JP2001512057A - 半導体ウエハーの研磨 - Google Patents

半導体ウエハーの研磨

Info

Publication number
JP2001512057A
JP2001512057A JP2000504977A JP2000504977A JP2001512057A JP 2001512057 A JP2001512057 A JP 2001512057A JP 2000504977 A JP2000504977 A JP 2000504977A JP 2000504977 A JP2000504977 A JP 2000504977A JP 2001512057 A JP2001512057 A JP 2001512057A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
belt
belt according
polymer
layer
fabric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000504977A
Other languages
English (en)
Inventor
ダドビッツ,ウォールター
ロンバード,ブライアン
Original Assignee
スキャッパ、グループ、ピー・エル・シー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by スキャッパ、グループ、ピー・エル・シー filed Critical スキャッパ、グループ、ピー・エル・シー
Publication of JP2001512057A publication Critical patent/JP2001512057A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/06Connecting the ends of materials, e.g. for making abrasive belts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】 ベルト式研磨機械のための継ぎ目なし研磨面を備えた、統合された無端ベルトは、支持ファブリックと、研磨面として作用する重合体層から構成される。重合体層は、代表的なものとしては、多孔質であり、且つ一般に機械方向に走行する排出溝を備えて形成されている。支持ファブリックは、織成または不織の材料、または方向が定められた補強ヤーンを備えたメンブランから構成することが出来る。さらなる形態では、重合体層を保持する織成または不織の層を支持する、螺旋リンク型ファブリックから構成される。ベルトは、おのおの組成、構造および方向付けが異なるか同一の、多層の重合体およびファブリックを有することが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、シリコンまたは半導体のウエハーを研磨するための装置に関する。 発明の背景 シリコンウエハーは、超小型電子技術用半導体を製造する前駆体として製造さ
れる。ウエハーは、代表的なものとしては直径が20−30cmの薄型デイスク
を製造するために、主要な面に対して平行に、スレートの裂け目に類似した形で
円筒形のシリコン結晶から剥ぎ取られる。その結果として生ずるウエハーは、集
積素子半導体デバイスを形成するために、標準的なリトグラフおよびエッチング
技術によって、完全に水平且つ平坦な面を付与するために研磨する必要がある。
代表的なものとして、20cmの直径のウエハーは、約40個のマイクロプロセ
ッサー素子(チップ)を生成する。
【0002】 ますます小さな、そしてますます複雑な超小型回路を製造するために、この様
にして設計される集積半導体素子の寸法はますます減少しており、且つまた、例
えばリトグラフィによってシリコン表面に被覆される層の数は増加している。現
在の半導体は、代表的なものは3層または4層の金属層をを組み入れているが、
将来の設計は、5層またはそれ以上の層を組み入れることが予想されている。電
気回路の寸法の減少と、被覆される層の数の増加は、シリコンおよび半導体ウエ
ハーの平滑さと平坦さに対してますます厳しい要求をもたらすものである。何故
ならば、不均一な表面は、不完全さと欠陥をもたらす結果となり、導体が狭めら
れている個所で予期せざる抵抗と、また堆積された導体層に破損が生ずる箇所の
非伝導ギャップをもたらし、そしてまた絶縁バリヤーが破れた箇所では予期せざ
る短絡をもたらし、これが回路の計画通りの作動を干渉し、或いはこれを害する
からである。
【0003】 現在使用されている標準的なウエハー研磨技術は、例えば10枚のウエハーの
被膜またはカセットから、1枚のウエハーを、ロボットアームを使用して取り除
き、そして大きなターンテーブル上に取り付けられた回転する平坦研磨パッド上
の所定の位置にウエハーを移動させることである。研磨パッドは、通常はポリウ
レタンフォーム製であり、研磨スラリーは通常パッドの表面に被覆され、そして
ウエハーは、回転するパッドとスラリーによって研磨されながら、上方の圧板に
よって所定の位置に保持される。これは、レンズ、鏡、およびそのたの光学コン
ポーネントを研磨するために使用される光学研磨技術の応用である。研磨が完了
すると、ロボットアームがウエハーを取り除き、そして場合によってはこれをリ
トグラフによる溶着およびエッチング段階のための、他の作業ステーションに移
送する。
【0004】 これと著しく異なるやり方は、いわゆるオントラック社によって開発されたい
わゆる直線平面化技術(LPT)であって、ここでは、回転する平坦なターンテ
ーブルの形態の研磨工具の代わりに、無端の走行ベルトがウエハーを研磨するた
めに使用される。この方法において使用されるベルトは、欧州特許出願公開第0
696495号公報に記載されており、在来の平坦なポリウレタン製の研磨パッ
ドを接着剤によって取りつけた薄鋼鈑またはその他の高張力材料から構成されて
いる。この二体配置の主要な問題には、研磨パッドの適切な取付け、保持および
取り外しの困難が含まれる。例えば不適当な取付けは、パッドと金属ベルトとの
間に捕らえられた空気によって惹起される高い斑点または気泡をもたらすことが
あり、粗雑な固着は使用中のパッド材料の裂層をもたらし、そして不適切に設け
られたパッド表面中の継ぎ目は、ざらざらした研磨性の縁部をもたらすことがあ
り得る。適切な取付けは、時間のかかる退屈な作業であり、不適切な取付けは、
貴重なウエハー費用のかかる損傷と、工程の稼動休止時間をもたらす。二体配置
のベルトのいまひとつの問題は、支持ベルトからの金属ダストと、接着剤からの
磨耗性の粒子が発生する可能性であり、これがウエハーの表面を汚損し、且つこ
れに掻き傷を造る。
【0005】 発明の目的 本発明の目的は、シリコンおよび半導体のウエハーを研磨するための継目なし
研磨面を備えた一体物のベルトを提供することであって、これによって、平坦な
研磨パッドが接着された2体式薄鋼鈑の使用から生ずる問題が、少なくとも実質
的に克服される。
【0006】 発明の概要 本発明は、シリコンおよび半導体のウエハーの研磨に使用するために、少なく
とも継ぎ目なしの研磨面を形成する、適当な重合体によって被覆されまたは含浸
された、支持用の織成または不織ファブリックから構成されるベルトを特徴とす
る、研磨用工具として作用する、一体物の無端のベルトを提供するものである。
【0007】 重合体は、ポリウレタンであることが望ましい。その代わりとして重合体は、
十分な弾力性、耐磨耗性、耐水性および耐化学薬品性のような好ましい特性を有
する、熱硬化性または熱可塑性のいずれかの重合体、共重合体、またはブレンド
とすることが出来る。使用可能な重合体の例は、ポリウレア、ポリアミド、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリアクリレート、ポリメタクリ
レート、置換されたビニル重合体、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル
、ポリケトン、シリコン、飽和および不飽和重合体炭化水素、ふっ素重合体、お
よびエポクシ樹脂を含むが、これに限定されるものではない。
【0008】 重合体は、固体とすることが出来、または多孔質または発泡性のものにするこ
