JPH09130082A - シールド機能を有する樹脂封止半導体装置 - Google Patents
シールド機能を有する樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPH09130082A JPH09130082A JP28293495A JP28293495A JPH09130082A JP H09130082 A JPH09130082 A JP H09130082A JP 28293495 A JP28293495 A JP 28293495A JP 28293495 A JP28293495 A JP 28293495A JP H09130082 A JPH09130082 A JP H09130082A
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- JP
- Japan
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- shield plate
- resin
- island
- semiconductor device
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】任意の方向へボンディングを行なう半導体装置
において、外来ノイズを遮蔽して半導体素子の信号の変
動や誤作動を防止する。 【解決手段】半導体チップ５を吊りピン４に支持された
アイランド７の上にマウント材８を介して搭載し、アイ
ランド７の周囲に配置したリード１と半導体チップ５と
の間を金属細線６により電気的に接続し、且つ半導体チ
ップ５の上部にシールド板２を配置し吊りピン４に電気
的に接合を行い、シールド板２を含むアイランド７を封
止樹脂３によりモールド封止する。
において、外来ノイズを遮蔽して半導体素子の信号の変
動や誤作動を防止する。 【解決手段】半導体チップ５を吊りピン４に支持された
アイランド７の上にマウント材８を介して搭載し、アイ
ランド７の周囲に配置したリード１と半導体チップ５と
の間を金属細線６により電気的に接続し、且つ半導体チ
ップ５の上部にシールド板２を配置し吊りピン４に電気
的に接合を行い、シールド板２を含むアイランド７を封
止樹脂３によりモールド封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は輻射ノイズ・外来ノ
イズをシールドする必要のある樹脂封止半導体装置に関
する。
イズをシールドする必要のある樹脂封止半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のシールド機能を有する樹
脂封止型半導体装置は、図３に示す構造のものが知られ
ている。即ち、接地リードに接続したアイランド７と、
アイランド７上にマウント材８を介して搭載された半導
体チップ５と、半導体チップ５を含むアイランド７を封
止した封止樹脂３と、封止樹脂３の外部に導出し、かつ
封止した封止樹脂の側面に沿っており曲げた吊りピン４
と、封止樹脂３の上面に設けて吊りピン４と接合しアイ
ランドと電気的に接続したシールド板２とを備えている
（特開平４−２７７６６１参照）。
脂封止型半導体装置は、図３に示す構造のものが知られ
ている。即ち、接地リードに接続したアイランド７と、
アイランド７上にマウント材８を介して搭載された半導
体チップ５と、半導体チップ５を含むアイランド７を封
止した封止樹脂３と、封止樹脂３の外部に導出し、かつ
封止した封止樹脂の側面に沿っており曲げた吊りピン４
と、封止樹脂３の上面に設けて吊りピン４と接合しアイ
ランドと電気的に接続したシールド板２とを備えている
（特開平４−２７７６６１参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、樹脂封止の後に吊りピンとシールド板
の接合を行うため樹脂が影響を受け易い。そのため樹脂
への影響を少なくしようとすれば半田接合が考えられる
がこの接合方法では、セット組立際中での半田熱による
吊りピンとシールド板との接合部分の分離（劣化）を生
ずるという問題点があった。
半導体装置では、樹脂封止の後に吊りピンとシールド板
の接合を行うため樹脂が影響を受け易い。そのため樹脂
への影響を少なくしようとすれば半田接合が考えられる
がこの接合方法では、セット組立際中での半田熱による
吊りピンとシールド板との接合部分の分離（劣化）を生
ずるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体ペレットの上部にシールド板を設け、
前記シールド板を接地リードのアイランド吊り線に固定
することにより、前記半導体ペレットのボンディング方
向に制約を受けず、且つ、前記シールド板ごと樹脂封止
をする事により、ノイズに対してのシールド作用を有す
る。
体装置は、半導体ペレットの上部にシールド板を設け、
前記シールド板を接地リードのアイランド吊り線に固定
することにより、前記半導体ペレットのボンディング方
向に制約を受けず、且つ、前記シールド板ごと樹脂封止
をする事により、ノイズに対してのシールド作用を有す
る。
【０００５】半導体装置内部にシールド板を内蔵するこ
とにより、外的要因で前記シールド板が劣化することが
なくなり、恒久的にシールド作用をもたらす。
とにより、外的要因で前記シールド板が劣化することが
なくなり、恒久的にシールド作用をもたらす。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実
施の形態を示す一部切欠平面図及び模式的断面図であ
る。図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チップ５
を吊りピン４に支持されたアイランド７の上にマウント
材８を介して搭載し、アイランド７の周囲に配置したリ
ード１と半導体チップ５との間を金属細線６により電気
的に接続する。次に、半導体チップ５を覆うようにシー
ルド板２を吊りピン４に電気的に接合し、シールド板２
を含むアイランド７を封止樹脂３によりモールド封止す
る。
して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実
施の形態を示す一部切欠平面図及び模式的断面図であ
る。図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チップ５
を吊りピン４に支持されたアイランド７の上にマウント
材８を介して搭載し、アイランド７の周囲に配置したリ
ード１と半導体チップ５との間を金属細線６により電気
的に接続する。次に、半導体チップ５を覆うようにシー
ルド板２を吊りピン４に電気的に接合し、シールド板２
