JPH09129130A - 導電膜、低反射性導電膜およびその形成方法 - Google Patents
導電膜、低反射性導電膜およびその形成方法Info
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- JPH09129130A JPH09129130A JP28098995A JP28098995A JPH09129130A JP H09129130 A JPH09129130 A JP H09129130A JP 28098995 A JP28098995 A JP 28098995A JP 28098995 A JP28098995 A JP 28098995A JP H09129130 A JPH09129130 A JP H09129130A
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低温熱処理により形成が可能な高性能導電膜お
よび低反射性導電膜を新規に提供する。 【解決手段】特定の元素と窒素よりなる窒化物の微粒子
が分散したゾルを含む塗布液を基体上に塗布し、加熱す
ることにより導電膜を形成した。
よび低反射性導電膜を新規に提供する。 【解決手段】特定の元素と窒素よりなる窒化物の微粒子
が分散したゾルを含む塗布液を基体上に塗布し、加熱す
ることにより導電膜を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブラウン管パネル
などのガラス基体表面に導電膜または低反射性導電膜を
形成する方法、および該方法により形成された導電膜ま
たは低反射性導電膜に関する。
などのガラス基体表面に導電膜または低反射性導電膜を
形成する方法、および該方法により形成された導電膜ま
たは低反射性導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ブラウン管パネルは高電圧で作動
するため、起動時あるいは終了時に該表面に静電気が誘
発される。この静電気によりブラウン管パネル表面にほ
こりが付着してコントラスト低下を引き起こしたり、あ
るいは直接触れた際に軽い電気ショックによる不快感を
生じることが多い。従来、上述の現象を防止するため
に、ブラウン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試み
が種々なされてきた。例えば、特開昭６３−７６２４７
号公報には、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加
熱し、ＣＶＤ法により酸化錫および酸化インジウムなど
の導電性酸化物層を設ける方法が開示されている。
するため、起動時あるいは終了時に該表面に静電気が誘
発される。この静電気によりブラウン管パネル表面にほ
こりが付着してコントラスト低下を引き起こしたり、あ
るいは直接触れた際に軽い電気ショックによる不快感を
生じることが多い。従来、上述の現象を防止するため
に、ブラウン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試み
が種々なされてきた。例えば、特開昭６３−７６２４７
号公報には、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加
熱し、ＣＶＤ法により酸化錫および酸化インジウムなど
の導電性酸化物層を設ける方法が開示されている。
【０００３】しかしながら、この方法では成膜装置にコ
ストがかかることに加え、ブラウン管パネル表面を高温
に加熱するために、ブラウン管内の蛍光体の脱落を生じ
たり、寸法精度が低下するなどの問題があった。また、
導電層に用いる材料としては酸化錫が最も一般的である
が、酸化錫の場合、低温処理では高性能な膜が得にくい
という欠点があった。
ストがかかることに加え、ブラウン管パネル表面を高温
に加熱するために、ブラウン管内の蛍光体の脱落を生じ
たり、寸法精度が低下するなどの問題があった。また、
導電層に用いる材料としては酸化錫が最も一般的である
が、酸化錫の場合、低温処理では高性能な膜が得にくい
という欠点があった。
【０００４】また、近年、電磁波ノイズによる電子機器
への電波障害が社会問題となり、それらを防止するため
規格の作成および規制が行われている。電磁波ノイズ
は、人体について陰極線管（ＣＲＴ）上の静電気チャー
ジによる皮膚癌の恐れ、低周波電界（ＥＬＦ）による胎
児への影響、その他、Ｘ線、紫外線などによる障害が各
国で問題視されている。
への電波障害が社会問題となり、それらを防止するため
規格の作成および規制が行われている。電磁波ノイズ
は、人体について陰極線管（ＣＲＴ）上の静電気チャー
ジによる皮膚癌の恐れ、低周波電界（ＥＬＦ）による胎
児への影響、その他、Ｘ線、紫外線などによる障害が各
国で問題視されている。
【０００５】電磁波ノイズの遮断は、導電性塗膜をブラ
ウン管パネル表面に介在させることにより、導電性塗膜
に電磁波が当たり、塗膜内に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射させることによって可能である。しか
し、このためには高い電界強度に耐え得る良導電性が必
要であるが、それほどの良導電性の膜を得ることはさら
に困難であった。
ウン管パネル表面に介在させることにより、導電性塗膜
に電磁波が当たり、塗膜内に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射させることによって可能である。しか
し、このためには高い電界強度に耐え得る良導電性が必
要であるが、それほどの良導電性の膜を得ることはさら
に困難であった。
【０００６】また、導電膜および低反射性膜のコーティ
ング方法は、従来より光学機器においては言うまでもな
く、民生用機器、特にＴＶ、コンピューター端末のＣＲ
Ｔに関して数多くの検討がなされてきた。従来の方法と
しては、例えば、特開昭６１−１１８９３１号に、ブラ
ウン管パネル表面に防眩効果をもたせるために、表面に
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 層を付着させたり、フッ酸
により表面をエッチングして凹凸を設けるなどの方法が
開示されている。
ング方法は、従来より光学機器においては言うまでもな
く、民生用機器、特にＴＶ、コンピューター端末のＣＲ
Ｔに関して数多くの検討がなされてきた。従来の方法と
しては、例えば、特開昭６１−１１８９３１号に、ブラ
ウン管パネル表面に防眩効果をもたせるために、表面に
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 層を付着させたり、フッ酸
により表面をエッチングして凹凸を設けるなどの方法が
開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は、外部光を散乱させるノングレア処理と呼ば
れ、本質的に低反射層を設ける方法でないため、反射率
の低減には限界があり、また、ブラウン管パネルなどに
おいては、解像度を低下させる原因ともなっている。本
発明は、従来技術が有していた上述の欠点を解消しよう
とするものであり、低温熱処理により形成が可能な高性
能導電膜および低反射性導電膜を新規に提供することを
目的とする。
の方法は、外部光を散乱させるノングレア処理と呼ば
れ、本質的に低反射層を設ける方法でないため、反射率
の低減には限界があり、また、ブラウン管パネルなどに
おいては、解像度を低下させる原因ともなっている。本
発明は、従来技術が有していた上述の欠点を解消しよう
とするものであり、低温熱処理により形成が可能な高性
能導電膜および低反射性導電膜を新規に提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の元素と窒素よりなる窒化物の微粒子
が分散したゾルを含む塗布液を基体上に塗布し、加熱す
ることを特徴とする導電膜の形成方法を提供する。
Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の元素と窒素よりなる窒化物の微粒子