とも出来る。多孔質または発泡重合体は、吹込み成形、発泡、溶解濾過、凝固作
用、または多孔質または中空の粒子またはマイクロエレメントの包含という方法
を含むが、これに限定されない、いずれかの適当な方法によって成形することが
出来る。重合体は、希望するいかなるフィラー、研磨性材料またはカプセル化材
料をも包含することが出来る。重合体は、希望するいかなる硬度でも、これを有
することが出来、或いは希望するいかなる剛性またはその他の特性を有すること
も出来る。重合体は、燒結の場合と同様に、微細粒子の高温鋳造、加熱成形、ま
たは部分的融合を含むが、これに限定されない、適当ないかなる方法によっても
成形することが出来る。また重合体は、透明、または半透明、または不透明にす
ることが出来る。
【0009】 ファブリックは、所定の用途において研磨ベルトを適切に支持するために、適
当ないかなる組成および特性のヤーンおよびファーバーでも、これを包含する、
無端の形状に織成される基板とすることが出来る。代表的なものとして、高い引
張り強さおよび相対的に低い延びを有するヤーンは、例えばオントラック社によ
って開発されたLPT機械での使用中に、安定性と耐久性を与えるに最も適して
いる。
【0010】 無端の形態に織られたファブリックは、継ぎ目または重ね継ぎの弱い箇所を欠
いているが、これは非常な利点である。それは、これらのベルトが、代表的な場
合としては、波や皺の形成を防止するために、極めて高い緊張のもとで作動する
からである。ファブリックは、適当な、いかなる織り模様でも有することが出来
る。
【0011】 適当なヤーンの例は、KEVLAR、NOMEX、またはPBOまたはその誘
導体のようなメタまたはパラアラミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリ
エーテルケトン、PEEK、(DYNEEMAまたはSPECTRAのような)
ゲルスパンUHMWポリエチレン、またはポリベンゾイミダゾール、または航空
部品を製造するためのファブリックのような高性能ファブリックにおいて普通に
使用されるその他のヤーンである。二またはそれ以上の数の、ヤーンの混合物ま
たはブレンドは、(望ましい寸法の)グラスファイバー、炭素、または金属、ま
たは玄武岩またはその他の岩石のファイバーを含むセラミックヤーン、またはこ
のような元素質または鉱物質のファイバーと、木綿、ナイロンまたはポリエステ
ルのような、天然または合成の有機質重合体の混合物のように、これまた使用す
ることが出来る。ガラス、セラミックおよび金属のファイバーは、それが重合体
によって完全に保護包囲されていて、かくて研磨されるウエハーの無傷状態また
は品質に対する脅威とならない限りで、本発明においての使用を許容することが
出来る。最も望ましいのは、その低い重量と高い強度の結果であるアラミドヤー
ンである。しかしながら、これよりも強度が低く、且つ伸張度が高いヤーンも使
用することが出来るが、これらは、ベルトの取付け張力が低いところで使用する
場合にのみ、使用可能である。
【0012】 不織ファブリックの基板は、織成された基板の代わりに使用することが出来、
且つまた上記のヤーンまたはファイバーのいずれか一、またはいずれかのブレン
ドまたは混合物からも、形成することが出来る。一枚以上の不織基板も使用する
ことが出来るが、望ましいのは二枚以上で、これらは縦に整列させるか、或いは
他方との関連でこれを補うことが出来る。
【0013】 ベルト基板は、実質的に共通の方向に延びる、間隔をあけられた付随的な線形
のヤーンを組み入れた不織ファブリックと、かかるヤーンを組み入れ、且つ少な
くとも部分的にこれを保護する重合体マトリクス材料とから構成することが出来
る。線形ヤーンは、出来ればベルトの走行方向に向けられることが好ましいが、
同様に、またはその代わりに機械の横方向に、すなわち、例えば英国特許出願公
開第2202873号公報に記載されているように、ベルトの横方向に向けるこ
とも出来る。実質的に機械方向に延びる、余分の補強ヤーンも備えることが出来
る。
【0014】 基板に重合体をより一層完全に沁み込ませてある箇所では、ベルト基板は、剥
離抵抗を増大させるために、相対的に高い空間領域を有することが出来る。この
ためには、互いに噛み合う、平坦にされたヘリカルコイルによって接続された、
例えば機械交叉方向の一連のヒンジワイヤから成る、英国特許出願公開第205
1154号公報に記載されている種類の螺旋リンクベルトが、大きな空間領域を
有する織成ファブリックの一形式として、特に望ましい。この基板は、適当な重
合体で被覆されるか、または部分的または完全に含浸された、織成または不織の
ファブリックを支持することが出来る。
【0015】 ベルトは、希望するいかなるシーケンスにおいても、いかなる数の重合体およ
びファブリックの層からも、構成することが出来る。多重の支持ファブリック層
は、同一または異なる組成、構造および方向性にすることが出来る。多重の重合
体層は、固体および多孔質の組合せと、硬質および軟質の層の組合せと、充填お
よび非充填の層の組み合わせを含む、異なる組成、構造および特性のものとする
ことが出来る。例えば、ベルトは支持ファブリック層上に、異なる硬度の二また
は三層の重合体層から構成することが出来る。上層は、硬度の高い層にすること
が出来、或いは他方において、下層を硬度の高い層にすることが出来る。上層か
または下層のいずれかを、発泡重合体から形成するか、或いは重合体層に気孔を
形成する、中空のマイクロエレメントから形成するか、またはそれを組み入れる
ことが出来る。ベルトは、少なくとも一層の部分的に融合された重合体粒子、ま
たは異なる融点を有する二またはそれ以上の熱可塑性重合体から構成することが
出来る。研磨性の粒子またはファイバーは、上層に加えることが出来る。
【0016】 加えて、ベルトの研磨および追跡面は、ミクロまたはマクロの組織、溝または
切れ目を有することが出来る。この面は、硬質および軟質の重合体の領域を有す
ることが出来、或いは透明および不透明な材料のの領域を有することが出来、或
いは隆起した造作および下降した造作を有することが出来る。ベルトは最上面か
ら最下面へベルトを完全に貫通して延びる孔を有することが出来る。ベルトの表
面には、研磨工程中に発生した、湿ったスラリーおよび殺ぎ落とされた粒子を配
送し且つ取り除き、且つまたベルトとウエハーとの間のさらに一貫した接触のた
めに、滑走を低減するための、ベルトの走行方向に延びる溝を形成することが出
来る。スラリーは、微細なブラシまたは硬い非金属性(例えばセラミック)の尖
筆を回転させる、一または複数の高圧水ジェットの使用を含むが、これに限定さ
れない、適当ないずれかの方法を用いて取り除くことが出来る。
【0017】 実施例の説明 図1は、シリコンおよび半導体のウエハーを研磨し且つ平坦化するための連続
式ベルト機械の線図的正面図である。液圧式または空気圧式ラム11によって作
動可能になる圧板10は、ロボットアーム(図示されていない)のような遠隔操
作または自動式の取扱装置よって、ウエハー12が所定の位置に置かれた後で、
連続ベルト13の表面上にシリコンウエハー12を平坦に保持する。ベルト13
は、末端ローラー14,15の周囲を通って、図面に矢印で示されたように駆動 される。極めて微細な等級の研磨剤を含んだ研磨用スラリーは、貯蔵容器16か
ら供給装置17を通じてベルトの上面に供給される。これに適した研磨用スラリ
ーの例は、アドヴァンスト・マイクロ・デバイス社による世界特許第96/16 436号明細書において開示されている。供給装置17は、化学的機械的研磨プ
ロセスによって研磨されるウエハー12に遭遇する前に、ベルト上にスラリーの
望み通りの配分を行う、現行技術において知られている手段と結び付けることが
出来る。
【0018】 研磨は、圧板10とラム11からの圧力の下で、ウエハー表面との強制接触の
際に、研磨されるべきウエハー12の表面に接触する、ベルト13の運動によっ
て行われる。本発明によれば、ベルト13は、少なくともこれに適した重合体材
料を被覆された支持基板から形成されており、その可能な幾つかの構造は、以下
の図面において実施例によって示すとおりである。
【0019】 図2においては、どちらかといえば、適当な樹脂で含浸され且つ補強された不
