JPH09138390A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH09138390A JPH09138390A JP24193696A JP24193696A JPH09138390A JP H09138390 A JPH09138390 A JP H09138390A JP 24193696 A JP24193696 A JP 24193696A JP 24193696 A JP24193696 A JP 24193696A JP H09138390 A JPH09138390 A JP H09138390A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細、高輝度、コンパクト、低コスト、高
コントラスト等全体的性能を高い次元で満足する液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】 画素電極５２の下方に導電層５３を配
し、該導電層５３に印加する電圧に応じて複数の画素電
極５２の間の領域の一部もしくは、前記画素電極を配し
た画像表示領域の外周領域の一部の高分子散乱型液晶の
状態を常に散乱モードとする。
コントラスト等全体的性能を高い次元で満足する液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】 画素電極５２の下方に導電層５３を配
し、該導電層５３に印加する電圧に応じて複数の画素電
極５２の間の領域の一部もしくは、前記画素電極を配し
た画像表示領域の外周領域の一部の高分子散乱型液晶の
状態を常に散乱モードとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像・文字等を表
示する装置、なかでも液晶を用いた表示装置に関する。
示する装置、なかでも液晶を用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディア時代の到来により、近
年、増々画像・音声といった人間の感性により情報交換
を行うマンマシンインターフェースが重要になってい
る。こうしたなか、液晶表示装置は、薄型コンパクト、
省エネ等の理由からマルチメディア時代のディスプレイ
として、現在、さかんに研究開発がなされている。
年、増々画像・音声といった人間の感性により情報交換
を行うマンマシンインターフェースが重要になってい
る。こうしたなか、液晶表示装置は、薄型コンパクト、
省エネ等の理由からマルチメディア時代のディスプレイ
として、現在、さかんに研究開発がなされている。
【０００３】液晶表示装置に主に用いられている液晶材
料には、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、Ｓ
ＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）等があるが、これらを用いた液
晶表示装置は、偏光特性を変調して光量変化を生じさせ
るものである。したがって、透過型でも反射型でも照明
光、液晶表示装置、そして観測者に至る光路において、
光は２回偏光板を通過する必要がある。この２回の通過
により、原理的には、５０％、現状コントラスト特性の
高い偏光板を使用すると、３０〜４０％に光量は低下す
る。さらに、液晶表示装置の開口率等を考慮すると照明
光から観測者へ至る実効的光利用効率は数％と極めて低
いものとなってしまう。
料には、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、Ｓ
ＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）等があるが、これらを用いた液
晶表示装置は、偏光特性を変調して光量変化を生じさせ
るものである。したがって、透過型でも反射型でも照明
光、液晶表示装置、そして観測者に至る光路において、
光は２回偏光板を通過する必要がある。この２回の通過
により、原理的には、５０％、現状コントラスト特性の
高い偏光板を使用すると、３０〜４０％に光量は低下す
る。さらに、液晶表示装置の開口率等を考慮すると照明
光から観測者へ至る実効的光利用効率は数％と極めて低
いものとなってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうしたなか、偏光板
を用いないプロジェクタ用反射型液晶素子として、ＮＣ
ＡＰ（Ｎｅｍａｔｉｃ Ｃｕｒｕｉｌｉｎｅａｒ Ａｌ
ｉｇｎｅｄ Ｐｈａｓｅ）をＭＯＳチップで駆動するも
のがＴ．Ｎａｇａｔａ ｅｔ．ａｌ；Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅｐｏｒｔ ＩＥＩＣＥ〔Ｔｈｅ Ｉｎｓｔｉｔ
ｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｆｏｒｍ
ａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｓ ｉｎ Ｊａｐａｎ ＥＩＤ９４−７
７，９４−１０１（１９９４）〕に開示されている。当
該文献には光リークの原因となる画素電極の間に入射す
る光を遮蔽する遮光層をアクティブマトリクス基板に配
し、ライトバルブを構成した例が示されている。しかし
ながらこのように遮光層を設けただけでは、十分満足の
ゆくところまで光リークが押えられないのが実状であ
る。また、画像表示部の外周部に、周辺駆動回路を設け
たとき、周辺駆動回路部への光リークも問題になる。
を用いないプロジェクタ用反射型液晶素子として、ＮＣ
ＡＰ（Ｎｅｍａｔｉｃ Ｃｕｒｕｉｌｉｎｅａｒ Ａｌ
ｉｇｎｅｄ Ｐｈａｓｅ）をＭＯＳチップで駆動するも
のがＴ．Ｎａｇａｔａ ｅｔ．ａｌ；Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅｐｏｒｔ ＩＥＩＣＥ〔Ｔｈｅ Ｉｎｓｔｉｔ
ｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｆｏｒｍ
ａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｓ ｉｎ Ｊａｐａｎ ＥＩＤ９４−７
７，９４−１０１（１９９４）〕に開示されている。当
該文献には光リークの原因となる画素電極の間に入射す
る光を遮蔽する遮光層をアクティブマトリクス基板に配
し、ライトバルブを構成した例が示されている。しかし
ながらこのように遮光層を設けただけでは、十分満足の
ゆくところまで光リークが押えられないのが実状であ
る。また、画像表示部の外周部に、周辺駆動回路を設け
たとき、周辺駆動回路部への光リークも問題になる。
【０００５】本発明の目的は、上述した課題を解決した
液晶表示装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、高精細、高輝度、コンパクト、低コスト、高コント
ラスト等全体的性能を高い次元で満足する液晶表示装置
を提供することにある。
液晶表示装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、高精細、高輝度、コンパクト、低コスト、高コント
ラスト等全体的性能を高い次元で満足する液晶表示装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するための鋭意検討を行なってなされたものであ
