JPH09143714A

JPH09143714A - スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH09143714A
Application number: JP31142995A
Authority: JP
Inventors: Atsuhiro Abe; 淳博阿部
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-11-29
Filing date: 1995-11-29
Publication date: 1997-06-03

Abstract

(57)【要約】【課題】膜厚分布を改善し、ターゲットの使用効率を
上げ、アーキングを低減する。【解決手段】支持体２に対してスパッタリングを行う
スパッタリング装置において、マグネット２２上に軟磁
性金属よりなる凸形状の磁性材２８が配されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープ等の磁
気記録媒体の製造装置に属する技術分野に属し、特に、
磁性層となる磁性薄膜を真空蒸着により非磁性支持体上
に形成してなる磁気記録媒体の保護膜形成に好適なスパ
ッタリング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、酸化
物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩
化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、
ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分
散せしめた磁性塗料を非磁性支持体上に塗布、乾燥する
ことにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く使用
されている。

【０００３】これに対して、ビデオテープレコーダー
（ＶＴＲ）等の分野においては、高画質化を図るため
に、高密度磁気記録化が一層強く要求されており、これ
に対応する磁気記録媒体として、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ系等の金属磁性材料を、メッ
キや真空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング
法、イオンプレーティング法等）によってポリエステル
フィルムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性
支持体上に磁性層として直接被着した、いわゆる強磁性
金属薄膜塗布型の磁気記録媒体が提案され注目を集めて
いる。

【０００４】そして、この強磁性金属薄膜塗布型の磁気
記録媒体においては、電磁変換特性を向上させ、より大
きな出力を得ることが出来るようにするために、該磁気
記録媒体の磁性層を形成する場合、磁性層を斜めに蒸着
する斜め蒸着が提案され実用化されている。したがっ
て、このような金属薄膜媒体は、磁気特性的な優位さ故
に今後の高密度磁気記録媒体の主流となると考えられ
る。

【０００５】ところで、これら強磁性金属薄膜塗布型の
磁気記録媒体は、耐久性、耐錆性に問題があると言われ
ており、従来、コーティングによる潤滑剤、防錆剤など
の有機材料の検討や、微粒子を磁性層形成前に非磁性支
持体上に予め塗布する、いわゆる下塗り技術の検討がな
されている。

【０００６】しかしながら、これらの技術では、特殊な
環境化における使用や、業務用のような過酷な使用に充
分に対応することができず、新たな手法として、真空蒸
着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の真空薄膜形成
手段による表面保護膜の検討が行われている。

【０００７】このような状況の中、スパッタリング法に
よる保護膜形成技術により、耐久性、耐錆性に優れた磁
気記録媒体の製造装置が開発されているが、このスパッ
タリング法による保護膜の形成は、その成膜速度が遅い
ため生産性に劣るという不都合が生じる。

【０００８】このような不都合を回避して、成膜速度を
向上させるために、ターゲットの下部にマグネットを配
置し、これによってターゲット表面に形成されている漏
洩磁界を利用するマグネトロン型スパッタリング装置が
用いられている。

【０００９】このマグネトロン型スパッタリング装置に
は、円形のマグネットを用いてこれを変身して回転さ
せ、より広範囲に均一にターゲット上に磁界を発生させ
る構成のものと、角型のマグネットを用いるものとがあ
る。なお、磁気テープ等の非磁性支持体という長尺物に
対しては、このうちの円形のマグネットを用いるものは
好ましくないとされている。

【００１０】図７及び図８に示すものは、上記角型のマ
グネットを用いたマグネトロン型連続スパッタリング装
置のカソードターゲット１０１である。

【００１１】このカソードターゲット１０１は、電源に
接続されカソード電極としての機能を有するバッキング
プレート１０２と、バッキングプレート１０２上に接着
される角形ターゲット１０３と、角形ターゲット１０３
等を冷却する冷却機構部１０４と、バッキングプレート
１０２下に角形ターゲット１０３と対向するように配置
されるマグネット１０６と、このマグネット１０６を収
納するカソードケース１０７とから構成されている。

【００１２】マグネット１０６は、断面がＥ状を呈し
て、センターポールと、このセンターポールの周囲を取
り囲む矩形環状のマグネットリングとから構成されてお
り、これらセンターポールとマグネットリングは、互い
に異なる極性（例えば、センターポールがＳ極、マグネ
ットリングがＮ極）とされている。

