JPH09121068A - 半導体レーザ駆動回路、半導体レーザ装置、画像記録装置並びに光ディスク装置 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路、半導体レーザ装置、画像記録装置並びに光ディスク装置

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JPH09121068A
JPH09121068A JP8196690A JP19669096A JPH09121068A JP H09121068 A JPH09121068 A JP H09121068A JP 8196690 A JP8196690 A JP 8196690A JP 19669096 A JP19669096 A JP 19669096A JP H09121068 A JPH09121068 A JP H09121068A
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drive
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の半導体レーザ駆動回路によれば発光遅
延が生じ、またこのような半導体レーザ駆動回路を用い
た従来の画像記録装置では高画質及び高速応答性が達成
されなかった。 【解決手段】 入力された発光レベル設定電圧Ｖｉに基
づいた第１の駆動信号を出力する増幅器６０１、半導体
レーザの発光を指示する制御信号と増幅器６０１から出
力された第１の駆動信号とを与えられて第２の駆動信号
を出力する駆動信号生成回路６０３、第２の駆動信号を
与えられて半導体レーザに供給する駆動電流を生成して
出力する駆動回路６０５、発光レベル設定電圧を入力さ
れ消光期間における第２の駆動信号のレベルの調整を行
う制御回路６０２を備え、消光期間において出力段トラ
ンジスタ６０４のベース・エミッタ間に動作閾値電圧近
傍の電圧が印加されるように制御し、発光遅延を防止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置、
レーザビームプリンタ、複写機、光データ通信システ
ム、あるいは各種計測器等に用いることができる半導体
レーザ駆動回路、及びこの半導体レーザ駆動回路を用い
た光ディスク装置、並びに画像記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、駆動電流の制御によっ
て発光電力の変調を容易に行うことが可能であり、また
小型で消費電力が小さく、電力−光の変換効率が高いと
いう利点がある。このため、光ディスク装置やレーザプ
リンタ、複写機等の画像記録装置に多く利用されるに至
っている。
【０００３】ところが、半導体レーザには次のような特
性がある。 （１） 温度変化、経年変化により、微分量子効率が変
化する。 （２） 温度変化、反射光によりレーザ駆動電流におけ
る閾値が変化する。 （３） 反射光によりモードホッピング雑音が発生す
る。
【０００４】このような特性が原因となって、半導体レ
ーザから発光される光量には変動が生じる。そこで、半
導体レーザの出力光量をモニタして一定の光量が維持さ
れるように制御する回路が用いられている。例えば、従
来の制御回路として特開平４−２０８５８１号公報に開
示されたものがある。半導体レーザから出力された光
を、受光素子としてのフォトデテクタで受光して発光量
に比例した受光電流に変換し、この受光電流を負帰還し
誤差検出回路によって発光電力指示信号との誤差を検出
し、この誤差が「０」になるように半導体レーザの駆動
電流を制御する。このようなフィードバック制御系の他
に、このフィードバック制御系の位相遅れを補償するた
めに、補償電流を誤差検出回路の入力に負帰還する補償
回路をさらに備えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザプリ
ンタ等の画像記録装置では、光のオン・オフの比率を示
す消光比を十分に高くすることが要求される。しかし、
半導体レーザがオフしている領域、即ちレーザが発振す
