JPH09139118A - 耐熱電線、耐熱絶縁材及び耐熱電線の使用方法、製造方法 - Google Patents

耐熱電線、耐熱絶縁材及び耐熱電線の使用方法、製造方法

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JPH09139118A
JPH09139118A JP7294234A JP29423495A JPH09139118A JP H09139118 A JPH09139118 A JP H09139118A JP 7294234 A JP7294234 A JP 7294234A JP 29423495 A JP29423495 A JP 29423495A JP H09139118 A JPH09139118 A JP H09139118A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 PBI被膜電線等を改良することにより、P
BIが本来有している耐熱特性等の優れた諸特性を十分
に発揮し得る耐熱電線、耐熱絶縁材、及びその使用方
法、製造方法を提供する。 【解決手段】 外径0.5mmのニッケルクロム線11
を用い、PBI30部と溶媒DMA70部になるように
調整されたワニス中に浸漬する方法でニッケルクロム線
11に塗布し、線速20m/分・350℃で焼き付け
る。これを、8回繰返してPBI被覆ニッケルクロム線
を得る。これに、さらにオルガノポリシロキサンをベー
スポリマーとしたアルミナ含量20%でトルエン分15
%、キシレン分15%、のアルミナ・ワニス中に浸漬す
る方法で前記PBIニッケルクロム線表面に塗布し、線
速10m/分・350℃で焼き付ける。これを、4回繰
返してアルミナ−オルガノポリシロキサン/PBI被覆
ニッケルクロム線10を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、耐熱性の要求さ
れるエナメル電線等に適用できる耐熱電線、耐熱絶縁材
及びその耐熱電線の使用方法に関する。
【0002】
【従来の技術】耐熱電線としては、ポリイミド被覆電
線、エナメル電線、高耐熱セメンティングエナメル線が
存在しているが、それぞれの耐熱温度は、前記ポリイミ
ド被覆電線が250度、エナメル電線が150〜220
度、高耐熱セメンティングエナメル線が220度であ
り、せいぜい250度が限界であった。
【0003】このため、250度以上の温度に耐えられ
る耐熱特性に優れた耐熱電線が要望されていたが、本願
発明者は、優れた耐熱特性を有するポリベンゾイミダゾ
ール(以下、PBIと言う。)の重合体を裸電線又は絶
縁被覆電線に塗布し、これを焼成することによってPB
I被膜を形成したPBI被膜電線を開発し、既に特許出
願を行っている(特願平4−124342)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記PBI被膜電線
は、耐熱軟化温度が350度以上で非常に優れた耐熱特
性を有しているが、高温において部分的に空気酸化され
ることがあり、その使用環境によっては、耐熱特性、耐
電圧特性及び柔軟性等のその優れた諸特性を発揮できな
いことがあった。
【0005】そこで、この発明の課題は、上述したPB
I被膜電線等を改良することにより、PBIが本来有し
ている耐熱特性等の優れた諸特性を十分に発揮し得る耐
熱電線、耐熱絶縁材、及びその使用方法、製造方法を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明は、裸電線又は絶縁被覆電線の外表面をポ
リベンゾイミダゾールの重合体によって形成される被膜
によって覆い、この被膜をさらにセラミック被膜によっ
て覆った耐熱電線、及びポリベンゾイミダゾールの重合
体によって形成される被膜をセラミック被膜によって覆
った耐熱絶縁材を提供するものである。
【0007】前記ポリベンゾイミダゾールによって形成
