JPH05188397A - アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法Info
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- JPH05188397A JPH05188397A JP455692A JP455692A JPH05188397A JP H05188397 A JPH05188397 A JP H05188397A JP 455692 A JP455692 A JP 455692A JP 455692 A JP455692 A JP 455692A JP H05188397 A JPH05188397 A JP H05188397A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶ディスプレイの下基板であるＴＦＴアレ
イのコンタクトホール部分での透明電極ＩＴＯ膜の断切
れによる、ＩＴＯ画素電極とソース電極の断線を防止す
る。 【構成】 アクティブマトリックス液晶ディスプレイの
下基板の製造方法において、中間絶縁膜３９のコンタク
トホール加工を、同種の穴形状または異種の穴形状のホ
トリソマスクを用いて第１回目のコンタクトホール４
０、第２回目のコンタクトホール４１の２回に分けて加
工し、中間絶縁膜３９の段差を、２段階の段差に形成
し、そのコンタクトホール４０，４１へ透明電極ＩＴＯ
膜４２を接続する。
イのコンタクトホール部分での透明電極ＩＴＯ膜の断切
れによる、ＩＴＯ画素電極とソース電極の断線を防止す
る。 【構成】 アクティブマトリックス液晶ディスプレイの
下基板の製造方法において、中間絶縁膜３９のコンタク
トホール加工を、同種の穴形状または異種の穴形状のホ
トリソマスクを用いて第１回目のコンタクトホール４
０、第２回目のコンタクトホール４１の２回に分けて加
工し、中間絶縁膜３９の段差を、２段階の段差に形成
し、そのコンタクトホール４０，４１へ透明電極ＩＴＯ
膜４２を接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス液晶ディスプレイの製造方法に関するものである。
ス液晶ディスプレイの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いた薄
膜トランジスタを内蔵した従来のアクティブマトリック
ス液晶ディスプレイは以下のようにして製造されてい
た。図３はかかる従来のアクティブマトリックス液晶デ
ィスプレイの部分断面図、図４はそのアクティブマトリ
ックス液晶ディスプレイの部分平面図である。
膜トランジスタを内蔵した従来のアクティブマトリック
ス液晶ディスプレイは以下のようにして製造されてい
た。図３はかかる従来のアクティブマトリックス液晶デ
ィスプレイの部分断面図、図４はそのアクティブマトリ
ックス液晶ディスプレイの部分平面図である。
【０００３】以下、このアクティブマトリックス液晶デ
ィスプレイの製造方法について説明する。まず、アクテ
ィブマトリックス液晶ディスプレイの下基板となるａ−
ＳｉＴＦＴ基板は、ガラス基板１の上にクロム、ニクロ
ム、タンタルよりなる金属層を、スパッタ又は蒸着によ
り、０．１〜０．３μｍ程度成膜し、その後、ホトリソ
エッチングで所定の形状に加工することによりゲート電
極２を形成する。
ィスプレイの製造方法について説明する。まず、アクテ
ィブマトリックス液晶ディスプレイの下基板となるａ−
ＳｉＴＦＴ基板は、ガラス基板１の上にクロム、ニクロ
ム、タンタルよりなる金属層を、スパッタ又は蒸着によ
り、０．１〜０．３μｍ程度成膜し、その後、ホトリソ
エッチングで所定の形状に加工することによりゲート電
極２を形成する。
【０００４】そして、ＮＨ3 とＳｉＨ4 ガスを主成分と
するプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法により、シリコン窒
化膜（ＳｉＮｘ）を膜厚０．１〜０．４μｍ、ＳｉＨ4
ガスを主成分とするＰＣＶＤ法により半導体層（チャネ
ル層）となるｎ- アモルファスシリコン（ｎ- ａ−Ｓ
ｉ）膜を膜厚０．０５〜０．２μｍ、そしてＳｉＨ4 ＋
ＰＨ3 ガスを主成分とするＰＣＶＤ法によりオーミック
層となるｎ+ アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）
を、それぞれ基板全面に堆積させる。そして、ｎ+ ａ−
Ｓｉとｎ- ａ−Ｓｉ膜を島状の所定の形状に加工するこ
とにより、ゲート絶縁膜３と島状の半導体層４を形成す