が分散したゾルを含む塗布液を基体上に塗布し、加熱す
ることを特徴とする導電膜の形成方法を提供する。
【０００９】また、本発明は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくと
も１種の元素の窒素不含有化合物を含む塗布液を基体上
に塗布し、窒素またはアンモニア雰囲気中で加熱処理す
ることを特徴とする導電膜の形成方法を提供する。
Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくと
も１種の元素の窒素不含有化合物を含む塗布液を基体上
に塗布し、窒素またはアンモニア雰囲気中で加熱処理す
ることを特徴とする導電膜の形成方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に発明の実施の形態を挙げて
本発明をさらに詳細に説明する。
本発明をさらに詳細に説明する。
【００１１】本発明の導電膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少な
くとも１種の元素と窒素からなる窒化物を含む膜であ
る。
Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少な
くとも１種の元素と窒素からなる窒化物を含む膜であ
る。
【００１２】かかる導電膜の形成方法の一つは、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から
選ばれる少なくとも１種の元素と窒素よりなる窒化物微
粒子のゾルを含む塗布液を基体上に塗布し、加熱する方
法である。
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から
選ばれる少なくとも１種の元素と窒素よりなる窒化物微
粒子のゾルを含む塗布液を基体上に塗布し、加熱する方
法である。
【００１３】本発明で使用される上記元素の窒化物とし
ては、例えば、三塩化チタン、四塩化チタン、オキシ塩
化ジルコニウム、オキシ塩化ハフニウム、三塩化バナジ
ウム、五塩化タンタル、オキシ塩化ニオブ、五塩化ニオ
ブ、塩化第二クロムなどの塩化物、オキシ塩化物やオキ
シ硝酸ジルコニウム、硝酸第二クロムなどの硝酸塩など
をｐＨ３〜１３の範囲で加水分解し、得られた沈殿物を
乾燥し、２５０℃〜８００℃の範囲で焼成して得たもの
が好ましい。２５０℃よりも低温における焼成では、得
られる窒化物はアモルファスであり、かつ窒化が充分進
行しないために好ましくない。
ては、例えば、三塩化チタン、四塩化チタン、オキシ塩
化ジルコニウム、オキシ塩化ハフニウム、三塩化バナジ
ウム、五塩化タンタル、オキシ塩化ニオブ、五塩化ニオ
ブ、塩化第二クロムなどの塩化物、オキシ塩化物やオキ
シ硝酸ジルコニウム、硝酸第二クロムなどの硝酸塩など
をｐＨ３〜１３の範囲で加水分解し、得られた沈殿物を
乾燥し、２５０℃〜８００℃の範囲で焼成して得たもの
が好ましい。２５０℃よりも低温における焼成では、得
られる窒化物はアモルファスであり、かつ窒化が充分進
行しないために好ましくない。
【００１４】また、８００℃よりも高温で焼成すると粒
子の異常成長などが生じ、塗膜化したときのヘイズなど
の外観上の欠点が生じやすく好ましくない。上記元素と
窒素よりなる窒化物微粒子の粉末は、粒子径が大きすぎ
ると塗布液の製造において分散しにくくなるため、平均
粒径は１０００Å以下であることが好ましく、導電性の
点から５０Å以上が好ましい。また、良好な導電性を有
する導電膜が形成されるためには、窒化物微粒子の比抵
抗は２Ωｃｍ以下であることが好ましい。
子の異常成長などが生じ、塗膜化したときのヘイズなど
の外観上の欠点が生じやすく好ましくない。上記元素と
窒素よりなる窒化物微粒子の粉末は、粒子径が大きすぎ
ると塗布液の製造において分散しにくくなるため、平均
粒径は１０００Å以下であることが好ましく、導電性の
点から５０Å以上が好ましい。また、良好な導電性を有
する導電膜が形成されるためには、窒化物微粒子の比抵
抗は２Ωｃｍ以下であることが好ましい。
【００１５】かかる窒化物微粒子粉末を用いる導電膜形
成用の塗布液を調製するためには、窒化物微粒子を水な
どの溶媒に均一に分散させることが重要である。分散さ
せる際には、溶媒と粉末の接触を容易ならしめるために
撹拌を充分に行うことが好ましい。撹拌分散手段として
は、例えば、コロイドミル、ボールミル、サンドミル、
ホモミキサーなどの市販の粉砕・分散機を用いることが
できる。また、分散させる際には、２０〜２００℃の範
囲で加熱することもできる。溶媒の沸点以上で撹拌する
場合には加圧して液相が保持できるようにする。
成用の塗布液を調製するためには、窒化物微粒子を水な
どの溶媒に均一に分散させることが重要である。分散さ
せる際には、溶媒と粉末の接触を容易ならしめるために
撹拌を充分に行うことが好ましい。撹拌分散手段として
は、例えば、コロイドミル、ボールミル、サンドミル、
ホモミキサーなどの市販の粉砕・分散機を用いることが
できる。また、分散させる際には、２０〜２００℃の範
囲で加熱することもできる。溶媒の沸点以上で撹拌する
場合には加圧して液相が保持できるようにする。
【００１６】このようにして、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくと
も１種の元素と窒素よりなる窒化物微粒子がコロイド粒
子として分散した水性ゾルが得られる。
Ｔａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくと
も１種の元素と窒素よりなる窒化物微粒子がコロイド粒
子として分散した水性ゾルが得られる。
【００１７】本発明における水性ゾルはそのまま塗布液
として用いることもできるが、基体に対する塗布性を増
すために、上記コロイド粒子を有機溶媒に分散させた塗
布液、または水性ゾルの水分を有機溶媒で置換して用い
ることも可能である。有機溶媒としては、比誘電率が５
以上で、沸点が５０℃以上２５０℃以下の親水性有機溶
媒が好ましい。沸点が５０℃未満の場合は有機溶媒の蒸
発が早く、膜の外観上の欠点が生じる。沸点が２５０℃
を超えると蒸発速度が著しく遅く、かつ膜焼成後に膜中
に有機溶媒が残留することがあり膜の特性を劣化させる
要因となる。
として用いることもできるが、基体に対する塗布性を増
すために、上記コロイド粒子を有機溶媒に分散させた塗
布液、または水性ゾルの水分を有機溶媒で置換して用い
ることも可能である。有機溶媒としては、比誘電率が５
以上で、沸点が５０℃以上２５０℃以下の親水性有機溶
媒が好ましい。沸点が５０℃未満の場合は有機溶媒の蒸
発が早く、膜の外観上の欠点が生じる。沸点が２５０℃
を超えると蒸発速度が著しく遅く、かつ膜焼成後に膜中
に有機溶媒が残留することがあり膜の特性を劣化させる
要因となる。
【００１８】例えば、メタノール、エタノール、プロピ
ルアルコール、ブタノールなどのアルコール類、エチル
セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プ
ロピレングリコールメチルエーテルなどのエーテル類、
２，４−ペンタジオン、ジアセトアルコールなどのケト
ン類、乳酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類が挙げ
られる。
ルアルコール、ブタノールなどのアルコール類、エチル
セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プ
ロピレングリコールメチルエーテルなどのエーテル類、
２，４−ペンタジオン、ジアセトアルコールなどのケト
ン類、乳酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類が挙げ
られる。
【００１９】また、上記の元素と窒素よりなる窒化物微
粒子を含む塗布液には、液の粘度、表面張力、広がり性
を調整する点からＳｉ（ＯＲ）y ・Ｒ′4-y （ｙは３ま
たは４、Ｒ，Ｒ′はアルキル基）などの珪素化合物を添