される被膜は、前記化1で示され、前記セラミック被膜
は、前記化2で示されるものを使用することができる。
【0008】また、前記被膜は、ポリベンゾイミダゾー
ルの塩基性溶媒ワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に塗布
し、これを焼成することによって形成されるが、重合度
の低いポリベンゾイミダゾールについては、これを塩基
性溶媒に溶かしたポリベンゾイミダゾールワニスにラジ
カル重合開始剤を添加したものを裸電線又は絶縁被覆電
線に塗布し、これを焼成することによって形成すること
ができる。さらに、前記耐熱電線は、航空機用電線、高
電圧電線、通信電線、電気ヒータ電線として使用するこ
とができる。
【0009】また、前記耐熱電線は、ポリベンゾイミダ
ゾールの塩基性溶媒ワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に
塗布した後、 これを焼成することによって、ポリベン
ゾイミダゾールの被膜を形成し、このポリベンゾイミダ
ゾール被膜表面をセラミック被膜によって覆うことによ
って製造することができるが、重合度の低いポリベンゾ
イミダゾールの重合体については、これを塩基性溶媒に
溶かしたポリベンゾイミダゾールワニスにラジカル重合
開始剤を添加し、ラジカル重合開始剤を含んだ前記ポリ
ベンゾイミダゾールワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に
塗布した後、前記裸電線又は絶縁被覆電線に塗布された
ポリベンゾイミダゾールワニスを焼成することによっ
て、前記裸電線又は絶縁被覆電線に熱架橋されたポリベ
ンゾイミダゾールの重合体の被膜を形成し、このポリベ
ンゾイミダゾール被膜表面をセラミック被膜によって覆
うことによって製造することができる。前記セラミック
被膜を形成する際には、シリコン系バインダーを用いる
ことが好ましい。
【0010】なお、本願において使用しているセラミッ
ク被膜という用語は、全てがセラミック化したもののみ
ならず、表面側のみがセラミック化している金属被膜を
も含む広い概念である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態について図面を
参照して説明する。図1に示すように、この耐熱電線1
0は、導体である裸電線11の外表面をPBIの重合体
によって形成されたPBI被膜12によって覆い、さら
にそのPBI被膜12をセラミック被膜13によって被
覆したものであり、前記PBI被膜12によって高い耐
熱性が付与されると共に前記セラミック被膜13の存在
によって前記PBI被膜12が直接空気に触れることが
ないので、PBI被膜12が空気酸化されることもな
く、常時高い耐熱特性が維持される。
【0012】従って、このように構成された耐熱電線1
0は、高い耐熱性が要求される航空機用電線、高電圧電
線、通信電線、電気ヒータ電線として使用することがで
きる。
【0013】この耐熱電線10は、基本的に以下の方法
によって製造される。まず、PBIを所定の溶媒に溶か
してPBIワニスを調整するが、このPBIワニスの調
整に際して、PBIの重合度の低い場合は必要に応じて
ラジカル重合開始剤を添加しておく。前記ワニス溶媒と
しては、ジメチルアセトアミド(DMA)、ジメチルフ
ォルムアミド(DMF)、ピリジン等の塩基性溶媒やジ
メチルスルフォオキサイド(DMSO)等の水素結合遮
断溶媒が適宜使用され、そのワニス濃度は1%から80
%まで適宜選択できるが、望ましくは5%から40%が
適当と考えられる。また、前記ラジカル重合開始剤とし
ては、例えば、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、
ジ−t−ブチロ過酸化フタレート、アゾビスイソブチロ
ニトリル、フェニルアゾアリルスルホン酸、N−ニトロ
