JPH09153564A - 半導体パッケージ用樹脂フレーム - Google Patents
半導体パッケージ用樹脂フレームInfo
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- JPH09153564A JPH09153564A JP7312872A JP31287295A JPH09153564A JP H09153564 A JPH09153564 A JP H09153564A JP 7312872 A JP7312872 A JP 7312872A JP 31287295 A JP31287295 A JP 31287295A JP H09153564 A JPH09153564 A JP H09153564A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＢＧＡ及びＣＳＰなどの半導体パッケージを
製造するために使用される半導体パッケージ用樹脂フレ
ームを提供する。 【構成】 半導体パッケージを製造する所定領域の片面
に複数組の配線パターン６を有する半導体パッケージ用
樹脂フレームであって、所定領域外の両面にそれぞれ所
望する金属補強パターン７、８が形成され、複数組の配
線パターン６面の反対面側から配線パターン裏面に達す
る非貫通凹部９が形成された半導体パッケージ用樹脂フ
レーム。 【効果】 小型・高密度化に対応可能な半導体パッケー
ジを安定して製造することができる。
製造するために使用される半導体パッケージ用樹脂フレ
ームを提供する。 【構成】 半導体パッケージを製造する所定領域の片面
に複数組の配線パターン６を有する半導体パッケージ用
樹脂フレームであって、所定領域外の両面にそれぞれ所
望する金属補強パターン７、８が形成され、複数組の配
線パターン６面の反対面側から配線パターン裏面に達す
る非貫通凹部９が形成された半導体パッケージ用樹脂フ
レーム。 【効果】 小型・高密度化に対応可能な半導体パッケー
ジを安定して製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造に使用される半導体パッケージ用樹脂フレームに
関する。
の製造に使用される半導体パッケージ用樹脂フレームに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積度が向上するに従い、入出
力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数
を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入
出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、
周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。
前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子
ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッ
チ以下の領域では、半導体パッケージを搭載する配線板
との接続に高度な技術が必要になる。
力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数
を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入
出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、
周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。
前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子
ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッ
チ以下の領域では、半導体パッケージを搭載する配線板
との接続に高度な技術が必要になる。
【０００３】後者のアレイタイプは比較的大きなピッチ
で端子配列が可能なため、多ピン化に適している。従
来、アレイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、半導体パッ
ケージを搭載する配配線板との接続は挿入型となり、表
面実装には適していない。
で端子配列が可能なため、多ピン化に適している。従
来、アレイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、半導体パッ
ケージを搭載する配配線板との接続は挿入型となり、表
面実装には適していない。
【０００４】このため、表面実装可能なＢＧＡ（Ｂａｌ
ｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と称するパッケージが開発
されている。ＢＧＡの分類としては、（１）セラミック
タイプ、（２）プリント配線板タイプ及び（３）ＴＡＢ
を使ったテープタイプなどがある。このうち、セラミッ
クタイプについては、従来のＰＧＡに比べるとマザーボ
ードとパッケージ間の距離が短くなるために、マザーボ
