JPH07120744A - 反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH07120744A JPH07120744A JP5266695A JP26669593A JPH07120744A JP H07120744 A JPH07120744 A JP H07120744A JP 5266695 A JP5266695 A JP 5266695A JP 26669593 A JP26669593 A JP 26669593A JP H07120744 A JPH07120744 A JP H07120744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light
- crystal display
- type liquid
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1334—Constructional arrangements; Manufacturing methods based on polymer dispersed liquid crystals, e.g. microencapsulated liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高分子分散型液晶を使用するアクティブマトリ
クスの反射型液晶表示素子に於いてリーク電流を防止す
ると共に画素の明確化を図る。又この反射型液晶表示素
子を投射型液晶表示装置に適用し、投射画像の画質向上
を図る。 【構成】反射型液晶表示素子３０の第１の電極基板４０
側に於いて、透過率及び表面反射率の低い遮光層５６を
第２の層間絶縁層５３を介しゲート４４上面に設ける。
これによりゲート４４への光入射を防止し、光リーク電
流の発生を防止すると共に、遮光層５６に於ける多重反
射を防止し、画素電極間の画素分離を明確化する。従っ
てこの反射型液晶表示素子３０を使用することにより投
射型液晶表示装置による投射画像のコントラスト比を向
上出来更には高密度、高精細な投射画像を得られる。
クスの反射型液晶表示素子に於いてリーク電流を防止す
ると共に画素の明確化を図る。又この反射型液晶表示素
子を投射型液晶表示装置に適用し、投射画像の画質向上
を図る。 【構成】反射型液晶表示素子３０の第１の電極基板４０
側に於いて、透過率及び表面反射率の低い遮光層５６を
第２の層間絶縁層５３を介しゲート４４上面に設ける。
これによりゲート４４への光入射を防止し、光リーク電
流の発生を防止すると共に、遮光層５６に於ける多重反
射を防止し、画素電極間の画素分離を明確化する。従っ
てこの反射型液晶表示素子３０を使用することにより投
射型液晶表示装置による投射画像のコントラスト比を向
上出来更には高密度、高精細な投射画像を得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光散乱型の液晶を使用
した反射型液晶表示素子を用い、拡大投射画像を得る反
射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置に関する。
した反射型液晶表示素子を用い、拡大投射画像を得る反
射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、日本語ワードプロセッサやディス
クトップパーソナルコンピュータ等パーソナルＯＡ機器
の表示装置の様に、液晶表示素子を用いた液晶表示装置
の画面をそのまま直視する直視型液晶表示装置と共に、
液晶表示素子により変調された光をスクリーンに拡大投
射する事により、ハイビジョンテレビ対応の大画面を容
易に得る事が出来る投射型液晶表示装置の実用化が図ら
れている。
クトップパーソナルコンピュータ等パーソナルＯＡ機器
の表示装置の様に、液晶表示素子を用いた液晶表示装置
の画面をそのまま直視する直視型液晶表示装置と共に、
液晶表示素子により変調された光をスクリーンに拡大投
射する事により、ハイビジョンテレビ対応の大画面を容
易に得る事が出来る投射型液晶表示装置の実用化が図ら
れている。
【０００３】従来、この様な各種液晶表示装置には、電
界効果型のＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型液
晶表示素子やＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）型液晶表示素子が一般に用いられてい
た。
界効果型のＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型液
晶表示素子やＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）型液晶表示素子が一般に用いられてい
た。
【０００４】しかしながらＴＮ型液晶表示素子やＳＴＮ
型液晶表示素子等電界効果型の液晶表示素子にあって
は、画像表示のためには偏光板を必要とし、このため透
過光強度が４０％程度と著しく落ちてしまい、特に高い
輝度を必要とする投射型液晶表示装置にあっては、投射
画面の明るさを確保出来ず、画質を著しく低下させると
いう問題を生じていた。
型液晶表示素子等電界効果型の液晶表示素子にあって
は、画像表示のためには偏光板を必要とし、このため透
過光強度が４０％程度と著しく落ちてしまい、特に高い
輝度を必要とする投射型液晶表示装置にあっては、投射
画面の明るさを確保出来ず、画質を著しく低下させると
いう問題を生じていた。
【０００５】そこで投射画面の明るさを確保するため、
偏光板を必要としない光散乱型の液晶を用いてなる液晶
表示素子の開発が進められている。この光散乱型の液晶
としては、高分子分散型液晶、コレステリック・ネマテ
ィック相転移型液晶等があるが、このうち高分子分散型
液晶は、ポリマーマトリクス中に、カプセル化されたネ
マティック液晶のドロップレットを分散させ、あるいは
ネマティック液晶を三次元ネットワーク状に張り巡らせ
て形成した光散乱型液晶である。
偏光板を必要としない光散乱型の液晶を用いてなる液晶
表示素子の開発が進められている。この光散乱型の液晶
としては、高分子分散型液晶、コレステリック・ネマテ
ィック相転移型液晶等があるが、このうち高分子分散型
液晶は、ポリマーマトリクス中に、カプセル化されたネ
マティック液晶のドロップレットを分散させ、あるいは
