
特徴とする半導体基板研磨装置が得られる。
【００１１】前記パッドは、裏面側に配された加圧ロー
ラにより、前記半導体基板の被研磨面に押圧される。そ
の押圧力は、圧力調整手段により調整される。
【００１２】また、前記パッドは、前記裏面から前記研
磨面に向かうに従って孔径を小さくした発泡体を使用す
ることができる。このパッドは、長尺のポリッシングベ
ルトとすることができる。
【００１３】
【作用】ポリッシングベルトは、裏面側で孔径が大き
く、表面（研磨面）に向かうにしたがい小さくなってい
るので、裏面側に吐出されたスラリーは、ポリッシング
ベルトに対して馴染みが速い。ポリッシングベルトに染
み込んだスラリーは、加圧ローラーにより加圧され、表
面から染み出す。このときポリッシングベルトは、異物
を取り除くフィルタとして働き、例え、ポリッシングベ
ルト上（裏面上）に異物が落下、混入しても、表面には
出てこない。すなわち、マイクロスクラッチの発生を防
止するに十分なフィルタリング効果が得られる。
【００１４】また、ポリッシングベルトに対するスラリ
ーの馴染みが良いので、研磨に必要十分なスラリーが表
面に染み出し、半導体ウエハーの研磨面全体に均一に供
給されるので、研磨厚を面内で均一にすることができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の半
導体基板研磨装置の実施の形態について説明する。図１
に本発明の半導体基板研磨装置（ＣＭＰ装置）の一実施
の形態を示す。このＣＭＰ装置は、半導体ウエハー１１
を保持するキャリアー１２、半導体ウエハー１１の表面
を研磨するポリッシングベルト１３、研磨を均一に行う
ための加圧ローラー１４、スラリーをポリッシングベル
ト１３の裏面上に吐出するノズル１５、研磨前にポリッ
シングベルト１３の表面状態を整えるコンディショニン
グパッド１６、及びポリッシングベルト１３を移動させ
るための巻取リール１７とプーリー１８を有している。
【００１６】ポリッシングベルト１３は、例えば、図２
（ａ）に示すように、単層のポリウレタン等の発泡体で
あって、孔径が裏面２１側から表面２２（研磨面）側に
進むにしたがって、小さくなるように作られているもの
を使用する。または、図２（ｂ）に示すように孔径の異
なる複数のウレタン等の発泡体を重ね、張り合わせたも
のを使用しても良い。この場合、各層には硬度の異なる
ものを使用しても良い。なお、ポリッシングベルト１３
に使用される発泡体の孔径は、約２〜０．５μｍであ
る。
【００１７】次に、図１のＣＭＰ装置の動作について説
明する。被研磨物である半導体ウエハー１１は、研磨さ
れる面を上方に向けてキャリアー１２の上面に保持され
る。そして、キャリアー１２を移動させてポリッシング
ベルト１３の表面に押しつけられるように固定される。
【００１８】ポリッシングベルト１３は、一方の巻取リ
ール１７に巻き取られることにより、半導体ウエハー１
１表面上を移動していく。このとき、ポリッシングベル
ト１３の表面は、コンディショニングパッド１６よっ
て、研磨に適した状態に整えられる。また、ポリッシン
グベルト１３の裏面上には、加圧ローラー１４の手前で
ポリッシングスラリーがノズル１５から供給される。
【００１９】ポリッシングベルト１３の裏面上に供給さ
れたスラリーは、重力によりポリッシングベルトに浸透
する。そして、加圧ローラー１４によって加圧され、ポ
リッシングベルトの表面へと押し出される。ポリッシン
グベルト１３の裏面に落下した異物、あるいは、スラリ
ーに混入した異物は、ポリッシングベルト１３内を通過
することができず、ポリッシングベルト１３の表面に
は、異物を含まないスラリーのみが到達する。そして、
ポリッシングベルト１３の表面に到達したスラリーは、
このポリッシングベルト１３とともに、加圧ローラー１
４によって、半導体ウエハー１１の表面に押し付けられ
る。こうして、ポリッシングベルト１３は、半導体ウエ
ハー１１の被研磨面全体にスラリーを強く押し付けた状
態を保ったまま移動していく。そして、この間に半導体
ウエハー１１の表面は研磨される。
【００２０】ここで、加圧ローラー１４の複数のローラ
を個別にモニターしながら圧力調整を行えば、さらに研
磨を均一に行うことができる。また、キャリアー１２を
ポリッシングベルトと平行な状態を保ちながら、回転さ
せることによっても、さらに研磨を均一に行うことがで
きる。もちろん、双方を組み合わせて行っても良い。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、スラリーの供給をポリ
ッシングベルトの裏面側から行うようにしたことで、ポ
リッシングベルトのフィルタリング効果によりスラリー
に混入する異物を除去することができるので、半導体ウ
エハーの被研磨面におけるマイクロスクラッチの発生を
抑制することができる。
【００２２】また、本発明によれば、ポリッシングベル
トを段階的な孔径を有する発泡体とし、ローラで加圧し
て染み出させるようにしたことで、半導体ウエハーの研
磨面全体に均一にスラリーを供給できるとともに、スラ
リーの粒径も均一になり、半導体ウエハー研磨厚の面内
均一性が向上する。
【００２３】これらにより、製品の歩留まり及び信頼性
が向上し、もってデバイス特性の向上も期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体基板研磨装置の一実施の形態を
示す該略図である。
【図２】図１のポリッシングベルトの断面図である。
【図３】従来の半導体基板研磨装置の該略図である。
【符号の説明】
１１ 半導体ウエハー １２ キャリアー １３ ポリッシングベルト １４ 加圧ローラー １５ ノズル １６ コンディショニングパッド １７ 巻取リール １８ プーリー ２１ 裏面 ２２ 表面 ３１ 半導体ウエハー ３２ キャリアー ３３ 圧力盤 ３４ プーリー ３５ ポリッシングベルト ３６ ノズル ３７ 洗浄液槽 ３８ スクラバロール ３９ 再生ロール