加することも可能である。さらに、基体との濡れ性を向
上させるために種々の界面活性剤を添加することもでき
る。塗布液中の窒化物微粒子の濃度は０．０５〜１０重
量％程度が好ましい。
粒子を含む塗布液には、液の粘度、表面張力、広がり性
を調整する点からＳｉ（ＯＲ）y ・Ｒ′4-y （ｙは３ま
たは４、Ｒ，Ｒ′はアルキル基）などの珪素化合物を添
加することも可能である。さらに、基体との濡れ性を向
上させるために種々の界面活性剤を添加することもでき
る。塗布液中の窒化物微粒子の濃度は０．０５〜１０重
量％程度が好ましい。
【００２０】上記のようにして調整した塗布液を基体上
に塗布する方法としては、例えば、スピンコート、ディ
ップコート、スプレーコートなどの方法が好適に使用可
能である。また、スプレーコート法を用いて表面に凹凸
を形成して防眩効果を付与してもよく、また、その上に
シリカ被膜などのハードコートを設けてもよい。さらに
は、本発明の導電膜をスピンコート、スプレーコートの
いずれかの方法で形成し、その上にシリコンアルコキシ
ドなどを含む溶液をスプレーコートして、表面に凹凸を
有するシリカ被膜のノングレアコートを設けてもよい。
に塗布する方法としては、例えば、スピンコート、ディ
ップコート、スプレーコートなどの方法が好適に使用可
能である。また、スプレーコート法を用いて表面に凹凸
を形成して防眩効果を付与してもよく、また、その上に
シリカ被膜などのハードコートを設けてもよい。さらに
は、本発明の導電膜をスピンコート、スプレーコートの
いずれかの方法で形成し、その上にシリコンアルコキシ
ドなどを含む溶液をスプレーコートして、表面に凹凸を
有するシリカ被膜のノングレアコートを設けてもよい。
【００２１】本発明におけるＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔ
ａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくとも
１種の元素と窒素よりなる窒化物微粒子のゾルを含む塗
布液を、それ自体で基体上への塗布液として供し得るた
めには、塗布液が水性ゾルの場合には低沸点有機溶媒を
添加すると室温下の乾燥で塗膜が得られる。あるいは塗
布液がオルガノゾルの場合には、低沸点有機溶媒をその
まま溶媒として使用すると、室温下の乾燥で塗膜が得ら
れる。
ａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくとも
１種の元素と窒素よりなる窒化物微粒子のゾルを含む塗
布液を、それ自体で基体上への塗布液として供し得るた
めには、塗布液が水性ゾルの場合には低沸点有機溶媒を
添加すると室温下の乾燥で塗膜が得られる。あるいは塗
布液がオルガノゾルの場合には、低沸点有機溶媒をその
まま溶媒として使用すると、室温下の乾燥で塗膜が得ら
れる。
【００２２】また塗布液が水性ゾルの場合に、前記塗布
液に沸点が１００〜２５０℃にある中、高沸点溶媒を添
加すると、室温乾燥では溶媒が塗膜中に残留するために
加熱処理を行う。あるいは塗布液がオルガノゾルの場合
に、前記中、高沸点溶媒をそのまま溶媒として使用する
と、室温乾燥では溶媒が塗膜中に残留するために加熱処
理を行う。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、
プラスチックなどの軟化点によって決定される。この点
も考慮すると好ましい加熱温度範囲は１００〜５００℃
である。
液に沸点が１００〜２５０℃にある中、高沸点溶媒を添
加すると、室温乾燥では溶媒が塗膜中に残留するために
加熱処理を行う。あるいは塗布液がオルガノゾルの場合
に、前記中、高沸点溶媒をそのまま溶媒として使用する
と、室温乾燥では溶媒が塗膜中に残留するために加熱処
理を行う。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、
プラスチックなどの軟化点によって決定される。この点
も考慮すると好ましい加熱温度範囲は１００〜５００℃
である。
【００２３】本発明における導電膜を形成させる他の方
法は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の窒素不含
有化合物を含む塗布液を基体表面に塗布して塗膜を形成
させた後、塗膜を窒素またはアンモニア雰囲気中で加熱
処理する方法である。
法は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、ＮｂおよびＣｒか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の窒素不含
有化合物を含む塗布液を基体表面に塗布して塗膜を形成
させた後、塗膜を窒素またはアンモニア雰囲気中で加熱
処理する方法である。
【００２４】この方法において用いられる上記元素の窒
素不含有化合物としては、例えば、三塩化チタン、四塩
化チタン、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ塩化ハフニ
ウム、三塩化バナジウム、五塩化タンタル、オキシ塩化
ニオブ、五塩化ニオブ、塩化第二クロムなどの塩化物、
オキシ塩化物などの塩化物やチタンテトラエトキシド、
チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラターシャ
リーブトキシド、チタンイソプロポキシドのアセチルア
セトナート錯体、ジルコニウムブトキシド、タンタルペ
ンタイソプロポキシドなどのアルコキシドおよびそのキ
レート錯体などが挙げられる。
素不含有化合物としては、例えば、三塩化チタン、四塩
化チタン、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ塩化ハフニ
ウム、三塩化バナジウム、五塩化タンタル、オキシ塩化
ニオブ、五塩化ニオブ、塩化第二クロムなどの塩化物、
オキシ塩化物などの塩化物やチタンテトラエトキシド、
チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラターシャ
リーブトキシド、チタンイソプロポキシドのアセチルア
セトナート錯体、ジルコニウムブトキシド、タンタルペ
ンタイソプロポキシドなどのアルコキシドおよびそのキ
レート錯体などが挙げられる。
【００２５】上記の元素と窒素よりなる窒化物の導電膜
は、これらの化合物をアルコール、あるいはケトン類な
どに溶解した塗布液を、基体上に前記の方法で塗布して
塗膜を形成させた後、該膜を窒素あるいはアンモニア雰
囲気中で加熱焼成を行うことにより製造することができ
る。また、塗布液を塗布する段階で、超音波などの手段
によりミスト状にした塗布液を、窒素あるいはアンモニ
ア雰囲気中で加熱下に基体上に噴霧することも可能であ
る。加熱焼成温度としては２５０℃以上が好ましく、ま
た、ガラス基体が軟化するなどからして６５０℃以下が
好ましい。
は、これらの化合物をアルコール、あるいはケトン類な
どに溶解した塗布液を、基体上に前記の方法で塗布して
塗膜を形成させた後、該膜を窒素あるいはアンモニア雰
囲気中で加熱焼成を行うことにより製造することができ
る。また、塗布液を塗布する段階で、超音波などの手段
によりミスト状にした塗布液を、窒素あるいはアンモニ
ア雰囲気中で加熱下に基体上に噴霧することも可能であ
る。加熱焼成温度としては２５０℃以上が好ましく、ま
た、ガラス基体が軟化するなどからして６５０℃以下が
好ましい。
【００２６】本発明においては、上記のいずれかの方法
で基体上に形成させた前記元素の窒化物からなる導電膜
の上に、光の干渉作用を利用して低反射性膜を形成する
ことができる。例えば、基体がガラス（屈折率ｎ＝１．
５２）の場合には、上記導電膜の上に、（導電膜の屈折
率）／（低屈折率膜の屈折率）の比の値が約１．２３と
なるような低屈折率膜を形成すると反射率を最も低減す
ることができる。反射率の低減には可視光領域におい
て、特に５５５ｎｍの反射率を低減することが好ましい
が、実用上は反射外観などを考慮して適宜決定すること
が好ましい。このような低反射性膜の膜厚は５００〜４
