JPH09146122A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH09146122A JPH09146122A JP22398596A JP22398596A JPH09146122A JP H09146122 A JPH09146122 A JP H09146122A JP 22398596 A JP22398596 A JP 22398596A JP 22398596 A JP22398596 A JP 22398596A JP H09146122 A JPH09146122 A JP H09146122A
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極領域の開口率を向上させ、低反射化
をなすと共に、液晶に悪影響を与えることのない液晶表
示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下板の構造が、基板３１と、上記基板上
に複数個のゲ−トライン及びデ−タラインがマトリック
ス状になっており、上記ゲ−トラインとデ−タラインと
の交差点にゲ−ト電極３８、ソ−ス電極４２−２、ドレ
イン電極４２−１よりなる複数個の薄膜トランジスタ
と、上記それぞれのゲ−トライン及びデ−タラインと上
記それぞれの薄膜トランジスタ上に形成され光を遮光さ
せるブラックマトリックスパタ−ン４５と、上記ブラッ
クマトリックスパタ−ン４５上に形成され、上記それぞ
れのドレイン電極にコンタクトホ−ルを有する保護膜４
６と、上記コンタクトホ−ルを通じてそれぞれのドレイ
ン電極と連結される複数個の画素電極４８を含めてな
る。
をなすと共に、液晶に悪影響を与えることのない液晶表
示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下板の構造が、基板３１と、上記基板上
に複数個のゲ−トライン及びデ−タラインがマトリック
ス状になっており、上記ゲ−トラインとデ−タラインと
の交差点にゲ−ト電極３８、ソ−ス電極４２−２、ドレ
イン電極４２−１よりなる複数個の薄膜トランジスタ
と、上記それぞれのゲ−トライン及びデ−タラインと上
記それぞれの薄膜トランジスタ上に形成され光を遮光さ
せるブラックマトリックスパタ−ン４５と、上記ブラッ
クマトリックスパタ−ン４５上に形成され、上記それぞ
れのドレイン電極にコンタクトホ−ルを有する保護膜４
６と、上記コンタクトホ−ルを通じてそれぞれのドレイ
ン電極と連結される複数個の画素電極４８を含めてな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜トランジスタを用いる液晶
表示装置であるＴＦＴ ＬＣＤ（ThinFilm Transistor L
iquid Crystal Display）は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）と画素電極が下板に配列され、色相を示すためのカ
ラ−フィルタ及び共通電極が上板に形成され、この上下
基板との間に液晶が注入されており、２枚のガラス基板
の両側面には可視光線（自然光）を線偏光させる偏光板
がそれぞれ取り付けられている。
表示装置であるＴＦＴ ＬＣＤ（ThinFilm Transistor L
iquid Crystal Display）は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）と画素電極が下板に配列され、色相を示すためのカ
ラ−フィルタ及び共通電極が上板に形成され、この上下
基板との間に液晶が注入されており、２枚のガラス基板
の両側面には可視光線（自然光）を線偏光させる偏光板
がそれぞれ取り付けられている。
【０００３】画素電極とカラ−フィルタを通過する光の
み通過されるようその他の光は遮断すべきであるが、こ
のために使う遮光膜パタ−ン（ブラックマトリックス）
がカラ−フィルタ板（上板と称する）に形成され、ＴＦ
Ｔ領域より大きな領域に設定され、それにより、画素電
極領域の開口率が低下する。
み通過されるようその他の光は遮断すべきであるが、こ
のために使う遮光膜パタ−ン（ブラックマトリックス）
がカラ−フィルタ板（上板と称する）に形成され、ＴＦ
Ｔ領域より大きな領域に設定され、それにより、画素電
極領域の開口率が低下する。
【０００４】しかし、最近はこのブラックマトリックス
を上板ではなく下板に形成する方法が提案されている。
下板にブラックマトリックスを形成する技術は、図６の
（Ａ）及び（Ｂ）に示したような顔料分散形の黒色樹脂
を用いてブラックマトリックスパタ−ンを形成する方法
である。図６の（Ａ）はブラックマトリックスの一部に
対する平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線断面図
である。
を上板ではなく下板に形成する方法が提案されている。
下板にブラックマトリックスを形成する技術は、図６の
（Ａ）及び（Ｂ）に示したような顔料分散形の黒色樹脂
を用いてブラックマトリックスパタ−ンを形成する方法
である。図６の（Ａ）はブラックマトリックスの一部に
対する平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線断面図
である。
【０００５】この方法を簡単に説明すれば、まず、ガラ
ス基板５上にゲ−ト電極６とゲ−トバスライン７パタ−
ンを形成すると共に、該ゲ−ト電極物質で画素電極１８
の形成される領域の縁に補助容量電極２０も形成する。
この補助容量電極は補助容量のために用いられるが、遮
光用金属配線の役割を果たすこともある。次いで、全面
にゲ−ト絶縁膜９を形成し、半導体層を蒸着した後、Ｔ
ＦＴ素子が形成される部分のみ残して取り除き半導体パ
タ−ン１０を形成する。
ス基板５上にゲ−ト電極６とゲ−トバスライン７パタ−
ンを形成すると共に、該ゲ−ト電極物質で画素電極１８
の形成される領域の縁に補助容量電極２０も形成する。
この補助容量電極は補助容量のために用いられるが、遮
光用金属配線の役割を果たすこともある。次いで、全面
にゲ−ト絶縁膜９を形成し、半導体層を蒸着した後、Ｔ
ＦＴ素子が形成される部分のみ残して取り除き半導体パ
タ−ン１０を形成する。
【０００６】そして、導電物質を蒸着した後、ソ−ス１
２、ドレイン電極１２’とデ−タライン１３をパターニ
ングし、透明導電層を蒸着しパターニングして画素領域