るときの閾値近傍以下ではフィードバックの効率が大幅
に低下し、制御が殆ど不能になる。このため、従来の半
導体レーザ装置には消光比が低下し発光遅延も生じると
いう問題があった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、発光遅延を防止することが可能な半導体レーザ駆動
回路、あるいは発光遅延を防止しかつ高い消光比が得ら
れる半導体レーザ駆動回路、及びこの半導体レーザ駆動
回路を用いて高周波特性に優れ低消費電力化が可能な光
ディスク装置、あるいは高画質を得ることができる画像
記録装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ駆
動回路は、発光レベル設定電圧を入力され、この発光レ
ベル設定電圧に基づいた第１の駆動信号を出力する増幅
器と、半導体レーザの発光を指示する制御信号と、前記
増幅器から出力された前記第１の駆動信号とを与えら
れ、発光、消光に応じて前記第１の駆動信号のレベルに
対応した第２の駆動信号を出力する駆動信号生成回路
と、前記駆動信号生成回路から出力された前記第２の駆
動信号を与えられ、前記半導体レーザに供給する駆動電
流を生成して出力する駆動回路と、前記発光レベル設定
電圧を入力され、この発光レベル設定電圧に応じて、消
光期間における前記第２の駆動信号のレベルの調整を行
う制御回路とを備えたことを特徴としている。
【０００８】ここで、前記駆動信号生成回路は、前記半
導体レーザの発光時にオフし消光時にオンするスイッチ
と、前記半導体レーザの消光時に前記制御回路の制御に
より前記第１の駆動信号に対応した電流を引き抜いて前
記第２の駆動信号を生成する定電流源とを有するもので
あってもよい。
【０００９】また、本発明の駆動信号生成回路は、相補
的な発光レベル設定電圧を入力され、この発光レベル設
定電圧に基づいて相補的な第１の駆動信号及び反転第１
の駆動信号をそれぞれ出力する差動型の増幅器と、前記
第１の駆動信号と半導体レーザの発光を指示する相補的
な制御信号とを入力され、発光期間では前記第１の駆動
信号とほぼレベルが等しく消光期間では前記第１の駆動
信号のレベルを低下させた第２の駆動信号を出力する駆
動信号生成回路と、前記第２の駆動信号を入力され、こ
の第２の駆動信号に基づいて前記半導体レーザに供給す
る駆動電流を生成して出力する駆動回路と、前記発光レ
ベル設定電圧、又は前記増幅器から出力された前記反転
第１の駆動信号を入力され、消光期間において前記駆動
信号生成回路が第１の駆動信号を低下させるレベルを制
御する制御回路とを備えている。
【００１０】ここで、増幅器は、電源電圧端子と接地端
子との間に直列に接続された第１の抵抗、第１のトラン
ジスタ、第１の定電流源と、これと並列に、電源電圧端
子と接地端子との間に直列に接続された第２の抵抗、第
２のトランジスタ、第２の定電流源とを有し、前記第１
及び第２のトランジスタのそれぞれのベースに相補的な
発光レベル設定電圧を入力され、この発光レベル設定電
圧に基づいた第１の駆動信号を前記第２のトランジスタ
の一端から出力し、この第１の駆動信号と相補的な反転
第１の駆動信号を前記第１のトランジスタの一端から出
力し、駆動信号生成回路は電源電圧端子と接地端子との
間に直列に接続された第３のトランジスタ及び第３の定
電流源と、前記第２のトランジスタの前記一端と、前記
第３のトランジスタと前記第３の定電流源との接続ノー
ドとの間に接続された第４のトランジスタとを有し、半
導体レーザの発光を指示する相補的な制御信号を前記第
３及び第４のトランジスタのベースに入力され、前記第
２のトランジスタから出力された前記第１の駆動信号を
前記第４のトランジスタの一端に入力されて、前記第４
のトランジスタの前記一端から、発光期間中は前記第１
の駆動信号のレベルを有する第２の駆動信号を出力し、
駆動回路は電源電圧端子と出力端子との間に両端を接続
され、前記駆動信号生成回路から出力された前記第２の
駆動信号をベースに入力される第５のトランジスタと、
この第５のトランジスタの一端から出力される信号に基
づいて前記半導体レーザに供給する駆動電流を出力する