ソ−N−アシル化合物などを使用することができる。
【0014】このように、PBIワニスにラジカル重合
開始剤を添加するのは、ワニス溶媒として使用されるD
MA等に添加されている重合禁止剤を中和すると共にP
BI分子のスタッキングを起こすためであり、これによ
って、後述する焼付け処理に伴うPBIの熱架橋反応が
促進され、十分な被膜強度を備えたPBI被膜が形成さ
れると考えられるからである。
【0015】次に、このPBIワニスを裸電線11の外
表面に塗布した後に、これを焼付ける。この焼付け処理
においては、一般にワニス塗布、焼付け、ワニス塗布の
繰り返しで行われ、具体的には、図3に示すように、焼
付け炉1、塗装部2、連続焼鈍炉3およびボビン4から
構成される装置が用いられる。この装置では、ボビン4
に巻き取られた電気導体や被覆電線等からなる線材5が
引き出され、まず連続焼鈍炉3により焼きなまし処理さ
れてから、塗装部2でワニスが塗布されるとともに、そ
のワニスが焼付け炉1によって焼き付けられる。さら
に、ワニスが焼き付けられた線材5が塗装部2および焼
付け炉1を繰り返し通って、上記したようにワニス塗
布、焼付けが繰り返し行われて、PBI被膜が形成され
た電線が搬出部6から取り出される。
【0016】また、裸電線11として0.6mm以下の
細線が使用される場合には、その塗装炉として横形炉が
使用され、それ以上の太い線には竪形炉を使用するのが
一般的であり、本発明のPBIの焼付け・被覆の場合に
も同様な考え方で横形炉や竪形炉を使用目的に合わせて
用いるようにすればよい。また、焼き付ける塗料の種
類、焼付け炉のタイプによって、塗布する回数、焼付け
温度、塗装速度などを適宜変更するようにすればよい。
【0017】なお、塗布回数は1回から数100回まで
適宜選択できるが、望ましくは2回から20回が適当で
あり、焼付け温度は室温から1000℃まで適宜選択で
きるが、望ましくは500℃から800℃が適当と考え
られる。
【0018】そして、このように外表面がPBI被膜1
2によって覆われた電線を、さらにセラミックスによっ
て被覆し、前記セラミック被膜13を形成する。なお、
ここで使用されるセラミックスは、前記化2なる式で構
成される耐火性物質からなるものであり、一般的な工業
用耐火物としては、MがA1、Ca、Cr、Mg、S
i、Zr等であり、これらの単一または複合酸化物より
構成される。具体的には、k=1、l=1の場合、即
ち、MOなる塩基性耐火物としては、マグネシア、ドロ
マイト、カルシア、酸化亜鉛等が、k=1、l=2の場
合、即ち、MO2なる酸性耐火物としては、SiO2、酸
化ジルコニウム、酸化チタン、酸化スズ等が、k=2、
l=3の場合、即ち、M23なる中性耐火物としては、
Al23やCr23を主成分とするものが代表的で、ア
ルミナ・クロミア・スピネル耐火物などがそれぞれ挙げ
られる。なお、本発明において使用するセラミックス
は、これらの複合酸化物でもよく、天然物であるマイカ
ー等も含まれる。実際に行う場合には、それらの酸化物
は金属と一体化しており、その金属の表面のみが酸化さ
れている場合が多いと考えられるが、耐火物としての作
用には支障がないものと推定される。
【0019】上述のごとく化2なる式で構成されるセラ
ミックスのパウダーペーストワニスは、用いたシリコン
バインダーがメチル基などの有機基を多量に含んだもの
でPBI層との密着性が改善されたものであり、かつセ
ラミックパウダーのセラミック粒子が鱗片状に改良され
たものである。PBI被覆との密着性は改善(自己径O
K)されていたが、やはりそのままでは破壊電圧が1.
5kV(PBI被覆のみで5.0kV前後)以上あがら
ないということであったが、測定時に端末メタライズ部
分を溶剤で剥がして測定した結果は3.4〜4.6kV
で大幅に改良された。チクソ剤をワニスに添加して部分
的に偏心が多かったことから、非ニュートン性を増や
し、ワニスの配向性を増すなどの工夫がされているもの
