JPH09129667A - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH09129667A JPH09129667A JP7305082A JP30508295A JPH09129667A JP H09129667 A JPH09129667 A JP H09129667A JP 7305082 A JP7305082 A JP 7305082A JP 30508295 A JP30508295 A JP 30508295A JP H09129667 A JPH09129667 A JP H09129667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder bump
- bump
- solder material
- electrode pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半田バンプの形成に際し、形成する半田バン
プのサイズ毎にこれに対応するための専用の積載用治具
を必要とせず、かつ小径の半田バンプを形成するに際し
ても静電気の影響を受けることなく正確にその形成位置
に対応できる半田バンプの形成方法を提供する。 【解決手段】 電極パッド２を形成した半導体パッケー
ジ基板１におけるバンプ形成面全体に半田材層６を積層
する工程と、半田バンプ３を形成する位置のみに半導体
パッケージ基板１の上方からレーザービーム７を照射
し、該照射部分における積層半田材を溶融してバンプ形
成を行う工程からなる半田バンプ形成方法である。
プのサイズ毎にこれに対応するための専用の積載用治具
を必要とせず、かつ小径の半田バンプを形成するに際し
ても静電気の影響を受けることなく正確にその形成位置
に対応できる半田バンプの形成方法を提供する。 【解決手段】 電極パッド２を形成した半導体パッケー
ジ基板１におけるバンプ形成面全体に半田材層６を積層
する工程と、半田バンプ３を形成する位置のみに半導体
パッケージ基板１の上方からレーザービーム７を照射
し、該照射部分における積層半田材を溶融してバンプ形
成を行う工程からなる半田バンプ形成方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に用い
られる半導体装置の製造に関するものである。
られる半導体装置の製造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージ基板における半田バン
プの形成方法としては、例えば半田ボールを用いる方法
がある。図２は、従来の半田ボールを用いた半田バンプ
形成方法についてその概要を工程順に示した断面図であ
り、１は半導体パッケージ基板、２は電極パッド、３は
半田バンプ、４は半田ボール、５はフラックス、８は半
田ボール積載用治具を示す。
プの形成方法としては、例えば半田ボールを用いる方法
がある。図２は、従来の半田ボールを用いた半田バンプ
形成方法についてその概要を工程順に示した断面図であ
り、１は半導体パッケージ基板、２は電極パッド、３は
半田バンプ、４は半田ボール、５はフラックス、８は半
田ボール積載用治具を示す。
【０００３】図２に基づいて従来の半田バンプ形成方法
を述べると、先ず図２（ａ）に示すように、電極パッド
２の表面に印刷法等を用いて半田用のフラックス５を塗
布する。次に、図２（ｂ）のように半田ボール積載用治
具８を用いて電極パッド２上のフラックス５塗布面に半
田ボール４を積載し、フラックス５の粘着力によって半
田ボール４を固定する。さらに半田ボール４の電極パッ
ド２との接合面を加熱融着させることによって、図２
（ｃ）に示したように電極パッド２上に半田バンプ３を
形成した半導体パッケージ基板１を得ることができる。
を述べると、先ず図２（ａ）に示すように、電極パッド
２の表面に印刷法等を用いて半田用のフラックス５を塗
布する。次に、図２（ｂ）のように半田ボール積載用治
具８を用いて電極パッド２上のフラックス５塗布面に半
田ボール４を積載し、フラックス５の粘着力によって半
田ボール４を固定する。さらに半田ボール４の電極パッ
ド２との接合面を加熱融着させることによって、図２
（ｃ）に示したように電極パッド２上に半田バンプ３を
形成した半導体パッケージ基板１を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は、以上説明した
ような工程によって電極パッド上に半田バンプの形成が
行われていたが、この従来法に係る半田バンプの形成方
法によるときは、電極パッド上に形成するバンプのサイ
ズによって半田ボールのサイズを変えなければならない
ので、その都度使用する半田ボールのサイズおよびこれ
に対応した積載用治具を変えなければならなかった。
ような工程によって電極パッド上に半田バンプの形成が
行われていたが、この従来法に係る半田バンプの形成方
法によるときは、電極パッド上に形成するバンプのサイ
ズによって半田ボールのサイズを変えなければならない
ので、その都度使用する半田ボールのサイズおよびこれ
に対応した積載用治具を変えなければならなかった。
【０００５】また、半田ボールは帯電しやすいのため
に、形成すべき半田バンプのサイズが小さい場合、特に
そのサイズが２００μｍ程度以下になった場合には静電
気等の影響により半田ボールが相互に引き合うために電
極パッド上の正確な位置に半田ボールを積載することが
困難となるといった問題も生じた。
に、形成すべき半田バンプのサイズが小さい場合、特に
そのサイズが２００μｍ程度以下になった場合には静電
気等の影響により半田ボールが相互に引き合うために電
極パッド上の正確な位置に半田ボールを積載することが
困難となるといった問題も生じた。
【０００６】本発明は、半田バンプの形成に際しての上
記した問題点を解決し、形成する半田バンプのサイズ毎
にこれに対応するための専用の積載用治具を必要とせ
ず、かつ小径の半田バンプを形成するに際しても、静電
気の影響を受けることなく正確にその形成位置を対応す