に画素電極１８を形成する。ソ−ス、ドレイン電極を形
成する際、ドレイン電極１２’と連結される補助容量電
極を画素領域の下部にＴＦＴ素子部分で隣接した部分に
形成して補助容量電極２１として機能すると共に、遮光
用金属配線の役割も果たすようにした。
２、ドレイン電極１２’とデ−タライン１３をパターニ
ングし、透明導電層を蒸着しパターニングして画素領域
に画素電極１８を形成する。ソ−ス、ドレイン電極を形
成する際、ドレイン電極１２’と連結される補助容量電
極を画素領域の下部にＴＦＴ素子部分で隣接した部分に
形成して補助容量電極２１として機能すると共に、遮光
用金属配線の役割も果たすようにした。
【０００７】それから保護膜１６を選択的に形成し、こ
の保護膜１６上に遮光用金属配線で遮光できない部分に
黒色有機材料、すなわち黒色樹脂を用いてブラックマト
リックスパタ−ン１５を形成した３次元ハイブリッド構
造とする。バックライトから投射される光が遮光用金属
配線として機能する補助容量電極２０、２１と黒色有機
材料よりなるブラックマトリックスパターン１５により
遮光され、画素電極１８領域部位にのみ通過される。
の保護膜１６上に遮光用金属配線で遮光できない部分に
黒色有機材料、すなわち黒色樹脂を用いてブラックマト
リックスパタ−ン１５を形成した３次元ハイブリッド構
造とする。バックライトから投射される光が遮光用金属
配線として機能する補助容量電極２０、２１と黒色有機
材料よりなるブラックマトリックスパターン１５により
遮光され、画素電極１８領域部位にのみ通過される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した如く技術は、
ＴＦＴアレイ上に樹脂化されたブラックマトリックスを
形成することで、上板に形成されたブラックマトリック
スより反射率が低く、かつ導電性がないので、極めて望
ましい。ところで、上述したように、ＴＦＴアレイ上に
ブラックマトリックスを形成することで、画素電極領域
の開口率を向上させて低反射化をなすことが可能である
が、遮光性を高めるためにはブラックマトリックスパタ
ーン１５の樹脂膜の厚さを１．５μｍほど厚くすべきで
ある。
ＴＦＴアレイ上に樹脂化されたブラックマトリックスを
形成することで、上板に形成されたブラックマトリック
スより反射率が低く、かつ導電性がないので、極めて望
ましい。ところで、上述したように、ＴＦＴアレイ上に
ブラックマトリックスを形成することで、画素電極領域
の開口率を向上させて低反射化をなすことが可能である
が、遮光性を高めるためにはブラックマトリックスパタ
ーン１５の樹脂膜の厚さを１．５μｍほど厚くすべきで
ある。
【０００９】しかしながら、そのようにすることで、樹
脂膜の端部の段差が大きくなって液晶配向膜のラビング
時に液晶配向を崩すことになる。また、黒色樹脂でなる
ブラックマトリックスパターン１５は保護膜１６の上側
に位置していて、液晶とはただ配向膜のみを挟んでい
て、この樹脂がアルカリ金属などの不純物を含有してい
るので樹脂から出たアルカリ金属等の不純物が液晶層に
注入されることにより画質を劣化させることになる等液
晶に少なからぬ悪影響を及ぼすことになる。
脂膜の端部の段差が大きくなって液晶配向膜のラビング
時に液晶配向を崩すことになる。また、黒色樹脂でなる
ブラックマトリックスパターン１５は保護膜１６の上側
に位置していて、液晶とはただ配向膜のみを挟んでい
て、この樹脂がアルカリ金属などの不純物を含有してい
るので樹脂から出たアルカリ金属等の不純物が液晶層に
注入されることにより画質を劣化させることになる等液
晶に少なからぬ悪影響を及ぼすことになる。
【００１０】従って、この発明の目的は、画素電極領域
の開口率を向上させ、低反射化をなすと共に、液晶に悪
影響を与えることのないブラックマトリックスパターン
を形成して高画質のディスプレイが得られる液晶表示装
置及びその製造方法を提供するものである。
の開口率を向上させ、低反射化をなすと共に、液晶に悪
影響を与えることのないブラックマトリックスパターン
を形成して高画質のディスプレイが得られる液晶表示装
置及びその製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る液晶表示装置は、下板に複数の薄膜
トランジスタと画素電極を配列すると共に、上板に色相
を示すためのカラ−フィルタ及び共通電極を形成し、か
つ上下基板との間に液晶を注入してなる液晶表示装置に
おいて、上記下板は、基板と、上記基板上にマトリック
ス状に配置した複数個のゲ−トラインとデ−タラインと
の各交差点に設けたゲ−ト、ソ−ス、ドレイン電極より
なる複数個の薄膜トランジスタと、上記各ゲ−トライン
及びデ−タラインと上記各薄膜トランジスタ上に形成さ
れ光を遮光させるブラックマトリックスパタ−ンと、上
記ブラックマトリックスパタ−ン上に形成され上記各ド
レイン電極にコンタクトホ−ルを有する保護膜と、上記
コンタクトホ−ルを通じて各ドレイン電極と連結される
複数個の画素電極を含めてなることを特徴とするもので
ある。
に、この発明に係る液晶表示装置は、下板に複数の薄膜
トランジスタと画素電極を配列すると共に、上板に色相
を示すためのカラ−フィルタ及び共通電極を形成し、か
つ上下基板との間に液晶を注入してなる液晶表示装置に
おいて、上記下板は、基板と、上記基板上にマトリック
ス状に配置した複数個のゲ−トラインとデ−タラインと
の各交差点に設けたゲ−ト、ソ−ス、ドレイン電極より
なる複数個の薄膜トランジスタと、上記各ゲ−トライン
及びデ−タラインと上記各薄膜トランジスタ上に形成さ
れ光を遮光させるブラックマトリックスパタ−ンと、上
記ブラックマトリックスパタ−ン上に形成され上記各ド
レイン電極にコンタクトホ−ルを有する保護膜と、上記
コンタクトホ−ルを通じて各ドレイン電極と連結される
複数個の画素電極を含めてなることを特徴とするもので
ある。
【００１２】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパターニング
されてなることを特徴とするものである。
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパターニング
されてなることを特徴とするものである。
【００１３】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成され、画素電極領域と一部重畳されるように形成され