０００Å程度が好ましい。
で基体上に形成させた前記元素の窒化物からなる導電膜
の上に、光の干渉作用を利用して低反射性膜を形成する
ことができる。例えば、基体がガラス（屈折率ｎ＝１．
５２）の場合には、上記導電膜の上に、（導電膜の屈折
率）／（低屈折率膜の屈折率）の比の値が約１．２３と
なるような低屈折率膜を形成すると反射率を最も低減す
ることができる。反射率の低減には可視光領域におい
て、特に５５５ｎｍの反射率を低減することが好ましい
が、実用上は反射外観などを考慮して適宜決定すること
が好ましい。このような低反射性膜の膜厚は５００〜４
０００Å程度が好ましい。
【００２７】かかる２層からなる低反射性導電膜の最外
層の低屈折率膜としては、ＭｇＦ2ゾルを含む溶液や、
Ｓｉアルコキシドを含む溶液の内から選ばれる少なくと
も１種よりなる溶液を用いて形成することができる。屈
折率の点より、該材料の内ではＭｇＦ2 が最も低く、反
射率低減のためにはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液を用いるこ
とが好ましいが、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2
を主成分とする膜が好ましい。
層の低屈折率膜としては、ＭｇＦ2ゾルを含む溶液や、
Ｓｉアルコキシドを含む溶液の内から選ばれる少なくと
も１種よりなる溶液を用いて形成することができる。屈
折率の点より、該材料の内ではＭｇＦ2 が最も低く、反
射率低減のためにはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液を用いるこ
とが好ましいが、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2
を主成分とする膜が好ましい。
【００２８】かかる低屈折率膜形成用のＳｉアルコキシ
ドを含む溶液としては種々のものが使用可能であるが、
Ｓｉ（ＯＲ）y ・Ｒ′4-y （ｙは３または４、Ｒ，Ｒ′
はアルキル基）で示されるＳｉアルコキシド、あるいは
その部分加水分解物を含む液が好ましいものとして挙げ
られる。Ｓｉアルコキシドとしては、例えば、シリコン
エトキシド、シリコンメトキシド、シリコンイソプロポ
キシド、シリコンブトキシドなどのモノマー、あるいは
これらの重合体が好ましく使用可能である。
ドを含む溶液としては種々のものが使用可能であるが、
Ｓｉ（ＯＲ）y ・Ｒ′4-y （ｙは３または４、Ｒ，Ｒ′
はアルキル基）で示されるＳｉアルコキシド、あるいは
その部分加水分解物を含む液が好ましいものとして挙げ
られる。Ｓｉアルコキシドとしては、例えば、シリコン
エトキシド、シリコンメトキシド、シリコンイソプロポ
キシド、シリコンブトキシドなどのモノマー、あるいは
これらの重合体が好ましく使用可能である。
【００２９】Ｓｉアルコキシドは、アルコール、エステ
ル、エーテルなどに溶解して用いることもでき、また、
前記溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ぎ酸、マレイン
酸、フッ酸、あるいはアンモニア水溶液などを添加して
加水分解して用いることもできる。Ｓｉアルコキシド
は、溶媒に対して３０重量％以下の濃度で含まれている
ことが好ましい。固形分量が大きすぎると保存安定性が
悪くなるため、かかる固形分量が好ましい。
ル、エーテルなどに溶解して用いることもでき、また、
前記溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ぎ酸、マレイン
酸、フッ酸、あるいはアンモニア水溶液などを添加して
加水分解して用いることもできる。Ｓｉアルコキシド
は、溶媒に対して３０重量％以下の濃度で含まれている
ことが好ましい。固形分量が大きすぎると保存安定性が
悪くなるため、かかる固形分量が好ましい。
【００３０】ＭｇＦ2 を使用する場合には、前記の窒化
物微粒子の場合と同様に水などの溶媒にコロイド粒子と
して分散させたＭｇＦ2 ゾルとして使用する。分散液中
のＭｇＦ2 の濃度は窒化物微粒子の場合と同様である。
物微粒子の場合と同様に水などの溶媒にコロイド粒子と
して分散させたＭｇＦ2 ゾルとして使用する。分散液中
のＭｇＦ2 の濃度は窒化物微粒子の場合と同様である。
【００３１】また、低屈折率膜形成用の塗布液には、膜
の強度を向上させるためにバインダーとして、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｎ、Ａｌなどのアルコキシドや、これらの部分加
水分解物を添加して、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 などの内の１種または２種以上の複合物をＭ
ｇＦ2 やＳｉＯ2 と同時に析出させてもよい。これらの
アルコキシドの添加量はアルコキシドの種類によって相
違はあるが、夫々の酸化物としてＭｇＦ2 やＳｉＯ2 に
対して４０重量％以下の量で添加することが好ましく、
膜強度と屈折率を考慮して最適量を決める。
の強度を向上させるためにバインダーとして、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｎ、Ａｌなどのアルコキシドや、これらの部分加
水分解物を添加して、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 などの内の１種または２種以上の複合物をＭ
ｇＦ2 やＳｉＯ2 と同時に析出させてもよい。これらの
アルコキシドの添加量はアルコキシドの種類によって相
違はあるが、夫々の酸化物としてＭｇＦ2 やＳｉＯ2 に
対して４０重量％以下の量で添加することが好ましく、
膜強度と屈折率を考慮して最適量を決める。
【００３２】さらに、塗布液には、基体との濡れ性を向
上させるために界面活性剤を添加してもよい。添加され
る界面活性剤としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン
酸ナトリウム、アルキルエーテル硫酸エステルなどが挙
げられる。
上させるために界面活性剤を添加してもよい。添加され
る界面活性剤としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン
酸ナトリウム、アルキルエーテル硫酸エステルなどが挙
げられる。
【００３３】本発明の低反射性導電膜の形成方法は、多
層干渉効果による低反射性導電膜にも応用することがで
きる。反射防止性能を有する多層の低反射性膜の構成と
しては、例えば、反射防止をしたい光の波長をλとし
て、基体側より高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／
２−λ／４、あるいはλ／４−λ／４で形成した２層の
低反射性膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３
層の低反射性膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−
高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／２−λ／２−λ
／２−λ／４で形成した４層の低反射性膜などが典型的
な例として知られている。
層干渉効果による低反射性導電膜にも応用することがで
きる。反射防止性能を有する多層の低反射性膜の構成と
しては、例えば、反射防止をしたい光の波長をλとし
て、基体側より高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／
２−λ／４、あるいはλ／４−λ／４で形成した２層の
低反射性膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３
層の低反射性膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−
高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／２−λ／２−λ