出力段トランジスタとを含み、制御回路は電源電圧端子
と接地端子との間に直列に接続された抵抗、第６のトラ
ンジスタ及び第４の定電流源と、電源電圧端子と接地端
子との間に接続され、前記第６のトランジスタと前記第
４の定電流源との接続ノードとに入力端子を接続され、
出力端子を前記第３の定電流源の制御端子に接続された
電流電圧変換回路とを有し、前記発光レベル設定電圧又
は前記反転第１の駆動信号を前記第６のトランジスタの
ベースに入力され、消光期間における前記第３の定電流
源の電流量を制御する信号を前記電流電圧変換回路から
出力するものであってもよい。
【００１１】また、前記制御回路は、消光期間におい
て、前記駆動回路に含まれる出力段トランジスタのベー
ス・エミッタ間に動作閾値電圧近傍の電圧が印加される
ように、前記第２の駆動信号のレベルの調整を行うもの
であってもよい。
【００１２】本発明の半導体レーザ装置は、駆動電流を
供給されてレーザ光を出力する半導体レーザと、前記半
導体レーザから出力された前記レーザ光を検出して検出
信号を出力する光検出器と、前記光検出器から出力され
た前記検出信号と、前記半導体レーザの発光を指示する
制御信号とを与えられて、相補的な制御誤差信号を生成
して出力する制御増幅器と、前記増幅器、前記駆動信号
生成回路、前記駆動回路、前記制御回路と、前記制御誤
差信号又は前記反転第１の駆動信号と、前記制御信号と
を入力され、発光期間中の前記制御誤差信号又は前記反
転第１の駆動信号のレベルを保持し、消光期間中にこの
保持したレベルを出力するサンプルホールド回路と、前
記制御誤差信号又は前記反転第１の駆動信号と、前記サ
ンプルホールド回路が出力したレベルとを与えられて比
較し、この比較結果を消光期間中において前記制御増幅
器に与えて、前記制御増幅器が消光期間中に出力する前
記制御誤差信号のレベルを、発光期間中の前記制御誤差
信号又は前記反転第１の駆動信号のレベルに基づいて調
整させる比較器とを備えている。
【００１３】また、本発明の他の半導体装置は、前記半
導体レーザと、前記光検出器と、前記制御増幅器と、前
記半導体レーザの発光を指示する制御信号を出力するオ
シレータと、前記増幅器と、前記駆動信号生成回路と、
前記駆動回路と、前記制御回路とを備えている。
【００１４】また、本発明の他の半導体レーザ装置は、
駆動電流を供給されてレーザ光を出力する半導体レーザ
と、前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を検
出して検出信号を出力する光検出器と、前記光検出器か
ら出力された前記検出信号と、前記半導体レーザの発光
を指示する制御信号とを与えられて制御誤差信号を生成
して出力する制御増幅器と、前記制御誤差信号を与えら
れ、モニタ信号及び第１の駆動信号を生成して出力する
第１の駆動信号生成回路と、前記制御信号と前記第１の
駆動信号とを与えられ、消光期間中は、前記半導体レー
ザに供給される前記駆動電流がほぼ零となるように、前
記第１の駆動信号生成回路から出力された前記第１の駆
動信号のレベルを低下させて第２の駆動信号として出力
する第２の駆動信号生成回路と、前記第２の駆動信号生
成回路から出力された前記第２の駆動信号を与えられて
レベルシフトし、第３の駆動信号として出力するレベル
シフト回路と、前記レベルシフト回路から出力された前
記第３の駆動信号を与えられ、前記半導体レーザに供給
する駆動電流を出力する駆動回路と、前記制御信号と前
記モニタ信号とを与えられ、発光期間中の前記モニタ信
号のレベルを保持し、消光期間中においてこの保持した
レベルを出力するサンプルホールド回路と、前記サンプ
ルホールド回路が出力したレベルに基づいて、前記第２
の駆動信号生成回路が消光期間中に低下させる前記第１
の駆動信号のレベルの調整を行う第１の制御回路と、前
記サンプルホールド回路が出力したレベルと前記モニタ
信号とを与えられて比較し、この比較結果を消光期間中
において前記制御増幅器に与え、前記制御増幅器が前記
消光期間中に出力する前記制御誤差信号のレベルが、前
記発光期間中に出力する前記制御誤差信号のレベルを保