ることができるような半田バンプの形成方法を提供する
ことを目的とするものである。
記した問題点を解決し、形成する半田バンプのサイズ毎
にこれに対応するための専用の積載用治具を必要とせ
ず、かつ小径の半田バンプを形成するに際しても、静電
気の影響を受けることなく正確にその形成位置を対応す
ることができるような半田バンプの形成方法を提供する
ことを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、電極パッドを形成した半導体パッケージ
基板におけるバンプ形成面全体に半田材層を積層する工
程と、半田バンプを形成する位置のみに半導体パッケー
ジの上方からレーザービームを照射し、該照射部分にお
ける積層半田材を溶融してバンプ形成を行う工程とから
なることを特徴とする半田バンプ形成方法である。
めの本発明は、電極パッドを形成した半導体パッケージ
基板におけるバンプ形成面全体に半田材層を積層する工
程と、半田バンプを形成する位置のみに半導体パッケー
ジの上方からレーザービームを照射し、該照射部分にお
ける積層半田材を溶融してバンプ形成を行う工程とから
なることを特徴とする半田バンプ形成方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の半田バンプ形成方法を図
１に基づいてさらに具体的に説明する。図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明による半田バンプの
形成方法を工程順に示した概略断面図であり、図１を通
じて、１は半導体パッケージ基板、２は電極パッド、３
は半田バンプ、６は半田粒子とフラックスを混合してペ
ースト状にした半田材、７はレーザービームを示す。
１に基づいてさらに具体的に説明する。図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明による半田バンプの
形成方法を工程順に示した概略断面図であり、図１を通
じて、１は半導体パッケージ基板、２は電極パッド、３
は半田バンプ、６は半田粒子とフラックスを混合してペ
ースト状にした半田材、７はレーザービームを示す。
【０００９】本発明の方法によって電極パッド２上に半
田バンプを形成するには、先ず図１（ａ）に示すよう
に、半導体パッケージ基板１のバンプ形成面全体にスク
リーン印刷法等を用いて半田材層６を積層形成する。
田バンプを形成するには、先ず図１（ａ）に示すよう
に、半導体パッケージ基板１のバンプ形成面全体にスク
リーン印刷法等を用いて半田材層６を積層形成する。
【００１０】次に、図１（ｂ）および図１（ｃ）に示す
ように半田材層６の上からレーザービーム７を電極パッ
ド２部分に照射し、電極パッド２部分の半田材のみを加
熱する。ここでレーザービーム７が照射された部分の半
田材６は一旦溶融し、表面張力によって半円状となり、
レーザービーム７の照射を中止すると凝固して半円状の
半田バンプ３が形成される。最後に図１（ｄ）に示され
るように、ペースト状の半田材６を溶解することのでき
る溶剤を用いてレーザービーム照射部以外の半田材層を
除去することにより、電極パッド２上に半田バンプ３を
形成した半導体パッケージ基板が得られる。
ように半田材層６の上からレーザービーム７を電極パッ
ド２部分に照射し、電極パッド２部分の半田材のみを加
熱する。ここでレーザービーム７が照射された部分の半
田材６は一旦溶融し、表面張力によって半円状となり、
レーザービーム７の照射を中止すると凝固して半円状の
半田バンプ３が形成される。最後に図１（ｄ）に示され
るように、ペースト状の半田材６を溶解することのでき
る溶剤を用いてレーザービーム照射部以外の半田材層を
除去することにより、電極パッド２上に半田バンプ３を
形成した半導体パッケージ基板が得られる。
【００１１】以上述べた本発明の半田バンプ形成方法に
よれば、半田バンプの形成に際して専用の半田材搭載用
治具を必要とすることなく、回路基板上に積層された半
田材層の所要部分にレーザービームを照射するのみで半
田バンプの形成を行うことができるし、また半田バンプ
のサイズの調整も容易である上に、小径の半田バンプを
形成する場合にも静電気の発生等によるバンプ形成位置
の狂いなどを起こすこともない。上記の説明において
は、レーザービームを１箇所のみ照射する例を示した
が、マスキング材を使用して、多数のバンプ形成箇所に
同時に照射することによりその生産性を高めることも可
能である。また、半田層の厚みを変えることによって任
意の高さのバンプを形成することもできる。
よれば、半田バンプの形成に際して専用の半田材搭載用
治具を必要とすることなく、回路基板上に積層された半
田材層の所要部分にレーザービームを照射するのみで半
田バンプの形成を行うことができるし、また半田バンプ
のサイズの調整も容易である上に、小径の半田バンプを
形成する場合にも静電気の発生等によるバンプ形成位置
の狂いなどを起こすこともない。上記の説明において
は、レーザービームを１箇所のみ照射する例を示した
が、マスキング材を使用して、多数のバンプ形成箇所に
同時に照射することによりその生産性を高めることも可
能である。また、半田層の厚みを変えることによって任
意の高さのバンプを形成することもできる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の具体的な実施例について述べ
る。本発明はこの実施例に限定されるものでないことは
いうまでもない。
る。本発明はこの実施例に限定されるものでないことは
いうまでもない。
【００１３】本実施例は、図１の工程に従って行った。
図１（ａ）の工程を実施するに際して半導体パッケージ
基板１上に積層する半田材６には、Ｓｎ３７％／Ｐｂ６
３％の材質の半田粒子を通常の半田用フラックスと混合
してペースト状にしたものを用いた。このときに形成し
た半田材６層の積層厚さは７０〜１００ミクロンであっ
た。次いで、図１（ｂ）および（ｃ）の工程において、
半田材６層の必要箇所に照射するレーザービーム７は、