織ファイバー製の打ち延ばし綿20が、研磨されるべきウエハーとの接触のため
に、その上部表面に、固形のポリウレタンの層21を被覆されている。上部表面
は、研磨位置から使用済みのスラリー(研磨剤粒子、液状媒体およびウエハーの
表面から取り除かれた粒子から成る)を排出するために、平行な複数の機械方向
に走る溝22を有するように形成されている。
【0020】 図3には、機械方向ヤーン31を通して織り込まれた、機械交叉方向のヤーン
32とともに、機械方向ヤーン31から構成される織成の基板30が示されてい
る。ここにはあり得る最も単純な織り模様が示してあるが、当然のことながら、
さらに大きな織成基板を得るために、多層MDヤーン31を含む、さらに複雑な
織り模様も使用することが出来る。織成基板30の多重の層も、希望があれば、
バインダーまたは樹脂で被覆し、或いは含浸することが出来る。ヤーン32は機
械交叉方向に延びているが、これに織り込まれたヤーン31は、機械方向に延び
ている。基板30は、その上部研磨面に、ポリウレタンの層33が被覆されてい
る。これが、むしろ織成基板中に侵入して、基板を完全に含浸することが出来、
図面には明確に示されていないが、支持ファブリックをすべての側部および縁部
において保護するのである。
【0021】 図4においては、不織基板40は、例えば機械方向に延び、重合体材料マトリ
クス42で保護された、一連のヤーン40から構成されている。ポリウレタンの
被膜43は、基板40の研磨面に設けられている。基板は、英国特許出願公開第
2202873号公報に記載されている種類のものにすることが出来、且つまた
当該明細書に公開されているように、基板を通じる縦方向の通路を包含すること
が出来る。
【0022】 図5においては、英国特許出願公開第2051154号公報に開示されている
種類の基板50が設けられている。この基板は、一連の機械交叉方向のヒンジワ
イヤ51を持っており、その各々の対は、それぞれの平坦になされたヘリカルコ
イル52によって接続されており、その各々は、それぞれのヒンジワイヤの周囲
の隣接するコイルに組み合わされている。基板50は、不織性の、プラスチック
で含浸され、且つ補強された打ち延ばし綿53のような、繊維の層によって覆わ
れている。打ち延ばし綿そのものは、逆に重合体の層54で被覆されている。ヒ
ンジワイヤ51およびヘリカルワイヤ52は、これに適したポリアミド材料、ま
たはこれより少し望ましさにおいて劣る金属製ワイヤまたはその他の高張力材料
のものとすることが出来る。
【0023】 図6は、支持基板60、および二層の異なる硬度の材料から構成されるベルト
の今一つの実施形態を示すものである。これらは、40−90のショアD硬度を
有するポリウレタンのような相対的に硬い材料を含む上層61から構成されてい
る。上層61は、研磨場所から使用済みのスラリーを排出するための、平行な機
械方向の溝63を具備して形成された上部表面62を備えている。第二の中間層
64は、相対的に硬い上層61と基板60との間に挟まれていて、10−80シ
ョアA硬度のポリウレタンのような相対的に柔らかな材料から構成されている。
基板60は、図2にあるように、それにふさわしい樹脂で含浸され且つ補強され
た不織繊維の打ち延ばし綿から構成されている。
【0024】 相対的にやわらかな層の上に相対的に硬い上層表面材料を重ねる構造は、硬い
外部表面62の利点を柔らかい層64の弾性と結合するものであって、ウエハー
の卓越した局部的および全体的な平坦化を可能にするものである。剛性の最上層
は局部的な頂点と谷に応じて抵抗し、他方において圧縮可能な下層は、研磨面と
ウエハーとの間のさらに均一で平行な接触のための適合を、さらに幅広い尺度で
可能にするものである。
【0025】 図7は、10−80ショアA硬度のポリウレタンのような、相対的に柔らかな
材料の上層71を担い、且つ排出溝73を備えた上部表面を提供する、織成の支
持基板70と、40−90ショアD硬度のポリウレタンのような、相対的に硬い
材料の中間にはさみ込まれた層74から成る、ベルトのさらなる実施形態を示す
ものである。この配置は、本質的には図6の配置の裏返しであるが、何らかの研
磨を行うことが望ましいこともある、これに応じた上部表面と、ベルトに大きな
硬さを与える硬質中間層を提供するものである。
【0026】 図8は、中に埋め込まれた機械方向の補強ヤーン81を有する薄膜の形態の支
持基板80から成る、本発明によるベルトのいま一つの実施形態である。薄膜8
0は、図示されていないが、穴あけをすることは許されない。薄膜基板80は、
例えばポリウレタン、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、スタイレン
などのような、発泡プラスチック材料の上層82を支えている。この発泡体は硬
度を持たせることが出来るが、出来ることなら弾力的にすることが好ましく、ス
ラリーを排出するのに役立ち、ベルト上のウエハーのハイドロプレン現象を軽減
し、且つまた掻き削られた粒子の除去に役立つ多孔性の表面を提供する。ウエハ
ーを所定の位置に保持するに必要な硬さは、比較的硬い、例えば40−90ショ
アD硬度のポリウレタン83の中間層によって与えられる。二つの重合体層は、
意図するベルトの特性に応じて同一か、または異なる厚さを持たせることが出来
る。
【0027】 図9は、例えば40−90ショアD硬度のポリウレタンの相対的に硬い中間層
91を支え、発泡被覆に類似した、多孔の研磨面を形成するための中空のビード
を包含する、ポリウレタンの上層92を支える螺旋リンクのファブリック基板9
0から構成されている。好ましいビードは、とりわけポリウレタンのような重合
体に多孔性を有利に付加するために製造される、アクゾ・ノーベル社から入手可
能なExpancel551DEのような、中空のプラスチック球体である。
【0028】 図10は、多孔性を創出するために、中空のマイクロエレメントを包含するポ
リウレタン層(101)で最上部を被覆され、且つ固体のポリウレタン層(10
3)で最下部を被覆された、無端の織成支持ベルト(102)を具備した、本発
明による溝付ベルト(102)を示す。図面でははっきりと示していないが、支
持ファブリックは、包囲する重合体層によって全体的に接合され且つ含浸されて
いる。ファブリックの側部および縁部は、すべて重合体層によって完全に保護さ
れており、これが研磨工程に干渉するファブリックからの塵埃または粒子を軽減
し、そしてまた潜在的にはベルトを弱め、或いはベルトの性能に不利な影響を与
える、ファブリックとスラリーとの間の接触を防止する。重合体層は、希望する
いかなる硬度にもすることが出来る。従来の智恵は、硬度が高ければ、それだけ
優れた平坦さが得られ、材料が柔らかければ柔かいほど、それだけ除去率は高く
なるとしている。現行技術による研磨パッドは、固体の非多孔性の形態で、約7
5ショアD硬度に硬化するポリウレタンから製造されているが、本発明は、この
特別な例を含めて、適当な、または希望する、いかなる硬度の、適当な、または
希望するいかなる重合体材料からも、これを構成することが出来る。
【0029】 ベルトの真中にファブリックを備えた、このタイプの構造は、ベルトが平坦に
置かれ、且つローラーに取付けられたときに、縁部における硬化に対して抵抗力
を有することを銘記すべきである。ベルトの縁部が巻き上がり、或いは巻き下が
る傾向を最小化し、或いはこれを取り除く今一つの方法は、相対的に高い開放領
域を有する補強基板を有することである。
【0030】 図11は、最上部に多孔質の重合体層(111)と、最底部に固体の重合体層
(116)を備えた溝付の(112)多層ベルトを示す。ベルトの中間層は、柔
軟なウレタン層(114)を間に有する、二つの織成ファブリック層(113、
115)を含んでいる。このタイプの構造の利点は、二つのファブリック層の間
にクッション層を備える間に、ベルトの全体的な強度が増加することである。ま
たこのベルトは、とりわけ追跡を制御するためのローラーの操作中に、研磨面に
不均一な応力を及ぼすことなしに、比較的高い取付け張力の使用を許容する。
【0031】 上記の実施形態のいずれにおいても、上層は、少なくとも一層の部分的に融合
された重合体粒子から構成され、そして/または異なる融点を有する、二または