である。ワニスを薄める溶剤としては、キシレン、トル
エンなどが必要に応じて用いられる。
【0020】シリコーンバインダーはシロキサン結合
(Si−O−Si)をポリマー骨格とし、ケイ酸原子に
有機基が結合したオルガノポリシロキサンをベースポリ
マーとするものであり、これに高融点のMklで表され
るセラミックスを分散して成るものである。これを焼き
付けることにより可とう性に富んだ焼成電線が得られ
る。
【0021】この焼成電線をコイル巻き加工等の加工を
施した後、400℃以上に晒す事により、シリコンレジ
ンとセラミックスが完全に焼結され、焼結セラミック化
されることによって大きな耐熱性やヒートサイクル性、
対摩耗性を示すものである。
【0022】しかし、金属導体にこれらのシリコーンバ
インダーを用いたセラミック系のワニスは導体上に良く
のらず、いままでの技術はシリコーンバインダーと分散
セラミックスのコンパンドを押し出すことのみによって
可能となっていた。
【0023】前記分散セラミックスは顔料としての要素
を持ち、シリコーン系塗料用着色顔料は黒色系で700
℃以上で焼成するCr23、NiO、MnO2、Fe3
4などの混合物や白色系の酸化チタン(TiO2)、亜鉛
華(ZnO)、赤色系では焼成条件により、色が異なる
ベンガラ(Fe23)などがある。また、黄色系の耐
酸、耐アルカリに良好なチタンイエロー(TiO・Ni
O・Sb23)があり、緑色系では耐熱・耐酸、耐アル
カリに良好な酸化クロム(Cr23)や耐熱性に良好な
コバルトグリーン(CoO・ZnO)がある。青色系で
は500℃まで耐えれるコバルトブルー(CoO・nA
23)、銀色系ではアルミナ(Al23)などが代表
である。
【0024】また、前記セラミックスの被覆法として
は、PVD法あるいはCVD法又は押し出し法などが考
えられるが、最も容易なのはコーティング焼付法と考え
られる。なお、セラミック塗料の電線導体や電線被覆上
への焼付けは、一般にエナメル塗料と同様に塗料塗布→
焼付け→塗布の繰り返しで行うが、本発明でも同様これ
らの繰り返しで行われる。
【0025】化2なる式で構成されるセラミック塗料
は、シリコンバインダー中にセラミック粒子を分散・懸
濁しておりシリコンバインダーがメチル基などの有機基
を多量に含んだものは導体との密着性が良好である。
【0026】セラミック塗料の焼き付けにおいても一般
と同様にその塗装炉については、0.6mm以下の細線
の場合は横形炉が使用され、それ以上の太い線の場合は
竪形炉を使用するのが一般的であるが、本発明のPBI
の焼付け・被覆の場合にも同様な考え方で横形炉や竪形
炉を使用目的にあわせて用いることができる。
【0027】また、焼き付けるセラミック塗料の種類、
焼付け炉のタイプによって、塗布する回数、焼付け温
度、塗布速度などが異なるのもPBIの焼付けの場合と
同様であり、本発明の場合一般的には塗布する回数は1
回から数百回まで適宜選択できるが、望ましくは2回か
ら20回が適当と考えられる。
【0028】また、焼付け温度は室温から1000℃ま
で適宜選択できるが、望ましくは350℃から800℃
が適当と考えられ、塗装速度(線速)も0.1m/分か
ら1000m/分まで適宜選択できるが、望ましくは2
m/分から200m/分が適当と考えられる。
【0029】また、ワニスの溶媒は本発明の場合、シン
ナーに用いられるトルエン、キシレン、ヘキサン等の非
極性溶媒やジメチルスルフォオキサイド(DMSO)等
の水素結合遮断溶媒が適宜使用される。この場合のワニ
ス濃度は、1%から80%まで適宜選択できるが、望ま
しくは5%から40%が適当と考えられる。また、電線
の外観を良好にするためにセラミック塗料にチクソ剤な
どを加えることもある。
【0030】一方、セラミックスの押し出し被覆の場
合、その押し出し条件はそれぞれのセラミック材料によ
って異なるが、アルミ系素地で行う場合は、例えば、ア