【００１３】冷却機構部１０４は、角形ターゲット１０
３等を冷却するためのもので、この冷却機構部１０４の
両端部に水等の冷媒が流される配管１０４ａ，１０４ｂ
が着脱可能に設けられている。この冷却機構部１０４
は、マグネット１０６を収納するカソードケース１０７
に設置固定されてなる。

【００１４】したがって、この従来のスパッタリング装
置を使用して、冷却キャン１０９に搬送されるベースフ
ィルム１０８に対してスパッタリングを行う場合には、
電離（プラズマ）されたアルゴンイオンを加速すること
により、その運動エネルギーにより角形ターゲット１０
３の原子をはじき出して、そのはじき出された原子がベ
ースフィルム１０８に堆積され、目的とする薄膜を形成
することができる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来装置では、非磁性支持体であるベースフィルム１
０８が冷却キャン１０９により図中時計方向に走行され
るが、このとき角形ターゲット１０３と対向するように
配置されるマグネット１０６の形状に対応して、ターゲ
ット１０３の表面が部分的に侵食される、いわゆるエロ
ージョンの問題が生じる。エロージョンは、マグネット
１０６の発生する磁界が角形ターゲット１０３表面付近
で湾曲してプラズマを閉じこめているため、このプラズ
マ密度の高い部分のみが集中的にスパッタリング（消
費）される現象である。

【００１６】このように、スパッタリングが均一でない
場合には、スパッタリングされにくい部分が使用するこ
とができなくなり、角形ターゲット１０３の使用効率が
低下する。また、エロージョンの進行は、スパッタリン
グレートを減少させるとともに、ターゲット１０３の寿
命を短くする等の問題がある。

【００１７】また、薄膜の成膜時に角形ターゲット１０
３の表面に形成される磁場は、湾曲状であるために、こ
のまま搬送されるベースフィルム１０８上に保護膜を成
膜すると、ターゲット１０３上での磁束密度が高い（濃
い）部分は、厚い膜が被着され、磁束密度が低い（薄
い）部分は、薄い膜が被着される。

【００１８】さらに、このような角形ターゲットの表面
に湾曲した磁場が発生する従来装置では、プラズマ密度
が低い部分は、逆に、スパッタ膜が付着して、ダストの
原因となり、さらに、付着した膜が絶縁膜である場合
は、それが帯電してアーキングを生じさせ、ベースフィ
ルムに損傷を与えていた。

【００１９】そこで、本発明は、このような実情に鑑み
て提案されたものであって、いわゆるマグネトロン型連
続スパッタリング装置において、ターゲットの使用効
率、成膜レート等を向上させるとともに、スパッタリン
グ装置に見られるアーキングの発生を抑制することを目
的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、上記の目的を達成するために、電源に接続され
カソード電極としての機能を有するバッキングプレート
と、バッキングプレート上に接着されるターゲットと、
バッキングプレート下にターゲットと対向するように配
置されるマグネットとを備え、支持体に対してスパッタ
リングを行うスパッタリング装置において、マグネット
上に該マグネットから発せられる磁束を絞る軟磁性、高
透磁率金属よりなる磁性材が配されてなることを特徴と
する。

【００２１】また、前記軟磁性、高透磁率金属よりなる
磁性材が凸形状を呈することを特徴とする。

【００２２】また、電源に接続されたバッキングプレー
トと、バッキングプレート上に接着されるターゲット
と、バッキングプレート下にターゲットと対向するよう
に配置されるマグネットとを備え、支持体に対してスパ
ッタリングを行うスパッタリング装置において、マグネ
ットの外側に電源に接続されて電流が供給される電磁コ
イルが配されてなることを特徴とする。

【００２３】また、前記電磁コイルの位置がターゲット
の表面よりも下方に位置するように配されてなることを
特徴とする。

【００２４】まず、マグネット上に軟磁性、高透磁率金
属よりなる磁性材が配されてなる本発明によれば、マグ
ネットから発せられる磁束は、上記磁性材で絞られて、
ターゲット表面に放出する。また、ターゲット表面の広
い範囲に平行磁場を発生させる。

【００２５】したがって、ターゲットの表面全体のプラ
ズマ密度が高くなり、スパッタリングレートを増加させ
るとともに、ターゲット使用効率が上げられる。また、
角型のマグネットを用いたマグネトロン型連続スパッタ
リング装置では、従来のように、幅方向の両端部の膜厚
が厚くなることがなくなり、均一な膜厚分布が得られ
る。