り、下述する構成のものである。即ち、本発明の液晶表
示装置は、複数の走査線と複数の信号線の交差部に対応
して複数の画素電極を配したマトリクス基板と、前記画
素電極に対向する位置に透明電極を配した対向基板と、
の間に高分子分散型液晶を挟持してなる液晶表示装置に
おいて、前記画素電極の下方に導電層を配し、該導電層
に印加する電圧に応じて少なくとも前記複数の画素電極
の間の一部もしくは、前記画素電極を配した画像表示領
域の外周領域の領域の前記高分子散乱型液晶の状態を散
乱モードとするようにしたことを特徴とするものであ
る。
を解決するための鋭意検討を行なってなされたものであ
り、下述する構成のものである。即ち、本発明の液晶表
示装置は、複数の走査線と複数の信号線の交差部に対応
して複数の画素電極を配したマトリクス基板と、前記画
素電極に対向する位置に透明電極を配した対向基板と、
の間に高分子分散型液晶を挟持してなる液晶表示装置に
おいて、前記画素電極の下方に導電層を配し、該導電層
に印加する電圧に応じて少なくとも前記複数の画素電極
の間の一部もしくは、前記画素電極を配した画像表示領
域の外周領域の領域の前記高分子散乱型液晶の状態を散
乱モードとするようにしたことを特徴とするものであ
る。
【０００７】本発明では、前記導電層が遮光層として機
能するといい。また、前記画素電極にはスイッチング機
能を有するアクティブ素子が接続されているといい。
能するといい。また、前記画素電極にはスイッチング機
能を有するアクティブ素子が接続されているといい。
【０００８】ここで、前記アクティブ素子が薄膜トラン
ジスタでってもいい。また、前記薄膜トランジスタが、
単結晶半導体層を用いて構成されているといい。
ジスタでってもいい。また、前記薄膜トランジスタが、
単結晶半導体層を用いて構成されているといい。
【０００９】また、前記アクティブ素子が単結晶ＭＯＳ
トランジスタからなってもいい。このとき、単結晶ＭＯ
Ｓトランジスタがｎチャンネルとｐチャンネルの２種類
の単結晶ＭＯＳトランジスタからなるといい。また、前
記ｎチャンネルとｐチャンネルの２種類の単結晶ＭＯＳ
トランジスタは、トランスミッションゲートを構成する
といい。また、前記単結晶ＭＯＳトランジスタは、半導
体基板上に形成されるといい。
トランジスタからなってもいい。このとき、単結晶ＭＯ
Ｓトランジスタがｎチャンネルとｐチャンネルの２種類
の単結晶ＭＯＳトランジスタからなるといい。また、前
記ｎチャンネルとｐチャンネルの２種類の単結晶ＭＯＳ
トランジスタは、トランスミッションゲートを構成する
といい。また、前記単結晶ＭＯＳトランジスタは、半導
体基板上に形成されるといい。
【００１０】また、前記導電層は、前記マトリクス基板
に設けられた周辺駆動回路の上方にも設けられていると
いい。
に設けられた周辺駆動回路の上方にも設けられていると
いい。
【００１１】また、前記対向基板に設けられた透明電極
が分割され、各々に異なる電圧を印加する手段が接続さ
れているといい。このとき、また、前記分割された透明
電極は、前記画素電極に対向する位置に設けられている
といい。また、前記透明電極を前記画素電極の間に印加
する電界は、となり合う行どうしで反転しているとい
い。また、前記透明電極と前記画素電極の間に印加する
電界は、時間ごとに反転しているといい。また、少なく
とも前記透明電極間もしくはその周辺部には、別の電極
があり、前記別の電極の直下の液晶は常に散乱モードに
なるように設定されている。
が分割され、各々に異なる電圧を印加する手段が接続さ
れているといい。このとき、また、前記分割された透明
電極は、前記画素電極に対向する位置に設けられている
といい。また、前記透明電極を前記画素電極の間に印加
する電界は、となり合う行どうしで反転しているとい
い。また、前記透明電極と前記画素電極の間に印加する
電界は、時間ごとに反転しているといい。また、少なく
とも前記透明電極間もしくはその周辺部には、別の電極
があり、前記別の電極の直下の液晶は常に散乱モードに
なるように設定されている。
【００１２】本発明の液晶表示装置においては、導電層
に電圧を印加することで複数の画素電極の間の領域の高
分子散乱モードとすることで、アクティブ素子への光入
射が最小に抑えられ、光リークは実質的にないか若しく
は極めて小さいレベルに抑えられる。これにより本発明
の液晶表示装置は、高精細、高輝度、高コントラストを
実現し得る優れたものとなる。
に電圧を印加することで複数の画素電極の間の領域の高
分子散乱モードとすることで、アクティブ素子への光入
射が最小に抑えられ、光リークは実質的にないか若しく
は極めて小さいレベルに抑えられる。これにより本発明
の液晶表示装置は、高精細、高輝度、高コントラストを
実現し得る優れたものとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の液晶表示装置の１例につ
いて図１（ａ）、図１（ｂ）を参照して説明する。図１
（ａ）は、図１（ｂ）に示される液晶表示装置（パネ
ル）の表示面を、Ｘ1 −Ｘ1 ′で切断した断面図であ
る。
いて図１（ａ）、図１（ｂ）を参照して説明する。図１
（ａ）は、図１（ｂ）に示される液晶表示装置（パネ
ル）の表示面を、Ｘ1 −Ｘ1 ′で切断した断面図であ
る。
【００１４】図１において、１は、画素電極５２をマト
リクス状に配したマトリクス基板である。通常基板１に
は、石英やガラス等の透明基板が用いられる。６２は、
対向基板であり、対向基板６２上には画素電極５２に対
向して透明電極６１が配されている。マトリクス基板１
と、対向基板６２の間には、これらに挟まれて高分子分
散型液晶が配されている。１０１、１０２、１０３、１
０４、１０５及び１０６は、マトリクス基板１上に形成
された薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ」ともいう。）であ
り、これら薄膜トランジスタは、ソース２１、２２、２
３、２４、２５及び２６、ドレイン４１、４２、４３、
４４、４５及び４６、ゲート３１、３２、３３、３４、
３５及び３６により構成されている。薄膜トランジスタ
１０１、１０６は、パネル駆動用の周辺回路を構成する
ものである。薄膜トランジスタ１０２、１０３及び１０
４は、表示用画素に対応した画素スイッチング用の薄膜
トランジスタであり、それぞれは、対向基板６２上のカ
ラーフィルタ６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応している。表示
領域のＴＦＴを構成するゲート３２、３３、３４は、不
図示の走査線に接続され、走査線と、ソースに接続され
た信号線とは、交差し、交差部に対応して画素電極５２
が設けられている。薄膜トランジスタ１０５は、表示領
域の周辺に設けられたもので表示領域の薄膜トランジス
タと同等の構造を有するダミー画素用ＴＦＴである。５
１は、薄膜トランジスタのソース、ドレイン上部に設け
られた金属配線層で表示領域（ダミー領域も含む）のソ
ースには信号線が、ドレインには各々画素電極５２が接
続されている。
リクス状に配したマトリクス基板である。通常基板１に
は、石英やガラス等の透明基板が用いられる。６２は、
対向基板であり、対向基板６２上には画素電極５２に対
向して透明電極６１が配されている。マトリクス基板１