／２−λ／４で形成した４層の低反射性膜などが典型的
な例として知られている。
【００３４】なお、本発明のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔ
ａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくとも
１種の元素の窒化物を含有する膜は、窒化物により可視
光領域全般にわたって吸収を生じるため、コントラスト
の向上にも寄与し、かつ低反射性においても優れてい
る。
ａ、ＮｂおよびＣｒからなる群から選ばれる少なくとも
１種の元素の窒化物を含有する膜は、窒化物により可視
光領域全般にわたって吸収を生じるため、コントラスト
の向上にも寄与し、かつ低反射性においても優れてい
る。
【００３５】上記元素と窒素とからなる窒化物微粒子が
分散したゾルなどを用いて形成される導電膜およびその
上層に形成される珪素化合物を主成分とする膜よりなる
低反射性導電膜を形成する基体としては、ブラウン管パ
ネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンル
ーム用ガラス、ＣＲＴ、あるいはＬＣＤなどの表示装置
の前面板などの各種ガラス、プラスチック基板を用いる
ことができる。
分散したゾルなどを用いて形成される導電膜およびその
上層に形成される珪素化合物を主成分とする膜よりなる
低反射性導電膜を形成する基体としては、ブラウン管パ
ネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンル
ーム用ガラス、ＣＲＴ、あるいはＬＣＤなどの表示装置
の前面板などの各種ガラス、プラスチック基板を用いる
ことができる。
【００３６】
【実施例】以下に実施例および比較例を挙げ本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。なお、以下の実施例、比較例にお
ける使用割合、％は重量基準（重量％）である。また、
各実施例および比較例で得られた膜の評価方法は下記の
通りである。
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。なお、以下の実施例、比較例にお
ける使用割合、％は重量基準（重量％）である。また、
各実施例および比較例で得られた膜の評価方法は下記の
通りである。
【００３７】（１）導電性評価 ローレスタ抵抗測定器（三菱化学（株）製）により膜表
面の表面抵抗を測定した。
面の表面抵抗を測定した。
【００３８】（２）耐擦傷性 擦傷性測定器（ライオン（株）製５０−５０）を用い、
１ｋｇ荷重下で膜表面を５０回往復させた後、その表面
の傷付き状態を目視で判断した。評価基準は、○：傷が
全く付かない、△：傷が多少つく、×：一部に膜剥離が
生じる、とした。
１ｋｇ荷重下で膜表面を５０回往復させた後、その表面
の傷付き状態を目視で判断した。評価基準は、○：傷が
全く付かない、△：傷が多少つく、×：一部に膜剥離が
生じる、とした。
【００３９】（３）鉛筆硬度 １ｋｇ荷重下において、種々の硬度の鉛筆で膜表面を走
査し、その後目視により表面に傷が生じ始める鉛筆の硬
度を膜の鉛筆硬度と判断した。
査し、その後目視により表面に傷が生じ始める鉛筆の硬
度を膜の鉛筆硬度と判断した。
【００４０】（４）視感反射率 γ分光反射率スペクトル測定器により多層膜の４００〜
７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
【００４１】（５）視感透過率 日立製作所製スペクトロフォトメーター Ｕ−３５００
により３８０〜７８０ｎｍでの視感透過率を測定した。
により３８０〜７８０ｎｍでの視感透過率を測定した。
【００４２】［例１］三塩化チタニウム水溶液（固形分
１０％）を酸化物換算で３．０％となるようにエタノー
ルで希釈した（Ａ液）。Ａ液をガラス表面にスピンコー
ト法で１０００ｒｐｍの回転数で塗布を行った後、窒素
雰囲気下に５００℃で７時間加熱焼成を行い、ガラス表
面におよそ１０００Å厚の窒化チタニウムの導電膜を形
成させた。
１０％）を酸化物換算で３．０％となるようにエタノー
ルで希釈した（Ａ液）。Ａ液をガラス表面にスピンコー
ト法で１０００ｒｐｍの回転数で塗布を行った後、窒素
雰囲気下に５００℃で７時間加熱焼成を行い、ガラス表
面におよそ１０００Å厚の窒化チタニウムの導電膜を形
成させた。
【００４３】［例２］三塩化チタニウム水溶液（固形分
２０％）を、アンモニア水でｐＨ１０に調整して５０℃
に保持した溶液中に添加し、水酸化物を沈澱析出させ
た。この沈殿物を洗浄、濾過分離し、１００℃で１２時
間乾燥させた。これを６５０℃で３時間アンモニア雰囲
気下で焼成して窒化チタニウム微粒子を得た。この窒化
物微粒子をサンドミルで２０分間粉砕した。この時の液
中の該微粒子の平均粒径は８０ｎｍで、比抵抗は０．０
０３Ωｃｍであった。その後濃縮を行い固形分５％の液
を得た（Ｂ液）。
２０％）を、アンモニア水でｐＨ１０に調整して５０℃
に保持した溶液中に添加し、水酸化物を沈澱析出させ
た。この沈殿物を洗浄、濾過分離し、１００℃で１２時
間乾燥させた。これを６５０℃で３時間アンモニア雰囲
気下で焼成して窒化チタニウム微粒子を得た。この窒化
物微粒子をサンドミルで２０分間粉砕した。この時の液
中の該微粒子の平均粒径は８０ｎｍで、比抵抗は０．０
０３Ωｃｍであった。その後濃縮を行い固形分５％の液
を得た（Ｂ液）。
【００４４】珪酸エチルをエタノールに溶かし、塩酸酸
性水溶液で加水分解を行い、ＳｉＯ2 換算で固形分が５
％となるようにエタノールで希釈した（Ｃ液）。Ｂ液と
Ｃ液をＢ液／Ｃ液＝８／２となるように混合し、その後
超音波を１時間照射して混合液を得た（Ｄ液）。水：エ
タノール：メタノール：プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルが５０：４２：５：３の割合である溶液を調
製した（Ｅ液）。Ｄ液をＥ液で固形分が２．０％となる
ように希釈して得たＦ液を、１４インチブラウン管パネ
ル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間
加熱して１５００Å厚の導電膜を形成させた。
性水溶液で加水分解を行い、ＳｉＯ2 換算で固形分が５
％となるようにエタノールで希釈した（Ｃ液）。Ｂ液と
Ｃ液をＢ液／Ｃ液＝８／２となるように混合し、その後
超音波を１時間照射して混合液を得た（Ｄ液）。水：エ
タノール：メタノール：プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルが５０：４２：５：３の割合である溶液を調
製した（Ｅ液）。Ｄ液をＥ液で固形分が２．０％となる
ように希釈して得たＦ液を、１４インチブラウン管パネ
ル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間
加熱して１５００Å厚の導電膜を形成させた。
【００４５】［例３］オキシ塩化ジルコニウムを、アン
モニア水でｐＨ１１に調整して５０℃に保持した溶液中
に添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、こ
れを７５０℃で３時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒
化ジルコニウム微粒子を得た。この窒化物微粒子をサン
ドミルで２５分間粉砕した。この時の液中の該微粒子の
平均粒径は９２ｎｍで、比抵抗は０．００５Ωｃｍであ
った。その後濃縮を行い固形分５％の液を得た（Ｇ
液）。
モニア水でｐＨ１１に調整して５０℃に保持した溶液中
に添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、こ
れを７５０℃で３時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒
化ジルコニウム微粒子を得た。この窒化物微粒子をサン
ドミルで２５分間粉砕した。この時の液中の該微粒子の