る。ゲート絶縁膜３はエッチングせずに基板全面に残
す。
するプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法により、シリコン窒
化膜（ＳｉＮｘ）を膜厚０．１〜０．４μｍ、ＳｉＨ4
ガスを主成分とするＰＣＶＤ法により半導体層（チャネ
ル層）となるｎ- アモルファスシリコン（ｎ- ａ−Ｓ
ｉ）膜を膜厚０．０５〜０．２μｍ、そしてＳｉＨ4 ＋
ＰＨ3 ガスを主成分とするＰＣＶＤ法によりオーミック
層となるｎ+ アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）
を、それぞれ基板全面に堆積させる。そして、ｎ+ ａ−
Ｓｉとｎ- ａ−Ｓｉ膜を島状の所定の形状に加工するこ
とにより、ゲート絶縁膜３と島状の半導体層４を形成す
る。ゲート絶縁膜３はエッチングせずに基板全面に残
す。
【０００５】次に、アルミニウム、クロム、ニクロムな
どよりなる金属層を、スパッタ又は蒸着により、０．３
〜１．０μｍ程度成膜し、それを所定の形状に加工する
ことで、ソース電極５及びドレイン電極６を形成する。
その後、チャネル層上の不要なｎ+ ａ−Ｓｉ層をＣＦ4
＋Ｏ2 ガスを主成分とするリアクティブ方式（ＲＩＥ
法）等のドライエッチングで除去することによりチャネ
ル層を形成する。
どよりなる金属層を、スパッタ又は蒸着により、０．３
〜１．０μｍ程度成膜し、それを所定の形状に加工する
ことで、ソース電極５及びドレイン電極６を形成する。
その後、チャネル層上の不要なｎ+ ａ−Ｓｉ層をＣＦ4
＋Ｏ2 ガスを主成分とするリアクティブ方式（ＲＩＥ
法）等のドライエッチングで除去することによりチャネ
ル層を形成する。
【０００６】そして、ＰＣＶＤ法により、シリコン窒化
膜（ＳｉＮｘ）等からなる中間絶縁膜７を形成する。そ
の後、ソースと次に形成する透明電極ＩＴＯ膜との導通
のためのコンタクトホール８を中間絶縁膜の所定部分に
形成する。そして、ＩＴＯ膜をスパッタ又は蒸着によ
り、０．１μｍ程度基板全面に成膜する。そして、加工
により、所定の形状に形成することにより、表示用電極
となる透明電極９を形成する。
膜（ＳｉＮｘ）等からなる中間絶縁膜７を形成する。そ
の後、ソースと次に形成する透明電極ＩＴＯ膜との導通
のためのコンタクトホール８を中間絶縁膜の所定部分に
形成する。そして、ＩＴＯ膜をスパッタ又は蒸着によ
り、０．１μｍ程度基板全面に成膜する。そして、加工
により、所定の形状に形成することにより、表示用電極
となる透明電極９を形成する。
【０００７】最後に、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を所
定の領域にＰＣＶＤ法と加工により形成し、表面保護膜
１０とする。以上の透明電極とａ−ＳｉＴＦＴを２次元
的に配置することにより、液晶用ａ−ＳｉＴＦＴアレイ
基板が完成する。以下図示せず。このＴＦＴアレイ基板
上に膜厚０．１μｍのポリイミドよりなる有機膜を形成
し、ラビング処理することにより、配向処理膜を形成す
る。その後、セル間隔を均一に形成、保持するために、
直径３〜１０μｍのスペーサを配向処理膜上に散布する
ことで下基板が完成する。
定の領域にＰＣＶＤ法と加工により形成し、表面保護膜
１０とする。以上の透明電極とａ−ＳｉＴＦＴを２次元
的に配置することにより、液晶用ａ−ＳｉＴＦＴアレイ
基板が完成する。以下図示せず。このＴＦＴアレイ基板
上に膜厚０．１μｍのポリイミドよりなる有機膜を形成
し、ラビング処理することにより、配向処理膜を形成す
る。その後、セル間隔を均一に形成、保持するために、
直径３〜１０μｍのスペーサを配向処理膜上に散布する
ことで下基板が完成する。
【０００８】一方、上基板（対向電極側）は、以下に示
すごとく形成される。ガラス１２の上に光の漏れを防止
してコントラストを向上させるためのブラックマトリッ
クス層１３を形成する。次に、印刷または電着等と加工
により電着層１４を形成する。この上に平坦層１５を形
成後、対向電極として膜厚０．１μｍ程度のＩＴＯ膜よ
りなる対向透明電極１６をスパッタ又は、蒸着と加工に
より所定の形状に形成する。更に、この対向透明電極１
６上に膜厚０．１μｍ程度のポリイミドよりなる有機膜
を形成し、ラビング処理することで、配向処理膜１７を
形成する。更に、高分子材料絶縁材料（エポキシ系等の
材料）にスペーサを混入させた材料を用いた膜厚のスク
リーン印刷法により、膜厚５〜２０μｍのシール層１８
を所定のパターンで形成することで、上基板が完成す
る。