と、対向基板６２の間には、これらに挟まれて高分子分
散型液晶が配されている。１０１、１０２、１０３、１
０４、１０５及び１０６は、マトリクス基板１上に形成
された薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ」ともいう。）であ
り、これら薄膜トランジスタは、ソース２１、２２、２
３、２４、２５及び２６、ドレイン４１、４２、４３、
４４、４５及び４６、ゲート３１、３２、３３、３４、
３５及び３６により構成されている。薄膜トランジスタ
１０１、１０６は、パネル駆動用の周辺回路を構成する
ものである。薄膜トランジスタ１０２、１０３及び１０
４は、表示用画素に対応した画素スイッチング用の薄膜
トランジスタであり、それぞれは、対向基板６２上のカ
ラーフィルタ６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応している。表示
領域のＴＦＴを構成するゲート３２、３３、３４は、不
図示の走査線に接続され、走査線と、ソースに接続され
た信号線とは、交差し、交差部に対応して画素電極５２
が設けられている。薄膜トランジスタ１０５は、表示領
域の周辺に設けられたもので表示領域の薄膜トランジス
タと同等の構造を有するダミー画素用ＴＦＴである。５
１は、薄膜トランジスタのソース、ドレイン上部に設け
られた金属配線層で表示領域（ダミー領域も含む）のソ
ースには信号線が、ドレインには各々画素電極５２が接
続されている。
【００１５】５３は、金属配線層５１の上方且つ、画素
電極５２の下方に配された導電層で遮光層として機能す
るものである。図１（ｂ）より理解されるように、導電
層５３は、実際の表示領域となる各画素の開口部５５及
び金属配線層５１と画素電極５２とを接続するスルーホ
ール部５６を除いて全面おおうように配されている。
電極５２の下方に配された導電層で遮光層として機能す
るものである。図１（ｂ）より理解されるように、導電
層５３は、実際の表示領域となる各画素の開口部５５及
び金属配線層５１と画素電極５２とを接続するスルーホ
ール部５６を除いて全面おおうように配されている。
【００１６】遮光層として機能する導電層５３は、パネ
ル周辺部で上述とは異なるスルーホール５４を介して金
属配線層に接続され、該金属配線層は、導電層５３を所
望の電位にためたパッド５７を介して電源と接続されて
いる。５９は対向基板６２上に配されたブラックマトリ
ックスであり、これには通常Ｃｒ等が用いられる。
ル周辺部で上述とは異なるスルーホール５４を介して金
属配線層に接続され、該金属配線層は、導電層５３を所
望の電位にためたパッド５７を介して電源と接続されて
いる。５９は対向基板６２上に配されたブラックマトリ
ックスであり、これには通常Ｃｒ等が用いられる。
【００１７】ここで、理解しやすいように、高分子分散
型液晶の特性を電圧が印加されていない時、散乱モー
ド、電圧が印加されるにつれ透明モードへ変わるノーマ
リーＯＦＦ型として説明する。通常この種の液晶は、こ
のような特性を有する。
型液晶の特性を電圧が印加されていない時、散乱モー
ド、電圧が印加されるにつれ透明モードへ変わるノーマ
リーＯＦＦ型として説明する。通常この種の液晶は、こ
のような特性を有する。
【００１８】信号線からビデオ信号は選択されたＴＦＴ
のソース・ドレインを介して画素電極に送られる。ＴＦ
ＴのゲートをＯＦＦした後、遮光導電層５３と画素電極
５２とがオーバーラップしている部分で構成される保持
容量により信号電圧が保持される。
のソース・ドレインを介して画素電極に送られる。ＴＦ
ＴのゲートをＯＦＦした後、遮光導電層５３と画素電極
５２とがオーバーラップしている部分で構成される保持
容量により信号電圧が保持される。
【００１９】一方、遮光導電層には、共通透明電極６１
に印加する電圧とほぼ同等の電圧を印加しておく。これ
により、図１（ａ）の６３に示す如く、画素間は、液晶
層が散乱モードとなる。又、ダミー画素の画素電極
（Ｄ）にも、同一の信号を書き込むことによりダミー画
素上、又、周辺回路上の液晶層も散乱モードとなる。
に印加する電圧とほぼ同等の電圧を印加しておく。これ
により、図１（ａ）の６３に示す如く、画素間は、液晶
層が散乱モードとなる。又、ダミー画素の画素電極
（Ｄ）にも、同一の信号を書き込むことによりダミー画
素上、又、周辺回路上の液晶層も散乱モードとなる。
【００２０】これにより照明光で画素電極に垂直に近い
角度で入射した光のうち、ブラックマトリックス及び、
遮光導電層部以外に入射した光６４は画素電極を通過す
る。一方、表示パネルに斜めに入射した光は通常混色を
もたらす。たとえば、Ｇのカラーフィルタを通過した光
が隣接したＲの電極により変調した液晶層等を通過する
ためである。しかしながら、本発明の構造では画素電極
と画素電極とのすき間、ダミー画素部、周辺回路上部の
液晶層は散乱モードとなっており、隣接画素に混入する
斜め光を図１（ａ）の６５に示すように切断できる。こ
れにより、高コントラスト、良好な色再現性をもつ表示
装置が実現できる。又、本発明の構造では、偏光板が不
要なため、高輝度な表示を得られる。
角度で入射した光のうち、ブラックマトリックス及び、
遮光導電層部以外に入射した光６４は画素電極を通過す
る。一方、表示パネルに斜めに入射した光は通常混色を
もたらす。たとえば、Ｇのカラーフィルタを通過した光
が隣接したＲの電極により変調した液晶層等を通過する
ためである。しかしながら、本発明の構造では画素電極
と画素電極とのすき間、ダミー画素部、周辺回路上部の
液晶層は散乱モードとなっており、隣接画素に混入する
斜め光を図１（ａ）の６５に示すように切断できる。こ
れにより、高コントラスト、良好な色再現性をもつ表示
装置が実現できる。又、本発明の構造では、偏光板が不
要なため、高輝度な表示を得られる。
【００２１】さらに、遮光メタル層、ダミー画素部の液
晶層には、電圧が印加されない構造になっており、焼き
つき、不良等も信頼性をそこなう問題も生じないという
利点を有する。本発明の液晶表示装置は、透過型、反射
型のいずれの形態をも採用し得る。
晶層には、電圧が印加されない構造になっており、焼き
つき、不良等も信頼性をそこなう問題も生じないという
利点を有する。本発明の液晶表示装置は、透過型、反射
型のいずれの形態をも採用し得る。
【００２２】
（実施例１）反射型液晶表示装置の例を示す。図２は、
本発明を反射型液晶表示装置に適用した１例を示す模式
図である。図２に示した液晶表示装置においては、半導
体基板７１上にトランジスタ２０２、遮光導電層５３、
画素反射電極８１等が形成されてアクティブマトリクス
基板を構成し、このアクティブマトリクス基板と対向す
る透明共通電極６１を配した対向基板６２とアクティブ
マトリクス基板との間に高分子分散型液晶５８を配して
液晶表示装置が構成されている。７１は、半導体基板で
あり、本例ではｎ型を用いているが、ｐ型基板を採用す
ることもできる。７２は、Ｐウエル、７３は、フィール
ド酸化膜、７４は、Ｐウエル電位を設定するためのｐ+
高濃度層である。７５、７６、７７は半導体層に単結晶
Ｓｉを用いたＭＯＳＦＥＴ２０１のソース、ゲート、ド
レインであり、ＭＯＳＦＥＴ２０１は、表示パネルの周
辺回路を構成している。
本発明を反射型液晶表示装置に適用した１例を示す模式
図である。図２に示した液晶表示装置においては、半導