平均粒径は９２ｎｍで、比抵抗は０．００５Ωｃｍであ
った。その後濃縮を行い固形分５％の液を得た（Ｇ
液）。
【００４６】Ｃ液とＧ液をＣ液／Ｇ液＝２／８となるよ
うに混合し、その後超音波を２．３時間照射して混合液
を得た（Ｈ液）。Ｈ液をＥ液で固形分が２．２％となる
ように希釈したＩ液を、１４インチブラウン管パネル表
面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱
して１２００Å厚の導電膜を形成させた。
うに混合し、その後超音波を２．３時間照射して混合液
を得た（Ｈ液）。Ｈ液をＥ液で固形分が２．２％となる
ように希釈したＩ液を、１４インチブラウン管パネル表
面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間加熱
して１２００Å厚の導電膜を形成させた。
【００４７】［例４］オキシ塩化ハフニウムを、アンモ
ニア水でｐＨ１１に調整して８０℃に保持した溶液中に
添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、空
気中で３００℃で３０分間焼成し、さらに８００℃で３
時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化ハフニウム微粒
子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで２．０時間
粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒径は９６ｎ
ｍで、比抵抗は０．０１Ωｃｍであった。その後濃縮を
行い固形分５％の液を得た（Ｊ液）。
ニア水でｐＨ１１に調整して８０℃に保持した溶液中に
添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、空
気中で３００℃で３０分間焼成し、さらに８００℃で３
時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化ハフニウム微粒
子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで２．０時間
粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒径は９６ｎ
ｍで、比抵抗は０．０１Ωｃｍであった。その後濃縮を
行い固形分５％の液を得た（Ｊ液）。
【００４８】Ｃ液とＪ液をＣ液／Ｊ液＝１／９となるよ
うに混合し、その後超音波を４．２時間照射して混合液
を得た（Ｋ液）。Ｋ液をＥ液で固形分が２．２％となる
ように希釈して得たＬ液を、１４インチブラウン管パネ
ル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間
加熱して１７００Å厚の導電膜を形成させた。
うに混合し、その後超音波を４．２時間照射して混合液
を得た（Ｋ液）。Ｋ液をＥ液で固形分が２．２％となる
ように希釈して得たＬ液を、１４インチブラウン管パネ
ル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間
加熱して１７００Å厚の導電膜を形成させた。
【００４９】［例５］三塩化バナジウムを、アンモニア
水でｐＨ１０に調整して８０℃に保持した溶液中に添加
し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗浄、濾
過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、空気中で
３００℃で３０分間焼成し、さらにアンモニア雰囲気中
で８５０℃で３時間焼成し、窒化バナジウム微粒子を得
た。この窒化物微粒子をサンドミルで４．２時間粉砕し
た。この時の液中の該微粒子の平均粒径は７５ｎｍで、
比抵抗は０．００９Ωｃｍであった。その後濃縮を行い
固形分５％の液を得た（Ｍ液）。
水でｐＨ１０に調整して８０℃に保持した溶液中に添加
し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗浄、濾
過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、空気中で
３００℃で３０分間焼成し、さらにアンモニア雰囲気中
で８５０℃で３時間焼成し、窒化バナジウム微粒子を得
た。この窒化物微粒子をサンドミルで４．２時間粉砕し
た。この時の液中の該微粒子の平均粒径は７５ｎｍで、
比抵抗は０．００９Ωｃｍであった。その後濃縮を行い
固形分５％の液を得た（Ｍ液）。
【００５０】Ｃ液とＭ液をＣ液／Ｍ液＝１／９となるよ
うに混合し、その後超音波を１．０時間照射して混合液
を得た（Ｎ液）。Ｎ液をＥ液で固形分が２．２％となる
ように希釈して得たＯ液を、１４インチブラウン管パネ
ル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間
加熱して１８００Å厚の導電膜を形成させた。
うに混合し、その後超音波を１．０時間照射して混合液
を得た（Ｎ液）。Ｎ液をＥ液で固形分が２．２％となる
ように希釈して得たＯ液を、１４インチブラウン管パネ
ル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分間
加熱して１８００Å厚の導電膜を形成させた。
【００５１】［例６］塩化第二クロムを、アンモニア水
でｐＨ８．８に調整して５０℃に保持した溶液中に添加
し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗浄、濾
過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、６５０℃
で３時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化クロム微粒
子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで１．８時間
粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒径は８２ｎ
ｍで、比抵抗は０．００４Ωｃｍであった。その後濃縮
を行い固形分５％の液を得た（Ｐ液）。
でｐＨ８．８に調整して５０℃に保持した溶液中に添加
し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗浄、濾
過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、６５０℃
で３時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化クロム微粒
子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで１．８時間
粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒径は８２ｎ
ｍで、比抵抗は０．００４Ωｃｍであった。その後濃縮
を行い固形分５％の液を得た（Ｐ液）。
【００５２】Ｃ液とＰ液をＣ液／Ｐ液＝２．５／７．５
となるように混合し、その後超音波を１．０時間照射し
て混合液を得た（Ｑ液）。Ｑ液をＥ液で固形分が２．２
％となるように希釈して得たＲ液を、１４インチブラウ
ン管パネル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で
３０分間加熱して１４００Å厚の導電膜を形成させた。
となるように混合し、その後超音波を１．０時間照射し
て混合液を得た（Ｑ液）。Ｑ液をＥ液で固形分が２．２
％となるように希釈して得たＲ液を、１４インチブラウ
ン管パネル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で
３０分間加熱して１４００Å厚の導電膜を形成させた。
【００５３】［例７］オキシ塩化ニオブを、アンモニア
でｐＨ１２に調整して５０℃に保持した溶液中に添加