ードとパッケージ間の熱応力差に起因するパッケージ反
りが深刻な問題である。また、プリント配線板タイプに
ついても、基板の反り、耐湿性、信頼性などに加えて基
板厚さが厚いなどの問題があり、ＴＡＢ技術を適用した
テープＢＧＡが提案されている。
ｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と称するパッケージが開発
されている。ＢＧＡの分類としては、（１）セラミック
タイプ、（２）プリント配線板タイプ及び（３）ＴＡＢ
を使ったテープタイプなどがある。このうち、セラミッ
クタイプについては、従来のＰＧＡに比べるとマザーボ
ードとパッケージ間の距離が短くなるために、マザーボ
ードとパッケージ間の熱応力差に起因するパッケージ反
りが深刻な問題である。また、プリント配線板タイプに
ついても、基板の反り、耐湿性、信頼性などに加えて基
板厚さが厚いなどの問題があり、ＴＡＢ技術を適用した
テープＢＧＡが提案されている。
【０００５】一方、パッケージサイズの更なる小型化に
対応するものとして、半導体チップとほぼ同等サイズ
の、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；Ｃｈｉ
ｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。こ
れは、半導体チップの周辺部でなく、実装領域内に外部
配線基板との接続部を有するパッケージである。具体例
としては、バンプ付きポリイミドフィルムを半導体チッ
プの表面に接着し、チップと金リード線により電気的接
続を図った後、エポキシ樹脂などをポッティングして封
止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＆
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４，Ｎｏ．１４０，ｐ１
８−１９）などがあった。
対応するものとして、半導体チップとほぼ同等サイズ
の、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；Ｃｈｉ
ｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。こ
れは、半導体チップの周辺部でなく、実装領域内に外部
配線基板との接続部を有するパッケージである。具体例
としては、バンプ付きポリイミドフィルムを半導体チッ
プの表面に接着し、チップと金リード線により電気的接
続を図った後、エポキシ樹脂などをポッティングして封
止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＆
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４，Ｎｏ．１４０，ｐ１
８−１９）などがあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ＢＧＡ
やＣＳＰ分野でポリイミドテープをベースフィルムとし
て利用したパッケージが検討されている。この場合、ポ
リイミドテープとしては、ポリイミドフィルム上に接着
材層を介して銅箔をラミネートしたものが一般的である
が、耐熱性や耐湿性などの観点から銅箔上に直接ポリイ
ミド層を形成した、いわゆる２層フレキシブル基材が好
ましい。
やＣＳＰ分野でポリイミドテープをベースフィルムとし
て利用したパッケージが検討されている。この場合、ポ
リイミドテープとしては、ポリイミドフィルム上に接着
材層を介して銅箔をラミネートしたものが一般的である
が、耐熱性や耐湿性などの観点から銅箔上に直接ポリイ
ミド層を形成した、いわゆる２層フレキシブル基材が好
ましい。
【０００７】２層フレキシブル基材の製造方法として
は、銅箔上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
を塗布し後熱硬化させる方法、硬化したポリイミドフィ
ルム上に真空成膜法や無電解めっき法などにより金属薄
膜を形成する方法に大別されるが、例えば、レーザ加工
を適用して所望する部分（第２の接続機能部に相当）の
ポリイミドを除去して銅箔に達する凹部を設ける場合に
は、ポリイミドフィルムはできる限り薄いことが好まし
い。
は、銅箔上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
を塗布し後熱硬化させる方法、硬化したポリイミドフィ
ルム上に真空成膜法や無電解めっき法などにより金属薄
膜を形成する方法に大別されるが、例えば、レーザ加工
を適用して所望する部分（第２の接続機能部に相当）の
ポリイミドを除去して銅箔に達する凹部を設ける場合に
は、ポリイミドフィルムはできる限り薄いことが好まし
い。
【０００８】反面、２層フレキシブル基材をリードフレ
ーム状に加工してハンドリングする場合、ベースフィル
ム厚さが薄いとハンドリング性やフレームとしての剛直
性に欠けるなどの問題があった。本発明は、２層フレキ
シブル基材を適用したＢＧＡ及びＣＳＰなどの半導体パ
ッケージを安定的に製造することを可能とする半導体パ
ッケージ用樹脂フレームを提供するものである。
ーム状に加工してハンドリングする場合、ベースフィル