体基板７１上にトランジスタ２０２、遮光導電層５３、
画素反射電極８１等が形成されてアクティブマトリクス
基板を構成し、このアクティブマトリクス基板と対向す
る透明共通電極６１を配した対向基板６２とアクティブ
マトリクス基板との間に高分子分散型液晶５８を配して
液晶表示装置が構成されている。７１は、半導体基板で
あり、本例ではｎ型を用いているが、ｐ型基板を採用す
ることもできる。７２は、Ｐウエル、７３は、フィール
ド酸化膜、７４は、Ｐウエル電位を設定するためのｐ+
高濃度層である。７５、７６、７７は半導体層に単結晶
Ｓｉを用いたＭＯＳＦＥＴ２０１のソース、ゲート、ド
レインであり、ＭＯＳＦＥＴ２０１は、表示パネルの周
辺回路を構成している。
【００２３】図２にはｎ型ＭＯＳＦＥＴ構成を図示した
が、Ｐ型でも良く、ＭＯＳＦＥＴ以外に、ｎｐｎ、ｐｎ
ｐバイポーラトランジスタを採用することもできる。
が、Ｐ型でも良く、ＭＯＳＦＥＴ以外に、ｎｐｎ、ｐｎ
ｐバイポーラトランジスタを採用することもできる。
【００２４】７８、７９、８０は、画素スイッチ手段を
構成する薄膜トランジスタ２０２のソース、ゲートドレ
インで、ソースは信号線へ、ゲートは、走査線にそれぞ
れ接続されている。
構成する薄膜トランジスタ２０２のソース、ゲートドレ
インで、ソースは信号線へ、ゲートは、走査線にそれぞ
れ接続されている。
【００２５】５１は、ソース、ドレインに接続された金
属配線であり、画素反射電極８１は、金属配線５１を介
してドレイン８０に接続されている。本例では、画素ス
イッチにＴＦＴを用いたが、周辺回路を構成するＭＯＳ
ＦＥＴを用いることもできる。画素反射電極８１には、
平坦性、高反射率を有するものが適している。平坦性を
向上させるため、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を下地絶縁層
反射電極に施すことが望ましい。対向基板６２の表面に
は、図２の８２に示す如く、凹凸をつけ、対向基板表面
からの正反射成分をＣｕｔする工夫がなされている。８
３は、対向基板６２の反射側の表面に形成された反射防
止膜である。図２に示す如く、画素と画素との境界部に
入射した光８４は、境界部では遮光導電層への印加電位
により、液晶層が散乱モードとなっているため８５に示
す如く、散乱する。
属配線であり、画素反射電極８１は、金属配線５１を介
してドレイン８０に接続されている。本例では、画素ス
イッチにＴＦＴを用いたが、周辺回路を構成するＭＯＳ
ＦＥＴを用いることもできる。画素反射電極８１には、
平坦性、高反射率を有するものが適している。平坦性を
向上させるため、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を下地絶縁層
反射電極に施すことが望ましい。対向基板６２の表面に
は、図２の８２に示す如く、凹凸をつけ、対向基板表面
からの正反射成分をＣｕｔする工夫がなされている。８
３は、対向基板６２の反射側の表面に形成された反射防
止膜である。図２に示す如く、画素と画素との境界部に
入射した光８４は、境界部では遮光導電層への印加電位
により、液晶層が散乱モードとなっているため８５に示
す如く、散乱する。
【００２６】一方、画素部に入射した光８６は、所望の
変調をうけ８８に示す如く正反射する。
変調をうけ８８に示す如く正反射する。
【００２７】以上説明したように、画素部に境界部に
は、反射型液晶表示パネルではブラックマトリックスの
ような遮光層はあまり有効でなく、本例のような液晶層
にて光を散乱させる方が有効である。なぜなら、ブラッ
クマトリックスを設けても、ブラックマトリックス表面
からの正反射成分がどうしても存在し、ノイズ光になる
からである。又、ダミー画素部、周辺回路部も同様とな
っていることは、言うまでもない。
は、反射型液晶表示パネルではブラックマトリックスの
ような遮光層はあまり有効でなく、本例のような液晶層
にて光を散乱させる方が有効である。なぜなら、ブラッ
クマトリックスを設けても、ブラックマトリックス表面
からの正反射成分がどうしても存在し、ノイズ光になる
からである。又、ダミー画素部、周辺回路部も同様とな
っていることは、言うまでもない。
【００２８】本例の構成により、高コントラスト、良好
な色再現性が得られ反射電極により、その実効的光利用
効率が上昇し、高輝度化が図れる。さらに、半導体基板
上にトランジスタを形成し、それにより駆動するため、
小ピッチにしかも、高駆動能力の回路を構成できる。し
たがって、小型でかつ高精細対応パネルが実現できた。
な色再現性が得られ反射電極により、その実効的光利用
効率が上昇し、高輝度化が図れる。さらに、半導体基板
上にトランジスタを形成し、それにより駆動するため、
小ピッチにしかも、高駆動能力の回路を構成できる。し
たがって、小型でかつ高精細対応パネルが実現できた。
【００２９】（実施例２）図１及び図２を用いて説明し
た上述の例では、導電性遮光層に一定電圧を印加した
が、本例では、時間的に印加する電圧を変化させる例を
示す。
た上述の例では、導電性遮光層に一定電圧を印加した
が、本例では、時間的に印加する電圧を変化させる例を
示す。
【００３０】フリッカー防止のため、画素信号には通常
１Ｈごと、反転した信号を印加する。したがって、周辺
駆動回路は、液晶層に印加する電圧の約２倍の振幅で駆
動できる回路系が必要となる。
１Ｈごと、反転した信号を印加する。したがって、周辺
駆動回路は、液晶層に印加する電圧の約２倍の振幅で駆
動できる回路系が必要となる。
【００３１】そこで、本例では、対向基板及び導電性遮
光層を１Ｈごとに分割し、画素信号を反転せず、対向基
板と導電性遮光層を反転駆動した。遮光層の電圧が影響
する液晶層の対向基板は遮光層と同電位となっている。
これにより、周辺回路に要求される耐圧は約半分とな
り、より微細構造のものを用いることができる。
光層を１Ｈごとに分割し、画素信号を反転せず、対向基
板と導電性遮光層を反転駆動した。遮光層の電圧が影響
する液晶層の対向基板は遮光層と同電位となっている。
これにより、周辺回路に要求される耐圧は約半分とな
り、より微細構造のものを用いることができる。
【００３２】（実施例３）図３を用いて説明する。図３
については、図２に示した部位と同一の部位には同じ番
号を付したので、同一部位についての説明は、ここでは
省略する。
については、図２に示した部位と同一の部位には同じ番
号を付したので、同一部位についての説明は、ここでは
省略する。
【００３３】本例の液晶表示装置は、実施例２に示した
ものと同様に、対向基板側の電圧を反転駆動し、周辺回
路の駆動電位を約半分にするものである。
ものと同様に、対向基板側の電圧を反転駆動し、周辺回
路の駆動電位を約半分にするものである。
【００３４】図３において、９０は、導電性遮光層５３
と、反転信号を印加する対向基板の透明電極の間に設け
られた透明電極９１に電圧ＶCOM を印加する端子、９２
〜９５は、反転信号を印加するそれぞれの端子で図にお
いては、これらの端子は、それぞれ独立して設けられて
いるが、これらの端子は、半導体基板側に設けられた走
査回路の出力と接続する構成が望ましい。そして、端子
９２〜９５につながった対向基板上の透明電極と画素反
射電極８１との間に印加する電界を時間的に反転させ
る。このとき、となりあう行の画素同志の電界極性を反
転させてもいい。
と、反転信号を印加する対向基板の透明電極の間に設け
