JPH09107046A - 半導体パッケ−ジ - Google Patents

半導体パッケ−ジ

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JPH09107046A
JPH09107046A JP7262818A JP26281895A JPH09107046A JP H09107046 A JPH09107046 A JP H09107046A JP 7262818 A JP7262818 A JP 7262818A JP 26281895 A JP26281895 A JP 26281895A JP H09107046 A JPH09107046 A JP H09107046A
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semiconductor chip
wiring pattern
package
semiconductor
substrate
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JP7262818A
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English (en)
Inventor
Yoshiaki Tsubomatsu
良明 坪松
Fumio Inoue
文男 井上
Akio Yamazaki
聡夫 山崎
Hiroto Ohata
洋人 大畑
Shigeki Ichimura
茂樹 市村
Noriyuki Taguchi
矩之 田口
Original Assignee
Hitachi Chem Co Ltd
日立化成工業株式会社
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    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】パッケージの小型・高密度化に対応可能な半導
体パッケージを提供する。 【解決手段】絶縁基板、絶縁基板１の一方の面に形成さ
れ半導体チップ電極と電気的に接続される配線パターン
７、絶縁基板１の他の面に形成された外部接続端子１
２、配線パターン７と外部接続端子１２を接続する層間
接続部６を有する半導体チップ９搭載用基板であって、
層間接続部６と接続する配線パターン７の端部が層間接
続部の露出した平面領域内に収まるよう構成されている
半導体チップ搭載用基板を使用した半導体パッケージ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケ−ジ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積度が向上するに従い、入出
力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数
を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入
出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、
周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。
前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子
ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッ
チ以下の領域では、配線板との接続に高度な技術が必要
になる。後者のアレイタイプは比較的大きなピッチで端
子配列が可能なため、多ピン化に適している。従来、ア
レイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、配線板との接続は
挿入型となり、表面実装には適していない。このため、
表面実装可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）と称するパッケージが開発されている。また、パッ
ケージの更なる小型・薄型化に対応するものとして、半
導体チップとほぼ同等の外形を有する、いわゆるチップ
サイズパッケージ（ＣＳＰ； Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）が提案されている。これは、半導体チッ
プの周辺部でなく、実装領域内に外部配線基板との接続
部を有するパッケージである。具体的例としては、片面
配線パターン付きフレキシブルプリント板の絶縁層側か
ら配線パターンに達する非貫通穴を加工し、めっき法に
よりきのこ状金属バンプ（後述の層間接続部及び外部接
続端子に対応）を形成し、外部接続端子付きプリント板
を半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線に
より電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッテ
ィングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４． ４， Ｎ
ｏ．１４０， ｐ１８−１９）やめっき法で形成した金
属バンプの代わりに非貫通穴に後工程ではんだボール付
けを行なうものなどがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に前述した後工程