すごとく形成される。ガラス１２の上に光の漏れを防止
してコントラストを向上させるためのブラックマトリッ
クス層１３を形成する。次に、印刷または電着等と加工
により電着層１４を形成する。この上に平坦層１５を形
成後、対向電極として膜厚０．１μｍ程度のＩＴＯ膜よ
りなる対向透明電極１６をスパッタ又は、蒸着と加工に
より所定の形状に形成する。更に、この対向透明電極１
６上に膜厚０．１μｍ程度のポリイミドよりなる有機膜
を形成し、ラビング処理することで、配向処理膜１７を
形成する。更に、高分子材料絶縁材料（エポキシ系等の
材料）にスペーサを混入させた材料を用いた膜厚のスク
リーン印刷法により、膜厚５〜２０μｍのシール層１８
を所定のパターンで形成することで、上基板が完成す
る。
【０００９】上下の基板が完成したら、シール層を挟ん
で、シール層により上下基板を位置合せし、貼り合わ
せ、加圧固定し、シール層を加熱硬化させる。更に、シ
ール層の内側を真空脱気した後、所定の注入口より液晶
１９を注入する。最後に注入口を封止し、偏光膜２０を
所定の位置に貼り付けることにより、ａ−ＳｉＴＦＴを
用いた液晶ディスプレイが完成する。
で、シール層により上下基板を位置合せし、貼り合わ
せ、加圧固定し、シール層を加熱硬化させる。更に、シ
ール層の内側を真空脱気した後、所定の注入口より液晶
１９を注入する。最後に注入口を封止し、偏光膜２０を
所定の位置に貼り付けることにより、ａ−ＳｉＴＦＴを
用いた液晶ディスプレイが完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳｉＮ
中間絶縁膜のコンタクトホール加工で、良好なテーパ形
状のコンタクトホールを再現性よく安定して形成するこ
とは困難である。湿式エッチングではコンタクトホール
寸法が大となり易く、一方、ドライエッチングではテー
パ形状を作り難い。
中間絶縁膜のコンタクトホール加工で、良好なテーパ形
状のコンタクトホールを再現性よく安定して形成するこ
とは困難である。湿式エッチングではコンタクトホール
寸法が大となり易く、一方、ドライエッチングではテー
パ形状を作り難い。
【００１１】このため、ＩＴＯ電極（表示用透明電極）
が、ＳｉＮコンタクトホール段差部分で断線し易く、Ｉ
ＴＯとソース電極が接続されないという問題点があっ
た。この断線発生確率は、大面積化、大容量化、高精細
化となるにしたがって、顕著となる。本発明は、液晶デ
ィスプレイの下基板であるＴＦＴアレイのコンタクトホ
ール部分での透明電極ＩＴＯ膜の断切れによる、ＩＴＯ
画素電極とソース電極の断線を防止して、表示品質低下
のない優れたアクティブマトリックス液晶ディスプレイ
の下基板の製造方法を提供することを目的とする。
が、ＳｉＮコンタクトホール段差部分で断線し易く、Ｉ
ＴＯとソース電極が接続されないという問題点があっ
た。この断線発生確率は、大面積化、大容量化、高精細
化となるにしたがって、顕著となる。本発明は、液晶デ
ィスプレイの下基板であるＴＦＴアレイのコンタクトホ
ール部分での透明電極ＩＴＯ膜の断切れによる、ＩＴＯ
画素電極とソース電極の断線を防止して、表示品質低下
のない優れたアクティブマトリックス液晶ディスプレイ
の下基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲート
絶縁膜、ｎ- アモルファスシリコン半導体層、ｎ+ アモ
ルファスシリコンオーミック層、ソース・ドレイン電
極、中間絶縁膜、表示用透明電極、表面保護膜を含むア
モルファスシリコン薄膜トランジスタアレイを有するア
クティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造
方法において、前記中間絶縁膜のコンタクトホールを、
同種の穴形状または異種の穴形状のホトリソマスクを用
いて第１回目のコンタクトホール、第２回目のコンタク
トホールの２回に分けて加工し、中間絶縁膜の段差を、
２段階の段差に形成する工程と、該コンタクトホールへ
表示用透明電極を接続する工程とを設けるようにしたも
のである。
成するために、透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲート
絶縁膜、ｎ- アモルファスシリコン半導体層、ｎ+ アモ
ルファスシリコンオーミック層、ソース・ドレイン電
極、中間絶縁膜、表示用透明電極、表面保護膜を含むア
モルファスシリコン薄膜トランジスタアレイを有するア
クティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造