ム厚さが薄いとハンドリング性やフレームとしての剛直
性に欠けるなどの問題があった。本発明は、２層フレキ
シブル基材を適用したＢＧＡ及びＣＳＰなどの半導体パ
ッケージを安定的に製造することを可能とする半導体パ
ッケージ用樹脂フレームを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂フレーム
は、半導体パッケージを製造する所定領域の片面に複数
組の配線パターンを有する半導体パッケージ用樹脂フレ
ームであって、前記所定領域外の両面にそれぞれ所望す
る金属補強パターンが形成され、前記複数組の配線パタ
ーン面の反対面側から配線パターン裏面に達する非貫通
凹部が形成されたものである。
は、半導体パッケージを製造する所定領域の片面に複数
組の配線パターンを有する半導体パッケージ用樹脂フレ
ームであって、前記所定領域外の両面にそれぞれ所望す
る金属補強パターンが形成され、前記複数組の配線パタ
ーン面の反対面側から配線パターン裏面に達する非貫通
凹部が形成されたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２により本発明
を具体的に説明する。両面金属箔（１．Ａ面側金属箔、
２．Ｂ面側金属箔）付き絶縁フィルム基材３上にそれぞ
れ所定のレジスト像４、５を形成し（図１（ａ））、公
知のエッチング法により所望する複数組の配線パターン
６（片面）及び補強パターン７、８（両面）を形成後、
レジスト像を剥離する（図１（ｂ））。金属箔として
は、電解銅箔や圧延銅箔あるいは銅合金箔などが適用可
能である。また、絶縁基材としては、プロセス耐熱性な
どの観点からポリイミド材が好ましく、フレキシブル基
材のポリイミド面に真空成膜法や無電解めっき法などに
より金属薄層を設けた後、電気めっき法により金属層を
厚付けしたもの、あるいはポリイミドフィルムの両面に
耐熱性を有する接着材を塗布したものに銅箔などを加熱
・加圧したものなどが適用可能である。
を具体的に説明する。両面金属箔（１．Ａ面側金属箔、
２．Ｂ面側金属箔）付き絶縁フィルム基材３上にそれぞ
れ所定のレジスト像４、５を形成し（図１（ａ））、公
知のエッチング法により所望する複数組の配線パターン
６（片面）及び補強パターン７、８（両面）を形成後、
レジスト像を剥離する（図１（ｂ））。金属箔として
は、電解銅箔や圧延銅箔あるいは銅合金箔などが適用可
能である。また、絶縁基材としては、プロセス耐熱性な
どの観点からポリイミド材が好ましく、フレキシブル基
材のポリイミド面に真空成膜法や無電解めっき法などに
より金属薄層を設けた後、電気めっき法により金属層を
厚付けしたもの、あるいはポリイミドフィルムの両面に
耐熱性を有する接着材を塗布したものに銅箔などを加熱
・加圧したものなどが適用可能である。
【００１１】なお、フレーム全体としての剛直性を確保
するためには、絶縁層厚さ５０μｍ程度の場合、補強パ
ターン厚さは表裏でそれぞれ１０μｍ以上が好ましい。
更に、アセンブリ工程（チップ搭載、ワイヤボンド、封
止、はんだボールリフロー等）においてフレームの反り
を極力抑さえるためには、補強パターンをできるだけ同
等な形状にすることが有効である。
するためには、絶縁層厚さ５０μｍ程度の場合、補強パ
ターン厚さは表裏でそれぞれ１０μｍ以上が好ましい。
更に、アセンブリ工程（チップ搭載、ワイヤボンド、封
止、はんだボールリフロー等）においてフレームの反り
を極力抑さえるためには、補強パターンをできるだけ同
等な形状にすることが有効である。
【００１２】次に、後工程で外部基板との接続部となる
位置に金属箔裏面に達する凹部９を設ける（図１
（ｃ））。凹部の加工方法は特に限定するものではな
く、エキシマレーザや炭酸ガスレーザ及びＹＡＧレーザ
などレーザ加工の他、ウエットエッチング法などが適用
可能である。また、この場合、配線パターンを加工する
側の金属箔をそのままの状態で（ベタで）残しておき、
凹部を加工した後配線パターンを形成しても良い。
位置に金属箔裏面に達する凹部９を設ける（図１
（ｃ））。凹部の加工方法は特に限定するものではな
く、エキシマレーザや炭酸ガスレーザ及びＹＡＧレーザ
などレーザ加工の他、ウエットエッチング法などが適用
可能である。また、この場合、配線パターンを加工する
側の金属箔をそのままの状態で（ベタで）残しておき、
凹部を加工した後配線パターンを形成しても良い。
【００１３】次に金型等で所定のフレーム形状に打ち抜
き加工した後、配線パターン及び凹部内に露出する配線
パターン裏面に所定の接続用金属めっき１０を施して所
望するフレームを得る（図１（ｄ））。この場合、補強
パターンについては特にめっきを施さなくても良い。具
体的には、補強パターン部にレジスト層を形成し、配線
パターンのみを露出させた状態でめっきを施せば良い。
めっきの種類も特に限定するものではなく、ニッケル／
金めっきやスズめっきなどが可能である。
き加工した後、配線パターン及び凹部内に露出する配線
パターン裏面に所定の接続用金属めっき１０を施して所
望するフレームを得る（図１（ｄ））。この場合、補強
パターンについては特にめっきを施さなくても良い。具
体的には、補強パターン部にレジスト層を形成し、配線
パターンのみを露出させた状態でめっきを施せば良い。
めっきの種類も特に限定するものではなく、ニッケル／