られた透明電極９１に電圧ＶCOM を印加する端子、９２
〜９５は、反転信号を印加するそれぞれの端子で図にお
いては、これらの端子は、それぞれ独立して設けられて
いるが、これらの端子は、半導体基板側に設けられた走
査回路の出力と接続する構成が望ましい。そして、端子
９２〜９５につながった対向基板上の透明電極と画素反
射電極８１との間に印加する電界を時間的に反転させ
る。このとき、となりあう行の画素同志の電界極性を反
転させてもいい。
【００３５】図２に示したのと同様に各画素反射電極と
対向する透明電極には反転電圧が、各画素反射電極との
境界および周辺回路上に対向する位置には、ＶCOM が印
加される構成になっている。これにより、画素電極以外
の液晶層は、散乱モードとなり、本発明の効果が得られ
る。又、半導体基板側の導電性遮光層の電位を反転電圧
にする必要もなく構成が容易となっている。
対向する透明電極には反転電圧が、各画素反射電極との
境界および周辺回路上に対向する位置には、ＶCOM が印
加される構成になっている。これにより、画素電極以外
の液晶層は、散乱モードとなり、本発明の効果が得られ
る。又、半導体基板側の導電性遮光層の電位を反転電圧
にする必要もなく構成が容易となっている。
【００３６】実施例２及び３では、反転周期を１Ｈを例
にとり説明したが、この周辺回路の構造は、これに限定
されるものではない。
にとり説明したが、この周辺回路の構造は、これに限定
されるものではない。
【００３７】（実施例４）図４を用いて説明する。図４
に示した表示装置は、図１〜図３に示した液晶表示装置
を用いて構成したものの模式図である。図４において、
１０１は、液晶パネル駆動及び光源コントロール用ボー
ド、１０２は光源電源ユニット、１０３、光源、１０４
は、非球面ミラー、１０５は、色分解用プリズム、１０
６は、本発明の液晶パネル、１０７はマイクロミラー、
１０８はアパーチャー、１０９は、自由曲面プリズム、
光学系、１１０は、スクリーンである。
に示した表示装置は、図１〜図３に示した液晶表示装置
を用いて構成したものの模式図である。図４において、
１０１は、液晶パネル駆動及び光源コントロール用ボー
ド、１０２は光源電源ユニット、１０３、光源、１０４
は、非球面ミラー、１０５は、色分解用プリズム、１０
６は、本発明の液晶パネル、１０７はマイクロミラー、
１０８はアパーチャー、１０９は、自由曲面プリズム、
光学系、１１０は、スクリーンである。
【００３８】光源１０３から出た光束１１１は、非球面
ミラー１０４で集光しマイクロミラー１０７に結像す
る。マイクロミラーからの反射光は色分解プリズム１０
５でＲ、Ｇ、Ｂに分解され、パネル１０６に平行光とな
って入射する。すなわち、レンズ１１８は、テレセント
リック系に配置されている。
ミラー１０４で集光しマイクロミラー１０７に結像す
る。マイクロミラーからの反射光は色分解プリズム１０
５でＲ、Ｇ、Ｂに分解され、パネル１０６に平行光とな
って入射する。すなわち、レンズ１１８は、テレセント
リック系に配置されている。
【００３９】表示用信号に応じて変調された反射光１１
５がレンズ１１８に再び入射すると、暗表示光のみ１０
８のアパーチャーを通りぬけ、自由曲面プリズム１０９
に入射する。この自由曲面プリズム光学系を用いること
により従来より薄型で、収差の少ない像を、スクリーン
１１０に結像できる。
５がレンズ１１８に再び入射すると、暗表示光のみ１０
８のアパーチャーを通りぬけ、自由曲面プリズム１０９
に入射する。この自由曲面プリズム光学系を用いること
により従来より薄型で、収差の少ない像を、スクリーン
１１０に結像できる。
【００４０】これにより、リア型フロント型プロジェク
ション表示装置を高解像度、高輝度、低コスト、小型で
高コントラストできた。
ション表示装置を高解像度、高輝度、低コスト、小型で
高コントラストできた。
【００４１】これらの表示装置は、家庭用ＴＶだけでな
く、コンピュータ用モニター、カーナビ用表示装置、Ｔ
Ｖ会議システム、飛行機等の各種表示パネル３次元映像
ゲーム機器等、さまざまな用途に応用可能である。
く、コンピュータ用モニター、カーナビ用表示装置、Ｔ
Ｖ会議システム、飛行機等の各種表示パネル３次元映像
ゲーム機器等、さまざまな用途に応用可能である。
【００４２】（実施例５）図５及び図６を用いて本発明
の液晶表示装置をメガネ型ディスプレイに応用した例に
ついて説明する。
の液晶表示装置をメガネ型ディスプレイに応用した例に
ついて説明する。
【００４３】まず図６をもとにして、本例で用いた表示
光学系を説明する。４は図１乃至図３を用いて説明した
液晶表示装置で構成される。この表示装置には、光源，
ビームスプリッター，シュリーレン光学系，表示パネル
が含まれるが、ここでは、これれらのユニットを４とし
て示している。３ａは表示手段１からの光を観察者の目
へ導光させるための第１の光学部材、３ｂは第２の光学
部材である。表示手段４からの光はまず第１の光学部材
３ａへ入射し、次に第１の光学部材の目側の全反射面１
にて全反射されハーフミラーで構成される観察者凹面を
向けた凹面ミラー２にて反射され先の全反射面２ａを透
過して目へ導かれるようになっている。
光学系を説明する。４は図１乃至図３を用いて説明した
液晶表示装置で構成される。この表示装置には、光源，
ビームスプリッター，シュリーレン光学系，表示パネル
が含まれるが、ここでは、これれらのユニットを４とし
て示している。３ａは表示手段１からの光を観察者の目
へ導光させるための第１の光学部材、３ｂは第２の光学
部材である。表示手段４からの光はまず第１の光学部材
３ａへ入射し、次に第１の光学部材の目側の全反射面１
にて全反射されハーフミラーで構成される観察者凹面を
向けた凹面ミラー２にて反射され先の全反射面２ａを透
過して目へ導かれるようになっている。
【００４４】この様子を図５に示す。図５（Ａ）は頭
部、（Ｂ）は側頭部からみた光路図を各々示す。
部、（Ｂ）は側頭部からみた光路図を各々示す。
【００４５】このように観察者は表示手段４の映像が外
の風景にスーパーインポーズされて確認することが可能
となる。本例ではスーパーインポーズ装置として示して
いるが単なる映像表示をみるだけの装置としてもよい。
尚この時凹面ミラーは鏡となる。
の風景にスーパーインポーズされて確認することが可能
となる。本例ではスーパーインポーズ装置として示して
いるが単なる映像表示をみるだけの装置としてもよい。
尚この時凹面ミラーは鏡となる。
【００４６】本例では光学系の厚さが１０ｍｍ〜１５ｍ
ｍ程度で極めて薄い小型の表示装置を達成している。
又、視野画角が水平方向で±１６．８°程、垂直方向で
±１１．４°程と広角視野を達成している。
ｍ程度で極めて薄い小型の表示装置を達成している。
又、視野画角が水平方向で±１６．８°程、垂直方向で
±１１．４°程と広角視野を達成している。
【００４７】そしてこのような小型化、そして広角化を
図り、良好に光学性能を図れたことの要因として本例で
は観察者側の面を全反射面そして透過面として利用した
こと、又、凹面ミラー２ｂを目の光軸に対してかなり偏
心させたことがあげられるが、これに加えて全反射面を
曲面、特にアジムス角度により光学的パワーの異なる曲
面としたこと、あるいはこの凹面ミラー２にアジムス角
度により光学的パワーを与えたことの各々の要素が大き
く寄与している。
図り、良好に光学性能を図れたことの要因として本例で