それ以上の熱可塑性重合体から構成することが出来る。燒結された層は、織物材
料、例えば薄膜、織成または不織のファブリック、または切り刻まれたファイバ
ーによって、選択的に補強することが出来る。重合体層は、多孔質の表面を提供
するために、後で壊れることもある、プラスチック、ガラス、または(CMCと
しての)可溶性材料の中空のファブリックを包含することが出来る。ガラスビー
ドは、その研磨特性のために使用することが出来る。中空のビードは、潤滑油、
研磨材料、pH緩衝剤、反応指示薬を包含することが出来る。中空ビードは、硬
化されたベルトが、例えば研磨によって調節されるときに切開することが出来、
これによってスラリーを保持し、或いはマイクロエレメントの内部から材料を放
出させることが出来る位置を、ベルト表面に提供する。
【0032】 TiO2、CeO2、SiC、Si3N4、Al2O3、ガラス、珪酸塩、B
aCO3、CaCO3、ダイアモンド、および炭素のような、研磨性の粒子また
はファイバーは、同じくまたはその代わりに、透明な被覆から構成することが出
来る上層に付加することが出来る。
【0033】 上層の表面は、ミクロ組織にされた被覆、すなわち、例えば機械加工、(出来
ればアブレーションレーザーまたはエキシマレーザーによる)レーザー加工、ま
たは(例えば上層に存在する糖または調理用塩のような、可溶性の粒子を溶解す
ることによる)化学的手段によって形成される、ミクロ級の溝または粗さを備え
ることが出来る。
【0034】 図示されたさまざまな基板のいずれも、記述され、または暗示された単一層、
二重層、または多層の構造のいずれとも組み合わせて使用することが出来る。当
該技術に明るい当業者には、ここに記述されていない、その他の多くの層の組合
せが可能であることは明らかであろう。
【0035】 上記の諸実施形態においては、基板ファブリック20、30または被覆層53
は、重ね継ぎや継ぎ目によって移入される弱さを回避するために、無端の織成材
料にすることが出来る。ファブリックは、メタアラミドまたはパラアラミドのよ
うな高い引張り強さと相対的に低い延びを有するヤーン、例えばKEVLAR、
NOMEX、またはTWARON、ならびにPBOまたはその誘導体、ポリエー
テルイミド、ポリエーテルケトン、PEEK、ゲルスパン・UHMWポリエチレ
ン(例えばDYNEEMA、またはSPECTRA)またはポリベンゾイミダゾ
ールなどから織ることが出来る。これらの組成のヤーンは、混合またはブレンド
することが出来、岩石ファイバー(例えば玄武岩)を含むガラス、炭素、または
セラミックのヤーンのような金属性または鉱物性のファイバーは、そのまま、ま
たは天然または合成の重合体ファイバーと混合またはブレンドして、使用するこ
とが出来る。アラミドは、重量が軽いことと、強度が強いために好まれている。
しかしながら、さまざまなナイロン、ポリエステル、およびここに明示されてい
ないその他のタイプを含む、他のいかなるタイプのファイバーも、使用すること
が出来る。適合性は、用途の特殊性と、作動中の引張りによって定まる。
【0036】 重合体被覆はまた、耐磨耗性、硬度、および耐湿性のような、要求される特性
を備えた、適当ないかなる熱可塑性または熱硬化性の材料、共重合体、混合物ま
たはブレンドにもすることが出来る。可能性のある材料は、ポリウレタン、ポリ
ウレア、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリア
クリレート、ポリメタクリレート、置換されたビニル重合体、ポリアクリルアミ
ド、ポリアクリロニトリル、ポリケトン、シリコン、飽和および不飽和の重合体
炭化水素、ふっ素重合体、およびエポキシ樹脂から選定される重合体を含むが、
これに限定されるものではない。織成金属メッシュおよび多孔性金属薄板のベル
ト基板は、これを使用することが出来、ベルトの間隙は、重合体材料のリベット
またはフィラーによって占められ、重合体と金属との間の結合力を改善する。金
属は、代表的なものとしては、研磨中にウエハーが汚染される可能性を回避する
ために、重合体によって完全に保護することが出来る。
【0037】 本発明により、ベルトを化学的機械的に研磨する主たる利点は、継ぎ目なしの
研磨面を備えた一体構造に統合されたベルトが、著しく改善された使用の容易さ
を備えていることであり、これが作業の効率と一貫性を改善し、且つ貴重な半導
体ウエハーを損傷する可能性を低下させる。本発明は、研磨面を取付け且つ交換
するのに、これまでよりも努力を必要としない。そして欧州特許出願公開第06
96496号公報に記載されている二体配置に比較して、パッドの不適当な取付
け、ざらざらの継ぎ目および剥離から生ずる、ウエハーの損傷の可能性を著しく
低下させる。
【0038】 ベルトは、その代表的なものは、無端ベルトの内周で測定して、長さが1.5
―4メートル、幅が0.1―0.6メートル、そして厚さが0.1―0.6cm
である。代表的な被覆は、厚さの10−90%である。しかし、本発明は、これ
らの寸法に限定されるものではない。
【0039】 本発明によるベルトは、半導体製造における、さまざまな研磨段階のいずれに
おいても、いかなるタイプの材料または層でも、これを研磨するために使用する
ことが出来る。研磨されるべき代表的な材料は、シリコン、ニ酸化珪素、銅、タ
ングステンおよびアルミニウムを含むが、これに限定されるものではない。研磨
ベルトは、ある材料は研磨するが、他の材料は研磨しないように、または異なる
材料を同一の速度で研磨し、または特定のタイプのスラリーおよび溶液を使用す
るように、選択的に設計することが出来る。本発明によるベルトは、他の産業に
おいても、例えば光学的平面および鏡の研磨および平坦化作業のためにも、これ
を使用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるベルトを包含する種類の、連続的なベルト式シリコンウエハー研
磨装置の概略図である。
【図2】 本発明によるベルト研磨の一実施形態の、機械方向に対して横に取った、破断
拡大概略的断面図である。
【図3】 本発明によるベルトの今一つの実施形態の、図2と同様の断面図である。
【図4】 本発明によるベルトのさらなる実施形態の、図2および3と同様の断面図であ
る。
【図5】 本発明によるベルトの第四の実施形態の、同様の断面図である。
【図6】 本発明によるベルトの第五の実施形態の、同様の断面図である。
【図7】 本発明によるベルトの第六の実施形態の、同様の断面図である。
【図8】 本発明によるベルトの第七の実施形態の、同様の断面図である。
【図9】 本発明によるベルトの第八の実施形態の、同様の断面図である。
【図10】 本発明によるベルトの第九の実施形態の、同様の断面図である。
【図11】 本発明によるベルトの第十の実施形態の、同様の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM ,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM) ,AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG, BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,D K,EE,ES,FI,GB,GE,GH,GM,HR ,HU,ID,IL,IS,JP,KE,KG,KP, KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,L V,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI, SK,SL,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,U S,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 ロンバード,ブライアン アメリカ合衆国、ニューハンプシャー州、 03031、アマースト、バクリッジ ドライ ヴ、11 Fターム(参考) 3C058 AA05 AA09 DA17 3C063 AA04 BA22 BA31 BG14 BG22 EE10