ネマティック液晶を三次元ネットワーク状に張り巡らせ
て形成した光散乱型液晶である。
【０００６】そのため高分子分散型液晶は、電界無印加
時はドロップレット中の液晶分子の方向がランダムであ
り、入射光は散乱され透過率が低下される一方、電界を
印加した状態では液晶分子が電界方向に配列するため光
を透過する、ノーマリーブラックモードの表示動作を行
うものである。
時はドロップレット中の液晶分子の方向がランダムであ
り、入射光は散乱され透過率が低下される一方、電界を
印加した状態では液晶分子が電界方向に配列するため光
を透過する、ノーマリーブラックモードの表示動作を行
うものである。
【０００７】この様な高分子分散型液晶は例えば、特開
昭６１−５０２１２８号公報あるいは特開昭６２−２２
３１号公報等に開示されている。
昭６１−５０２１２８号公報あるいは特開昭６２−２２
３１号公報等に開示されている。
【０００８】又、高分子分散型液晶素子を用い投射型液
晶表示装置を得る場合、良好な黒表示及びコントラスト
比を得るには、電界効果型の液晶に比し液晶層の厚さを
ある程度厚くする必要があり、しかも液晶層が厚くなる
に従い駆動電圧が増大されてしまうという事から、特開
平４−２１８１８号公報あるいは特開平４−１９４９２
１号公報に開示されるように、液晶層厚の低減を可能と
する反射型液晶表示素子の実用化が図られている。
晶表示装置を得る場合、良好な黒表示及びコントラスト
比を得るには、電界効果型の液晶に比し液晶層の厚さを
ある程度厚くする必要があり、しかも液晶層が厚くなる
に従い駆動電圧が増大されてしまうという事から、特開
平４−２１８１８号公報あるいは特開平４−１９４９２
１号公報に開示されるように、液晶層厚の低減を可能と
する反射型液晶表示素子の実用化が図られている。
【０００９】そしてこの反射型液晶表示素子を用いて投
射型液晶表示を行う場合、画像の高密度、高精細、高機
能を実現するため、実際には、能動素子として薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと称する。）を用いるアクティブ
マトリクス型の装置が必要とされている。
射型液晶表示を行う場合、画像の高密度、高精細、高機
能を実現するため、実際には、能動素子として薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと称する。）を用いるアクティブ
マトリクス型の装置が必要とされている。
【００１０】しかしこの様な装置にあっては、ＴＦＴに
外光が照射されるとＴＦＴは光による光リーク電流を生
じてしまい、表示画像のコントラストの低下を来す。こ
のため直視型の装置に比し、より大きい照射光量を必要
とする投射型の装置にあっては、画質が著しく低下され
るという問題を生じていた。
外光が照射されるとＴＦＴは光による光リーク電流を生
じてしまい、表示画像のコントラストの低下を来す。こ
のため直視型の装置に比し、より大きい照射光量を必要
とする投射型の装置にあっては、画質が著しく低下され
るという問題を生じていた。
【００１１】このため特開平３−２６９４１５号公報に
開示される様に、遮蔽板を設け、画素トランジスタへの
光の入射を防止するアクティブマトリクス光変調素子も
開発されている。
開示される様に、遮蔽板を設け、画素トランジスタへの
光の入射を防止するアクティブマトリクス光変調素子も
開発されている。
【００１２】即ち従来は、図５に示すように、アレイ基
板１０ａ上にマトリックス状の透明画素電極１１ａ及び
画素トランジスタ１２が形成される画素電極基板１３ａ
と、これに対向し対向基板１０ｂ上に対向電極１１ｂが
形成される対向電極基板１３ｂとの間に、高分子分散型
液晶１４を封入し、透過型の高分子分散型液晶素子１６
を得、更に対向電極基板１３ｂ上の画素トランジスタ１
２と対向する部分に遮光板１７を設け、画素トランジス
タ１２への光の入射を防止し、光リーク電流を防止する
ことによりコントラストの低下を防止していた。
板１０ａ上にマトリックス状の透明画素電極１１ａ及び
画素トランジスタ１２が形成される画素電極基板１３ａ
と、これに対向し対向基板１０ｂ上に対向電極１１ｂが
形成される対向電極基板１３ｂとの間に、高分子分散型
液晶１４を封入し、透過型の高分子分散型液晶素子１６
を得、更に対向電極基板１３ｂ上の画素トランジスタ１
２と対向する部分に遮光板１７を設け、画素トランジス
タ１２への光の入射を防止し、光リーク電流を防止する
ことによりコントラストの低下を防止していた。
【００１３】しかしながらこのアクティブマトリクス光
変調素子は透過型である一方、遮光板１７が対向電極基
板１３側に設けられており、光源からの直接光が画素ト
ランジスタ１２に入射するのは防止出来るものの、液晶
層内で散乱された光が画素トランジスタ１２に入射した
り、あるいは散乱後、更に遮光板１７で反射されて入射
したり等、画素トランジスタ１２への光の入射を完全に
防止出来ず、光リーク電流を生じてしまうという問題を
依然として有していた。
変調素子は透過型である一方、遮光板１７が対向電極基
板１３側に設けられており、光源からの直接光が画素ト
ランジスタ１２に入射するのは防止出来るものの、液晶
層内で散乱された光が画素トランジスタ１２に入射した
り、あるいは散乱後、更に遮光板１７で反射されて入射
したり等、画素トランジスタ１２への光の入射を完全に
防止出来ず、光リーク電流を生じてしまうという問題を
依然として有していた。
【００１４】また、反射型の場合、通常画素電極間に配
置されている金属からなる信号線や走査線による不要な
反射光によるコントラストが低下するという問題も生じ
る。
置されている金属からなる信号線や走査線による不要な
反射光によるコントラストが低下するという問題も生じ
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】投射型液晶表示装置の
明るさを確保すると共に高精細、高機能を得るため従
来、アクティブマトリクス型の高分子分散型液晶表示素
子が使用されていた。
明るさを確保すると共に高精細、高機能を得るため従
来、アクティブマトリクス型の高分子分散型液晶表示素
子が使用されていた。
【００１６】しかしながらアクティブマトリクス型の高
分子分散型液晶素子は、散乱光の入射によるＴＦＴが光
リーク電流や信号線及び走査線による反射光による画像
のコントラストの低下が生じ、特に大量の照射光量を必
要とする投射型液晶表示装置にあっては画質が著しく低