つように制御する比較器と、前記レベルシフト回路が出
力する前記第３の駆動信号の温度変化を補償するように
前記レベルシフト回路を制御する第２の制御回路とを備
えている。
【００１５】ここで、前記制御増幅器は、前記制御誤差
信号を差動出力として出力し、前記第１の駆動回路は、
電源電圧端子に第１の抵抗を介してコレクタを接続さ
れ、ベースに前記制御誤差信号の一方を入力され、エミ
ッタが電流源の一端に接続された第１のトランジスタ
と、電源電圧端子に第２の抵抗を介してコレクタを接続
され、ベースに前記制御誤差信号の他方を入力され、エ
ミッタが前記電流源の一端に接続された第２のトランジ
スタとを有し、前記第１のトランジスタのコレクタより
前記モニタ信号を生成し、前記第２のトランジスタのコ
レクタより前記第１の駆動信号を生成し、前記制御信号
を与えられて差動出力として出力する増幅器をさらに備
え、前記第２の駆動回路は、前記第２のトランジスタの
コレクタにコレクタを接続され、ベースに前記制御信号
の一方を入力され、エミッタを可変電流源の一端に接続
された第３のトランジスタと、電源電圧端子にコレクタ
を接続され、ベースに前記制御信号の他方を入力され、
エミッタを前記可変電流源の一端に接続された第４のト
ランジスタとを有し、前記可変電流源は前記第１の制御
回路によって出力電流を制御されるものであってもよ
い。
【００１６】また、前記レベルシフト回路は、前記第３
のトランジスタのコレクタにベースを接続され、コレク
タを電源端子に接続され、エミッタを第３の抵抗を介し
て前記可変電流源に接続された第５のトランジスタを有
し、前記可変電流源は前記第２の制御回路によって、前
記抵抗と前記可変電流源との接続ノードより出力する前
記第３の駆動信号のレベルが温度変化により変動しない
ように出力電流を制御されるものであってもよい。
【００１７】前記サンプルホールド回路は、前記第１の
駆動信号生成回路の有する前記第１のトランジスタのコ
レクタに入力端子を接続されて前記モニタ信号を入力さ
れ、前記制御信号を制御端子に入力され、前記制御信号
に基づき消光期間中の前記モニタ信号のレベルを保持し
て出力し、前記比較器は、前記サンプルホールド回路が
出力したレベルと、前記第１の駆動信号生成回路が出力
した前記モニタ信号とを与えられて比較し、前記比較結
果を出力する比較増幅器と、前記比較増幅器の出力端子
と前記制御増幅器の入力端子との間に両端が接続され、
前記制御信号を制御端子に入力されるスイッチ回路であ
って、前記制御信号に基づき消光期間中に前記比較増幅
器から出力された前記比較結果を前記制御増幅器に与え
る前記スイッチ回路とを有するものであってもよい。
【００１８】本発明の画像記録装置は、前記半導体レー
ザ装置と、この半導体レーザ装置からレーザ光が出力さ
れるように、前記半導体レーザ装置に前記制御信号を与
える制御信号生成回路と、前記制御信号を与えられて前
記半導体レーザ装置が出力した前記レーザ光を感光体の
表面に走査し、潜像を形成する走査手段と、前記走査手
段により前記感光体上に形成された前記潜像を可視化す
る画像生成部とを備えている。
【００１９】本発明の光ディスク装置は、前記半導体レ
ーザ装置と、前記半導体レーザ装置から前記レーザ光が
出力されるように、前記半導体レーザ装置に前記制御信
号を与えるオシレータと、前記制御信号を与えられて前
記半導体レーザ装置が出力した前記レーザ光を光ディス
クの表面に照射し、反射されたレーザ光を受光して光検
出信号を出力する光照射及び受光手段と、前記光照射及
び受光手段から出力された前記光検出信号を与えられ
て、光ディスクに書き込まれた情報を再生する再生情報
信号を出力する再生情報信号出力手段とを備えている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。先ず、本発明の実施の形
態について説明する前に、従来の半導体レーザ装置にお
けるオン・オフ時におけるフォトデテクタ（ＰＤ）から
成る光検出器が出力したモニタ電流の応答波形をシミュ
レーションした結果を図９に示す。半導体レーザを発光
させない消光期間中において、駆動電流を完全に「０」