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シリコンおよび半導体のウエハーの研磨に使用するための、
    研磨用工具として作用する無端のベルトであって、継ぎ目なしの研磨面を形成す
    るために、適当な重合体によって被覆された、織成または不織ファブリックから
    構成されるベルト。
  2. 【請求項2】 少なくともベルトの最上層が、多孔質または発泡性の重合体
    から成る、請求項1によるベルト。
  3. 【請求項3】 多孔質の構造が、中空のマイクロエレメントから成る、請求
    項2によるベルト。
  4. 【請求項4】 ベルトの最上層が、多孔質のポリウレタンから成る、請求項
    2によるベルト。
  5. 【請求項5】 固形の非多孔質形状硬化されたときのポリウレタンの公称シ
    ョアD硬度が、40―90の範囲内にある、請求項4によるベルト。
  6. 【請求項6】 支持ファブリックの上下の双方に、少なくとも一層の本質的
    に重合体の層が存在する、請求項1によるベルト。
  7. 【請求項7】 ファブリックの上側の最上層が多孔質であり、ファブリック
    の下側の最下層が固体または非多孔質である、請求項6によるベルト。
  8. 【請求項8】 重合体層の少なくとも一層が、高い耐磨耗性を有する熱硬化
    性または熱可塑性重合体、または共重合体、またはブレンドから成る、請求項1
    によるベルト。
  9. 【請求項9】 重合体が、ポリウレタン、ポリウレア、ポリアミド、ポリエ
    ステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリアクリレート、ポリメタクリレ
    ート、置換されたビニル重合体、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル、
    およびポリケトンの群から選定される、請求項8によるベルト。
  10. 【請求項10】 重合体層の少なくとも一層が、高い耐薬品性または耐湿性
    を有する熱硬化性または熱可塑性の重合体、共重合体、またはブレンドから構成
    される、請求項1によるベルト。
  11. 【請求項11】 重合体が、シリコン、飽和および不飽和重合体炭化水素、
    ふっ素重合体、およびエポキシ樹脂の群から選定される、請求項10によるベル
    ト。
  12. 【請求項12】 二つの重合体層、すなわち最上層と、支持ファブリックの
    上側の中間層が存在する、請求項1によるベルト。
  13. 【請求項13】 重合体最上層の硬度が中間層の硬度よりも硬い、請求項1
    2によるベルト。
  14. 【請求項14】 重合体最上層の硬度が中間層の硬度よりも柔らかい、請求
    項12によるベルト。
  15. 【請求項15】 重合体最上層が多孔質であり、且つ中間層が非多孔質であ
    る、請求項12によるベルト。
  16. 【請求項16】 最上層および中間層の双方が多孔質である、請求項12に
    よるベルト。
  17. 【請求項17】 最上層がファブリックの研磨性の粒子から成る、請求項1
    によるベルト。
  18. 【請求項18】 ベルトの最上層が、表面にミクロ組織またはマクロ組織を
    有する、請求項1によるベルト。
  19. 【請求項19】 研磨ベルトが作動する間に、ミクロ組織またはマクロ組織
    が、化学的または機械的手段によって連続的に更新される、請求項1によるベル
    ト。
  20. 【請求項20】 マクロ組織が、一般にベルトの機械方向に走る溝から成る
    、請求項18によるベルト。
  21. 【請求項21】 溝が、ベルトの周囲の単一な連続的な螺旋によって形成さ
    れる、請求項20によるベルト。
  22. 【請求項22】 最上部から最下部を通じて貫通する孔が存在する、請求項
    1によるベルト。
  23. 【請求項23】 ベルトの少なくとも一部分が、研磨作業が進行中に、ベル
    トを通じてウエハーの寸法を測定するのに有用な電磁波を透過する部分である、
    請求項1によるベルト。
  24. 【請求項24】 ベルトの少なくとも一部分が、可視性の光、紫外線、また
    はX線を透過する、請求項23によるベルト。
  25. 【請求項25】 ベルトの最上層が、異なる硬度を有する一つ以上の重合体
    材料からなる、請求項1によるベルト。
  26. 【請求項26】 上記のファブリックが、無端の形態で織成され、且つまた
    高い引張り強さと低い延びのヤーンを包含する、請求項1によるベルト。
  27. 【請求項27】 上記の高い引張り強さを有するヤーンが、メタまたはパラ
    アラミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリエーテルケトン、PEEK、
    ゲルスパン・UHMWポリエチレン、およびポリベンゾイミダゾールから成る群
    から選定される、請求項26によるベルト。
  28. 【請求項28】 上記の高い引張り強さを有するヤーンが、かかるヤーンの
    二またはそれ以上の混合物またはブレンドから成る、請求項26によるベルト。
  29. 【請求項29】 上記のヤーンが、グラスファイバー、炭素ヤーンまたはセ
    ラミックヤーン、玄武岩ファイバー、その他の岩石ファイバー、または天然また
    は合成の重合体ヤーンを含む鉱物性ファイバーの混合物のいずれか一から成る、
    請求項26によるベルト。
  30. 【請求項30】 綿糸のような天然のヤーンが、ベルトの幅に亘って横方向
    に織られている、請求項26によるベルト。
  31. 【請求項31】 当該ファブリックが、一または複数のヤーンから形成され
    る不織ファブリックである、請求項1によるベルト。
  32. 【請求項32】 当該ヤーンのステープルが、メタまたはパラアラミド、ポ
    リエーテルイミド、ポリイミド、ポリエーテルケトン、PEEK、ゲルスパン・
    UHMWポリエチレン、ポリベンゾイミダゾール、グラスファイバー、炭素ファ
    イバー、セラミックヤーン、玄武岩ファイバー、その他の岩石ファイバー、およ
    び金属性ファイバーから成る群から選定されるファイバーの一または複数の群か
    ら成る、請求項31によるベルト。
  33. 【請求項33】 当該ファブリックが、実質的に共通の方向に延びる、間隔
    を隔てられた付随的な線形のヤーンを組み入れた不織ファブリックと、かかるヤ
    ーンを組み入れ且つ少なくとも部分的にその各々を保護する重合体マトリクス材
    料とから成る、請求項1によるベルト。
  34. 【請求項34】 当該線形ヤーンが、当該ベルトの走行方向に向けられてい
    る、請求項33によるベルト。
  35. 【請求項35】 当該線形ヤーンが、当該ベルトの横方向に向けられている
    、請求項33によるベルト。
  36. 【請求項36】 追加的な補強ヤーンが、当該ベルトの走行方向に延びる形
    で備えられている、請求項35によるベルト。
  37. 【請求項37】 当該支持基板が相対的に高い空間領域を有する、請求項1
    によるベルト。
  38. 【請求項38】 当該ベルトが螺旋リンクの支持基板を有する、請求項37
    によるベルト。
  39. 【請求項39】 当該螺旋リンクのベルトが、当該重合体で被覆されるか、
    または含浸された、織成または不織のファブリック層を支持する、請求項38に
    よるベルト。
JP2000504977A 1997-07-30 1998-07-21 半導体ウエハーの研磨 Pending JP2001512057A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US90300497A 1997-07-30 1997-07-30
US08/941,386 1997-09-30
US08/903,004 1997-09-30
US08/941,386 US6736714B2 (en) 1997-07-30 1997-09-30 Polishing silicon wafers
PCT/GB1998/002174 WO1999006182A1 (en) 1997-07-30 1998-07-21 Polishing semiconductor wafers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001512057A true JP2001512057A (ja) 2001-08-21