てなることを特徴とするものである。
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成され、画素電極領域と一部重畳されるように形成され
てなることを特徴とするものである。
【００１４】また、上記薄膜トランジスタは、基板上に
形成されたゲ−ト電極と、上記ゲ−ト電極上に形成され
た絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された半導体層及びオ
−ミックコンタクト層と、上記半導体層に形成されたソ
−ス及びドレイン電極よりなることを特徴とするもので
ある。
形成されたゲ−ト電極と、上記ゲ−ト電極上に形成され
た絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された半導体層及びオ
−ミックコンタクト層と、上記半導体層に形成されたソ
−ス及びドレイン電極よりなることを特徴とするもので
ある。
【００１５】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、有機物質の黒色樹脂を用いて形成することを特徴と
するものである。
は、有機物質の黒色樹脂を用いて形成することを特徴と
するものである。
【００１６】また、上記デ−タラインの幅より上記ブラ
ックマトリックスパタ−ンの幅がさらに広いことを特徴
とするものである。
ックマトリックスパタ−ンの幅がさらに広いことを特徴
とするものである。
【００１７】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、その厚さが１．５μｍ以下であり、２６０℃程まで
耐熱性を有することを特徴とするものである。
は、その厚さが１．５μｍ以下であり、２６０℃程まで
耐熱性を有することを特徴とするものである。
【００１８】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
上に形成された保護膜は無機材料の絶縁膜を一層以上で
形成することを特徴とするものである。
上に形成された保護膜は無機材料の絶縁膜を一層以上で
形成することを特徴とするものである。
【００１９】また、上記薄膜トランジスタのチャネル部
位のソ−ス及びドレイン電極との間には有機物質の黒色
樹脂が取り除かれたことを特徴とするものである。
位のソ−ス及びドレイン電極との間には有機物質の黒色
樹脂が取り除かれたことを特徴とするものである。
【００２０】また、上記薄膜トランジスタのチャネル部
位のソ−ス及びドレイン電極との間に無機材料の絶縁膜
が存在することを特徴とするものである。
位のソ−ス及びドレイン電極との間に無機材料の絶縁膜
が存在することを特徴とするものである。
【００２１】さらに、上記ブラックマトリックスパタ−
ンは、画素電極と薄膜トランジスタ領域を除いた領域を
遮光するように形成することを特徴とするものである。
ンは、画素電極と薄膜トランジスタ領域を除いた領域を
遮光するように形成することを特徴とするものである。
【００２２】また、この発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、上板に色相を示すためのカラ−フィルタ及び共
通電極を形成するのに対し、下板に複数の薄膜トランジ
スタと画素電極を形成する際、基板上に複数個のゲ−ト
ライン及びデ−タラインがマトリックス状に配置し、上
記ゲ−トラインとデ−タラインとの交差点にゲ−ト、ソ
−ス、ドレイン電極よりなる複数個の薄膜トランジスタ
と、上記それぞれのドレイン電極にコンタクトホ−ルを
有する保護膜と、上記コンタクトホ−ルを通じてそれぞ
れのドレイン電極と連結される複数個の画素電極を形成
する工程を含める液晶表示装置の製造方法において、上
記コンタクトホ−ルを有する保護膜を形成する工程以前
に、上記各ゲ−トバスライン及びデ−タバスラインと薄
膜トランジスタ領域を遮光させるブラックマトリックス
パタ−ンを形成することを特徴とするものである。
方法は、上板に色相を示すためのカラ−フィルタ及び共
通電極を形成するのに対し、下板に複数の薄膜トランジ
スタと画素電極を形成する際、基板上に複数個のゲ−ト
ライン及びデ−タラインがマトリックス状に配置し、上
記ゲ−トラインとデ−タラインとの交差点にゲ−ト、ソ
−ス、ドレイン電極よりなる複数個の薄膜トランジスタ
と、上記それぞれのドレイン電極にコンタクトホ−ルを
有する保護膜と、上記コンタクトホ−ルを通じてそれぞ
れのドレイン電極と連結される複数個の画素電極を形成
する工程を含める液晶表示装置の製造方法において、上
記コンタクトホ−ルを有する保護膜を形成する工程以前
に、上記各ゲ−トバスライン及びデ−タバスラインと薄
膜トランジスタ領域を遮光させるブラックマトリックス
パタ−ンを形成することを特徴とするものである。
【００２３】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成されることを特徴とするものである。
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成されることを特徴とするものである。
【００２４】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成され、画素電極領域と一部重畳されるように形成され
ることを特徴とするものである。
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成され、画素電極領域と一部重畳されるように形成され
ることを特徴とするものである。
【００２５】また、上記薄膜トランジスタを形成する工
程は、基板上にゲ−ト電極を形成する段階と、上記ゲ−
ト電極上に絶縁膜を形成する段階と、上記絶縁膜上に半
導体層及びオ−ミックコンタクト層を形成し、薄膜トラ
ンジスタ部位のみ残してオ−ミックコンタクト層と半導
体層をパターニングする段階と、上記パターニングされ
た半導体層上にソ−ス及びドレイン電極を形成する段階
を含めてなることを特徴とするものである。
程は、基板上にゲ−ト電極を形成する段階と、上記ゲ−
ト電極上に絶縁膜を形成する段階と、上記絶縁膜上に半
導体層及びオ−ミックコンタクト層を形成し、薄膜トラ
ンジスタ部位のみ残してオ−ミックコンタクト層と半導
体層をパターニングする段階と、上記パターニングされ
た半導体層上にソ−ス及びドレイン電極を形成する段階