ルミナ微粉と、融剤(一例として、滑石32.6%、カ
オリン43.4%、長石24.0%)とで素地を形成
し、その素地に対してアスファルト、合成ラック、ステ
アリン酸、パイン油、ナフサ、パイン・タール、グリセ
リン、ベークライトのような熱硬化型レジンを含有する
結合剤を用いる。
【0031】具体的方法としては、まず、レジン、ラッ
ク、アルミナ粉末を秤量して10分間混合し、これに前
記融剤を加えて5分間程度混合する。次に、ステアリン
酸、パイン油、ナフサ、およびグリセリンを加えて20
分間程度混合し、秤量した調合物を118〜123℃に
加熱したシリンダに満たして水冷して40℃で保った型
の中に910〜1260kg/cm2の圧力で射出す
る。最後に、鋳込んだ部分を3秒間加圧してから脱型、
高速グラインダーでバリの部分を削り取り、65℃から
始め、5日間で320℃まであげて乾燥する。
【0032】なお、レジンとしては熱可塑性のポリビニ
ールブチラールやポリプロピレンなどが一般的に用いら
れる。また、溶剤にはメチルエチルケトン、エチルアル
コール、n−ブチルアルコールなどが用いられ、可塑剤
にはフタル酸ジn−ブチルなどが用いられ、分散剤とし
ては動物性油を用いる。これらの使用量は目的とする原
料粉末の種類や粒度などによって変わってくるが、調合
割合の一例としては、素地100に対して結合剤として
のレジン5〜15%、溶剤40〜60%、可塑剤約10
%、動作性油約1%で、粉末とこれらを混合して泥漿と
し、射出成形温度130〜160℃、圧力200〜60
0kg/cm2、型の温度を40〜60℃とするのが適
当である。
【0033】また、押し出し速度(線速)は、1m/分
から1000m/分まで適宜選択できるが、望ましくは
10m/分から200m/分が適当と考えられ、押し出
し温度も常温から350℃まで適宜選択できると考えら
れる。
【0034】以下、この発明に基づく実験例を示す。 (実験例1)外径0.5mmのニッケルクロム線を用
い、PBI30部と溶媒DMA70部になるように調整
されたワニス中に浸漬する方法でニッケルクロム線に塗
布し、線速20m/分・350℃で焼き付ける。これ
を、8回繰返してPBI被覆ニッケルクロム線を得る。
これに、さらにオルガノポリシロキサンをベースポリマ
ーとしたアルミナ含量20%でトルエン分15%、キシ
レン分15%のアルミナ・ワニス中に浸漬する方法で前
記PBIニッケルクロム線表面に塗布し、線速10m/
分・350℃で焼き付ける。これを、4回繰返してアル
ミナ−オルガノポリシロキサン/PBI被覆ニッケルク
ロム線を得る。
【0035】(実験例2)外径0.5mmのニッケルク
ロム線を用い、PBI30部と溶媒DMA70部になる
ように調整されたワニス中に浸漬する方法でニッケルク
ロム線に塗布し、線速20m/分・350℃で焼き付け
る。これを、8回繰返してPBI被覆ニッケルクロム線
を得る。次に、アルミナ微粉85.4%と、融剤(滑石
32.6%、カオリン43.4%、長石24.0%)1
4.6%とで素地を形成し、その素地に対してアスファ
ルト、合成ラック、ステアリン酸、パイン油、ナフサ、
パイン、タール、グリセリン、ベークライトのような熱
硬化型レジンを含有する結合剤を加え、これを、押し出
し速度(線速)10m/分、200℃で前記PBI被覆
ニッケルクロム線に押出被覆し、助剤を蒸発除去した後
400℃以上で焼成、冷却してアルミナ/PBI被覆ニ
ッケルクロム線を得る。
【0036】(実験例3)外径0.5mmの銅線を用
い、PBI30部と溶媒DMA70部にAIBNが0.
1%になるように調整されたワニス中に浸漬する方法で
銅線表面に塗布し、線速50m/分・600℃で焼き付
ける。これを、8回繰返してPBI被覆銅線を得る。こ
れを、アルミナ・ワニス中に浸漬する方法でPBI無酸
素銅線表面に塗布し、線速10m/分・400℃で焼き
付ける。これを、3回繰返してアルミナ−オルガノポリ
シロキサン/PBI被覆銅線を得る。