Family

ID=27129340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000504977A Pending JP2001512057A (ja) 1997-07-30 1998-07-21 半導体ウエハーの研磨

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6736714B2 (ja)
EP (1) EP0999918B1 (ja)
JP (1) JP2001512057A (ja)
KR (1) KR100646490B1 (ja)
AU (1) AU8453298A (ja)
DE (1) DE69810117T2 (ja)
TW (1) TW365561B (ja)
WO (1) WO1999006182A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003103455A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法
JP2006513571A (ja) * 2003-01-10 2006-04-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 化学的機械的研磨のための軟質サブパッドの使用方法
JP2007049164A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc レーザアブレーションを使用してケミカルメカニカル研磨パッドに溝を形成する方法
JP2007088463A (ja) * 2005-09-19 2007-04-05 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc レーザアブレーションを使用して積層研磨パッドを形成する方法
JP2010105102A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Daiwa Kasei Kogyo Kk 研磨砥石
JP2010536584A (ja) * 2007-08-13 2010-12-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー コーティングされた研磨材積層ディスク及びその作成方法
KR101246240B1 (ko) * 2011-08-11 2013-03-21 엠.씨.케이 (주) 평판형 디스플레이의 유리기판 세정용 무한궤도 벨트형 연마지
TWI769988B (zh) * 2015-10-07 2022-07-11 美商3M新設資產公司 拋光墊與系統及其製造與使用方法