金めっきやスズめっきなどが可能である。
【００１４】図２は、本発明の樹脂フレームを使用して
製造した半導体パッケージの一例である。半導体チップ
と配線パターンとの第１次接続は特に限定されるもので
はなく、公知のワイヤボンド方式やフリップチップ方式
などが適用可能である。また、封止の方式も特に限定し
ないが、ベース基板がフィルムであるため、トランスフ
ァーモールド方式が好ましい。この場合、例えば、直径
１０〜２０μｍ程度のシリカを５〜８０ｗｔ％の範囲で
含有したエポキシ系樹脂などが適用できる。更に、接続
部の形成方法としては、はんだボールを凹部内に配置し
た後加熱により溶融させる方法や、あらかじめ電解めっ
き法によりポリイミドフィルム厚さ以上のバンプを形成
しておく方法、樹脂封止後にはんだ印刷法によりはんだ
バンプを形成する方法などが適用可能である。
製造した半導体パッケージの一例である。半導体チップ
と配線パターンとの第１次接続は特に限定されるもので
はなく、公知のワイヤボンド方式やフリップチップ方式
などが適用可能である。また、封止の方式も特に限定し
ないが、ベース基板がフィルムであるため、トランスフ
ァーモールド方式が好ましい。この場合、例えば、直径
１０〜２０μｍ程度のシリカを５〜８０ｗｔ％の範囲で
含有したエポキシ系樹脂などが適用できる。更に、接続
部の形成方法としては、はんだボールを凹部内に配置し
た後加熱により溶融させる方法や、あらかじめ電解めっ
き法によりポリイミドフィルム厚さ以上のバンプを形成
しておく方法、樹脂封止後にはんだ印刷法によりはんだ
バンプを形成する方法などが適用可能である。
【００１５】
【実施例】厚さ１２μｍの電解銅箔を両面に有するフレ
キシブル基材（日立化成工業（株）製、商品名：ＭＣＦ
５５１０Ｉ）の表裏の銅箔面上にドライフィルムレジ
スト（日立化成工業（株）製、商品名：フォテックＨＫ
８１５）をラミネートし、露光、現像により所望するレ
ジストパターンを得た。次に、塩化第二鉄溶液で銅箔を
エッチング加工後、レジストパターンを水酸化カリウム
溶液で剥離することにより所定の配線パターン、補強パ
ターンを得た。次に、エキシマレーザ加工機（住友重機
械工業（株）製、装置名：ＩＮＤＥＸ２００）を用いて
露出した絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部
（直径３００μｍ）を所定の位置に所定の数だけ形成し
た。エキシマレーザ加工条件は、エネルギー密度２５０
ｍＪ／ｃｍ2、縮小率３．０、発振周波数２００Ｈｚ、
照射パルス数６００パルスである。次に、無電解めっき
法によりニッケル、続いて金めっきをワイヤボンド用端
子部に施した。めっき膜厚は、それぞれ、７μｍ、１μ
ｍである。次に、金型によりフレーム状に打ち抜き加工
した。こうして得られた樹脂フレーム上に半導体チップ
搭載用ダイボンド材を用いて半導体チップを搭載した。
搭載条件は、プレート温度２００℃、荷重５００ｇであ
る。次に、ワイヤボンディングにより半導体チップの外
部電極部と配線パターンを電気的に接続した。その後、
トランスファーモールド用金型にセットし、半導体封止
用エポキシ樹脂（日立化成工業（株）製、ＣＬ−７７０
０）を用いて１８５℃、９０秒で封止した。続いて、前
述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、赤外線リフロ
ー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成
した。最後に、パッケージ部を金型で打ち抜き、所望す
るパッケージを得た。
キシブル基材（日立化成工業（株）製、商品名：ＭＣＦ
５５１０Ｉ）の表裏の銅箔面上にドライフィルムレジ
スト（日立化成工業（株）製、商品名：フォテックＨＫ
８１５）をラミネートし、露光、現像により所望するレ
ジストパターンを得た。次に、塩化第二鉄溶液で銅箔を
エッチング加工後、レジストパターンを水酸化カリウム
溶液で剥離することにより所定の配線パターン、補強パ
ターンを得た。次に、エキシマレーザ加工機（住友重機
械工業（株）製、装置名：ＩＮＤＥＸ２００）を用いて
露出した絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部
（直径３００μｍ）を所定の位置に所定の数だけ形成し
た。エキシマレーザ加工条件は、エネルギー密度２５０
ｍＪ／ｃｍ2、縮小率３．０、発振周波数２００Ｈｚ、
照射パルス数６００パルスである。次に、無電解めっき
法によりニッケル、続いて金めっきをワイヤボンド用端
子部に施した。めっき膜厚は、それぞれ、７μｍ、１μ
ｍである。次に、金型によりフレーム状に打ち抜き加工
した。こうして得られた樹脂フレーム上に半導体チップ
搭載用ダイボンド材を用いて半導体チップを搭載した。
搭載条件は、プレート温度２００℃、荷重５００ｇであ
る。次に、ワイヤボンディングにより半導体チップの外
部電極部と配線パターンを電気的に接続した。その後、
トランスファーモールド用金型にセットし、半導体封止
用エポキシ樹脂（日立化成工業（株）製、ＣＬ−７７０
０）を用いて１８５℃、９０秒で封止した。続いて、前
述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、赤外線リフロ