【0037】ここで使用するアルミナワニスは、一部金
属アルミニウムが混在するが、アルミナをシリコーンバ
インダーに分散したものである。詳細には、シロキサン
結合(Si−O−Si)をポリマー骨格とし、ケイ酸原
子に有機基が結合したオルガノポリシロキサンをベース
ポリマーとして、このベースポリマーに高融点のMkl
で表されるセラミックスを分散して成るものである。な
お、ここでは、アルミナ含量20%でトルエン分15
%、キシレン分15%のものを使用した。
【0038】(実験例4)外径0.5mmのニッケルメ
ッキ銅線を用い、PBI30部と溶媒DMA70部にA
IBNが0.1%になるように調整されたワニス中に浸
漬する方法でニッケルメッキ銅線表面に塗布し、線速5
0m/分・600℃で焼き付ける。これを、8回繰返し
てPBI被覆ニッケルメッキ銅線を得る。次に、アルミ
ナ微粉85.4%と、融剤(滑石32.6%、カオリン
43.4%、長石24.0%)14.6%とで素地を形
成し、この素地に対してアスファルト、合成ラック、ス
テアリン酸、パイン油、ナフサ、パイン、タール、グリ
セリン、ベークライトのような熱硬化型レジンを含有す
る結合剤を加え、これを、押し出し速度(線速)10m
/分、200℃で前記PBI被覆ニッケルメッキ銅線に
押出被覆し、助剤を蒸発除去した後400℃以上で焼
成、冷却してアルミナ/PBI被覆ニッケルメッキ銅線
を得る。
【0039】(実験例5)外径0.5mmのニッケルメ
ッキ銅線を用い、PBI30部と溶媒DMA60部・D
MSO10部にAIBNが0.1%になるように調整さ
れたワニス中に浸漬する方法でニッケルメッキ銅線表面
に塗布し、線速20m/分・600℃で焼き付ける。こ
れを、8回繰返してPBI被覆ニッケルメッキ銅線を得
る。次に、アルミナ微粉85.4%と、融剤(滑石3
2.6%、カオリン43.4%、長石24.0%)1
4.6%で素地を形成し、この素地に対してアスファル
ト、合成ラック、ステアリン酸、パイン油、ナフサ、パ
イン、タール、グリセリン、ベークライトのような熱硬
化型レジンを含有する結合剤を加え、これを、押し出し
速度(線速)20m/分、300℃で前記PBI被覆ニ
ッケルメッキ銅線に押出被覆し、助剤を蒸発除去した後
400℃以上で焼成、冷却してアルミナ/PBI被覆ニ
ッケルメッキ銅線を得る。
【0040】(実験例6)外径0.36mmの無酸素銅
線を用い、PBI20部と溶媒DMA80部からなるワ
ニス中に浸漬する方法で無酸素銅線表面に塗布し、線速
10m/分・500℃で焼き付ける。これを、10回繰
返してPBI被覆無酸素銅線を得る。これをアルミナ・
ワニス中に浸漬する方法でPBI無酸素銅線表面に塗布
し、線速10m/分・400℃で焼き付ける。これを、
3回繰返してアルミナ−オルガノポリシロキサン/PB
I被覆無酸素銅線を得る。
【0041】ここで使用するアルミナワニスは、一部金
属アルミニウムが混在するがアルミナをシリコーンバイ
ンダーに分散したものである。詳細には、シロキサン結
合(Si−O−Si)をポリマー骨格とし、ケイ酸原子
に有機基が結合したオルガノポリシロキサンをベースポ
リマーとして、このベースポリマーに高融点のMk
で現されるセラミックスを分散して成るものである。な
お、ここでは、アルミナ含量20%でトルエン分15
%、キシレン分15%のものを使用した。
【0042】(実験例7)外径1.5mmのニッケルメ
ッキ銅線を用い、PBI55部と溶媒DMA45部から
なるワニス中に浸漬する方法でニッケルメッキ銅線表面
に塗布し、線速60m/分で700℃の条件で焼き付け
る。これを、20回繰返してPBI被覆電線を得る。そ
して、オルガノポリシロキサンをベースポリマーとした
酸化スズ含量20%でトルエン分20%、キシレン分2
0%の酸化スズワニス中に浸漬する方法で前記PBIニ
ッケルメッキ銅線表面に塗布し、線速15m/分・45
0℃で焼き付ける。これを、4回繰返して酸化スズ−オ