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板を保持するキャリアと、該キ
    ャリアに対向配置され、ポリッシングスラリーを保持し
    て前記半導体基板を研磨するパッドとを有する半導体基
    板研磨装置において、前記半導体基板の被研磨面が上を
    向くように前記キャリアと前記パッドとを配置するとと
    もに、前記パッドとして前記ポリッシングスラリーを裏
    面から研磨面まで浸透させる浸透性パッドを用い、前記
    ポリッシングスラリーを前記パッドの裏面から供給する
    ようにしたことを特徴とする半導体基板研磨装置。
  2. 【請求項２】 前記パッドを介して前記キャリアに対向
    配置され、前記パッドを前記半導体基板の被研磨面に押
    圧する加圧ローラを有することを特徴とする請求項１の
    半導体基板研磨装置。
  3. 【請求項３】 前記加圧ローラの押圧力を調整する圧力
    調整手段を設けたことを特徴とする請求項２の半導体基
    板研磨装置。
  4. 【請求項４】 前記パッドが発泡体であって、前記裏面
    から前記研磨面に向かうに従って孔径を小さくしたこと
    を特徴とする請求項請求項１、２、または３の半導体基
    板研磨装置。
  5. 【請求項５】 前記パッドが長尺のポリッシングベルト
    であることを特徴とする請求項１、２、３、または４の
    半導体基板研磨装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001512057A (ja) * 1997-07-30 2001-08-21 スキャッパ、グループ、ピー・エル・シー 半導体ウエハーの研磨
JP2009184057A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Tokki Corp ポリシング装置
JP2010228076A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Fujibo Holdings Inc 研磨パッド
JP2011051063A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Nitta Haas Inc 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6139402A (en) * 1997-12-30 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6780095B1 (en) 1997-12-30 2004-08-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6315857B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-13 Mosel Vitelic, Inc. Polishing pad shaping and patterning
US6103628A (en) 1998-12-01 2000-08-15 Nutool, Inc. Reverse linear polisher with loadable housing
US6589105B2 (en) 1998-12-01 2003-07-08 Nutool, Inc. Pad tensioning method and system in a bi-directional linear polisher
US6464571B2 (en) * 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
US6468139B1 (en) * 1998-12-01 2002-10-22 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with a refreshing polishing belt and loadable housing
US7425250B2 (en) 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
EP1052062A1 (en) * 1999-05-03 2000-11-15 Applied Materials, Inc. Pré-conditioning fixed abrasive articles
EP1052063A1 (en) * 1999-05-03 2000-11-15 Applied Materials, Inc. System for chemical mechanical planarization
EP1052060A3 (en) * 1999-05-03 2001-04-18 Applied Materials, Inc. Method for chemical mechanical planarization
US6419554B2 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
US6328632B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6290883B1 (en) 1999-08-31 2001-09-18 Lucent Technologies Inc. Method for making porous CMP article
US6406363B1 (en) * 1999-08-31 2002-06-18 Lam Research Corporation Unsupported chemical mechanical polishing belt
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
US6273796B1 (en) 1999-09-01 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate with a tilted planarizing surface
US6616801B1 (en) 2000-03-31 2003-09-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed-abrasive substrate manufacturing and wafer polishing in a single process path
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6500056B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Lam Research Corporation Linear reciprocating disposable belt polishing method and apparatus
US6495464B1 (en) 2000-06-30 2002-12-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool
US6488565B1 (en) * 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
US7077733B1 (en) * 2000-08-31 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Subpad support with a releasable subpad securing element and polishing apparatus including the subpad support
US6561889B1 (en) * 2000-12-27 2003-05-13 Lam Research Corporation Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same
US6387807B1 (en) 2001-01-30 2002-05-14 Speedfam-Ipec Corporation Method for selective removal of copper
US6579157B1 (en) * 2001-03-30 2003-06-17 Lam Research Corporation Polishing pad ironing system and method for implementing the same
US7238092B2 (en) * 2001-09-28 2007-07-03 Novellus Systems, Inc. Low-force electrochemical mechanical processing method and apparatus
US6939203B2 (en) * 2002-04-18 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Fluid bearing slide assembly for workpiece polishing
US7648622B2 (en) 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US7198549B2 (en) * 2004-06-16 2007-04-03 Cabot Microelectronics Corporation Continuous contour polishing of a multi-material surface
US7179159B2 (en) * 2005-05-02 2007-02-20 Applied Materials, Inc. Materials for chemical mechanical polishing
US8148266B2 (en) * 2009-11-30 2012-04-03 Corning Incorporated Method and apparatus for conformable polishing
JP6134255B2 (ja) * 2013-11-21 2017-05-24 株式会社沖データ ベルト、転写ベルト、転写ベルトユニットおよび画像形成装置
CN103624691B (zh) * 2013-11-28 2016-04-06 赵永茂 一种无酸钢带去锈清洗设备及方法
JP7317532B2 (ja) * 2019-03-19 2023-07-31 キオクシア株式会社 研磨装置及び研磨方法
JP7453874B2 (ja) * 2020-07-30 2024-03-21 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法、および基板処理装置
US20230077988A1 (en) * 2021-09-03 2023-03-16 Chempower Corporation Tools for chemical planarization
CN114952642B (zh) * 2022-06-15 2023-10-31 安徽禾臣新材料有限公司 一种蓝宝石防护盖板抛光用阻尼布及其生产工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59227363A (ja) * 1983-06-08 1984-12-20 Ricoh Co Ltd 研磨装置
JPH02269553A (ja) * 1989-04-06 1990-11-02 Rodeele Nitta Kk ポリッシング方法およびポリッシング装置
JPH04201181A (ja) * 1990-11-30 1992-07-22 Ichikawa Woolen Textile Co Ltd 研磨用フェルト

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2600600B2 (ja) * 1993-12-21 1997-04-16 日本電気株式会社 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5643044A (en) * 1994-11-01 1997-07-01 Lund; Douglas E. Automatic chemical and mechanical polishing system for semiconductor wafers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59227363A (ja) * 1983-06-08 1984-12-20 Ricoh Co Ltd 研磨装置
JPH02269553A (ja) * 1989-04-06 1990-11-02 Rodeele Nitta Kk ポリッシング方法およびポリッシング装置
JPH04201181A (ja) * 1990-11-30 1992-07-22 Ichikawa Woolen Textile Co Ltd 研磨用フェルト

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001512057A (ja) * 1997-07-30 2001-08-21 スキャッパ、グループ、ピー・エル・シー 半導体ウエハーの研磨
JP2009184057A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Tokki Corp ポリシング装置
JP4734353B2 (ja) * 2008-02-05 2011-07-27 トッキ株式会社 ポリシング装置
JP2010228076A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Fujibo Holdings Inc 研磨パッド
JP2011051063A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Nitta Haas Inc 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法

Also Published As

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