下されるという問題を生じていた。
分子分散型液晶素子は、散乱光の入射によるＴＦＴが光
リーク電流や信号線及び走査線による反射光による画像
のコントラストの低下が生じ、特に大量の照射光量を必
要とする投射型液晶表示装置にあっては画質が著しく低
下されるという問題を生じていた。
【００１７】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、ＴＦＴへの光入射を確実に防止することにより、光
リーク電流を生じる事なく、また上記信号線や走査線の
反射光を抑制し良質の画像を得る事ができるとともに反
射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置を提供する事
を目的とする。
で、ＴＦＴへの光入射を確実に防止することにより、光
リーク電流を生じる事なく、また上記信号線や走査線の
反射光を抑制し良質の画像を得る事ができるとともに反
射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置を提供する事
を目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、二次元マトリックス状に形成され高反射率
を有する画素電極及びこの画素電極毎に設けられる能動
素子を有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２
の電極基板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極
基板の間に封入される光散乱型の液晶とを具備する反射
型液晶表示素子において、前記第１の電極基板に設けら
れ層間絶縁層を介し画素電極間隙部をふさぐように配置
され、液晶側の表面反射率が１０％以下の遮光層を設け
るものである。
するために、二次元マトリックス状に形成され高反射率
を有する画素電極及びこの画素電極毎に設けられる能動
素子を有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２
の電極基板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極
基板の間に封入される光散乱型の液晶とを具備する反射
型液晶表示素子において、前記第１の電極基板に設けら
れ層間絶縁層を介し画素電極間隙部をふさぐように配置
され、液晶側の表面反射率が１０％以下の遮光層を設け
るものである。
【００１９】又本発明は上記課題を解決するために前述
の遮光層として窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］からなる
遮光層を設けるものである。
の遮光層として窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］からなる
遮光層を設けるものである。
【００２０】又本発明は上記課題を解決するために前述
の遮光層として、能動素子側の遮光性の高い第１の層
と、液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる遮光
層を設けるものである。
の遮光層として、能動素子側の遮光性の高い第１の層
と、液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる遮光
層を設けるものである。
【００２１】又本発明は上記課題を解決するために光源
と、二次元マトリックス状に形成され高反射率を有する
画素電極及びこの画素電極毎に設けられる能動素子を有
する第１の電極基板及び、対向電極を有する第２の電極
基板の間に光散乱型の液晶を封入して成り前記光源から
の光を光変調する反射型液晶表示素子と、この液晶表示
素子より出射される前記光源からの光を投射するスクリ
ーンとを具備する投射型液晶表示装置に於いて、前記第
１の電極基板に設けられ層間絶縁層を介し前記能動素子
の少なくとも半導体部分を被覆し前記半導体部分への入
射光を遮蔽する遮光層を設けるものである。
と、二次元マトリックス状に形成され高反射率を有する
画素電極及びこの画素電極毎に設けられる能動素子を有
する第１の電極基板及び、対向電極を有する第２の電極
基板の間に光散乱型の液晶を封入して成り前記光源から
の光を光変調する反射型液晶表示素子と、この液晶表示
素子より出射される前記光源からの光を投射するスクリ
ーンとを具備する投射型液晶表示装置に於いて、前記第
１の電極基板に設けられ層間絶縁層を介し前記能動素子
の少なくとも半導体部分を被覆し前記半導体部分への入
射光を遮蔽する遮光層を設けるものである。
【００２２】又本発明は上記課題を解決するために前述
の遮光層として液晶側に於ける表面反射率が１０％以下
の遮光層を設けるものである。
の遮光層として液晶側に於ける表面反射率が１０％以下
の遮光層を設けるものである。
【００２３】又本発明は上記課題を解決するために前述
の遮光層として窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］からなる
遮光層を設けるものである。
の遮光層として窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］からなる
遮光層を設けるものである。
【００２４】又本発明は上記課題を解決するために前述
の遮光層として能動素子側の遮光性の高い第１の層と、
液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる遮光層を
設けるものである。
の遮光層として能動素子側の遮光性の高い第１の層と、
液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる遮光層を
設けるものである。
【００２５】
【作用】本発明は上記の様に構成され、透過型液晶表示
素子に比し実質に光が通過する距離が２倍とされる反射
型液晶表示素子とする事により、光散乱型の液晶であっ
ても液晶層を厚くする事なく良好な黒表示及びコントラ
ストを得られ、駆動電圧の増加も抑える事が出来ると共
に、遮光層を画素電極間隙をふさぐように配置し、光源
からの直接光及び液晶層内で生じる散乱光のいずれもが
半導体部分に入射するのを確実に遮蔽し、能動素子に光
リーク電流が生じるのを確実に防止出来る。さらに信号
線や走査線による反射も生じないことから、コントラス
トの良い良質の画像を得られる。