ルガノポリシロキサン/PBI被覆ニッケルメッキ銅線
を得る。
【0043】(実験例8)外径2.5mmのニッケルメ
ッキ銅線を用い、PBI65部と溶媒DMA35部から
なるワニス中に浸漬する方法でニッケルメッキ銅線表面
に塗布し、線速30m/分で600℃の条件で焼き付け
る。これを、15回繰返してPBI被覆ニッケル・メッ
キ銅線を得る。そして、オルガノポリシロキサンをベー
スポリマーとしたアルミナ含量20%でトルエン分15
%、キシレン分15%のアルミナ・ワニス中に浸漬する
方法で前記PBIニッケルメッキ銅線表面に塗布し、線
速10m/分・350℃で焼き付ける。これを、3回繰
返してアルミナ−オルガノポリシロキサン/PBI被覆
ニッケルメッキ銅電線を得る。
【0044】(実験例9)外径1.5mmのニッケル銅
合金線を用い、PBI55部と溶媒DMA45部からな
るワニス中に浸漬する方法でニッケル銅合金線表面に塗
布し、線速30m/分で500℃の条件で焼き付ける。
これを、20回繰返してPBI被覆ニッケル銅合金線を
得る。そして、オルガノポリシロキサンをベースポリマ
ーとした酸化銀含量18%でトルエン分15%、キシレ
ン分10%の酸化銀中に浸漬する方法で前記PBIニッ
ケルメッキ銅合金線表面に塗布し、線速17m/分・4
50℃で焼き付ける。これを、4回繰返して酸化銀−オ
ルガノポリシロキサン/PBI被覆ニッケル銅合金線が
出来る。
【0045】(実験例10)外径0.36mmの無酸素
導線を用い、これにエチレン−テトラフルオロエチレン
共重合体(ETFE)を、押出速度(線速)15m/
分、押出温度330℃で押出して、ETFE被覆無酸素
導線を得る。そして、PBI20部と溶媒DMA80部
からなるワニス中に浸漬する方法で、ETFE被覆表面
に塗布し、線速10m/分で500℃の条件で焼き付け
る。これを、10回繰返してPBI/ETFE被覆無酸
素導線を得る。これを、アルミナ・ワニス中に浸漬する
方法でPBI/ETFE被覆無酸素銅線表面に塗布し、
線速10m/分・400℃で焼き付ける。これを、3回
繰返してアルミナ−オルガノポリシロキサン/PBI/
ETFE被覆銅線を得る。
【0046】ここで使用するアルミナワニスは、一部金
属アルミニウムが混在するが、アルミナをシリコーンバ
インダーに分散したものである。詳細には、シロキサン
結合(Si−O−Si)をポリマー骨格とし、ケイ酸原
子に有機基が結合したオルガノポリシロキサンをベース
ポリマーとして、このベースポリマーに高融点のM
lで表されるセラミックスを分散して成るものである。
なお、ここでは、アルミナ含量20%で トルエン分1
5%、キシレン分15%のものを使用した。
【0047】なお、このアルミナ−オルガノポリシロキ
サン/PBI/ETFE被覆銅線は、常用350℃以上
の超耐熱性を有し、かつ優秀な耐熱絶縁破壊性を有する
ものである。
【0048】上記各実験例の評価サンプルについての一
般特性を下表に示す。
【0049】
【表1】
【0050】
【表2】
【0051】
【表3】
【0052】
【表4】
【0053】以上の表1ないし表4から分かるように、
上記各実験例は、いずれも超耐熱性を有し、かつ優秀な
耐絶縁破壊性を有するものであることが分かる。
【0054】また、実験例1で示したアルミナ−オルガ
ノポリシロキサン/PBI被覆ニッケルクロム線につい
ては、アルミナ−オルガノポリシロキサンを被覆してい
ない通常のPBI被覆ニッケルクロム線と共に空気中に
おける300℃/24時間の老化試験を行った。
【0055】試験結果は、表5に示すように、通常のP
BI被覆ニッケルクロム線は、その絶縁破壊(KV)初
期2.1が1.9に低下していた。しかし、実験例1の
アルミナ−オルガノポリシロキサン/PBI被覆ニッケ
ルクロム線は、アルミナ−オルガノポリシロキサン層は
劣化していたもののアルミナ−オルガノポリシロキサン
層をはがしたPBI層の絶縁破壊(KV)は、初期2.