【００２６】次に、マグネットの外側に電源に接続され
て電流を供給する電磁コイルが配されてなる本発明によ
れば、この電磁コイルに下向きの磁場を発生させると、
上記マグネットからの湾曲状の磁束が外側に押しやられ
る。他方、電磁コイルに上向きの磁場を発生させると、
上記マグネットからの湾曲状の磁束が内側に押しやられ
る。

【００２７】このように、電磁コイルに供給する電流に
よってマグネットから発せられる磁界をスパッタリング
中に広げることができ、ターゲット上のプラズマの位置
を移動させることができる。したがって、支持体上に均
一な膜厚分布が得られる。

【００２８】ここで、本発明が適用されるスパッタリン
グ装置としては、円形のマグネットを用いたマグネトロ
ン型スパッタリング装置であると、角型のマグネットを
用いたマグネトロン型スパッタリング装置であるとを問
わない。

【００２９】なお、軟磁性金属よりなる磁性材料として
は、パーマロイ、軟鉄等が好ましい。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施の形
態を実験結果に基づいて説明する。

【００３１】（実施の形態１）図１に示すように、スパ
ッタリング装置は、頭部と低部にそれぞれ設けられた排
気口１５から排気されて内部が真空状態となされた真空
室１内に、図中の時計回り方向に定速回転する送りロー
ル３と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロー
ル４とが設けられ、これら送りロール３から巻取りロー
ル４にテープ状の非磁性支持体であるベースフィルム２
が順次走行するようになされている。

【００３２】そして、これら送りロール３から巻取りロ
ール４側に上記ベースフィルム２が走行する中途部に
は、各ロール３，４の径よりも大径となされた冷却キャ
ン５が設けられている。この冷却キャン５の周面には、
ベースフィルム２が巻き付けられ、したがって冷却キャ
ン５も前記ロール３，４と同期して図中の時計回り方向
に定速回転する構成とされる。

【００３３】また、上記送りロール３、巻取りロール
４、及び、冷却キャン５は、それぞれベースフィルム２
の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、ま
た、冷却キャン５には、内部に図示しない冷却装置が設
けられ、上記ベースフィルム２の温度上昇による変形等
を抑制し得るようになされている。

【００３４】したがって、ベースフィルム２は、送りロ
ール３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン５の
周面を通過し、巻取りロール４に巻取られて行くように
なされている。尚、上記送りロール３と記冷却キャン５
との間及び該冷却キャン５と上記巻取りロール４との問
にはそれぞれガイドロール６，７が配設され、上記送り
ロール３から冷却キャン５及び該冷却キャン５から券取
りロール４にわたって走行するベースフィルム２に所定
のテンションをかけ、該ベースフィルム２が円滑に走行
するようになされている。

【００３５】また、上記真空室１内には、上記冷却キャ
ン５の下方にカソード８が設けられ、このカソード８の
上面にターゲット２１として金属磁性材料９が接着され
ている。

【００３６】ここでカソード８は、図２に示すように、
電源に接続されカソード電極としての機能を有するバッ
キングプレート２３と、バッキングプレート２３上に接
着される角形ターゲット２１と、角型ターゲット２１を
冷却する冷却水路３０と、前記バッキングプレート２３
の裏側に配置されるマグネット２２と、これらを収納す
るカソードケース２５より構成されている。

【００３７】バッキングプレート２３は、その上に低融
点の金属で角形ターゲット２１を接着してしる。したが
って、バッキングプレート２３の表面は、平面が四角形
状の角形ターゲット２１を接着するために、該ターゲッ
ト２１よりも大きな面積を有する。このバッキングプレ
ート２３は、熱伝導性に優れた銅で形成されているが、
熱伝導性に優れた材質であれば、これには限定されるも
のではない。

【００３８】マグネット２２は、図２及び図３に示すよ
うに、縦断面がＥ字状を呈し、平面形状が矩形環状を呈
し、フェライト等の永久磁石によって形成されている。
そして、このマグネット２２は、所定の長さを有するセ
ンターポール２２ａと、このセンターポール２２ａの周
囲を取り囲む矩形環状のマグネットリング２２ｂとから
構成されており、これらセンターポール２２ａとマグネ
ットリング２２ｂは、互いに異なる極性（例えば、セン
ターポール２２ａがＳ極、マグネットリング２２ｂがＮ
極）とされている。