素子に比し実質に光が通過する距離が２倍とされる反射
型液晶表示素子とする事により、光散乱型の液晶であっ
ても液晶層を厚くする事なく良好な黒表示及びコントラ
ストを得られ、駆動電圧の増加も抑える事が出来ると共
に、遮光層を画素電極間隙をふさぐように配置し、光源
からの直接光及び液晶層内で生じる散乱光のいずれもが
半導体部分に入射するのを確実に遮蔽し、能動素子に光
リーク電流が生じるのを確実に防止出来る。さらに信号
線や走査線による反射も生じないことから、コントラス
トの良い良質の画像を得られる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図４を参
照して説明する。図１は投射型液晶表示装置２０の概略
構成図であり、光源２１、反射鏡２２、レンズ２３から
なる光源部２４と、赤色反射膜２６及び青色反射膜２７
が互いに直交するよう内部に設けられるクロスダイクロ
イックプリズム２８と、クロスダイクロイックプリズム
２８の３方の側面に夫々設けられる赤色用、青色用、緑
色様の反射型液晶表示素子３０ａ〜３０ｃと、クロスダ
イクロックプリズム２８からの反射光をスクリーン３１
に投射するための集光レンズ３２及び投射レンズ３３
と、集光レンズの集光点付近に設けられる第１の遮蔽マ
スク３４及び、光源部２４からの光を集光レンズ３２に
反射させる反射鏡３６と一体の第２の遮蔽マスク３７を
具備している。
照して説明する。図１は投射型液晶表示装置２０の概略
構成図であり、光源２１、反射鏡２２、レンズ２３から
なる光源部２４と、赤色反射膜２６及び青色反射膜２７
が互いに直交するよう内部に設けられるクロスダイクロ
イックプリズム２８と、クロスダイクロイックプリズム
２８の３方の側面に夫々設けられる赤色用、青色用、緑
色様の反射型液晶表示素子３０ａ〜３０ｃと、クロスダ
イクロックプリズム２８からの反射光をスクリーン３１
に投射するための集光レンズ３２及び投射レンズ３３
と、集光レンズの集光点付近に設けられる第１の遮蔽マ
スク３４及び、光源部２４からの光を集光レンズ３２に
反射させる反射鏡３６と一体の第２の遮蔽マスク３７を
具備している。
【００２７】次に図２により、反射型液晶表示素子３０
について詳述する。４０は第１の電極基板であり、石英
基板４１上に二次元マトリクス状にソース部及びドレイ
ン部となる多結晶シリコン４２を形成し、ゲート絶縁膜
である酸化膜４３を介し多結晶シリコンからなるゲート
４４及び補助容量電極４６を形成し、更にソース線４
７、ドレイン線４８を設け、能動素子であるＣＭＯＳの
薄膜トランジスタ（以下ＣＭＯＳ−ＴＦＴと称す。）５
０及び補助容量部５１を形成する。
について詳述する。４０は第１の電極基板であり、石英
基板４１上に二次元マトリクス状にソース部及びドレイ
ン部となる多結晶シリコン４２を形成し、ゲート絶縁膜
である酸化膜４３を介し多結晶シリコンからなるゲート
４４及び補助容量電極４６を形成し、更にソース線４
７、ドレイン線４８を設け、能動素子であるＣＭＯＳの
薄膜トランジスタ（以下ＣＭＯＳ−ＴＦＴと称す。）５
０及び補助容量部５１を形成する。
【００２８】次に酸化シリコンからなり約５０００［オ
ングストローム］の厚さを有する第１の層間絶縁層５２
によりＣＭＯＳ−ＴＦＴ５０及び補助容量部５１を被覆
し、更に同じ酸化シリコンからなりほぼ同じ厚さを有す
る第２の層間絶縁層５３を形成し、ＣＭＯＳ−ＴＦＴ５
０の上面を被覆するように、金属アルミニウム［Ａｌ］
ターゲットを用いて、アルゴン［Ａｒ］／窒素［Ｎ２］
の混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングを行い、窒
化アルミニウム［ＡｌＮｘ］からなる膜厚約２０００
［オングストローム］の遮光層５６を形成する。
ングストローム］の厚さを有する第１の層間絶縁層５２
によりＣＭＯＳ−ＴＦＴ５０及び補助容量部５１を被覆
し、更に同じ酸化シリコンからなりほぼ同じ厚さを有す
る第２の層間絶縁層５３を形成し、ＣＭＯＳ−ＴＦＴ５
０の上面を被覆するように、金属アルミニウム［Ａｌ］
ターゲットを用いて、アルゴン［Ａｒ］／窒素［Ｎ２］
の混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングを行い、窒
化アルミニウム［ＡｌＮｘ］からなる膜厚約２０００
［オングストローム］の遮光層５６を形成する。
【００２９】尚この時、成膜条件をＲＦパワー３［ｋ
Ｗ］で全圧０．５［Ｐａ］、窒素［Ｎ２］分圧０．０５
［Ｐａ］とすると、成膜開始時の膜組成は純アルミニウ
ム［Ａｌ］に近いが、膜厚増大と共に化学量論比からず
れた窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］膜となり、膜厚２５
００[ オングストローム］以上では可視波長領域の表面
反射率が１〜３％程度となる。又遮光性に関しては、透
過率が０．０１％以下となる。
Ｗ］で全圧０．５［Ｐａ］、窒素［Ｎ２］分圧０．０５
［Ｐａ］とすると、成膜開始時の膜組成は純アルミニウ
ム［Ａｌ］に近いが、膜厚増大と共に化学量論比からず
れた窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］膜となり、膜厚２５
００[ オングストローム］以上では可視波長領域の表面
反射率が１〜３％程度となる。又遮光性に関しては、透
過率が０．０１％以下となる。
【００３０】次に遮光層５６上に酸化シリコンからなり
厚さ約５０００［オングストローム］の厚さを有する第
３の層間絶縁層５４を形成し、更に厚さ約１００００
［オングストローム］の高反射率のアルミニウム［Ａ
ｌ］画素電極５７を形成し、ドレイン線４８に接続し、
更に表面を研磨し第１の電極基板４０を形成する。
厚さ約５０００［オングストローム］の厚さを有する第
３の層間絶縁層５４を形成し、更に厚さ約１００００
［オングストローム］の高反射率のアルミニウム［Ａ
ｌ］画素電極５７を形成し、ドレイン線４８に接続し、
更に表面を研磨し第１の電極基板４０を形成する。
【００３１】次に６０は第２の電極基板であり、石英基
板６１上にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）
膜からなる透明の対向電極６２を形成してなっている。
板６１上にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）