は観察者側の面を全反射面そして透過面として利用した
こと、又、凹面ミラー２ｂを目の光軸に対してかなり偏
心させたことがあげられるが、これに加えて全反射面を
曲面、特にアジムス角度により光学的パワーの異なる曲
面としたこと、あるいはこの凹面ミラー２にアジムス角
度により光学的パワーを与えたことの各々の要素が大き
く寄与している。
【００４８】特に凹面ミラー２にアジムス角度により光
学的パワーを与えたことで、凹面ミラー自体が偏心して
いることにより発生する偏心収差を十分に取り除くよう
にすることを可能とした。又、全反射面も同様に曲面を
与えることで凹面ミラーで発生する収差を補正するよう
にしている。
学的パワーを与えたことで、凹面ミラー自体が偏心して
いることにより発生する偏心収差を十分に取り除くよう
にすることを可能とした。又、全反射面も同様に曲面を
与えることで凹面ミラーで発生する収差を補正するよう
にしている。
【００４９】（実施例６）実施例６は、反射型の液晶パ
ネルにおいて、各画素のスイッチを単結晶のｎチャンネ
ルＭＯＳＦＥＴとｐチャンネルＭＯＳＦＥＴとからなる
トランスミッションゲートの構成とする。ただし、ｎチ
ャンネルＭＯＳＦＥＴの下部のみｐ型のウェル領域に埋
め、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴはｎ型のウェル領域に埋
める構造にする。基板にはｐ型基板を用いる。
ネルにおいて、各画素のスイッチを単結晶のｎチャンネ
ルＭＯＳＦＥＴとｐチャンネルＭＯＳＦＥＴとからなる
トランスミッションゲートの構成とする。ただし、ｎチ
ャンネルＭＯＳＦＥＴの下部のみｐ型のウェル領域に埋
め、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴはｎ型のウェル領域に埋
める構造にする。基板にはｐ型基板を用いる。
【００５０】図７は、実施例６の液晶パネルの断面図で
ある。図中、２０は反射防止膜、７２３はｎチャンネル
ＭＯＳＦＥＴ、７２４はｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ、５
３は遮光層、５２は画素電極、７１７はｐ型の高濃度不
純物領域、７３１はｎ型の高濃度不純物領域、７０２は
ｐ型のウェル領域である。また、７０１はｐ型基板、７
７２は、画像表示部の電源電位が印加されるｎ型ウェル
領域、７７３は周辺駆動回路の電源電位が印加されるｎ
型ウェル領域である。以前と同じ符号は以前と同じ部品
を表すので、説明を省略する。
ある。図中、２０は反射防止膜、７２３はｎチャンネル
ＭＯＳＦＥＴ、７２４はｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ、５
３は遮光層、５２は画素電極、７１７はｐ型の高濃度不
純物領域、７３１はｎ型の高濃度不純物領域、７０２は
ｐ型のウェル領域である。また、７０１はｐ型基板、７
７２は、画像表示部の電源電位が印加されるｎ型ウェル
領域、７７３は周辺駆動回路の電源電位が印加されるｎ
型ウェル領域である。以前と同じ符号は以前と同じ部品
を表すので、説明を省略する。
【００５１】実施例６は、ｐ型基板を用いるので基板電
位が電源の最低電位にセットされる。この場合、パネル
の基準電位は通常、接地電位で安定しており、パネルを
固定する治具に対する対応（電源ショート、リーク防
止、絶縁材など）が極めて楽になる。また、ｐ型基板に
分離して基けたｎ型のウェル領域７７２と７７３に異な
る電位を印加することが可能となる。このため、画像表
示部は２０〜３５Ｖ系、周辺駆動回路は１Ｖ〜５Ｖ系と
いう構成が可能になる。
位が電源の最低電位にセットされる。この場合、パネル
の基準電位は通常、接地電位で安定しており、パネルを
固定する治具に対する対応（電源ショート、リーク防
止、絶縁材など）が極めて楽になる。また、ｐ型基板に
分離して基けたｎ型のウェル領域７７２と７７３に異な
る電位を印加することが可能となる。このため、画像表
示部は２０〜３５Ｖ系、周辺駆動回路は１Ｖ〜５Ｖ系と
いう構成が可能になる。
【００５２】さらに、画像表示部にｐ型のウェル領域７
０２とｎ型のウェル領域７７２を設けるツインウェル構
造にすることにより、トランジスタのしきい値の安定、
耐圧の向上がはかれ、自由度が広がる。さらに、スイッ
チであるＭＯＳＦＥＴが単結晶であるので、高速動作に
十分対応できる。
０２とｎ型のウェル領域７７２を設けるツインウェル構
造にすることにより、トランジスタのしきい値の安定、
耐圧の向上がはかれ、自由度が広がる。さらに、スイッ
チであるＭＯＳＦＥＴが単結晶であるので、高速動作に
十分対応できる。
【００５３】また、光のもれによるキャリアの発生によ
る電位の変動や、隣接する画素などによる電位の変動な
どを受けることがなく、安定した表示特性が実現でき
る。また、表示領域のスイッチが単結晶からなるＭＯＳ
ＦＥＴであるトランスミッションゲート構成であるの
で、各ＦＥＴのＶｔｈ（しきい値）の影響を直接受けな
い。よって、画面周囲でのコントラストの低下もなく、
温度などの環境変化から影響が少なく、高精細な表示が
できる。
る電位の変動や、隣接する画素などによる電位の変動な
どを受けることがなく、安定した表示特性が実現でき
る。また、表示領域のスイッチが単結晶からなるＭＯＳ
ＦＥＴであるトランスミッションゲート構成であるの
で、各ＦＥＴのＶｔｈ（しきい値）の影響を直接受けな
い。よって、画面周囲でのコントラストの低下もなく、
温度などの環境変化から影響が少なく、高精細な表示が
できる。
【００５４】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、導電層に電圧
を印加することで複数の画素電極の間の領域または外周
部の高分子散乱モードとすることで、アクティブ素子へ
の光入射が最小に抑えられ、光リークは実質的にないか
若しくは極めて小さいレベルに抑えられる。これにより
高コントラスト、良好な色再現性をもつ表示装置が実現
できる。又、本発明の液晶表示装置は、偏光板が不要と
なるため、高輝度な表示が得られる。
を印加することで複数の画素電極の間の領域または外周
部の高分子散乱モードとすることで、アクティブ素子へ
の光入射が最小に抑えられ、光リークは実質的にないか
若しくは極めて小さいレベルに抑えられる。これにより
高コントラスト、良好な色再現性をもつ表示装置が実現
できる。又、本発明の液晶表示装置は、偏光板が不要と
なるため、高輝度な表示が得られる。
【図１】本発明の液晶表示装置の１例を示す模式図であ
る。
る。
【図２】本発明の液晶表示装置の１例を示す模式図であ
る。
る。
【図３】本発明の液晶表示装置の１例を示す模式図であ
る。
る。
【図４】本発明の液晶表示装置を用いた表示装置の１例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図５】本発明の液晶表示装置をメガネ型ディスプレイ
に応用した例を示す模式図である。
に応用した例を示す模式図である。
【図６】本発明の液晶表示装置を配した光学系を示す模
式図である。
式図である。