を含めてなることを特徴とするものである。
【００２６】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
上に保護膜と画素電極を形成する工程後に配向膜を形成
する工程を追加することを特徴とするものである。
上に保護膜と画素電極を形成する工程後に配向膜を形成
する工程を追加することを特徴とするものである。
【００２７】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、黒色樹脂を用いて形成することを特徴とするもので
ある。
は、黒色樹脂を用いて形成することを特徴とするもので
ある。
【００２８】また、上記デ−タラインの幅よりブラック
マトリックスパタ−ンの幅がさらに広く形成されること
を特徴とするものである。
マトリックスパタ−ンの幅がさらに広く形成されること
を特徴とするものである。
【００２９】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、その厚さが１．５μｍ以下であり、２６０℃程まで
耐熱性を有し、光の透過が５０％以下となるように形成
することを特徴とするものである。
は、その厚さが１．５μｍ以下であり、２６０℃程まで
耐熱性を有し、光の透過が５０％以下となるように形成
することを特徴とするものである。
【００３０】また、上記薄膜トランジスタのチャネル部
位のソ−ス及びドレイン電極との間には有機物質の黒色
樹脂が取り除かれたことを特徴とするものである。
位のソ−ス及びドレイン電極との間には有機物質の黒色
樹脂が取り除かれたことを特徴とするものである。
【００３１】また、上記ブラックマトリックスパタ−ン
とチャネル部位との間に無機材料の絶縁膜を形成させる
ことを特徴とするものである。
とチャネル部位との間に無機材料の絶縁膜を形成させる
ことを特徴とするものである。
【００３２】さらに、上記ブラックマトリックスパタ−
ンは、画素電極と薄膜トランジスタ領域を除いたその他
の領域を遮光させるように形成することを特徴とするも
のである。
ンは、画素電極と薄膜トランジスタ領域を除いたその他
の領域を遮光させるように形成することを特徴とするも
のである。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づきこの発明
の望ましい実施の形態を詳細に説明する。図１はこの発
明により製造された下板の画素部分の一部レイアウトを
示し、図２の（Ａ１）〜（Ａ４）及びこれに続く図３の
（Ａ５）〜（Ａ７）は図１のＡ−Ａ線断面で示す製造工
程図であり、図２の（Ｂ１）〜（Ｂ４）及びこれに続く
図３の（Ｂ５）〜（Ｂ７）は図１のＢ−Ｂ線断面で示す
製造工程図である。この発明の液晶表示装置は、下板の
基板上に複数個のゲートライン及びデータラインがマト
リックス状に配置され、図１に示す画素１００のレイア
ウトのように、ゲートライン３７とデータライン４３と
の各交差点には、ゲートライン３７に結合されるゲート
電極３８、データライン４３に接続されるソース電極、
画素電極４８にコンタクトホール４７を介して接続され
るドレイン電極よりなるＴＦＴトランジスタ１１０がそ
れぞれ配置される。なお、４０は活性層を示す。
の望ましい実施の形態を詳細に説明する。図１はこの発
明により製造された下板の画素部分の一部レイアウトを
示し、図２の（Ａ１）〜（Ａ４）及びこれに続く図３の
（Ａ５）〜（Ａ７）は図１のＡ−Ａ線断面で示す製造工
程図であり、図２の（Ｂ１）〜（Ｂ４）及びこれに続く
図３の（Ｂ５）〜（Ｂ７）は図１のＢ−Ｂ線断面で示す
製造工程図である。この発明の液晶表示装置は、下板の
基板上に複数個のゲートライン及びデータラインがマト
リックス状に配置され、図１に示す画素１００のレイア
ウトのように、ゲートライン３７とデータライン４３と
の各交差点には、ゲートライン３７に結合されるゲート
電極３８、データライン４３に接続されるソース電極、
画素電極４８にコンタクトホール４７を介して接続され
るドレイン電極よりなるＴＦＴトランジスタ１１０がそ
れぞれ配置される。なお、４０は活性層を示す。
【００３４】この発明に係る液晶表示装置の製造方法
は、まず、図２の（Ａ１）及び（Ｂ１）に示したよう
に、透明基板３１上に第１金属層を形成しパターニング
してゲ−ト電極３８とゲ−トバスライン（図示せず）を
形成する。この第１金属層としてはクロムやアルミニウ
ムなどのようなメタルを蒸着して形成し、写真食刻工程
を施してパターニングする。この際、図２の（Ａ２）及
び（Ｂ２）に示したように、形成されたゲ−ト電極３８
の表面を陽極酸化して陽極酸化層（酸化絶縁膜）３８’
を形成する。第１金属層がアルミニウム、アルミニウム
合金、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金などより構
成する場合、陽極酸化工程を施して酸化絶縁膜を形成す
ることもできる。なお、図２の（Ｂ３）以下の工程図で
は陽極酸化層（酸化絶縁膜）３８’の図示を省略する。
は、まず、図２の（Ａ１）及び（Ｂ１）に示したよう
に、透明基板３１上に第１金属層を形成しパターニング
してゲ−ト電極３８とゲ−トバスライン（図示せず）を
形成する。この第１金属層としてはクロムやアルミニウ
ムなどのようなメタルを蒸着して形成し、写真食刻工程
を施してパターニングする。この際、図２の（Ａ２）及
び（Ｂ２）に示したように、形成されたゲ−ト電極３８
の表面を陽極酸化して陽極酸化層（酸化絶縁膜）３８’
を形成する。第１金属層がアルミニウム、アルミニウム
合金、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金などより構
成する場合、陽極酸化工程を施して酸化絶縁膜を形成す
ることもできる。なお、図２の（Ｂ３）以下の工程図で
は陽極酸化層（酸化絶縁膜）３８’の図示を省略する。
【００３５】次いで、図２の（Ａ３）及び（Ｂ３）に示
したように、基板の全面に第１絶縁膜３９としてシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯｘ）とシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を
用いて単一または二重の絶縁膜を形成し、第１絶縁膜３
９層上に水素化された非晶質半導体層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）