し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗浄、濾
過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、９００℃
で５時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化ニオブ微粒
子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで３．５時間
粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒径は６８ｎ
ｍで、比抵抗は０．００２Ωｃｍであった。その後濃縮
を行い固形分５％の液を得た（Ｓ液）。
でｐＨ１２に調整して５０℃に保持した溶液中に添加
し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗浄、濾
過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、９００℃
で５時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化ニオブ微粒
子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで３．５時間
粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒径は６８ｎ
ｍで、比抵抗は０．００２Ωｃｍであった。その後濃縮
を行い固形分５％の液を得た（Ｓ液）。
【００５４】Ｃ液とＳ液をＣ液／Ｓ液＝１．５／８．５
となるように混合し、その後超音波を１．０時間照射し
て混合液を得た（Ｔ液）。Ｔ液をＥ液で固形分が２．７
％となるように希釈して得たＵ液を、１４インチブラウ
ン管パネル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で
３０分間加熱して１９００Å厚の導電膜を形成させた。
となるように混合し、その後超音波を１．０時間照射し
て混合液を得た（Ｔ液）。Ｔ液をＥ液で固形分が２．７
％となるように希釈して得たＵ液を、１４インチブラウ
ン管パネル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で
３０分間加熱して１９００Å厚の導電膜を形成させた。
【００５５】［例８］タンタルペンタイソプロポキシド
を、塩酸でｐＨ３に調整して５０℃に保持した溶液中に
添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、７
００℃で５時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化タン
タル微粒子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで
３．５時間粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒
径は５９ｎｍで、比抵抗は０．００５Ωｃｍであった。
その後濃縮を行い固形分５％の液を得た（Ｖ液）。
を、塩酸でｐＨ３に調整して５０℃に保持した溶液中に
添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾過分離し、１００℃で１２時間乾燥させた後、７
００℃で５時間アンモニア雰囲気中で焼成し、窒化タン
タル微粒子を得た。この窒化物微粒子をサンドミルで
３．５時間粉砕した。この時の液中の該微粒子の平均粒
径は５９ｎｍで、比抵抗は０．００５Ωｃｍであった。
その後濃縮を行い固形分５％の液を得た（Ｖ液）。
【００５６】Ｃ液とＶ液をＣ液／Ｖ液＝１／９となるよ
うに混合し、その後超音波を１．０時間射して得た混合
液を得た（Ｗ液）。Ｗ液をＥ液で固形分が２．８％とな
るように希釈して得たＸ液を、１４インチブラウン管パ
ネル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分
間加熱して１２００Å厚の導電膜を形成させた。
うに混合し、その後超音波を１．０時間射して得た混合
液を得た（Ｗ液）。Ｗ液をＥ液で固形分が２．８％とな
るように希釈して得たＸ液を、１４インチブラウン管パ
ネル表面にスピンコート法で塗布し、１８０℃で３０分
間加熱して１２００Å厚の導電膜を形成させた。
【００５７】［例９］Ｂ液をＥ液で１．５％に希釈した
液を１４インチブラウン管パネル表面にスピンコート法
で塗布し、６０℃で１０分間乾燥させた。その後この膜
の上に、Ｃ液をＥ液で１．０％に希釈した液をスピンコ
ート法で塗布し、１８０℃で２０分間焼成して２０００
Å厚の低反射性導電膜を形成させた。
液を１４インチブラウン管パネル表面にスピンコート法
で塗布し、６０℃で１０分間乾燥させた。その後この膜
の上に、Ｃ液をＥ液で１．０％に希釈した液をスピンコ
ート法で塗布し、１８０℃で２０分間焼成して２０００
Å厚の低反射性導電膜を形成させた。
【００５８】［例１０］例９におけるＢ液をＧ液に変更
した以外は例９と同様にして２４００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
した以外は例９と同様にして２４００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
【００５９】［例１１］例９におけるＢ液をＪ液に変更
した以外は例９と同様にして２３００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
した以外は例９と同様にして２３００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
【００６０】［例１２］例９におけるＢ液をＳ液に変更
した以外は例９と同様にして１９００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
した以外は例９と同様にして１９００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
【００６１】［例１３］例９におけるＢ液をＰ液に変更
した以外は例９と同様にして２３００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
した以外は例９と同様にして２３００Å厚の低反射性導
電膜を形成させた。
【００６２】［例１４］Ａ液をガラス表面にスピンコー
ト法で２０００ｒｐｍの回転数で塗布した後、窒素雰囲
気下６５０℃で２時間加熱焼成を行い、ガラス表面にお
よそ２００Å厚の窒化チタニウムの導電膜を形成させ
た。この導電膜の上に、Ｃ液をＥ液で０．９％に希釈し
た液をスピンコート法で塗布し、２５０℃で３０分間焼
成して１６００Å厚の低反射性導電膜を形成させた。
ト法で２０００ｒｐｍの回転数で塗布した後、窒素雰囲
気下６５０℃で２時間加熱焼成を行い、ガラス表面にお
よそ２００Å厚の窒化チタニウムの導電膜を形成させ
た。この導電膜の上に、Ｃ液をＥ液で０．９％に希釈し
た液をスピンコート法で塗布し、２５０℃で３０分間焼
成して１６００Å厚の低反射性導電膜を形成させた。
【００６３】［例１５］エタノール５０ｇに水３ｇを添
加し、更にＭｇＣｌ2 を０．０５モル、ＢＦ3・Ｃ2 Ｈ5
ＯＨを０．０３３モル加え、完全に溶解させた後、還
流冷却器付フラスコに入れ、８５℃で１時間反応させて
ＭｇＦ2 ゾルを得た。このゾル液を弗化物換算固形分で
５％となるようにエタノールで希釈し、ＳｉＯ2 ：Ｍｇ
Ｆ2 ＝４：６の重量比となるようにＣ液と混合した（Ｘ
液）。例１３におけるＰ液をＸ液に変更した以外は実施
例１３と同様にして２２００Å厚の低反射性導電膜を形
成させた。
加し、更にＭｇＣｌ2 を０．０５モル、ＢＦ3・Ｃ2 Ｈ5
ＯＨを０．０３３モル加え、完全に溶解させた後、還
流冷却器付フラスコに入れ、８５℃で１時間反応させて
ＭｇＦ2 ゾルを得た。このゾル液を弗化物換算固形分で
５％となるようにエタノールで希釈し、ＳｉＯ2 ：Ｍｇ