【図７】本発明の実施例６の液晶表示装置の断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２１，２２，２３，２４，２５，２６ ソース ３１，３２，３３，３４，３５，３６ ゲート ４１，４２，４３，４４，４５，４６ ドレイン ５１ ソース・ドレイン配線 ５３ 導電層 ５４，５６ スルーホール ５５ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 9/35 ３０５ Ｇ０９Ｆ 9/35 ３０５ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36
Claims (15)
- 【請求項１】 複数の走査線と複数の信号線の交差部に
対応して複数の画素電極を配したマトリクス基板と、前
記画素電極に対向する位置に透明電極を配した対向基板
と、の間に高分子分散型液晶を挟持してなる液晶表示装
置において、 前記画素電極の下方に導電層を配し、該導電層に印加す
る電圧に応じて少なくとも前記複数の画素電極の間の領
域の一部もしくは、前記画素電極を配した画像表示領域
の外周領域の一部の前記高分子散乱型液晶の状態を常に
散乱モードとするようにしたことを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】 前記導電層が遮光層として機能する請求
項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記画素電極にはスイッチング機能を有
するアクティブ素子が接続されている請求項１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記アクティブ素子が薄膜トランジスタ
である請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記薄膜トランジスタが、単結晶半導体
層を用いて構成されている請求項４に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記アクティブ素子が単結晶ＭＯＳトラ
ンジスタからなる請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記アクティブ素子は、ｎチャンネルと
ｐチャンネルの２種類の単結晶ＭＯＳトランジスタから
なる請求項６に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記ｎチャンネルとｐチャンネルの２種
類の単結晶ＭＯＳトランジスタは、トランスミッション
ゲートを構成する請求項７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記単結晶ＭＯＳトランジスタは、半導
体基板上に形成される請求項６〜８のいずれか１項に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記導電層は、前記マトリクス基板に
設けられた周辺駆動回路の上方にも設けられている請求
項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記対向基板に設けられた透明電極が
分割され、各々に異なる電圧を印加する手段が接続され
ている請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項１２】 前記分割された透明電極は、前記画素
電極に対向する位置に設けられている請求項１１に記載
の表示装置。 - 【請求項１３】 前記透明電極を前記画素電極の間に印
加する電界は、となり合う行どうしで反転している請求
項１２に記載の表示装置。 - 【請求項１４】 前記透明電極と前記画素電極の間に印
加する電界は、時間ごとに反転している請求項１２また
は１３に記載の表示装置。 - 【請求項１５】 少なくとも前記透明電極間もしくはそ
の周辺部には、別の電極があり、前記別の電極の直下の
液晶は常に散乱モードになるように設定されている請求
項１３または１４に記載の液晶表示装置。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004248497A (ja) * | 2004-03-08 | 2004-09-02 | Seiko Epson Corp | 電源回路、液晶装置及び電子機器 |
| US7019730B2 (en) | 2000-12-20 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Power supply circuit, operational amplifier circuit, liquid crystal device and electronic instrument |
| KR20110002812A (ko) * | 2009-07-02 | 2011-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 및 그 구동 방법 |
| USRE43574E1 (en) | 2002-11-20 | 2012-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Four color liquid crystal display and panel therefor |
| JP2012252352A (ja) * | 1996-10-22 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置 |
| JP2016200828A (ja) * | 2016-07-06 | 2016-12-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09329787A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Seiko Instr Inc | 反射型液晶表示装置 |
| JPH1068931A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US20010043175A1 (en) | 1996-10-22 | 2001-11-22 | Masahiro Yasukawa | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same |
| US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| JP3343645B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2002-11-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6023309A (en) * | 1997-12-22 | 2000-02-08 | Philips Electronics North America Corporation | Reflective liquid crystal display having integral light shielding |
| US6424394B1 (en) * | 1998-07-13 | 2002-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having grid-shaped light shielding films in peripheral region |