にせずに一定の電流を流している場合は、消光比は低下
するが、応答波形２００のように良好なパルス特性が得
られる。これに対し、駆動電流を完全に「０」にする
と、応答波形２０１に示されたように、波形の立ち上が
りが急峻ではなくフィードバック効率が低下して十分な
オフ特性が得られない上に、発光遅延が生じる。また、
オフ特性を向上させるために、消光時には制御信号を負
のレベルにして変調を深くすると、応答波形２０２に示
されるようにオン時の波形が劣化し、制御動作が不安定
になる。このように、応答波形２０１又は２０２に示さ
れるような制御を行った場合には発光遅延が生じ、例え
ばレーザプリンタでは印刷画像のエッジのボケやズレと
いった問題が発生することになる。
【００２１】本発明の実施の形態では、このようなシミ
ュレーション結果に基づき、半導体レーザを発光させな
い消光期間中において、駆動電流を発生する駆動回路に
おける最終の出力段トランジスタが完全にオフしないよ
うに制御する。より具体的には、半導体レーザに供給す
る駆動電流を発生する出力段のトランジスタのベース・
エミッタ間に、動作閾値電圧近傍の電圧を半導体レーザ
の消光期間中に与えておくことで、発光期間における駆
動電流を一定に保ち、発光遅延を防ぐこと、さらにはこ
のような発光遅延のみならず、消光期間において強制的
に半導体レーザに与える駆動電流はほぼ「０」にして消
光比を向上させることとしている。
【００２２】本発明の第１の実施の形態による半導体レ
ーザ駆動回路の構成を、図１に示す。
【００２３】この半導体レーザ駆動回路は、増幅器６０
１、制御回路６０２、駆動信号生成回路６０３、ｎｐｎ
型バイポーラトランジスタＱ６０１及び出力段トランジ
スタ６０４を有する駆動回路６０５を備えている。
【００２４】増幅器６０１は、図示されていない半導体
レーザの発光時におけるレベルを示す発光レベル設定電
圧を入力されて増幅し、駆動信号を出力する。
【００２５】駆動信号生成回路６０３は、電源電圧Ｖcc
端子と接地端子との間に直列に接続された、抵抗Ｒ６０
１、スイッチ回路６０６及び可変電流源Ｉ６０１を有し
ている。スイッチ回路６０６は、半導体レーザの発光及
び消光のタイミングを規定する制御信号Ｖｃを入力され
て、増幅器６０１の出力端子と駆動回路６０５の入力端
子との接続ノードと、可変電流源Ｉ６０１との間の経路
の開閉を行う。可変電流源Ｉ６０１は、後述する制御回
路６０２によって電流量が制御される。
【００２６】駆動回路６０５は、電源電圧Ｖcc端子に一
端が接続され、他端が出力段トランジスタ６０４に接続
され、ベースが駆動信号生成回路６０３の出力端子に接
続されたｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ６０１を有
している。
【００２７】駆動信号生成回路６０３から、半導体レー
ザの発光、消光期間を示す制御信号に基づき、発光期間
中は、増幅器６０１により増幅された発光レベル設定電
圧とほぼ同じレベルを持ち、消光期間中はロウレベルに
なる駆動信号が生成されて駆動回路６０５のトランジス
タＱ６０１のベースに入力される。トランジスタＱ６０
１は、この駆動信号を入力されて出力段トランジスタ６
０４の駆動を制御し、これにより出力段トランジスタ６
０４から発光期間中に駆動電流が出力されて半導体レー
ザに供給される。
【００２８】さらに、制御回路６０２に発光レベル設定
電圧Ｖｃが入力されると、この発光レベル設定電圧Ｖｃ
に基づいて、可変電流源Ｉ６０１の電流量が制御され
る。
【００２９】ここで、出力段トランジスタ６０４が消光
期間中に完全にオフすると、上述したように発光期間へ
移行したときの動作の立ち上がりが遅くなり、発光遅延
が生じる。そこで、出力段トランジスタ６０４が消光期
間中に完全にオフしないように、具体的にはベース・エ
ミッタ間に動作閾値電圧近傍の電圧が印加されるよう
に、可変電流原Ｉ６０１の電流量が制御され、トランジ
スタＱ６０１のベース電位が制御される。
【００３０】そしてこの電流量は、発光レベル設定電圧
Ｖｃが大きい場合には、消光期間中におけるトランジス