膜からなる透明の対向電極６２を形成してなっている。
【００３２】この後第１の電極基板４０及び第２の電極
基板６０の間隙に、透明なポリビニルアルコール中にド
ロップレット状に液晶６３ａを設けた高分子分散型の液
晶層６３を挾持し、反射型液晶表示素子３０を形成す
る。
基板６０の間隙に、透明なポリビニルアルコール中にド
ロップレット状に液晶６３ａを設けた高分子分散型の液
晶層６３を挾持し、反射型液晶表示素子３０を形成す
る。
【００３３】次に投射型液晶表示装置２０の作用につい
て説明する。光源２１及び背面の反射鏡２２からの白色
光２１ａは、レンズ２３で集光された後、反射鏡３４に
入射され、集光レンズ３２側に反射される。これにより
白色光は集光レンズ３２でほぼ平行光に変換され、クロ
スダイクロイックプリズム２８に入射し、赤色、青色、
緑色の三色に分離される。すなわち赤色光は赤色反射膜
２６で反射され赤色用反射型液晶表示素子３０ａに入射
し、青色光は青色反射膜２７で反射され青色用反射型液
晶表示素子３０ｂに入射し、緑色光は赤色反射膜２６及
び青色反射膜２７を通過し、緑色用反射型液晶表示素子
３０ｃに入射し、画像の各色毎の成分に応じて変調され
る。
て説明する。光源２１及び背面の反射鏡２２からの白色
光２１ａは、レンズ２３で集光された後、反射鏡３４に
入射され、集光レンズ３２側に反射される。これにより
白色光は集光レンズ３２でほぼ平行光に変換され、クロ
スダイクロイックプリズム２８に入射し、赤色、青色、
緑色の三色に分離される。すなわち赤色光は赤色反射膜
２６で反射され赤色用反射型液晶表示素子３０ａに入射
し、青色光は青色反射膜２７で反射され青色用反射型液
晶表示素子３０ｂに入射し、緑色光は赤色反射膜２６及
び青色反射膜２７を通過し、緑色用反射型液晶表示素子
３０ｃに入射し、画像の各色毎の成分に応じて変調され
る。
【００３４】更に変調された３色の光は、赤色反射膜２
６、青色反射膜２７を経て合成光２１ｂとされ、クロス
ダイクロイックプリズム２８から出射され、集光レンズ
３２により集光され、第１の遮蔽マスク３４及び第２の
遮蔽マスク３７で形成される開口を通過し、投射レンズ
３３を介してスクリーン３１に拡大投射される。
６、青色反射膜２７を経て合成光２１ｂとされ、クロス
ダイクロイックプリズム２８から出射され、集光レンズ
３２により集光され、第１の遮蔽マスク３４及び第２の
遮蔽マスク３７で形成される開口を通過し、投射レンズ
３３を介してスクリーン３１に拡大投射される。
【００３５】そして各反射型液晶表示素子３０ａ〜３０
ｃに於ける各色毎の変調時、第２の電極基板６０側より
各色の光が入光されるが、ＣＭＯＳ−ＴＦＴ５０のゲー
ト４４上部が遮光層５６により完全に覆われており、光
源からの直接光及び液晶層６３で生じる散乱光のいずれ
もゲ−ト４４に入射される事が無い。
ｃに於ける各色毎の変調時、第２の電極基板６０側より
各色の光が入光されるが、ＣＭＯＳ−ＴＦＴ５０のゲー
ト４４上部が遮光層５６により完全に覆われており、光
源からの直接光及び液晶層６３で生じる散乱光のいずれ
もゲ−ト４４に入射される事が無い。
【００３６】この様に構成すれば、投射型液晶表示装置
２０に於いて、光散乱効果による高分子分散型の液晶を
使用する反射型液晶表示素子３０を用いる事により、偏
光板が不要となり従来に比し光量の損失が著しく低減さ
れ、十分な投射輝度を得られ、しかも液晶層６３を厚く
すること無く良好な変調効果を得られ、駆動電圧の増大
を防止出来る。
２０に於いて、光散乱効果による高分子分散型の液晶を
使用する反射型液晶表示素子３０を用いる事により、偏
光板が不要となり従来に比し光量の損失が著しく低減さ
れ、十分な投射輝度を得られ、しかも液晶層６３を厚く
すること無く良好な変調効果を得られ、駆動電圧の増大
を防止出来る。
【００３７】一方、画素電極５７がアルミニウム［Ａ
ｌ］で形成されることから、画素電極５７で高い光反射
率を得られ光の損失が低減される。
ｌ］で形成されることから、画素電極５７で高い光反射
率を得られ光の損失が低減される。
【００３８】又、第１の電極基板４０側にて第２の層間
絶縁層５３を介し遮光層５６を設けているので、ゲート
４４への光入射を確実に防止出来、リーク電流を生じる
ことがなくコントラストの良い投射画像を得られる。又
特に遮光層５６が表面反射率の低い窒化アルミニウム
［ＡｌＮｘ］で形成される事から、能動素子を高密度化
しても画素電極５７との分離が明確とされ、解像度の低
下が抑止され、画像の高精細化が図られる。
絶縁層５３を介し遮光層５６を設けているので、ゲート
４４への光入射を確実に防止出来、リーク電流を生じる
ことがなくコントラストの良い投射画像を得られる。又
特に遮光層５６が表面反射率の低い窒化アルミニウム
［ＡｌＮｘ］で形成される事から、能動素子を高密度化
しても画素電極５７との分離が明確とされ、解像度の低
下が抑止され、画像の高精細化が図られる。
【００３９】しかも反射型である事により画素電極５７
の下に補助容量部５１を形成出来るので、従来の様に画
素電極とは別に補助容量線を設ける必要が無く、反射型
液晶表示素子３０の開口率を拡大でき、ひいては画素サ
イズの縮小が可能となり、より小型、高精細な投射型液
晶表示装置が可能となる。
の下に補助容量部５１を形成出来るので、従来の様に画
素電極とは別に補助容量線を設ける必要が無く、反射型
液晶表示素子３０の開口率を拡大でき、ひいては画素サ
イズの縮小が可能となり、より小型、高精細な投射型液
晶表示装置が可能となる。
【００４０】尚上記実施例により作成された投射型液晶
表示装置２０による投射画像を測定したところコントラ
スト比は１００：１と極めて高い結果が得られた。
表示装置２０による投射画像を測定したところコントラ
スト比は１００：１と極めて高い結果が得られた。
【００４１】更に液晶層６３厚も１０［μｍ］と薄く出
来、駆動電圧も５Ｖ程度に抑えられた。
来、駆動電圧も５Ｖ程度に抑えられた。
【００４２】尚本発明は上記一実施例に限られるもので
なく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば反射型の構造であることから、画素電極側の
基板も石英でなく、シリコン基板を用い、シリコン基板
上に高性能の画素スイッチ及び駆動回路用トランジスタ
一体型の反射型液晶表示素子を形成する等しても良い。
この様にすれば駆動回路及び影像信号の周波数の増大に
より、高速性、高性能性が必要とされるハイビジョンテ
レビ対応の投射型液晶表示装置への対応が容易となる。