ではんだボールを付けるタイプのＣＳＰ用基板３１の要
部平面（図３（ａ））及び断面図（図３（ｂ））を示
す。図より、はんだボール用に所定の開口径を確保する
必要がある。また、非貫通穴部を形成する穴３３が配線
パターン３２’で塞がれていないと、パターンズレによ
りパッケージ化工程でチップ接着用樹脂などがはみ出し
てくる可能性もある。換言すれば、非貫通穴部の配線パ
ターン径（Ｄ）は必ず穴径（ｄ）よりも大きくなくては
ならない。すなわち、従来構成でパッケージサイズを極
限まで小さくするために外部端子格子ピッチを狭ピッチ
化していくと、設計上の配線可能領域が必要以上に圧縮
され、結果として、特殊な微細配線技術が必要となった
り、パターン形成時の歩留まりが著しく低下するという
問題などがあった。本発明はパッケージの小型・高密度
化に対応可能な半導体パッケージを提供するものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
Ａ．（ａ１）絶縁基板、（ａ２）絶縁基板の一方の面に
形成され半導体チップ電極と電気的に接続される配線パ
ターン、（ａ３）絶縁基板の他の面に形成された外部接
続端子、（ａ４）配線パターンと外部接続端子を接続す
る層間接続部を有する半導体チップ搭載用基板であっ
て、層間接続部と接続する配線パターンの端部が層間接
続部の露出した平面領域内に収まるよう構成されている
半導体チップ搭載用基板、 Ｂ．半導体チップ搭載用基板に接着材を介して接着され
た後、配線パターンと電気的に接続された半導体チッ
プ、 Ｃ．半導体チップを封止する封止樹脂とにより成る半導
体パッケージである。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発
明による半導体パッケージ用配線板の要部を示す平面及
び断面図である。すなわち、本発明においては、非貫通
穴３内に所定量の金属を充填して配線パターン２と電気
的に接続する層間接続部４を形成し、かつ、配線パター
ンの端部５を層間接続部４の露出した平面領域内に収ま
るよう構成することにより、半導体チップと外部接続端
子とを結線する配線パターン２をレイアウト可能な領域
をより広く確保することができる。この場合、使用する
基板は特に限定されるものではなく、銅箔上にキャステ
ィング法によりポリアミック酸を塗布した後、加熱によ
りポリイミド層を形成したものや、予め硬化したポリイ
ミドフィルムの所望する面に接着材を塗布した後、プレ
スなどにより銅箔を片面に接着したものなどが適用可能
である。また、層間接続部形成用の非貫通穴の形成方法
も特に限定するものではなく、（１）．公知のドリルや
パンチ加工などにより予め接着材付き絶縁フィルムに貫
通穴を設けた後、銅箔を片面に加熱・加圧することによ
り貫通穴の片側を塞ぐ方法、（２）．接着材付きフィル
ムの片面に銅箔を加熱・加圧した後、例えば、炭酸ガス
レーザ等で銅箔に達する非貫通穴を直接形成する方法、
（３）．接着材付きフィルムの両面に銅箔を加熱・加圧
した後、一方の側の銅箔をエッチング除去し、（２）と
同様に直接を形成する方法などが適用可能である。
【０００６】配線パターンの形成方法についても特に限
定されるものではないが、予め非貫通穴をめっき金属や
導電性ペーストなどで所望する量（高さ）だけ充填した
後パターン形成することが好ましい。充填する金属とし
ては、ニッケル、スズ、鉛、金、銀、銅などが好まし
く、これら金属を単独で、あるいは、複数層状にめっき
法などで積み上げることも可能である。また更に、これ
らの金属を含む有機樹脂ペーストなども適用可能であ
る。
【０００７】一方、本願の発明に於ては、チップ電極と
配線との電気的接続方法として金ワイヤボンディングや
フェースダウンボンディングなどが適用可能である。前
者の場合は、配線パターン下部に存在する絶縁基材の耐
熱性及び硬さが重要な要因であり、ガラス転移点１８０
℃以上で、かつ、ワイヤボンディング温度に於ける弾性
率が１，０００ＭＰａ以上であることが好ましい。ま
た、ボンディング時の基材温度を基材のガラス転移点よ
り低い温度で行なうことにより、よりいっそう安定的な
ワイヤボンディングが可能になる。後者の場合は、予め
配線上に半導体チップ電極と接続する金属突起部を形成
し、半導体チップ電極を金属突起が設けられている面に
面して搭載し、半導体チップ電極と金属突起とを接続す
る。この場合、予め配線領域の所望する部分を熱可塑性
ポリイミド接着材等で覆い、後工程で金属突起部を形成
する箇所に配線に達する非貫通凹部を設け、めっき等で
金属突起部を形成した後、半導体チップ電極と金属突起
部とを加熱・加圧により接続させると同時にチップ電極
面を封止しても良い。封止に適用する樹脂としては、例
えば、直径１０〜２０μｍ程度のシリカを５〜８０ｗｔ
％の範囲で含有したエポキシ樹脂等が適用可能である。
【０００７】
【実施例】本発明のパッケージの実施例を図２に基づき
説明する。幅５０８ｍｍ、厚さ５０μｍのポリイミドフ
ィルム（宇部興産製、商品名ＵＰＩＬＥＸ Ｓ−Ｔｙｐ
ｅ）１の両面に熱硬化性ポリイミド接着材用ワニスを所
定量塗布し、１６０℃１０分、１８０℃５分の乾燥によ
り第１の接着材層２（厚さ８μｍ）及び第２の接着材層
３（厚さ５μｍ）をポリイミドフィルムの両面に形成し
た（図２（ａ））。次に、２５０ｍｍ角にシートカット
後、ＮＣドリル加工機を用いて０．３ｍｍφの貫通穴４
を所定数設けた（図２（ｂ））。加工条件は、回転数８
０，０００ｒｐｍ、ドリル送り速度１２ｍ／分である。
１８０℃で２０分間プリベーク後、厚さ１２μｍの電解