タＱ６０１のベース電位をより大きく下げる必要がある
ため大きくなり、逆に発光レベル設定電圧Ｖｃが小さい
場合には、消光期間中におけるトランジスタＱ６０１の
ベース電位を下げ過ぎないように小さく設定される。こ
れにより、発光時のレベルにかかわらず、消光期間中の
出力段トランジスタ６０４のベース・エミッタ間に動作
閾値近傍の一定電圧を印加することができ、発光遅延を
防止することが可能である。
【００３１】次に、本発明の第２の実施の形態による半
導体レーザ駆動回路を示す。上記第１の実施の形態との
関係において、増幅器６０１が抵抗Ｒ１、Ｒ２及びＲ
３、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ１及びＱ２、定
電流源Ｉ１及びＩ２に対応し、ｎｐｎ型バイポーラトラ
ンジスタＱ３は増幅器６０１からの出力を増幅するバッ
ファに相当する。制御回路６０２が、抵抗Ｒ４及びＲ
５、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ４、定電流源Ｉ
３及びＩ４、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ５及び
Ｑ６に対応し、駆動信号生成回路６０３が、ｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタＱ７〜Ｑ９、抵抗Ｒ６に対応す
る。ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ１０、抵抗Ｒ
７、定電流源Ｉ５及び図示されていない出力段トランジ
スタが、駆動回路６０５に対応する。
【００３２】トランジスタＱ１及びＱ２のベースには、
それぞれ相補的な発光レベル設定電圧Ｖｉが入力され
る。この電圧Ｖｉは、相対的には所定レベルで一定のＤ
Ｃ電圧とみなされる。電圧Ｖｉが高い場合は、トランジ
スタＱ１がオンしトランジスタＱ２がオフして、トラン
ジスタＱ２のコレクタから出力される電圧Ｖ２は、トラ
ンジスタＱ１のコレクタから出力される電圧Ｖ１よりも
高くなる。電圧Ｖｉが高くなるにつれて電圧Ｖ２は上昇
し電圧Ｖ１はこれとは相補的に下降していく。
【００３３】電圧Ｖ２は、トランジスタＱ８のコレクタ
に入力される。トランジスタＱ７及びＱ８のベースに
は、半導体レーザの発光及び消光を指示する相補的なパ
ルスＶｃが入力される。これにより、半導体レーザの発
光期間中はトランジスタＱ８はオフしトランジスタＱ７
はオンし、消光期間中はトランジスタＱ８がオンしてト
ランジスタＱ１０のベース電位を降下させてオフさせ、
トランジスタＱ７はオフする。このようにして、半導体
レーザの発光及び消光のタイミングに対応してトランジ
スタＱ１０のベース電位が電圧Ｖ２とロウレベルとの間
で変化する。
【００３４】トランジスタＱ１０がオンしている間は、
電圧Ｖ２から、抵抗Ｒ７の両端で降下した電圧分だけレ
ベルシフトされた後、後段の出力段トランジスタへこの
電圧が与えられて、駆動電流が半導体レーザに供給され
て発光する。トランジスタＱ１０がオフすると、駆動電
流の供給が停止されて半導体レーザが消光する。
【００３５】ここで、半導体レーザが消光している期間
中はトランジスタＱ１０のベースにロウレベルが入力さ
れるが、このレベルが低すぎると前述したように駆動電
流を出力する最終の出力段トランジスタが完全にオフ
し、発光へ切り替わるときの立ち上がりが遅くなる。そ
こで、消光期間中における出力段トランジスタのベース
・エミッタ間に動作閾値電圧近傍の電圧が印加されるよ
うに、トランジスタＱ１０のベース電位を制御する。こ
の制御は、トランジスタＱ８のエミッタ電位を降下させ
るトランジスタＱ９のベース電位を、トランジスタＱ１
のコレクタから出力される電圧Ｖ１を用いて調整するこ
とで行う。
【００３６】トランジスタＱ２のコレクタから出力され
た電圧Ｖ２は、上述したようにトランジスタＱ８によっ
てパルス状に変化した状態でトランジスタＱ１０のベー
スに入力される。そこで、この電圧Ｖ２と相補的な関係
にあり、ＤＣ電圧としての特性を持つ電圧Ｖ１を用い
る。電圧Ｖ１は、バッファとして動作するトランジスタ