方法において、前記中間絶縁膜のコンタクトホールを、
同種の穴形状または異種の穴形状のホトリソマスクを用
いて第１回目のコンタクトホール、第２回目のコンタク
トホールの２回に分けて加工し、中間絶縁膜の段差を、
２段階の段差に形成する工程と、該コンタクトホールへ
表示用透明電極を接続する工程とを設けるようにしたも
のである。
【００１３】
【作用】本発明によれば、上記のように、液晶ディスプ
レイの下基板であるａ−ＳｉＴＦＴアレイの製造方法に
おいて、（１）同種のコンタクト穴形状ホトリソマスク
を用いて、かつ第１ホールと若干ずらした第２ホールの
２回に分けて、ホトリソ、エッチングの加工すること、
又は（２）異種の穴形状のホトリソマスクを用いて第１
回目のコンタクトホール、第２回目のコンタクトホール
の２回に分けて加工することで、中間絶縁膜であるＳｉ
Ｎ膜の段差を２段階のステップ構造とする。
レイの下基板であるａ−ＳｉＴＦＴアレイの製造方法に
おいて、（１）同種のコンタクト穴形状ホトリソマスク
を用いて、かつ第１ホールと若干ずらした第２ホールの
２回に分けて、ホトリソ、エッチングの加工すること、
又は（２）異種の穴形状のホトリソマスクを用いて第１
回目のコンタクトホール、第２回目のコンタクトホール
の２回に分けて加工することで、中間絶縁膜であるＳｉ
Ｎ膜の段差を２段階のステップ構造とする。
【００１４】したがって、表示用透明電極のコンタクト
ホールにおけるステップカバレージが良好になり、表示
用透明電極の断線を低減することができる。
ホールにおけるステップカバレージが良好になり、表示
用透明電極の断線を低減することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す液
晶ディスプレイの要部断面図、図２はその液晶ディスプ
レイの要部平面図である。まず、アクティブマトリック
ス液晶ディスプレイの下基板となるａ−ＳｉＴＦＴ基板
は、ガラス基板３１の上にクロム、ニクロム、タンタル
よりなる金属層を、スパッタ又は蒸着により、０．１〜
０．３μｍ程度成膜し、その後、ホトリソエッチングで
所定の形状に加工することによりゲート電極３２を形成
する。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す液
晶ディスプレイの要部断面図、図２はその液晶ディスプ
レイの要部平面図である。まず、アクティブマトリック
ス液晶ディスプレイの下基板となるａ−ＳｉＴＦＴ基板
は、ガラス基板３１の上にクロム、ニクロム、タンタル
よりなる金属層を、スパッタ又は蒸着により、０．１〜
０．３μｍ程度成膜し、その後、ホトリソエッチングで
所定の形状に加工することによりゲート電極３２を形成
する。
【００１６】そして、ＮＨ3 とＳｉＨ4 ガスを主成分と
するプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法により、シリコン窒
化膜（ＳｉＮｘ）を膜厚０．１〜０．４μｍ、ＳｉＨ4
ガスを主成分とするＰＣＶＤ法により半導体層（チャネ
ル層）となるｎ- アモルファスシリコン（ｎ- ａ−Ｓ
ｉ）膜を膜厚０．０５〜０．２μｍ、そしてＳｉＨ4 ＋
ＰＨ3 ガスを主成分とするＰＣＶＤ法によりオーミック
層となるｎ+ アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）
を、それぞれ基板全面に堆積させる。そして、ｎ+ ａ−
Ｓｉとｎ- ａ−Ｓｉ膜を島状の所定の形状に加工するこ
とにより、ゲート絶縁膜３３と島状の半導体層３４を形
成する。ゲート絶縁膜３４はエッチングせずに基板全面
に残す。
するプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法により、シリコン窒
化膜（ＳｉＮｘ）を膜厚０．１〜０．４μｍ、ＳｉＨ4
ガスを主成分とするＰＣＶＤ法により半導体層（チャネ
ル層）となるｎ- アモルファスシリコン（ｎ- ａ−Ｓ
ｉ）膜を膜厚０．０５〜０．２μｍ、そしてＳｉＨ4 ＋
ＰＨ3 ガスを主成分とするＰＣＶＤ法によりオーミック
層となるｎ+ アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）
を、それぞれ基板全面に堆積させる。そして、ｎ+ ａ−
Ｓｉとｎ- ａ−Ｓｉ膜を島状の所定の形状に加工するこ
とにより、ゲート絶縁膜３３と島状の半導体層３４を形
成する。ゲート絶縁膜３４はエッチングせずに基板全面
に残す。
【００１７】次に、アルミニウム、クロム、ニクロムな