更に高い駆動電圧を必要とする高分子分散型液晶に対応
可能な高耐圧トランジスタの形成も容易となる。
なく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば反射型の構造であることから、画素電極側の
基板も石英でなく、シリコン基板を用い、シリコン基板
上に高性能の画素スイッチ及び駆動回路用トランジスタ
一体型の反射型液晶表示素子を形成する等しても良い。
この様にすれば駆動回路及び影像信号の周波数の増大に
より、高速性、高性能性が必要とされるハイビジョンテ
レビ対応の投射型液晶表示装置への対応が容易となる。
更に高い駆動電圧を必要とする高分子分散型液晶に対応
可能な高耐圧トランジスタの形成も容易となる。
【００４３】又遮光層は、透過率が低くしかも表面反射
率の低いものであればその材質は限定されないが、表面
反射率が１０％以下であり、透過率が０．１％以下の材
質であることがより好ましい。窒化アルミニウム［Ａｌ
Ｎｘ］は、Ａｒ＋Ｎ2 雰囲気中で反応性スパッタで形成
する。この場合は、成膜直後はほとんどＡｌであるが膜
厚が増大するとともに黒色のＡｌＮｘ膜となる。そして
成膜条件によっては表面反射率１％以下の達成も可能で
ある。
率の低いものであればその材質は限定されないが、表面
反射率が１０％以下であり、透過率が０．１％以下の材
質であることがより好ましい。窒化アルミニウム［Ａｌ
Ｎｘ］は、Ａｒ＋Ｎ2 雰囲気中で反応性スパッタで形成
する。この場合は、成膜直後はほとんどＡｌであるが膜
厚が増大するとともに黒色のＡｌＮｘ膜となる。そして
成膜条件によっては表面反射率１％以下の達成も可能で
ある。
【００４４】更に遮光層は、一層に限定されず例えば図
３に示す第１の他の実施例の様に、第２の層間絶縁層６
６を介し、遮光性を有する金属遮光層６７の上にカーボ
ンもしくは顔料を含有する黒レジスト層６８を設ける２
層構造としても良い。あるいは、図４に示す第２の他の
実施例の様に、第２の層間絶縁層７０上に金属遮光層７
１を形成し、更に第３の層間絶縁層７２、画素電極７３
を形成した上に表面絶縁層７４を介しレジストにカーボ
ンブラック、顔料を添加した黒レジスト層７６を形成す
る様にしても良い。もちろん黒レジストのかわりにポリ
イミド等にカーボンブラック顔料を添加したものを用い
ても良い。
３に示す第１の他の実施例の様に、第２の層間絶縁層６
６を介し、遮光性を有する金属遮光層６７の上にカーボ
ンもしくは顔料を含有する黒レジスト層６８を設ける２
層構造としても良い。あるいは、図４に示す第２の他の
実施例の様に、第２の層間絶縁層７０上に金属遮光層７
１を形成し、更に第３の層間絶縁層７２、画素電極７３
を形成した上に表面絶縁層７４を介しレジストにカーボ
ンブラック、顔料を添加した黒レジスト層７６を形成す
る様にしても良い。もちろん黒レジストのかわりにポリ
イミド等にカーボンブラック顔料を添加したものを用い
ても良い。
【００４５】尚液晶の材質も限定されず、高分子分散型
液晶の高分子材料及びドロップレットされる液晶材料等
任意であるし、更には光散乱型の液晶であれば、コレス
テリック・ネマティック相転移型の液晶等であっても良
い。
液晶の高分子材料及びドロップレットされる液晶材料等
任意であるし、更には光散乱型の液晶であれば、コレス
テリック・ネマティック相転移型の液晶等であっても良
い。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
散乱型液晶を使用する反射型液晶表示素子に於いて、画
素電極を有する第１の電極基板側にて透過率及び表面反
射率の低い遮光層により、能動素子の半導体部分を確実
に遮蔽する事から、半導体部分への光入射を完全に防止
し、投射型液晶表示装置に適用した際、光リーク電流を
生じる事が無く、また信号線や走査線の反射の影響もな
く投射画像のコントラストの低下を防止出来る。又、遮
光層での多重反射を防止出来る事から画素電極の分離が
明確化され、解像度の劣化が防止され、投射画像の高密
度、高精細化が可能となり、ハイビジョンテレビ対応の
投射型液晶表示装置の実用化が可能となる。
散乱型液晶を使用する反射型液晶表示素子に於いて、画
素電極を有する第１の電極基板側にて透過率及び表面反
射率の低い遮光層により、能動素子の半導体部分を確実
に遮蔽する事から、半導体部分への光入射を完全に防止
し、投射型液晶表示装置に適用した際、光リーク電流を
生じる事が無く、また信号線や走査線の反射の影響もな
く投射画像のコントラストの低下を防止出来る。又、遮
光層での多重反射を防止出来る事から画素電極の分離が
明確化され、解像度の劣化が防止され、投射画像の高密
度、高精細化が可能となり、ハイビジョンテレビ対応の
投射型液晶表示装置の実用化が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の投射型液晶表示装置を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】本発明の一実施例の反射型液晶表示素子の一部
を示す概略説明図である。
を示す概略説明図である。
【図３】本発明の第１の他の実施例の反射型液晶表示素
子の一部を示す概略説明図である。
子の一部を示す概略説明図である。
【図４】本発明の第２の他の実施例の反射型液晶表示素
子の一部を示す概略説明図である。
子の一部を示す概略説明図である。
【図５】従来のアクティブマトリクス液晶表示素子の一
部を示す概略説明図である。
部を示す概略説明図である。
２０…投射型液晶表示装置 ３０…反射型液晶表示素子 ３１…スクリーン ４０…第１の電極基板 ４４…ゲート ５０…ＣＭＯＳ−ＴＦＴ ５６…遮光層 ６０…第２の電極基板 ６３…液晶層
Claims (7)
- 【請求項１】 二次元マトリクス状に形成された画素電
極及びこの画素電極毎に設けられる能動素子を有して少
なくとも前記画素電極領域で光反射する第１の電極基板
と、対向電極を有する第２の電極基板と、前記第１の電
極基板及び前記第２の電極基板の間に封入される光散乱
型の液晶とを具備する反射型液晶表示素子において、前
記第１の電極基板に設けられ層間絶縁層を介し画素電極
間隙部をふさぐように配置され、液晶側に於ける表面反
射率が１０％以下である遮光層を具備する事を特徴とす
る反射型液晶表示素子。 - 【請求項２】 遮光層が窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］