波長１．０６μｍ、出力１Ｗ以下のＹＡＧレーザーを使
用した。その結果、所定の電極パッド位置上に正確に直
径２００〜４００μｍの半球状半田バンプ３を形成する
ことができた。
図１（ａ）の工程を実施するに際して半導体パッケージ
基板１上に積層する半田材６には、Ｓｎ３７％／Ｐｂ６
３％の材質の半田粒子を通常の半田用フラックスと混合
してペースト状にしたものを用いた。このときに形成し
た半田材６層の積層厚さは７０〜１００ミクロンであっ
た。次いで、図１（ｂ）および（ｃ）の工程において、
半田材６層の必要箇所に照射するレーザービーム７は、
波長１．０６μｍ、出力１Ｗ以下のＹＡＧレーザーを使
用した。その結果、所定の電極パッド位置上に正確に直
径２００〜４００μｍの半球状半田バンプ３を形成する
ことができた。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたことから、本発明の方法によ
るときは、半田バンプの形成に際して、サイズ毎に専用
の半田材積載用治具を使用する必要が無く、また小径の
バンプを形成するに際しても静電気の影響によって半導
体パッケージ基板上のバンプ形成位置に狂いを生じたり
することなく、正確にまた生産性よく任意の径を有する
半田バンプを半導体パッケージ基板における電極パッド
上に形成することができるので、工業上優れた効果を有
する。
るときは、半田バンプの形成に際して、サイズ毎に専用
の半田材積載用治具を使用する必要が無く、また小径の
バンプを形成するに際しても静電気の影響によって半導
体パッケージ基板上のバンプ形成位置に狂いを生じたり
することなく、正確にまた生産性よく任意の径を有する
半田バンプを半導体パッケージ基板における電極パッド
上に形成することができるので、工業上優れた効果を有
する。
【図１】本発明の方法による半田バンプの形成方法を示
す図で、（ａ）〜（ｄ）はその工程順を示した概略断面
図である。
す図で、（ａ）〜（ｄ）はその工程順を示した概略断面
図である。
【図２】従来法による半田バンプの形成方法を示す図
で、（ａ）〜（ｃ）はその工程順を示した概略工程図で
ある。
で、（ａ）〜（ｃ）はその工程順を示した概略工程図で
ある。
１ 半導体パッケージ基板 ２ 電極パッド ３ 半田バンプ ４ 半田ボール ５ フラックス ６ 半田材層 ７ レーザービーム ８ 半田材積載用治具
Claims (1)
- 【請求項１】 電極パッドを形成した半導体パッケージ
基板におけるバンプ形成面全体に半田材層を積層する工
程と、該基板上の半田バンプを形成する位置にのみにレ
ーザービームを照射し該照射部分における積層半田材を
溶融してバンプ形成を行う工程とからなることを特徴と
する半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7305082A JPH09129667A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7305082A JPH09129667A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129667A true JPH09129667A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17940901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7305082A Pending JPH09129667A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109496A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Phoenix Precision Technology Corp | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP2007243084A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | はんだ層形成方法及び電子部品実装方法 |
| KR100788191B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2008-01-02 | 주식회사 고려반도체시스템 | 반도체 소자의 범프형성방법 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP7305082A patent/JPH09129667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109496A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Phoenix Precision Technology Corp | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP4660643B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2011-03-30 | 欣興電子股▲分▼有限公司 | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 |
| JP2007243084A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | はんだ層形成方法及び電子部品実装方法 |
| KR100788191B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2008-01-02 | 주식회사 고려반도체시스템 | 반도체 소자의 범프형성방법 |
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