どよりなる金属層を、スパッタ又は蒸着により、０．３
〜１．０μｍ程度成膜し、それを所定の形状に加工する
ことで、ソース電極３５及びドレイン電極３６を形成す
る。その後、チャネル層上の不要なｎ+ ａ−Ｓｉ層をＣ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ガスを主成分とするリアクティブ方式（ＲＩ
Ｅ法）等のドライエッチングで除去することにより、チ
ャネル層を形成する。
どよりなる金属層を、スパッタ又は蒸着により、０．３
〜１．０μｍ程度成膜し、それを所定の形状に加工する
ことで、ソース電極３５及びドレイン電極３６を形成す
る。その後、チャネル層上の不要なｎ+ ａ−Ｓｉ層をＣ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ガスを主成分とするリアクティブ方式（ＲＩ
Ｅ法）等のドライエッチングで除去することにより、チ
ャネル層を形成する。
【００１８】そして、ＰＣＶＤ法により、シリコン窒化
膜（ＳｉＮｘ）等からなる中間絶縁膜３９を形成する。
次に、その中間絶縁膜３９のコンタクトホール加工を以
下に説明する。同種の穴形状、または異種の穴形状のホ
トリソマスクを用いて第１回目コンタクトホール、第２
回目コンタクトホールの２回に分けて加工することで２
段階の段差を形成する。
膜（ＳｉＮｘ）等からなる中間絶縁膜３９を形成する。
次に、その中間絶縁膜３９のコンタクトホール加工を以
下に説明する。同種の穴形状、または異種の穴形状のホ
トリソマスクを用いて第１回目コンタクトホール、第２
回目コンタクトホールの２回に分けて加工することで２
段階の段差を形成する。
【００１９】その形成方法としては、２種類の方法があ
る。つまり、 （１）同種のコンタクトホール形状ホトリソマスクを用
いて、かつ第１ホールと若干ずらした第２ホールの２回
に分けてホトリソ・エッチングの加工をすることで、上
記中間絶縁膜３９の段差を２段階のステップ構造、つま
り、第１回目のコンタクトホール４０と第２回目のコン
タクトホール４１を形成し、そこに、ＩＴＯ電極断線を
低減するようにしたもの。
る。つまり、 （１）同種のコンタクトホール形状ホトリソマスクを用
いて、かつ第１ホールと若干ずらした第２ホールの２回
に分けてホトリソ・エッチングの加工をすることで、上
記中間絶縁膜３９の段差を２段階のステップ構造、つま
り、第１回目のコンタクトホール４０と第２回目のコン
タクトホール４１を形成し、そこに、ＩＴＯ電極断線を
低減するようにしたもの。
【００２０】（２）異種の穴形状のホトリソマスクを用
いて第１回目のコンタクトホール、第２回目のコンタク
トホールの２回にわけて加工することにより、中間絶縁
膜であるＳｉＮ膜の段差を２段階のステップ構造とし、
ＩＴＯ電極断線を低減するようにしたものである。つま
り大小２種類の穴パターンのマスクを用いて、穴小パタ
ーンマスク、穴大パターンマスクの順番で２回に分けて
加工する。
いて第１回目のコンタクトホール、第２回目のコンタク
トホールの２回にわけて加工することにより、中間絶縁
膜であるＳｉＮ膜の段差を２段階のステップ構造とし、
ＩＴＯ電極断線を低減するようにしたものである。つま
り大小２種類の穴パターンのマスクを用いて、穴小パタ
ーンマスク、穴大パターンマスクの順番で２回に分けて
加工する。
【００２１】上記（１）の同種の穴形状、または上記
（２）の異種の穴形状のホトリソマスクを用いて２回に
分けて加工するにあたり、第１回目のコンタクトホール
は下地金属層に到達するまでエッチングし、第２回目の
コンタクトホールは途中段階で終了し、コンタクトホー
ルのステップ形状を２段階の段差とする。上記（１）、
（２）の方法を用いれば、ＨＦ系エッチング液を用いた
湿式エッチングでも、ＣＦ4 系反応ガスを用いたドライ
エッチングでも、良好な段差形状のＳｉＮのコンタクト
ホールを形成することができる。
（２）の異種の穴形状のホトリソマスクを用いて２回に
分けて加工するにあたり、第１回目のコンタクトホール
は下地金属層に到達するまでエッチングし、第２回目の
コンタクトホールは途中段階で終了し、コンタクトホー
ルのステップ形状を２段階の段差とする。上記（１）、
（２）の方法を用いれば、ＨＦ系エッチング液を用いた
湿式エッチングでも、ＣＦ4 系反応ガスを用いたドライ
エッチングでも、良好な段差形状のＳｉＮのコンタクト
ホールを形成することができる。
【００２２】その後、そのコンタクトホール４０，４１
を介して、ソース電極３５と次に形成する透明電極ＩＴ
Ｏ膜４２との導通をとる。つまり、ＩＴＯ膜をスパッタ