からなる事を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
反射型液晶表示素子。 - 【請求項３】 遮光層が能動素子側の遮光性の高い第１
の層と、液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる
事を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射型液
晶表示素子。 - 【請求項４】 光源と、二次元マトリックス状に形成さ
れた画素電極及びこの画素電極毎に設けられる能動素子
を有して少なくとも前記画素電極領域で光反射する第１
の電極基板及び、対向電極を有する第２の電極基板の間
に光散乱型の液晶を封入して成り前記光源からの光を光
変調する反射型液晶表示素子と、この液晶表示素子より
出射される前記光源からの光を投射するスクリーンとを
具備する投射型液晶表示装置に於いて、前記第１の電極
基板に設けられ層間絶縁層を介し前記能動素子の少なく
とも半導体部分を被覆し前記半導体部分への入射光を遮
蔽する遮光層を具備する事を特徴とする投射型液晶表示
装置。 - 【請求項５】 遮光層の液晶側に於ける表面反射率が１
０％以下であることを特徴とする請求項５に記載の投射
型液晶表示装置。 - 【請求項６】 遮光層が窒化アルミニウム［ＡｌＮｘ］
からなる事を特徴とする請求項５又は請求項６に記載の
投射型液晶表示装置。 - 【請求項７】 遮光層が能動素子側の遮光性の高い第１
の層と、液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる
事を特徴とする請求項５又は請求項６に記載の投射型液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266695A JPH07120744A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266695A JPH07120744A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120744A true JPH07120744A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17434405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5266695A Pending JPH07120744A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120744A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0763765A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Display unit |
| EP0763764A2 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| EP0837354A2 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Pixel electrode substrate for reflection type liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus using the same and display apparatus using such liquid crystal apparatus |
| WO2007069179A2 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective display having improved brightness and contrast |
| WO2012060306A1 (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | シャープ株式会社 | 表示システム、携帯端末、及び電子機器 |
| CN113192934A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种阵列基板和显示面板 |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP5266695A patent/JPH07120744A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5822028A (en) * | 1995-09-14 | 1998-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| EP0763764A2 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US5708486A (en) * | 1995-09-14 | 1998-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | LCD having a shading layer exhibiting a different reflection characteristic from reflection electrodes |
| EP0763764A3 (en) * | 1995-09-14 | 1998-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| EP0763765A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Display unit |
| EP0837354A3 (en) * | 1996-10-18 | 1999-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Pixel electrode substrate for reflection type liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus using the same and display apparatus using such liquid crystal apparatus |