【００３９】カソードケース２５は、筺体状を呈し、上
部にマグネット２２の端部を覆うシールド板２６が配さ
れ、下部に後述する冷媒が流される配管３０ａ，３０ｂ
を通す貫通穴が設けられている。また、カソードケース
２５の側面側には、絶縁礙子２７がネジ部材を介して固
定されている。

【００４０】冷却機構部３０は、図２に示すように、角
形ターゲット２１やバッキングプレート２３等をプラズ
マ熱から保護するためのもので、この冷却水路３０の両
端部に水等の冷媒が流される配管３０ａ，３０ｂが着脱
可能に設けられている。この冷却水路３０は、マグネッ
ト２２を収納するカソードケース２５に設置固定されて
なる。

【００４１】したがって、角形ターゲット２１やバッキ
ングプレート２３等の温度上昇に対して、上記配管３０
ａ，３０ｂから冷媒を冷却水路３０に流すことにより
（図２中、ＩＮからＯＵＴへ）、これら角形ターゲット
２１等を冷却することができる。

【００４２】そして特に、マグネット２２上に該マグネ
ット２２の磁束を一定方向に集中させる磁性材２８が配
されてなる。この磁性材２８は、高透磁率の軟磁性金属
よりなる例えばパーマロイ、軟鉄等が用いられる。この
磁性材２８は、断面凸型を呈して、マグネット２２上に
配されるととともに、断面凸型形状の上部がバッキング
プレート２３の下部に接着して取り付けられている。

【００４３】この磁性材２８は、ターゲット２１表面に
集中して放出され、広い範囲に平行磁場を発生させるも
のである。したがって、この磁性材２８の断面形状は上
記凸型以外にも、台形型、三角型等種々のものが考えら
るが、磁束を絞る観点から上記凸型が好ましい。また、
この凸型は加工上も優れたものである。

【００４４】なお、このようなマグネット上に凸型の磁
性材２８を設けることは、カソード形状が、角型のも
の、円形のものを問わず適用できる。

【００４５】したがって、この実施の形態２のスパッタ
リング装置を使用して、ベースフィルム２に対してスパ
ッタリングを行う場合には、電離（プラズマ）されたア
ルゴンイオンを加速することにより、その運動エネルギ
ーにより角形ターゲット２１の原子をはじき出して、そ
のはじき出された原子がベースフィルム２に堆積され、
目的とする薄膜を形成することができる。ここで、ベー
スフィルム２が熱に対して弱い場合には冷却キャン５に
よって冷却される。

【００４６】そして、上記構成のスパッタリング装置に
おいては、マグネット２２から発せられる磁束は、上記
磁性材２８で絞られて、極狭い範囲から角形ターゲット
２１上に放出され、角形ターゲット２１の表面の広い範
囲に平行磁場を発生させる。

【００４７】すなわち、本実施の形態１では、マグネッ
ト２２からの磁束が絞られて角形ターゲット２１の表面
で解放される。

【００４８】この平行磁場の状態は、磁束を模式的に示
す図４に示すように、従来装置の場合と比較すると明ら
かである。すなわち、従来の装置では（図４（Ａ））、
一方側のマグネット２２（例えば、センターポール２２
ａ）から放出されると、すぐに発散し、角形ターゲット
２１上に湾曲した磁場を形成するが、角形ターゲット２
１に平行な磁場範囲は狭い。これに対して、本実施の形
態１では（図４（Ｂ））、一方側のマグネット２２（例
えば、センターポール２２ａ）から集中して放出されて
いるとともに、角形ターゲット２１表面上での平行磁場
範囲が広くなっている。

【００４９】したがって、本実施の形態１では、従来装
置の場合よりも、角形ターゲット２１の表面全体のプラ
ズマ密度が高い範囲が広がるために、スパッタリングレ
ートを増加させるとともに、ターゲット使用効率が上げ
られる。また、角型のマグネット２２を用いたマグネト
ロン型連続スパッタリング装置では、従来のように、非
磁性支持体であるベースフィルム２の幅方向の両端部の
膜厚が極端に厚くなることがなくなり、均一な膜厚分布
が得られる。また、プラスマ範囲が広がるために、角形
ターゲット２１に付着しデポジション膜が減少され、絶
縁膜である場合にはアーキングが減る。