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6108091A (en) 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US6736714B2 (en) * 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers
US6210257B1 (en) 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6585574B1 (en) 1998-06-02 2003-07-01 Brian Lombardo Polishing pad with reduced moisture absorption
US6749714B1 (en) 1999-03-30 2004-06-15 Nikon Corporation Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device
US6261168B1 (en) 1999-05-21 2001-07-17 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns
US7516536B2 (en) * 1999-07-08 2009-04-14 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Method of producing polishing pad
US6869343B2 (en) * 2001-12-19 2005-03-22 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Turning tool for grooving polishing pad, apparatus and method of producing polishing pad using the tool, and polishing pad produced by using the tool
AU6620000A (en) * 1999-08-06 2001-03-05 Frank W Sudia Blocked tree authorization and status systems
US20020090819A1 (en) * 1999-08-31 2002-07-11 Cangshan Xu Windowless belt and method for improved in-situ wafer monitoring
US6406363B1 (en) 1999-08-31 2002-06-18 Lam Research Corporation Unsupported chemical mechanical polishing belt
JP2003529456A (ja) * 2000-03-31 2003-10-07 ラム リサーチ コーポレイション 固定研磨材線形研磨ベルトおよびそれを用いる装置
US6402591B1 (en) 2000-03-31 2002-06-11 Lam Research Corporation Planarization system for chemical-mechanical polishing
JP2002009025A (ja) * 2000-06-21 2002-01-11 Toray Ind Inc 研磨パッド
US6495464B1 (en) 2000-06-30 2002-12-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool
DE20013377U1 (de) * 2000-08-01 2000-10-05 Joest Peter Schleifband für eine Bandschleifmaschine
US6575821B2 (en) 2000-08-01 2003-06-10 Joest Peter Abrasive belt for a belt grinding machine
EP1177858A1 (en) * 2000-08-02 2002-02-06 Applied Materials, Inc. Fixed-abrasive belt polisher
US6561889B1 (en) * 2000-12-27 2003-05-13 Lam Research Corporation Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same
US20040243175A1 (en) * 2001-03-12 2004-12-02 Don Michael T. Anthony Vascular obstruction removal system and method
US6620031B2 (en) 2001-04-04 2003-09-16 Lam Research Corporation Method for optimizing the planarizing length of a polishing pad
US6837779B2 (en) 2001-05-07 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with grooved belt
EP1277546A1 (de) * 2001-07-20 2003-01-22 sia Abrasives Industries AG Schleifband mit einem Träger aus Vulkanfiber
AU2003213823A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-29 Lam Research Corporation Reinforced chemical mechanical planarization belt
KR20030092787A (ko) * 2002-05-31 2003-12-06 장명식 다공성 연마 패드를 구비하는 연마 장치 및 이를 이용한연마방법
US7087187B2 (en) * 2002-06-06 2006-08-08 Grumbine Steven K Meta oxide coated carbon black for CMP
JP4362443B2 (ja) * 2002-06-07 2009-11-11 プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド 侵入調節サブパッド
WO2004062849A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Pad constructions for chemical mechanical planarization applications
US6832947B2 (en) * 2003-02-10 2004-12-21 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
EP1561545A1 (de) * 2004-02-09 2005-08-10 sia Abrasives Industries AG Schleifband
EP1561543A1 (de) * 2004-02-09 2005-08-10 sia Abrasives Industries AG Schleifband
EP1561544A1 (de) * 2004-02-09 2005-08-10 sia Abrasives Industries AG Schleifband
AT501742B1 (de) * 2005-03-21 2006-11-15 Meulen Alfred V D Schleifscheibe
JP4524643B2 (ja) * 2005-05-18 2010-08-18 株式会社Sumco ウェーハ研磨方法
US7813105B2 (en) * 2006-06-06 2010-10-12 Adc Tech International Ltd. Multi-layer capacitor
DE102006048747B3 (de) * 2006-10-12 2008-02-21 Gkd - Gebr. Kufferath Ag Prozessband zum Transportieren eines Guts durch einen Prozessraum, insbesondere zum Formieren eines Vlieses
WO2010002725A2 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive particles and articles made therefrom
DE102008048175A1 (de) * 2008-09-20 2010-04-08 Phoenix Conveyor Belt Systems Gmbh Fördergurt zum Transport von Heißgut
EP2940201B1 (en) 2010-05-13 2018-07-04 Otis Elevator Company Method of making a woven fabric having a desired spacing between tension members
US8808065B2 (en) * 2012-06-21 2014-08-19 Design Technologies Llc Surface treating device
KR101342063B1 (ko) 2012-11-20 2013-12-18 최재현 벨트형 연마패드
US10144175B2 (en) * 2014-03-18 2018-12-04 Evolve Additive Solutions, Inc. Electrophotography-based additive manufacturing with solvent-assisted planarization
JP2017514704A (ja) * 2014-05-01 2017-06-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 可撓性研磨物品及びその使用方法
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
KR102630261B1 (ko) 2014-10-17 2024-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
JP6940495B2 (ja) 2015-10-30 2021-09-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 所望のゼータ電位を有する研磨用物品を形成するための装置及び方法
US10593574B2 (en) * 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
TWI713526B (zh) * 2016-05-20 2020-12-21 智勝科技股份有限公司 基底層、具有基底層的研磨墊及研磨方法
KR102318482B1 (ko) * 2017-03-24 2021-10-29 주식회사 케이씨텍 연마 패드 및 이를 구비하는 기판 연마 장치, 연마 패드의 제조 방법
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
KR102438398B1 (ko) * 2021-01-15 2022-08-31 주식회사 엘에이티 웨이퍼를 이송하기 위한 컨베이어 모듈 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 시스템
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
WO2023069557A1 (en) * 2021-10-23 2023-04-27 Rajeev Bajaj Post cmp brush and method of manufacture