| EP0837354A2 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Pixel electrode substrate for reflection type liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus using the same and display apparatus using such liquid crystal apparatus |
| US6166792A (en) * | 1996-10-18 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflective LCD having reflectivity characteristics between electrodes and reflector |
| WO2007069179A2 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective display having improved brightness and contrast |
| WO2007069179A3 (en) * | 2005-12-14 | 2007-09-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Reflective display having improved brightness and contrast |
| US8149495B2 (en) | 2005-12-14 | 2012-04-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective display having improved brightness and contrast |
| WO2012060306A1 (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | シャープ株式会社 | 表示システム、携帯端末、及び電子機器 |
| CN113192934A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种阵列基板和显示面板 |
| CN113192934B (zh) * | 2021-03-29 | 2024-06-18 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种阵列基板和显示面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3144132B2 (ja) | 液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置 | |
| US7663717B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US7903212B2 (en) | Reflex liquid crystal display device, display apparatus, projection optical system, and projection display system | |
| US6912020B2 (en) | Electro-optical apparatus, electronic device, substrate for use in an electro-optical apparatus, method of producing a substrate for use in an electro-optical apparatus, and light shielding film | |
| JP3832261B2 (ja) | 液晶装置、投射型表示装置及び電子機器 | |
| JPH0743707A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3244055B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| US6348959B1 (en) | Reflective LCD with dark borders | |
| JP2002533749A5 (ja) | ||
| TW583475B (en) | Liquid crystal device, projection type display device, and electronic machine | |
| JPH07120744A (ja) | 反射型液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 | |
| JPH0554677B2 (ja) | ||
| JPH07318925A (ja) | 表示素子 | |
| JP3758612B2 (ja) | 反射型液晶表示素子、表示装置、プロジェクション光学システム、及びプロジェクションディスプレイシステム | |
| JP4501898B2 (ja) | 反射型液晶装置及び電子機器 | |
| JP2003005132A (ja) | 画像投射装置 | |
| JP2011064849A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3758654B2 (ja) | プロジェクション光学システム及びプロジェクションディスプレイシステム | |
| JPH0456827A (ja) | 反射型液晶パネル | |
| JPH0829811A (ja) | 液晶表示装置 | |
| WO2024101246A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3423593B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法及び表示装置用基板及び投射型液晶表示装置 | |
| JPH0764070A (ja) | 液晶表示素子及び投射型液晶表示装置 | |
| JPH103125A (ja) | 偏光スクリーン | |
| JP2550230Y2 (ja) | 液晶表示装置 |