とド−ピングされた非晶質半導体層を連続して積層した
後、写真食刻工程と乾式食刻工程を施してゲ−ト電極３
８部位とゲ−トバスラインとデ−タバスラインが交差す
る部位に非晶質半導体層４０とオーミックコンタクト層
としてド−ピングされた非晶質半導体層４１のパタ−ン
を形成する。
したように、基板の全面に第１絶縁膜３９としてシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯｘ）とシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を
用いて単一または二重の絶縁膜を形成し、第１絶縁膜３
９層上に水素化された非晶質半導体層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）
とド−ピングされた非晶質半導体層を連続して積層した
後、写真食刻工程と乾式食刻工程を施してゲ−ト電極３
８部位とゲ−トバスラインとデ−タバスラインが交差す
る部位に非晶質半導体層４０とオーミックコンタクト層
としてド−ピングされた非晶質半導体層４１のパタ−ン
を形成する。
【００３６】次いで、スパッタ装備を用いて第２金属層
を蒸着した後、写真食刻工程と湿式食刻工程を施し、図
２の（Ａ４）及び（Ｂ４）のように、ソ−ス電極４２−
２及びドレイン電極４２−１とデ−タライン４３を同物
質で同時に形成する。そして、このソ−ス及びドレイン
電極４２−２、４２−１をマスクとして用いて薄膜トラ
ンジスタのチャネル部位４４となるソ−ス電極とドレイ
ン電極との間のド−ピングされた非晶質半導体層４１を
乾式食刻方法で取り除く。すると、ソ−ス電極４２−２
及びドレイン電極４２−１とゲ−ト電極３８が形成され
薄膜トランジスタが完成される。この際、第２金属層の
材質はＣｒ、Ｃｒ／Ａｌ（Ｃｒ上にＡｌを積層）、Ｃｒ
／Ａｌ／Ａｕ（Ｃｒ上にＡｌを積層しさらにその上にＡ
ｕを積層）のうち少なくとも一つを用いれば良い。
を蒸着した後、写真食刻工程と湿式食刻工程を施し、図
２の（Ａ４）及び（Ｂ４）のように、ソ−ス電極４２−
２及びドレイン電極４２−１とデ−タライン４３を同物
質で同時に形成する。そして、このソ−ス及びドレイン
電極４２−２、４２−１をマスクとして用いて薄膜トラ
ンジスタのチャネル部位４４となるソ−ス電極とドレイ
ン電極との間のド−ピングされた非晶質半導体層４１を
乾式食刻方法で取り除く。すると、ソ−ス電極４２−２
及びドレイン電極４２−１とゲ−ト電極３８が形成され
薄膜トランジスタが完成される。この際、第２金属層の
材質はＣｒ、Ｃｒ／Ａｌ（Ｃｒ上にＡｌを積層）、Ｃｒ
／Ａｌ／Ａｕ（Ｃｒ上にＡｌを積層しさらにその上にＡ
ｕを積層）のうち少なくとも一つを用いれば良い。
【００３７】次に、図３の（Ａ５）及び（Ｂ５）に示し
たように、薄膜トランジスタ（３８，４２−１，４２−
２）とデ−タライン４３が形成された基板の全面に黒色
樹脂をコ−ティングし、露光及び現像工程を施して薄膜
トランジスタ領域とデ−タラインと画素との間に光が透
過されないようにブラックマトリックスパタ−ン４５を
形成する。このとき、図示されるように、ブラックマト
リックスパタ−ン４５の幅はデータライン４３の幅より
さらに広く形成される。また、黒色樹脂は高感度のネガ
形の感光樹脂に有機顔料を分散したもので、導電性のな
い顔料分散形の黒色樹脂材料であり、２６０℃までは耐
熱性を有し、光の透過が５０％以下となる材料を使用
し、樹脂のコ−ティングは厚さを約１．５μｍ以下に形
成する。
たように、薄膜トランジスタ（３８，４２−１，４２−
２）とデ−タライン４３が形成された基板の全面に黒色
樹脂をコ−ティングし、露光及び現像工程を施して薄膜
トランジスタ領域とデ−タラインと画素との間に光が透
過されないようにブラックマトリックスパタ−ン４５を
形成する。このとき、図示されるように、ブラックマト
リックスパタ−ン４５の幅はデータライン４３の幅より
さらに広く形成される。また、黒色樹脂は高感度のネガ
形の感光樹脂に有機顔料を分散したもので、導電性のな
い顔料分散形の黒色樹脂材料であり、２６０℃までは耐
熱性を有し、光の透過が５０％以下となる材料を使用
し、樹脂のコ−ティングは厚さを約１．５μｍ以下に形
成する。
【００３８】次いで、黒色樹脂を用いてブラックマトリ
ックスパタ−ン４５を形成した後、図３の（Ａ６）及び
（Ｂ６）に示したように、ＴＦＴアレイを保護するため
にスパッタ装備を用いて無機材料の絶縁膜でなる保護膜
（シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）４６を蒸着し
た後、ドレイン電極４２−１と画素が連結されうるよう
に保護膜４６をパターニングしてコンタクトホ−ル４７
を食刻方法（乾式、湿式）を用いて形成する。
ックスパタ−ン４５を形成した後、図３の（Ａ６）及び
（Ｂ６）に示したように、ＴＦＴアレイを保護するため
にスパッタ装備を用いて無機材料の絶縁膜でなる保護膜
（シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）４６を蒸着し
た後、ドレイン電極４２−１と画素が連結されうるよう
に保護膜４６をパターニングしてコンタクトホ−ル４７
を食刻方法（乾式、湿式）を用いて形成する。
【００３９】次いで、図３の（Ａ７）及び（Ｂ７）に示
したように、透明導電層を全面に形成した後パターニン
グして画素電極４８を形成する。この際、図１に示した
ようにブラックマトリックスパタ−ン４５と画素電極４
８との間にはａで示した部分だけオ−バラップ（重畳）
させる。以降の工程は一般の工程であって、図４の
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配向膜３００を形成す
る工程と、液晶を密封する工程を施して液晶表示装置の
製造を完了する。
したように、透明導電層を全面に形成した後パターニン
グして画素電極４８を形成する。この際、図１に示した
ようにブラックマトリックスパタ−ン４５と画素電極４
８との間にはａで示した部分だけオ−バラップ（重畳）
させる。以降の工程は一般の工程であって、図４の
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配向膜３００を形成す
る工程と、液晶を密封する工程を施して液晶表示装置の
製造を完了する。
【００４０】次に、図５の（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明