Ｆ2 ＝４：６の重量比となるようにＣ液と混合した（Ｘ
液）。例１３におけるＰ液をＸ液に変更した以外は実施
例１３と同様にして２２００Å厚の低反射性導電膜を形
成させた。
【００６４】［例１６］塩化スズと塩化アンチモンをＳ
ｂ／Ｓｎ＝８５／１５となるように混合し、これをアン
モニア水でｐＨ１０に調整して５０℃に保持した溶液中
に添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾別し、１００℃で１２時間乾燥させた後、６５０
℃で３時間大気中で焼成し、アンチモンドープ酸化錫微
粒子を得た。この微粒子をサンドミルで２時間粉砕し
た。この時の液中の該微粒子の平均粒径は６５ｎｍで、
比抵抗は２．３Ωｃｍであった。その後濃縮を行い固形
分５％の液を得た。
ｂ／Ｓｎ＝８５／１５となるように混合し、これをアン
モニア水でｐＨ１０に調整して５０℃に保持した溶液中
に添加し、水酸化物を沈澱析出させた。この沈殿物を洗
浄、濾別し、１００℃で１２時間乾燥させた後、６５０
℃で３時間大気中で焼成し、アンチモンドープ酸化錫微
粒子を得た。この微粒子をサンドミルで２時間粉砕し
た。この時の液中の該微粒子の平均粒径は６５ｎｍで、
比抵抗は２．３Ωｃｍであった。その後濃縮を行い固形
分５％の液を得た。
【００６５】この液をＥ液で固形分１．２％に希釈した
液を、１４インチブラウン管パネル表面にスピンコート
して１２００Å厚の導電膜を形成させた。さらにこの膜
の上に、Ｃ液をＥ液で１．０％に希釈した液をスピンコ
ート法で塗布し、１８０℃で２０分間焼成して２層膜を
形成させた。
液を、１４インチブラウン管パネル表面にスピンコート
して１２００Å厚の導電膜を形成させた。さらにこの膜
の上に、Ｃ液をＥ液で１．０％に希釈した液をスピンコ
ート法で塗布し、１８０℃で２０分間焼成して２層膜を
形成させた。
【００６６】以上の例１〜１５が実施例であり、例１６
が比較例である。各実施例および比較例の膜の評価結果
をまとめて表１に示す。
が比較例である。各実施例および比較例の膜の評価結果
をまとめて表１に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、スプレーまたはスピン
コートなどの簡便な方法により効率よく優れた導電膜を
提供することが可能となる。本発明は窒化物による導電
膜を提供するため、電磁波を容易にシールドすることが
でき、かつ比較的安価に上記導電膜を製造することがで
きる。特に、ＣＲＴのパネルフェイス面などの大面積の
基体にも充分適用することができ、量産も可能であるた
めに工業的価値は非常に高い。
コートなどの簡便な方法により効率よく優れた導電膜を
提供することが可能となる。本発明は窒化物による導電
膜を提供するため、電磁波を容易にシールドすることが
でき、かつ比較的安価に上記導電膜を製造することがで
きる。特に、ＣＲＴのパネルフェイス面などの大面積の
基体にも充分適用することができ、量産も可能であるた
めに工業的価値は非常に高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石関 健二 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 森本 剛 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂおよび
Ｃｒからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と窒
素よりなる窒化物の微粒子が分散したゾルを含む塗布液
を基体上に塗布し、加熱することを特徴とする導電膜の
形成方法。 - 【請求項２】窒化物微粒子の平均粒径が、１０００Å以
下である請求項１記載の導電膜の形成方法。 - 【請求項３】窒化物微粒子の比抵抗が、２Ωｃｍ以下で
ある請求項１または２記載の導電膜の形成方法。 - 【請求項４】塗布液が、比誘電率が５以上、かつ沸点が
５０〜２５０℃である有機溶媒の少なくとも１種を含む
請求項１〜３いずれか１項記載の導電膜の形成方法。 - 【請求項５】塗布液が、珪素化合物を含む請求項１〜４
いずれか１項記載の導電膜の形成方法。 - 【請求項６】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂおよび
Ｃｒからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の窒
素不含有化合物を含む塗布液を基体上に塗布し、窒素ま
たはアンモニア雰囲気中で加熱処理することを特徴とす
る導電膜の形成方法。 - 【請求項７】請求項１〜６いずれか１項記載の方法で基
体上に形成されたことを特徴とする導電膜。 - 【請求項８】基体が、ガラスである請求項７記載の導電
膜。 - 【請求項９】基体が、ブラウン管パネルである請求項７
記載の導電膜。 - 【請求項１０】導電膜上に、該導電膜より低屈折率の膜
が形成されてなる請求項７〜９いずれか１項記載の低反
射性導電膜。 - 【請求項１１】低屈折率の膜が、ＳｉＯ2 またはＭｇＦ
2 を主成分とする膜である請求項１０記載の低反射性導
電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28098995A JP3661244B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 導電膜、低反射性導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28098995A JP3661244B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 導電膜、低反射性導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129130A true JPH09129130A (ja) | 1997-05-16 |
| JP3661244B2 JP3661244B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=17632713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28098995A Expired - Fee Related JP3661244B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 導電膜、低反射性導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3661244B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016526278A (ja) * | 2013-04-30 | 2016-09-01 | インクテック カンパニー， リミテッドＩｎｋｔｅｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 黒化導電性パターンの形成方法および黒化導電性インク組成物 |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP28098995A patent/JP3661244B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016526278A (ja) * | 2013-04-30 | 2016-09-01 | インクテック カンパニー， リミテッドＩｎｋｔｅｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 黒化導電性パターンの形成方法および黒化導電性インク組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3661244B2 (ja) | 2005-06-15 |
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