【００５０】（実験１）次に、上記構成のスパッタリン
グ装置を使用して、薄膜の成膜レートを測定した。その
結果、従来装置に比べ約１０％程度成膜レートが上がっ
ているが明らかになった。さらに、角形ターゲット２１
の両端部分と中央部分での膜厚差も抑制される結果得ら
れた。

【００５１】これは、図４を用いて説明したように、本
実施の形態１は、従来装置よりも、角形ターゲット２１
の表面に広い範囲に均一に平行磁場が発生したためであ
る。

【００５２】（実施の形態２）本実施の形態２は、マグ
ネット２２の外側に電磁コイル３１が配されてなる。

【００５３】すなわち、この電磁コイル３１は、電源に
接続されて電流を供給することにより、電磁石になるも
ので、図５に示すように、筺体状のカソードケース２５
の外周を囲むようにして配されている。そして、この電
磁コイル３１の高さは、角形ターゲット２１の表面より
も下方に位置させることが好ましい。本実施の形態２で
は、角形ターゲット２１の底面よりも下方に位置するよ
うに配置されている。

【００５４】また、上記電磁コイル３１は、コイルカバ
ー３２に収納されて、このコイルカバー３２が上記カソ
ードケース２５にネジ部材を介して固定されている。コ
イルカバー３２の内側には、熱電導性の良好な金属板３
３が設けられ、この金属板３３に冷却パイプ３４が溶接
されている。したがって、電磁コイル３１は、それ自身
の発熱とスパッタの輻射熱により加熱されるが、冷却パ
イプ３４により冷却されるようになされている。また、
電磁コイル３１は、カソードケース２５から絶縁するた
めに絶縁礙子３５を介して固定されている。

【００５５】また、この実施の形態２は、実施の形態１
と異なり、冷却水路３０はバッキングプレート２３内に
設けられている。また、カソードケース２５の下部に
は、絶縁礙子３６がネジ部材を介して固定されている点
で、実施の形態１と相違している。なお、その他の構成
は、実施の形態１と同様であるため、同一部材は同一符
号をもって示し、重複した説明を省略する。

【００５６】本実施の形態２によれば、この電磁コイル
３１に下向きの磁場を発生させると、上記マグネット２
２からの湾曲状の磁束が外側に押しやられる。他方、電
磁コイル３１に上向きの磁場を発生させると、上記マグ
ネット２２からの湾曲状の磁束が内側に押しやられる。

【００５７】このように、電磁コイル３１に供給する電
流によってマグネット２２から発せられる磁界をスパッ
タリング中に広げることができ、角形ターゲット２１の
表面のプラズマの位置を移動させることができる。した
がって、ベースフィルム２上に均一な膜厚分布が得られ
る。

【００５８】（実験２）次に、上記構成のスパッタリン
グ装置を使用して、薄膜の成膜レートと幅分布を測定し
た。ここでは電磁コイル３１に４Ａ程度の電流を流し、
４０Ｇ程度の垂直磁場を加えた。なお、電磁コイル３１
に、直径１ｍｍのポリイミド線を用い、約３００ターン
巻いた。

【００５９】その結果、幅平均値で１０％成膜レートが
上がると同時に幅分布は５％以内に改善された。

【００６０】実際にスパッタリングしているときに、電
磁コイル３１に電流を流し（下向きに）４０Ｇ程度の垂
直磁場を加えると、図６（Ｂ）に示すように、プラズマ
が広がり（図中矢印方向）、ターゲット２１表面付近の
プラズマの集中している部分２９ｂは、５ｍｍ程度外側
に移動した。

【００６１】逆に、上向きに４０Ｇ程度の垂直磁場を加
えると、図６（Ｃ）に示すように、プラズマは狭まり
（図中矢印方向）、ターゲット２１表面付近のプラズマ
の集中している部分２９ｂは、５ｍｍ程度内側に移動し
た。なお、図６において、（Ａ）が電流が０Ａの場合で
ある。また、図６において、２９ａは、プラズマの範囲
を示す。

【００６２】このように、ターゲット２１表面のプラズ
マ密度の濃い部分は電磁コイル３１の電流により移動す
ることが確認することができたので、幅分布の許す範囲
で電磁コイル３１の電流を操作すれば、エロージョンが
広がり、ターゲット２１を有効利用することができる。