ー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成
した。最後に、パッケージ部を金型で打ち抜き、所望す
るパッケージを得た。
【００１６】
【発明の効果】本発明の半導体パッケージ用樹脂フレー
ムを使用することにより、小型・高密度化に対応可能な
半導体パッケージを安定して製造することができる。
ムを使用することにより、小型・高密度化に対応可能な
半導体パッケージを安定して製造することができる。
【図１】 本発明の半導体パッケージ用樹脂フレームを
使用して半導体パッケージを製造する工程を示す断面
図。
使用して半導体パッケージを製造する工程を示す断面
図。
【図２】 本発明の半導体パッケージ用樹脂フレームを
使用して製造された半導体パッケージをを示断面図。
使用して製造された半導体パッケージをを示断面図。
１．Ａ面側金属箔 ２．Ｂ面側金属箔 ３．絶縁基材 ４．Ａ面側レジスト像 ５．Ｂ面側レジスト像 ６．配線パターン ７．Ａ面側補強パターン ８．Ｂ面側補強パターン ９．非貫通凹部 １０．接続用めっき ２１．絶縁基材 ２２．配線パターン ２３．半導体チップ ２４．金ワイヤ ２５．チップ接着材 ２６．封止材 ２７．外部接続端子
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体パッケージを製造する所定領域の
片面に複数組の配線パターンを有する半導体パッケージ
用樹脂フレームであって、前記所定領域外の両面にそれ
ぞれ所望する金属補強パターンが形成され、前記複数組
の配線パターン面の反対面側から配線パターン裏面に達
する非貫通凹部が形成された半導体パッケージ用樹脂フ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31287295A JP3562074B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体パッケージ用樹脂フレーム及び半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31287295A JP3562074B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体パッケージ用樹脂フレーム及び半導体パッケージの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002209184A Division JP3611833B2 (ja) | 2002-07-18 | 2002-07-18 | 半導体パッケージ用樹脂フレーム及び半導体パッケージの製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH09153564A true JPH09153564A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3562074B2 JP3562074B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=18034460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31287295A Expired - Fee Related JP3562074B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体パッケージ用樹脂フレーム及び半導体パッケージの製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3562074B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100982A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電子部品用パッケージ |
| KR100302537B1 (ko) * | 1997-06-27 | 2001-11-22 | 가네꼬 히사시 | 반도체장치 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31287295A patent/JP3562074B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302537B1 (ko) * | 1997-06-27 | 2001-11-22 | 가네꼬 히사시 | 반도체장치 |
| US6396159B1 (en) | 1997-06-27 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| JP2000100982A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電子部品用パッケージ |
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| JP3562074B2 (ja) | 2004-09-08 |
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