の他の実施の形態を説明するための図である。本実施の
形態においては、上述した実施の形態と同様に、図２の
（Ａ４）及び（Ｂ４）で説明した工程までを施した後、
図５の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、絶縁膜を蒸着し
てＴＦＴのチャネル部位にのみ該絶縁膜を残す一方、そ
の他の部分の該絶縁膜は食刻して、チャネル部位上に無
機材料の絶縁層５０を形成する。以降の工程は上述した
実施の形態と同様にして進む。
の他の実施の形態を説明するための図である。本実施の
形態においては、上述した実施の形態と同様に、図２の
（Ａ４）及び（Ｂ４）で説明した工程までを施した後、
図５の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、絶縁膜を蒸着し
てＴＦＴのチャネル部位にのみ該絶縁膜を残す一方、そ
の他の部分の該絶縁膜は食刻して、チャネル部位上に無
機材料の絶縁層５０を形成する。以降の工程は上述した
実施の形態と同様にして進む。
【００４１】前述したように、ＴＦＴトランジスタのチ
ャネル部位のソース電極４２−２とドレイン電極４２−
１との間に無機材料の絶縁膜５０が存在することで、ト
ランジスタのチャネル領域上には黒色樹脂のブラックマ
トリックスパターン４５が取り除かれる結果になり、黒
色樹脂からチャネル領域への不純物の浸透を完全に遮断
しうる。
ャネル部位のソース電極４２−２とドレイン電極４２−
１との間に無機材料の絶縁膜５０が存在することで、ト
ランジスタのチャネル領域上には黒色樹脂のブラックマ
トリックスパターン４５が取り除かれる結果になり、黒
色樹脂からチャネル領域への不純物の浸透を完全に遮断
しうる。
【００４２】さらに、他の実施の形態として、薄膜トラ
ンジスタ上の黒色樹脂を取り除いて薄膜トランジスタと
画素電極以外の領域にのみ黒色樹脂を残してブラックマ
トリックスパタ−ン４５を形成しても良い。要は、図３
の（Ａ７）及び図５の（Ａ）のように、画素電極４８を
パターニングする際、遮光膜のブラックマトリックスパ
タ−ン４５と縁を一定部分オ−バラップさせることであ
る。
ンジスタ上の黒色樹脂を取り除いて薄膜トランジスタと
画素電極以外の領域にのみ黒色樹脂を残してブラックマ
トリックスパタ−ン４５を形成しても良い。要は、図３
の（Ａ７）及び図５の（Ａ）のように、画素電極４８を
パターニングする際、遮光膜のブラックマトリックスパ
タ−ン４５と縁を一定部分オ−バラップさせることであ
る。
【００４３】上述したように、この発明により製造され
た液晶表示装置は、基板３１上に形成された複数個のゲ
−トライン及びデ−タラインがマトリックス上になって
おり、上記ゲ−トラインとデ−タラインとの交差点に形
成されたゲ−ト電極３８とソ−ス及びドレイン電極４２
−１、４２−２よりなる複数個のＴＦＴと、上記ゲ−ト
ライン及びデ−タラインとＴＦＴ上に形成された所定の
領域を選択的に遮光させるブラックマトリックスパタ−
ン４５とブラックマトリックスパタ−ン上を覆う保護膜
４６と、複数個のＴＦＴのドレイン電極と連結される複
数個の画素電極４８を含めてなる。
た液晶表示装置は、基板３１上に形成された複数個のゲ
−トライン及びデ−タラインがマトリックス上になって
おり、上記ゲ−トラインとデ−タラインとの交差点に形
成されたゲ−ト電極３８とソ−ス及びドレイン電極４２
−１、４２−２よりなる複数個のＴＦＴと、上記ゲ−ト
ライン及びデ−タラインとＴＦＴ上に形成された所定の
領域を選択的に遮光させるブラックマトリックスパタ−
ン４５とブラックマトリックスパタ−ン上を覆う保護膜
４６と、複数個のＴＦＴのドレイン電極と連結される複
数個の画素電極４８を含めてなる。
【００４４】そして、この発明は、ブラックマトリック
スを非導電性の黒色樹脂でＴＦＴアレイ上に形成して光
が透過する開口部を向上させ消費電力の減少を実現し、
低反射化を通じてコントラスト比を向上させ、上板との
合着によるミスアラインメントを防ぐことにより工程収
率を高めることができる。アクティブマトリックス型液
晶表示装置の製造時、ＴＦＴアレイ上で黒色樹脂を用い
て光が透過する画素部位を除いた領域にブラックマトリ
ックスを形成した後、少なくとも一層以上の中間膜を形
成し、その上に液晶配向膜を形成する。この中間膜はス
テップカバレ−ジを良好にすると同時に黒色樹脂から液
晶への不純物拡散を防ぐことができる。そして、この中
間膜を有することによりブラックマトリックスの厚さに
より受ける液晶の配向の影響を少なく受けるので、ディ
スプレイの画質の向上を図ることができる。
スを非導電性の黒色樹脂でＴＦＴアレイ上に形成して光
が透過する開口部を向上させ消費電力の減少を実現し、
低反射化を通じてコントラスト比を向上させ、上板との
合着によるミスアラインメントを防ぐことにより工程収
率を高めることができる。アクティブマトリックス型液
晶表示装置の製造時、ＴＦＴアレイ上で黒色樹脂を用い
て光が透過する画素部位を除いた領域にブラックマトリ
ックスを形成した後、少なくとも一層以上の中間膜を形
成し、その上に液晶配向膜を形成する。この中間膜はス
テップカバレ−ジを良好にすると同時に黒色樹脂から液
晶への不純物拡散を防ぐことができる。そして、この中
間膜を有することによりブラックマトリックスの厚さに
より受ける液晶の配向の影響を少なく受けるので、ディ
スプレイの画質の向上を図ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
ブラックマトリックスパタ−ンは画素電極以外の領域を
遮光でき、上記全面に保護膜４６が存するのでブラック
マトリックスパタ−ン（有機物質の黒色樹脂）の不純物
が液晶に浸透することを遮断させうる。また、ＴＦＴア
レイに黒色樹脂でブラックマトリックスを形成すること
でディスプレイ面において光の反射による画質劣化を防
ぎ、コントラストを向上し、上板のカラ−フィルタとの
合着によるミスアラインメントを防ぐことにより工程の
容易性及び生産収率増加を期することができる。さら
に、ブラックマトリックスをＴＦＴアレイに形成するこ
とによりＴＦＴアレイの開口率向上により省エネルギ−
に寄与し、画質向上も図られる。
ブラックマトリックスパタ−ンは画素電極以外の領域を
遮光でき、上記全面に保護膜４６が存するのでブラック
マトリックスパタ−ン（有機物質の黒色樹脂）の不純物