【００６３】したがって、本実施の形態２はマグネッ
ト２２の外周に電磁コイル３１を配置してなることか
ら、垂直磁界をスパッタリング中に広げることができ、
角形ターゲット２１の表面の平行磁場の成分を増やすこ
とができる。このため、スパッタリング速度を増加させ
るとともに、ターゲット使用効率を上げることができ
る。また、本実施の形態２では、垂直磁場の範囲が狭
くなるために、角形ターゲット２１に再付着してできる
デポジション膜が少なく、真空室１内のダストの発生が
少なくなる。また、角形ターゲット２１の付着したデポ
ジション膜が絶縁膜の場合、アーキングを低減させるこ
とができる。

【００６４】以上、実施の形態１と実施の形態２により
本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されず、マ
グネット上に軟磁性金属よりなる磁性材が配されてなる
とともに、マグネットの外側に電源に接続されて電流を
供給する電磁コイルが配されてなるものであっても良い
ことは勿論である。

【００６５】

【発明の効果】本発明は、マグネット上に軟磁性金属よ
りなる磁性材が配されてなるためにマグネットから発せ
られる磁束が絞られて、ターゲット表面に集中した平行
磁場を発生させる。したがって、ターゲットの表面全体
のプラズマ密度が高くなり、スパッタリングレートを増
加させるとともに、ターゲット使用効率が上げられる。
また、角型のマグネットを用いたマグネトロン型連続ス
パッタリング装置では、従来のように、非磁性支持体の
幅方向の両端部の膜厚が厚くなることがなくなり、均一
な膜厚分布が得られるとともに、ターゲットに付着した
デポジション膜が絶縁膜の場合のアーキングが減少され
る。

【００６６】他方、マグネットの外側に電源に接続され
て電流を供給する電磁コイルが配されてなる本発明によ
れば、電磁コイルに供給する電流によって、ターゲット
上のプラズマの位置を移動させることができる。したが
って、支持体上に均一な膜厚分布が得られるとともに、
ターゲットに付着したデポジション膜が絶縁膜の場合の
アーキングが減少される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のスパッタリング装
置の構成を模式的に示す図である。

【図２】上記スパッタリング装置のカソードの構造を示
す断面図である。

【図３】マグネットの形状を示す平面図である。

【図４】マグネットの磁束を比較して示す模式図であ
り、（Ａ）が従来装置の場合で、（Ｂ）が上記スパッタ
リング装置の場合である。

【図５】本発明の第２の実施の形態のスパッタリング装
置の構成を一部破断して示す断面図である。

【図６】マグネットの磁束を比較して示す模式図であ
り、（Ａ）が電流が０Ａの場合で、（Ｂ）が４Ａの場合
で、（Ｃ）が電流が−４Ａの場合である。

【図７】従来のスパッタリング装置の概略構成を示す模
式図である。

【図８】従来のスパッタリング装置のカソードの構造を
示す断面図である。

【符号の説明】

２非磁性支持体（ベースフィルム）５冷却キャン８カソード２１角形ターゲット２２マグネット２５カソードケース２８（凸形状の）磁性材２９ｂプラズマの集中している部分３１電磁コイル３４冷却パイプＨ１ターゲットの底面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電源に接続されカソード電極としての機
能を有するバッキングプレートと、バッキングプレート
上に接着されるターゲットと、バッキングプレート下に
ターゲットと対向するように配置されるマグネットとを
備え、支持体に対してスパッタリングを行うスパッタリ
ング装置において、マグネット上に軟磁性金属よりなる磁性材が配されてな
ることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】前記軟磁性金属よりなる磁性材が凸形状
を呈することを特徴とする請求項１記載のスパッタリン
グ装置。
【請求項３】電源に接続されカソード電極としての機
能を有するバッキングプレートと、バッキングプレート
上に接着されるターゲットと、バッキングプレート下に
ターゲットと対向するように配置されるマグネットとを
備え、支持体に対してスパッタリングを行うスパッタリ
ング装置において、マグネットの外側に電源に接続されて電流が供給される
電磁コイルが配されてなることを特徴とするスパッタリ
ング装置。
【請求項４】前記電磁コイルの位置がターゲットの表
面よりも下方に位置するように配されてなることを特徴
とする請求項３記載のスパッタリング装置。