を含むアイランド７を封止樹脂３によりモールド封止す
る。
【０００７】図２は本発明の第２の実施の形態を示す模
式的断面図である。この実施の形態は、図２に示すよう
にディンプル形状のリード１の半導体チップ５との間を
金属細線６により電気的に接続し、上部が平らなシール
ド板２を吊りピン４に電気的に接合した以外は第１の実
施の形態と同様の構造を有している。
式的断面図である。この実施の形態は、図２に示すよう
にディンプル形状のリード１の半導体チップ５との間を
金属細線６により電気的に接続し、上部が平らなシール
ド板２を吊りピン４に電気的に接合した以外は第１の実
施の形態と同様の構造を有している。
【０００８】このようにシールド板２を封止樹脂中に設
けることにより、外来ノイズの遮蔽、半導体チップ５か
らの輻射ノイズを低減させる事もできる。
けることにより、外来ノイズの遮蔽、半導体チップ５か
らの輻射ノイズを低減させる事もできる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は封止樹脂
中に設けたシールド板を吊りピンを介してアイランドに
接続することにより、半導体素子が受ける外来ノイズを
シールド板で遮蔽して電気的なノイズマージンを向上さ
せることができるという効果を有する。また、シールド
板を吊りピンに固定することにより、ボンディング方向
に制約を受けない。
中に設けたシールド板を吊りピンを介してアイランドに
接続することにより、半導体素子が受ける外来ノイズを
シールド板で遮蔽して電気的なノイズマージンを向上さ
せることができるという効果を有する。また、シールド
板を吊りピンに固定することにより、ボンディング方向
に制約を受けない。
【００１０】さらに、封止樹脂中にシールド板を設けて
いるため、セット組み込み中の半田熱によるシールド板
の分離、衝撃によるシールド板の落下防止になってい
る。
いるため、セット組み込み中の半田熱によるシールド板
の分離、衝撃によるシールド板の落下防止になってい
る。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施の形態を
示す一部切欠平面図及び模式的断面図である。
示す一部切欠平面図及び模式的断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す模式的断面図
である。
である。
【図３】（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置
の一例を示す平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
の一例を示す平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
１ リード ２ シールド板 ３ 封止樹脂 ４ 吊りピン ５ 半導体チップ ６ 金属細線 ７ アイランド ８ マウント材
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ペレットの上部にシールド板を設
け、前記シールド板を接地リードのアイランド吊り線に
固定し、前記シールド板ごと樹脂封止を行うことを特徴
とするシールド機能を有する樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28293495A JPH09130082A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | シールド機能を有する樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28293495A JPH09130082A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | シールド機能を有する樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130082A true JPH09130082A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17659012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28293495A Pending JPH09130082A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | シールド機能を有する樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09130082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8247888B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-08-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing metallic shielding plate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235799A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
| JPH04277661A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28293495A patent/JPH09130082A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235799A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
| JPH04277661A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8247888B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-08-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing metallic shielding plate |
| TWI493676B (zh) * | 2009-04-28 | 2015-07-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of metal shielding plate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980324 |