が液晶に浸透することを遮断させうる。また、ＴＦＴア
レイに黒色樹脂でブラックマトリックスを形成すること
でディスプレイ面において光の反射による画質劣化を防
ぎ、コントラストを向上し、上板のカラ−フィルタとの
合着によるミスアラインメントを防ぐことにより工程の
容易性及び生産収率増加を期することができる。さら
に、ブラックマトリックスをＴＦＴアレイに形成するこ
とによりＴＦＴアレイの開口率向上により省エネルギ−
に寄与し、画質向上も図られる。
【図１】 この発明の画素部分の一部レイアウト図であ
る。
る。
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図とＢ−Ｂ線断面図で示
す液晶表示装置の製造工程図である。
す液晶表示装置の製造工程図である。
【図３】 図２に続く液晶表示装置の製造工程図であ
る。
る。
【図４】 図３の後に配向膜３００を形成する工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】 この発明の他の実施の形態を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図６】 （Ａ）は従来の黒色樹脂を用いて遮光膜パタ
−ンを実現した画素のレイアウト図であり、（Ｂ）は
（Ａ）のI−I線断面図である。
−ンを実現した画素のレイアウト図であり、（Ｂ）は
（Ａ）のI−I線断面図である。
３１ 透明基板、３７ ゲ−トライン、３８ ゲ−ト電
極、４０ 非晶質半導体層、４１ ドーピングされた非
晶質半導体層、４２−１ ソ−ス電極、４２−２ ドレ
イン電極、４３ デ−タライン、４５ ブラックマトリ
ックスパターン、４６ 保護膜、４７ コンタクトホ−
ル、４８ 画素電極、５０ 絶縁層、１００ 画素、１
１０ ＴＦＴトランジスタ。
極、４０ 非晶質半導体層、４１ ドーピングされた非
晶質半導体層、４２−１ ソ−ス電極、４２−２ ドレ
イン電極、４３ デ−タライン、４５ ブラックマトリ
ックスパターン、４６ 保護膜、４７ コンタクトホ−
ル、４８ 画素電極、５０ 絶縁層、１００ 画素、１
１０ ＴＦＴトランジスタ。
Claims (22)
- 【請求項１】 下板に複数の薄膜トランジスタと画素電
極を配列すると共に、上板に色相を示すためのカラ−フ
ィルタ及び共通電極を形成し、かつ上下基板との間に液
晶を注入してなる液晶表示装置において、 上記下板は、 基板と、 上記基板上にマトリックス状に配置した複数個のゲ−ト
ラインとデ−タラインとの各交差点に設けたゲ−ト、ソ
−ス、ドレイン電極よりなる複数個の薄膜トランジスタ
と、 上記各ゲ−トライン及びデ−タラインと上記各薄膜トラ
ンジスタ上に形成され光を遮光させるブラックマトリッ
クスパタ−ンと、 上記ブラックマトリックスパタ−ン上に形成され上記各
ドレイン電極にコンタクトホ−ルを有する保護膜と、 上記コンタクトホ−ルを通じて各ドレイン電極と連結さ
れる複数個の画素電極を含めてなることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 上記ブラックマトリックスパタ−ンは、
画素電極以外の領域を遮光するようにパターニングされ
たものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項３】 上記ブラックマトリックスパタ−ンは、
画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形成さ
れ、画素電極領域と一部重畳されるように形成されてな
ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 上記薄膜トランジスタは、基板上に形成
されたゲ−ト電極と、上記ゲ−ト電極上に形成された絶
縁膜と、上記絶縁膜上に形成された半導体層及びオ−ミ
ックコンタクト層と、上記半導体層に形成されたソ−ス
及びドレイン電極よりなることを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 上記ブラックマトリックスパタ−ンは、
有機物質の黒色樹脂でなることを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 上記デ−タラインの幅より上記ブラック
マトリックスパタ−ンの幅がさらに広いことを特徴とす
る請求項５記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 上記ブラックマトリックスパタ−ンは、
その厚さが１．５μｍ以下であり、２６０℃程まで耐熱
性を有することを特徴とする請求項５記載の液晶表示装
置。 - 【請求項８】 上記ブラックマトリックスパタ−ン上に
形成された保護膜は無機材料の絶縁膜を一層以上で形成
されてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項９】 上記薄膜トランジスタのチャネル部位の
ソ−ス及びドレイン電極との間には有機物質の黒色樹脂
が取り除かれたことを特徴とする請求項５記載の液晶表
示装置。 - 【請求項１０】 上記薄膜トランジスタのチャネル部位
のソ−ス及びドレイン電極との間に無機材料の絶縁膜が
存在することを特徴とする請求項８記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１１】 上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極と薄膜トランジスタ領域を除いた領域を遮
光するように形成されてなることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 上板に色相を示すためのカラ−フィル
タ及び共通電極を形成するのに対し、下板に複数の薄膜
トランジスタと画素電極を形成する際、基板上に複数個
のゲ−トライン及びデ−タラインがマトリックス状に配
置し、上記ゲ−トラインとデ−タラインとの交差点にゲ
−ト、ソ−ス、ドレイン電極よりなる複数個の薄膜トラ
ンジスタと、上記それぞれのドレイン電極にコンタクト
ホ−ルを有する保護膜と、上記コンタクトホ−ルを通じ
てそれぞれのドレイン電極と連結される複数個の画素電
極を形成する工程を含める液晶表示装置の製造方法にお
いて、 上記コンタクトホ−ルを有する保護膜を形成する工程以
前に、上記各ゲ−トバスライン及びデ−タバスラインと
薄膜トランジスタ領域を遮光させるブラックマトリック