又は蒸着により、０．１μｍ程度基板全面に成膜する。
そして、加工により、所定の形状に形成することにより
表示用電極となる透明電極４２を形成する。最後に、窒
化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を所定の領域にＰＣＶＤ法と
加工により形成し、表面保護膜（図示なし）を形成す
る。
を介して、ソース電極３５と次に形成する透明電極ＩＴ
Ｏ膜４２との導通をとる。つまり、ＩＴＯ膜をスパッタ
又は蒸着により、０．１μｍ程度基板全面に成膜する。
そして、加工により、所定の形状に形成することにより
表示用電極となる透明電極４２を形成する。最後に、窒
化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を所定の領域にＰＣＶＤ法と
加工により形成し、表面保護膜（図示なし）を形成す
る。
【００２３】以後の工程、つまり、ＩＴＯ電極形成工程
から最後の表面保護膜形成までは、従来技術と同様に行
なう。これにより透明電極付ＴＦＴが完成する。以上の
透明電極付きａ−ＳｉＴＦＴアレイ基板（下基板）が完
成する。これ以降の工程、つまり対向電極基板（上基
板）、及びセル化工程は、従来技術と同一である。この
ようにして液晶ディスプレイが完成する。
から最後の表面保護膜形成までは、従来技術と同様に行
なう。これにより透明電極付ＴＦＴが完成する。以上の
透明電極付きａ−ＳｉＴＦＴアレイ基板（下基板）が完
成する。これ以降の工程、つまり対向電極基板（上基
板）、及びセル化工程は、従来技術と同一である。この
ようにして液晶ディスプレイが完成する。
【００２４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、中間絶縁膜であるＳｉＮ膜のコンタクトホール
の段差を、２段階の段差に形成することにより、その段
差部分での透明電極ＩＴＯ膜のステップカバレージを良
好にすることができる。これにより、透明電極ＩＴＯ膜
の断線による点欠陥を大幅に低減することができ、表示
品質の向上を図ることができる。
よれば、中間絶縁膜であるＳｉＮ膜のコンタクトホール
の段差を、２段階の段差に形成することにより、その段
差部分での透明電極ＩＴＯ膜のステップカバレージを良
好にすることができる。これにより、透明電極ＩＴＯ膜
の断線による点欠陥を大幅に低減することができ、表示
品質の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例を示す液晶ディスプレイの要部
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す液晶ディスプレイの要部
平面図である。
平面図である。
【図３】従来のアクティブマトリックス液晶ディスプレ
イの部分断面図である。
イの部分断面図である。
【図４】従来のアクティブマトリックス液晶ディスプレ
イの部分平面図である。
イの部分平面図である。
３１ ガラス基板 ３２ ゲート電極 ３３ ゲート絶縁膜 ３４ 島状の半導体層 ３５ ソース電極 ３６ ドレイン電極 ３９ 中間絶縁膜 ４０ 第１回目のコンタクトホール ４１ 第２回目のコンタクトホール ４２ 透明電極ＩＴＯ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ 8728−4Ｍ 29/784 (72)発明者 野本 勉 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲート
絶縁膜、ｎ- アモルファスシリコン半導体層、ｎ+ アモ
ルファスシリコンオーミック層、ソース・ドレイン電
極、中間絶縁膜、表示用透明電極、表面保護膜を含むア
モルファスシリコン薄膜トランジスタアレイを有するア
クティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造
方法において、（ａ）前記中間絶縁膜のコンタクトホー
ルを、同種の穴形状または異種の穴形状のホトリソマス
クを用いて第１回目のコンタクトホール、第２回目のコ
ンタクトホールに分けて加工し、前記中間絶縁膜の段差
を、２段階の段差に形成する工程と、（ｂ）該コンタク
トホールへ表示用透明電極を接続する工程とを有するこ
とを特徴とするアクティブマトリックス液晶ディスプレ
イの下基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記中間絶縁膜のコンタクトホールを、
同一寸法の穴パターンのマスクを用いて、若干ずらし