| JP2000180891A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3428511B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2003-07-22 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100814339B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2008-03-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 콜레스테릭 액정 컬러필터를 가지는 반사형 액정표시장치 |
| US6563134B1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Optoelectronic microelectronic fabrication with attenuated light leakage |
| KR100957581B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2010-05-11 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| CN103163672B (zh) * | 2011-12-19 | 2015-11-25 | 上海天马微电子有限公司 | 像素单元和显示面板 |
| JP6179116B2 (ja) * | 2013-02-07 | 2017-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68921910T3 (de) * | 1988-04-21 | 2000-08-17 | Asahi Glass Co Ltd | Farbflüssigkristall-Anzeigevorrichtung und ihr Ansteuerungsverfahren. |
| JPH04328523A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nec Corp | ポリマ分散型液晶表示素子 |
| EP0530972B1 (en) * | 1991-08-02 | 1997-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal image display unit |
| US5317433A (en) * | 1991-12-02 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side |
| DE69330318T2 (de) * | 1992-02-27 | 2001-10-31 | Canon Kk | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| JPH05297382A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Ricoh Co Ltd | カラー液晶表示装置 |
| US5724109A (en) * | 1992-09-17 | 1998-03-03 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display panel with electrodes or a passivation layer intermediate two liquid crystal layers |
| US5365355A (en) * | 1993-03-10 | 1994-11-15 | Wah-Iii Technology Corporation | Light blocking, pixel enhancement and photocurrent reduction in active matrix liquid crystal displays |
| JPH07120744A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Toshiba Corp | 反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-09-12 JP JP24193696A patent/JPH09138390A/ja active Pending
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- 1996-09-16 US US08/714,438 patent/US5822028A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012252352A (ja) * | 1996-10-22 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置 |
| JP2014013406A (ja) * | 1996-10-22 | 2014-01-23 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置 |
| US7019730B2 (en) | 2000-12-20 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Power supply circuit, operational amplifier circuit, liquid crystal device and electronic instrument |
| US7061481B2 (en) | 2000-12-20 | 2006-06-13 | Seiko Epson Corporation | Power supply circuit, operational amplifier circuit, liquid crystal device and electronic instrument |
| USRE43574E1 (en) | 2002-11-20 | 2012-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Four color liquid crystal display and panel therefor |
| JP2004248497A (ja) * | 2004-03-08 | 2004-09-02 | Seiko Epson Corp | 電源回路、液晶装置及び電子機器 |
| KR20110002812A (ko) * | 2009-07-02 | 2011-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 및 그 구동 방법 |
| JP2016200828A (ja) * | 2016-07-06 | 2016-12-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
Also Published As
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