スパタ−ンを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項１３】 上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成されることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１４】 上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極以外の領域を遮光するようにパタ−ンが形
成され、画素電極領域と一部重畳されるように形成され
ることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項１５】 上記薄膜トランジスタを形成する工程
は、基板上にゲ−ト電極を形成する段階と、上記ゲ−ト
電極上に絶縁膜を形成する段階と、上記絶縁膜上に半導
体層及びオ−ミックコンタクト層を形成し、薄膜トラン
ジスタ部位のみ残してオ−ミックコンタクト層と半導体
層をパターニングする段階と、上記パターニングされた
半導体層上にソ−ス及びドレイン電極を形成する段階を
含めてなることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 上記ブラックマトリックスパタ−ン上
に保護膜と画素電極を形成する工程後に配向膜を形成す
る工程を追加することを特徴とする請求項１２記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】 上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、黒色樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項
１２記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 上記デ−タラインの幅よりブラックマ
トリックスパタ−ンの幅がさらに広く形成されることを
特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、その厚さが１．５μｍ以下であり、２６０℃程まで
耐熱性を有し、光の透過が５０％以下となるように形成
することを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項２０】 上記薄膜トランジスタのチャネル部位
のソ−ス及びドレイン電極との間には有機物質の黒色樹
脂が取り除かれたことを特徴とする請求項１７記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２１】 上記ブラックマトリックスパタ−ンと
チャネル部位との間に無機材料の絶縁膜を形成させるこ
とを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２２】 上記ブラックマトリックスパタ−ン
は、画素電極と薄膜トランジスタ領域を除いたその他の
領域を遮光させるように形成することを特徴とする請求
項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026998A KR0171102B1 (ko) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 액정표시장치 구조 및 제조방법 |
| KR1995-26998 | 1995-08-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09146122A true JPH09146122A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=19424786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22398596A Pending JPH09146122A (ja) | 1995-08-29 | 1996-08-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5781254A (ja) |
| JP (1) | JPH09146122A (ja) |
| KR (1) | KR0171102B1 (ja) |
| DE (1) | DE19623069B9 (ja) |
| FR (1) | FR2738359B1 (ja) |
| GB (1) | GB2304963B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100552292B1 (ko) * | 1998-09-11 | 2006-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2008046648A (ja) * | 2007-08-31 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 表示装置用基板、その製造方法及び表示装置 |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3315834B2 (ja) | 1995-05-31 | 2002-08-19 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
| US5978056A (en) * | 1995-10-15 | 1999-11-02 | Victor Company Of Japan, Ltd | Reflection-type display apparatus having antireflection films |
| US5894136A (en) * | 1996-01-15 | 1999-04-13 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display having a bottom gate TFT switch having a wider active semiconductor layer than a conductive layer on same |
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