て、２回に分けて加工することを特徴とする請求項１記
載のアクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板
の製造方法。 - 【請求項３】 前記中間絶縁膜のコンタクトホールを、
大小２種類の寸法の穴パターンのマスクを用いて、穴小
パターンマスク、穴大パターンマスクの順番で２回に分
けて加工することを特徴とする請求項１記載のアクティ
ブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法。 - 【請求項４】 同種の穴形状、または異種の穴形状のホ
トリソマスクを用いて２回に分けて加工するにあたり、
第１回目のコンタクトホールは下地金属層に到達するま
でエッチングし、第２回目のコンタクトホールは途中段
階で終了し、コンタクトホールのステップ形状を２段階
の段差とすることを特徴とする請求項１記載のアクティ
ブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP455692A JPH05188397A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP455692A JPH05188397A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188397A true JPH05188397A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11587324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP455692A Withdrawn JPH05188397A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05188397A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19623069A1 (de) * | 1995-08-29 | 1997-03-06 | Lg Electronics Inc | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| US5760861A (en) * | 1996-02-03 | 1998-06-02 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display device and a method for fabricating black matrix thereto |
| US5995174A (en) * | 1996-06-27 | 1999-11-30 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus with source/drain electrodes and pixel electrode formed by the same material |
| JP2007322563A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP455692A patent/JPH05188397A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
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| DE19623069A1 (de) * | 1995-08-29 | 1997-03-06 | Lg Electronics Inc | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| DE19623069B4 (de) * | 1995-08-29 | 2004-04-08 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| DE19623069B9 (de) * | 1995-08-29 | 2004-09-09 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
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|---|---|---|---|
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