2がそのまま維持され、劣化していないことが確認され
た。なお、実験例2ないし実験例10についても、同様
の結果が得られた。
【0056】
【表5】
【0057】なお、上記実施の形態では、裸電線11に
PBI被膜12を形成し、さらにその上にセラミックス
を被覆することによってセラミック被膜13を形成した
ものであるが、例えば、図2に示すように、芯線22が
絶縁被覆層23によって覆われた絶縁被覆電線21にP
BI被膜24を形成し、これをさらにセラミックスによ
って形成されたセラミック被膜25によって被覆するも
のであってもよい。
【0058】また、前記実施の形態では、上記PBI被
膜12及びセラミック被膜13を裸電線又は絶縁被覆電
線に形成した耐熱電線を示しているが、このような電線
に限らず、PBI被膜の上にセラミック被膜を形成した
一般の耐熱絶縁材として、使用することもできる。
【0059】
【発明の効果】以上のように、この発明の耐熱電線及び
耐熱絶縁材は、PBIの重合体によって形成される被膜
がセラミック被膜によって覆われているので、かかる耐
熱電線及び耐熱絶縁材を劣悪な環境で使用した場合で
も、PBI被膜が直接空気に接触することがなく、PB
Iが本来有している耐熱特性等の優れた諸特性がそのま
ま維持される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる一実施形態を示す断面図であ
る。
【図2】他の実施形態を示す断面図である。
【図3】同上の製造装置を示す概略図である。
【符号の説明】 10、20 耐熱電線 11 裸電線 12、24 PBI被膜 13、25 セラミック被膜 21 絶縁被覆電線

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 裸電線又は絶縁被覆電線の外表面をポリ
    ベンゾイミダゾールの重合体によって形成される被膜に
    よって覆い、この被膜をさらにセラミック被膜によって
    覆った耐熱電線。
  2. 【請求項2】 ポリベンゾイミダゾールの重合体によっ
    て形成される被膜をセラミック被膜によって覆った耐熱
    絶縁材。
  3. 【請求項3】 前記ポリベンゾイミダゾールの重合体に
    よって形成される被膜が、 【化1】 で示され、 前記セラミック被膜が、 【化2】 で示される請求項1記載の耐熱電線。
  4. 【請求項4】 前記ポリベンゾイミダゾールの重合体に
    よって形成される被膜が、前記化1で示され、 前記セラミック被膜が、前記化2で示される請求項2記
    載の耐熱絶縁材。
  5. 【請求項5】 前記被膜は、ポリベンゾイミダゾールの
    塩基性溶媒ワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に塗布し、
    これを焼成することによって形成される請求項1記載の
    耐熱電線。
  6. 【請求項6】 前記被膜は、ポリベンゾイミダゾールの
    塩基性溶媒ワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に塗布し、
    これを焼成することによって形成され、この被膜が、シ
    リコン系バインダーによるセラミック被膜によって被覆
    されている請求項1記載の耐熱電線。
  7. 【請求項7】 前記被膜は、重合度の低いポリベンゾイ
    ミダゾールを塩基性溶媒に溶かしたポリベンゾイミダゾ
    ールワニスにラジカル重合開始剤を添加したものを裸電
    線又は絶縁被覆電線に塗布し、これを焼成することによ
    って形成される請求項1記載の耐熱電線。
  8. 【請求項8】 前記被膜は、重合度の低いポリベンゾイ
    ミダゾールを塩基性溶媒に溶かしたポリベンゾイミダゾ
    ールワニスにラジカル重合開始剤を添加したものを焼成
    することによって形成される請求項2記載の耐熱絶縁
    材。
  9. 【請求項9】 請求項1記載の耐熱電線を航空機用電線
    として使用する方法。
  10. 【請求項10】 請求項1記載の耐熱電線を高電圧電線
    として使用する方法。
  11. 【請求項11】 請求項1記載の耐熱電線を通信電線と
    して使用する方法。
  12. 【請求項12】 請求項1記載の耐熱電線を電気ヒータ
    電線として使用する方法。
  13. 【請求項13】 ポリベンゾイミダゾールの塩基性溶媒
    ワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に塗布した後、 これを焼成することによって、ポリベンゾイミダゾール
    の被膜を形成し、 このポリベンゾイミダゾール被膜表面をセラミック被膜
    によって覆うようにした耐熱電線の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記セラミック被膜を形成する際、シ
    リコン系バインダーを用いた請求項13記載の耐熱電線
    の製造方法。
  15. 【請求項15】 重合度の低いポリベンゾイミダゾール
    の重合体を塩基性溶媒に溶かしたポリベンゾイミダゾー
    ルワニスにラジカル重合開始剤を添加し、 ラジカル重合開始剤を含んだ前記ポリベンゾイミダゾー
    ルワニスを裸電線又は絶縁被覆電線に塗布した後、 前記裸電線又は絶縁被覆電線に塗布されたポリベンゾイ
    ミダゾールワニスを焼成することによって、前記裸電線
    又は絶縁被覆電線に熱架橋されたポリベンゾイミダゾー
    ルの重合体の被膜を形成し、 このポリベンゾイミダゾール被膜表面をセラミック被膜
    によって覆うようにした耐熱電線の製造方法。
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