銅箔（日本電解（株）製、商品名ＳＬＰ）５の粗化面を
内側にして第１の接着材層２と向かい合わせ、加熱・加
圧により銅箔と接着材層とを接着させて非貫通穴を形成
した。加熱・加圧条件は、圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２、温
度２５０℃である。なお、銅箔と反対側の第２の接着材
層が鏡板に接着しないように、厚さ５０μｍのテフロン
フィルムを第２の接着材層に面して構成した。次に、銅
箔５をカソードとして電気めっき法により非貫通穴内に
ニッケルめっきを充填して層間接続部６を形成した
（（ｃ））。設定電流密度は３．０Ａ／ｄｍ２、析出膜
厚は５０μｍである。次に、銅箔面にドライフィルムレ
ジスト（日立化成工業（株）製、商品名フォテックＨＫ
８２５）をラミネートし、露光・現像により所望する複
数組のレジストパターンを形成した。ラミネート条件
は、ロール圧力２．０ｋｇｆ／ｃｍ２、ロール温度１０
０℃、送り速度１．０ｍ／分である。露光はオーク
（株）製平行露光機（ＥＸＭ−１６００−Ａ）を使用
し、露光量８０ｍＪ／ｃｍ２で行なった。現像は、炭酸
ナトリウム溶液（液温２８℃、液濃度１．０ｗｔ％）を
使用し、スプレー圧力１．５ｋｇｆ／ｃｍ２で行なっ
た。次に、塩化第二鉄溶液（液温３８℃、ボーメ度４
０）を用いて所望する領域の銅箔をエッチング除去後、
水酸化カリウム溶液（液温３８℃、液濃度３ｗｔ％）を
用いてレジストパターンを剥離して複数組の配線パター
ン７を得た（（ｄ））。この場合、層間接続部格子ピッ
チ（はんだボール格子ピッチ）は０．６ｍｍ、最小配線
ピッチ１２０μｍ（ライン／スペース５０／７０μｍ）
及び格子間配線２本である。次に、２５０ｍｍ角シート
を所定のフレーム形状に打ち抜き加工後、露出する配線
パターン７及び層間接続部６面に無電解ニッケル（厚さ
７μｍ）、続いて、金めっき（厚さ０．７μｍ）を施し
た。次に、絶縁ダイボンドフィルム８を用いて、厚さ
０．３ｍｍ、外形１０ｍｍ角の半導体チップ９をコレッ
ト圧着した後、ワイヤボンダー（新川製、装置名 ＵＴ
Ｃ−２３０ＢＩ）を用いて金ワイヤ１０によりチップ電
極と配線パターンの所望する箇所を電気的に接続させた
（（ｅ））。チップ圧着条件は、プレート温度２００
℃、荷重３００ｇである。ボンディング条件は、温度１
８０℃、荷重１００ｇ、超音波１００、時間２０ｍｓｅ
ｃ等である。次に、半導体封止用エポキシ樹脂（日立化
成工業（株）製、商品名 ＣＥＬ−９２００）１１を用
いてトランスファーモールド法によりチップを封止した
（（ｆ））。封止条件は、温度１８０℃、圧力８０ｋｇ
ｆ／ｃｍ２、封止時間９０秒である。次に、層間接続部
６上に形成した金めっき面にフラックス処理を施した
後、はんだボールを配置し、赤外線リフロー炉で２４０
℃、１０秒間リフローさせて外部接続端子部１２を形成
した（ｇ）。最後に、フレームで連結されたパッケージ
を金型で打ち抜き、個々のパッケージ１３に分割した
（ｈ）。以上より、層間接続部径（図１ｄ）０．３ｍｍ
φ、はんだボール格子ピッチ（図１ｐ）０．６ｍｍの物
件に関し、従来法を適用した場合（図１、Ｄ−ｄ；０．
１５ｍｍ）、最小配線ピッチ６０μｍが必要であったも
のが最小配線ピッチ１２０μｍで展開可能であった。
【０００８】
【発明の効果】本発明により、小型・高密度化に対応可
能な半導体パッケージを安定して製造可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体チップ搭載用基板の要部平
面（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図２】本発明の半導体パッケージの製造工程を示す断
面図。
【図３】従来法による半導体チップ搭載用基板の要部平
面（ａ）及び断面図（ｂ）。
【符号の説明】
１．ポリイミドフィルム ２．接着材 ３．接着材 ４．貫通穴 ５．銅箔 ６．層間接続部 ７．配線パターン ８．ダイボンドフィルム ９．半導体チップ １０．金ワイヤ １１．封止材 １２．はんだボール １３．半導体パッケージ ３１．配線基板 ３２．配線パターン ３２．’非貫通穴部の配線パターン ３３．非貫通穴 ３４．層間接続部 ３５．配線パターン端部
フロントページの続き (72)発明者 大畑 洋人 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 市村 茂樹 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 田口 矩之 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Ａ．（ａ１）絶縁基板、（ａ２）絶縁基板
    の一方の面に形成され半導体チップ電極と電気的に接続
    される配線パターン、（ａ３）絶縁基板の他の面に形成
    された外部接続端子、（ａ４）配線パターンと外部接続
    端子を接続する層間接続部を有する半導体チップ搭載用
    基板であって、層間接続部と接続する配線パターンの端
    部が層間接続部の露出した平面領域内に収まるよう構成
    されている半導体チップ搭載用基板、 Ｂ．半導体チップ搭載用基板に接着材を介して接着され
    た後、配線パターンと電気的に接続された半導体チッ
    プ、 Ｃ．半導体チップを封止する封止樹脂とにより成る半導
    体パッケージ。
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