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02269552A (ja) * 1989-04-06 1990-11-02 Rodeele Nitta Kk ポリッシング方法およびポリッシング装置
JPH07502458A (ja) * 1991-12-20 1995-03-16 ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチュアリング・カンパニー エンドレスで継目のない支持体を有する被覆研磨剤ベルトおよびその製造方法
JPH0811050A (ja) * 1994-06-28 1996-01-16 Sony Corp 研磨布及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH08153692A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sony Corp 化学的機械研磨装置
JPH09155723A (ja) * 1995-12-06 1997-06-17 Nec Corp 半導体基板研磨装置
JPH10138123A (ja) * 1996-11-05 1998-05-26 Nec Corp 半導体装置の研磨装置及び研磨方法
WO1998035785A1 (en) * 1997-02-14 1998-08-20 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US27817A (en) * 1860-04-10 Improvement in substitutes for emery-cloth
US81986A (en) * 1868-09-08 John h
US4109543A (en) * 1976-05-10 1978-08-29 The Goodyear Tire & Rubber Company Flexible composite laminate of woven fabric and thermoplastic material and method of making said laminate
US4437269A (en) * 1979-08-17 1984-03-20 S.I.A.C.O. Limited Abrasive and polishing sheets
US4282011A (en) * 1980-05-30 1981-08-04 Dan River Incorporated Woven fabrics containing glass fibers and abrasive belts made from same
US4396657A (en) * 1981-12-28 1983-08-02 Norton Company Fray and stretch resistant coated abrasive substrates impregnated with epoxy resins cured by specific types of catalysts
US4478610A (en) * 1982-08-27 1984-10-23 Carborundum Abrasives Company Method of preparing flexible backing material for use in coated abrasives
US4520059A (en) * 1983-12-16 1985-05-28 Engineered Yarns, Inc. Ionomer-coated yarns and their use in papermakers wet press felts
US4576612A (en) 1984-06-01 1986-03-18 Ferro Corporation Fixed ophthalmic lens polishing pad
US4728552A (en) 1984-07-06 1988-03-01 Rodel, Inc. Substrate containing fibers of predetermined orientation and process of making the same
DE3528363A1 (de) * 1985-08-07 1987-02-19 Wangner Gmbh Co Kg Hermann Papiermaschinenbespannung in form eines mit vliesstoff bedeckten spiralgliederbandes
US4927432A (en) 1986-03-25 1990-05-22 Rodel, Inc. Pad material for grinding, lapping and polishing
US4753838A (en) 1986-06-16 1988-06-28 Tsuguji Kimura Polishing sheet material and method for its production
DE3638036A1 (de) * 1986-11-07 1988-05-11 Siteg Siebtech Gmbh Spiralgliederband mit geteilten spiralen
JPS63267155A (ja) 1987-04-24 1988-11-04 Babcock Hitachi Kk 研磨装置
US4841680A (en) 1987-08-25 1989-06-27 Rodel, Inc. Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing
JPH01193166A (ja) 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
US4962562A (en) 1989-01-18 1990-10-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Compounding, glazing or polishing pad
DE8900626U1 (ja) * 1989-01-21 1989-03-09 Parabeam B.V., Helmond, Nl
US5234867A (en) 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
US5177908A (en) 1990-01-22 1993-01-12 Micron Technology, Inc. Polishing pad
US5020283A (en) 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
CA2036247A1 (en) 1990-03-29 1991-09-30 Jeffrey L. Berger Nonwoven surface finishing articles reinforced with a polymer backing layer and method of making same
EP0552190B1 (en) * 1990-10-09 1996-12-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive containing erodable agglomerates
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5197999A (en) 1991-09-30 1993-03-30 National Semiconductor Corporation Polishing pad for planarization
US5316812A (en) * 1991-12-20 1994-05-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive backing
US6406577B1 (en) * 1991-12-20 2002-06-18 3M Innovative Properties Company Method of making abrasive belt with an endless, seamless backing
US6406576B1 (en) * 1991-12-20 2002-06-18 3M Innovative Properties Company Method of making coated abrasive belt with an endless, seamless backing
US5287663A (en) 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5487697A (en) 1993-02-09 1996-01-30 Rodel, Inc. Polishing apparatus and method using a rotary work holder travelling down a rail for polishing a workpiece with linear pads
US5329734A (en) 1993-04-30 1994-07-19 Motorola, Inc. Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate
US5681612A (en) * 1993-06-17 1997-10-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasives and methods of preparation
DE4403501A1 (de) * 1994-02-04 1995-08-10 Siteg Siebtech Gmbh Spiralgliederband niedriger Luftdurchlässigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung
AU1735295A (en) * 1994-02-22 1995-09-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for making an endless coated abrasive article and the product thereof
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
US5534106A (en) 1994-07-26 1996-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for processing semiconductor wafers
ATE186001T1 (de) 1994-08-09 1999-11-15 Ontrak Systems Inc Linear poliergerät und wafer planarisierungsverfahren
US5575707A (en) 1994-10-11 1996-11-19 Ontrak Systems, Inc. Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer
US5593344A (en) 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
EP0792515A1 (en) 1994-11-18 1997-09-03 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making a chemical-mechanical polishing slurry and the polishing slurry
US5573844A (en) * 1995-01-06 1996-11-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Conformable surface finishing article and method for manufacture of same
KR100189970B1 (ko) * 1995-08-07 1999-06-01 윤종용 웨이퍼 연마장치
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
US6736714B2 (en) * 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02269552A (ja) * 1989-04-06 1990-11-02 Rodeele Nitta Kk ポリッシング方法およびポリッシング装置
JPH07502458A (ja) * 1991-12-20 1995-03-16 ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチュアリング・カンパニー エンドレスで継目のない支持体を有する被覆研磨剤ベルトおよびその製造方法
JPH0811050A (ja) * 1994-06-28 1996-01-16 Sony Corp 研磨布及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH08153692A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sony Corp 化学的機械研磨装置
JPH09155723A (ja) * 1995-12-06 1997-06-17 Nec Corp 半導体基板研磨装置
JPH10138123A (ja) * 1996-11-05 1998-05-26 Nec Corp 半導体装置の研磨装置及び研磨方法
WO1998035785A1 (en) * 1997-02-14 1998-08-20 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003103455A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法
JP2006513571A (ja) * 2003-01-10 2006-04-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 化学的機械的研磨のための軟質サブパッドの使用方法
JP2007049164A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc レーザアブレーションを使用してケミカルメカニカル研磨パッドに溝を形成する方法
JP2007088463A (ja) * 2005-09-19 2007-04-05 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc レーザアブレーションを使用して積層研磨パッドを形成する方法
JP2010536584A (ja) * 2007-08-13 2010-12-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー コーティングされた研磨材積層ディスク及びその作成方法
US8945252B2 (en) 2007-08-13 2015-02-03 3M Innovative Properties Company Coated abrasive laminate disc and methods of making the same
JP2010105102A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Daiwa Kasei Kogyo Kk 研磨砥石
KR101246240B1 (ko) * 2011-08-11 2013-03-21 엠.씨.케이 (주) 평판형 디스플레이의 유리기판 세정용 무한궤도 벨트형 연마지
TWI769988B (zh) * 2015-10-07 2022-07-11 美商3M新設資產公司 拋光墊與系統及其製造與使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010022464A (ko) 2001-03-15
EP0999918A1 (en) 2000-05-17
US20040087262A1 (en) 2004-05-06
TW365561B (en) 1999-08-01
DE69810117T2 (de) 2003-11-13
WO1999006182A1 (en) 1999-02-11
US20030087594A1 (en) 2003-05-08
US6971950B2 (en) 2005-12-06
US20010034197A1 (en) 2001-10-25
KR100646490B1 (ko) 2006-11-14
AU8453298A (en) 1999-02-22
EP0999918B1 (en) 2002-12-11
DE69810117D1 (de) 2003-01-23
US6736714B2 (en) 2004-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001512057A (ja) 半導体ウエハーの研磨
US7186166B2 (en) Fiber embedded polishing pad
US6749485B1 (en) Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
KR100770852B1 (ko) 화학 기계적 평탄화용 그루브형 연마 패드
US6736709B1 (en) Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US5584146A (en) Method of fabricating chemical-mechanical polishing pad providing polishing uniformity
US7156727B2 (en) Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6077153A (en) Polishing pad and apparatus for polishing a semiconductor wafer
KR100790217B1 (ko) 미공질 연마 패드
KR101507612B1 (ko) 개선된 화학적 기계적 연마 패드, 및 그의 제조 및 사용 방법
EP1118432A2 (en) Substrate polishing pad
KR101442258B1 (ko) 개선된 화학적 기계적 연마 패드, 및 그의 제조 방법 및 사용 방법
JP2001511714A (ja) 化学的機械的研磨のための一体型パッド・ベルト構造
CN1489508A (zh) 用于修饰半导体晶片的固定磨具
US6712681B1 (en) Polishing pads with polymer filled fibrous web, and methods for fabricating and using same
WO2002028598A1 (en) Method for conditioning polishing pads
US6979249B2 (en) CMP pad having isolated pockets of continuous porosity and a method for using such pad
KR100789068B1 (ko) 연마 패드 및 그의 제조방법
US20030003846A1 (en) Material for use in carrier and polishing pads
WO2002100593A2 (en) Polishing pads with polymer filled fibrous web, and methods for fabricating and using same
KR20010002593A (ko) 세포조직 구조의 미세 중공 폴리머 가닥을 다수개 갖는 폴리싱패드와 폴리싱 패드 제조장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050719

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050719

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050719

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050720

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080513

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080813

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080820

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080910

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080918

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081009

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090331

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090729

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090803

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20091009