Ｑ３のベースに入力され、電圧Ｖ１に略等しい電圧がエ
ミッタから出力され、トランジスタＱ４のベースに入力
される。トランジスタＱ４は、他のトランジスタＱ１〜
Ｑ３、Ｑ５〜１０と極性が異なり、ｐｎｐ型である。そ
こで、電圧Ｖ１に略等しい電圧がトランジスタＱ４のエ
ミッタ側に現れ、エミッタ電流がトランジスタＱ５及び
Ｑ６、抵抗Ｒ５で構成される電流／電圧変換器に入力さ
れて、エミッタ電流に対応した電圧がトランジスタＱ９
のベースに入力される。これにより、トランジスタＱ９
の導通抵抗が制御されて、消光期間中におけるトランジ
スタＱ１０のベース電位をトランジスタＱ８が降下させ
る量が制御される。
【００３７】即ち、発光レベル設定電圧Ｖｉが高い（半
導体レーザへの駆動電流が大きい）ときは、電圧Ｖ１は
低下し、トランジスタＱ４により極性が反転されて、ト
ランジスタＱ９のベース電位が高くなり、消光期間中に
トランジスタＱ１０のベース電位を降下させるためにト
ランジスタＱ８、Ｑ９に流れる電流量が多くなる。逆
に、発光レベル設定電圧Ｖｉが低い（半導体レーザへの
駆動電流が小さい）ときは、電圧Ｖ１は上昇し、トラン
ジスタＱ４により極性が反転され、トランジスタＱ９の
ベース電位が低くなり、消光期間中にトランジスタＱ１
０のベース電位を降下させるためにトランジスタＱ８、
Ｑ９に流れる電流量が少なくなる。このようにして、発
光期間中の半導体レーザの発光レベルに応じて、消光期
間中のトランジスタＱ１０のベース電位を調整し、出力
段トランジスタのベース・エミッタ間には常に一定の動
作閾値電圧近傍の電圧が印加されるように制御され、発
光遅延が防止される。
【００３８】上記第２の実施の形態による半導体レーザ
駆動回路をレーザビームプリンタ装置に適用するための
第３の実施の形態による半導体レーザ装置の構成を図３
に示す。
【００３９】点線で囲まれた半導体レーザ駆動回路５０
０が、上述した第２の実施の形態によるものと同一の構
成を備えている。この半導体レーザ駆動回路５００に、
本実施の形態は入力部１０１、制御増幅器１０５、差動
出力バッファ１０６、サンプルホールド回路１０７、比
較増幅器１０８、スイッチ回路１０９、出力段トランジ
スタＱ１２、外付けコンデンサＣ１、抵抗１０２、１０
３及び１１３、可変抵抗器１１４、半導体レーザ１１
１、及び光検出器１１２を有する半導体レーザ回路１１
０を備えている。
【００４０】入力部１０１に、半導体レーザ１１１の発
光、消光を指示する発光／消光信号（ＤＡＴＡ）が入力
される。入力部１０１は外部と当該回路との間でのレベ
ル変換等を行い、発光／消光信号をサンプルホールド回
路１０７と、差動出力バッファ１０６とに出力する。
【００４１】差動出力バッファ１０６から、相補的な発
光/ 消光信号が出力されて、トランジスタＱ７及びＱ８
のベースに入力される。
【００４２】さらに、入力部１０１からは発光レベルと
消光レベルとを指示する２値の制御信号及び基準信号が
生成されて、それぞれ抵抗１０３、１０２を介して制御
増幅器１０５の反転入力端子及び非反転入力端子に入力
される。ここで、制御信号は抵抗１０３の一端と制御増
幅器１０５の反転入力端子との間に接続された可変抵抗
１１４によって調整することができる。
【００４３】制御増幅器１０５には、制御信号、基準信
号の他に後述するスイッチ回路１０９から出力される比
較結果信号とが入力される。制御増幅器１０５は、基準
信号と制御信号との差に対応し、さらにこれに比較結果
信号の示す発光期間中の発光レベルに対応したものを制
御誤差信号として差動出力によりトランジスタＱ１及び
Ｑ２のベースに入力する。
【００４４】上記第２の実施の形態では、トランジスタ
Ｑ１及びＱ２のベースには発光レベル設定信号が入力さ
れる。この信号は、常時一定値を有している。これに対
し、本実施の形態でトランジスタＱ１及びＱ２のベース
に入力される制御誤差信号は、発光期間中の発光量に応
じて値が制御される。
【００４５】サンプルホールド回路１０７には、入力部
１０１から出力された発光／消光信号と、トランジスタ
Ｑ３のエミッタから出力された電圧Ｖ１と略等しい電
圧、即ち発光時の発光レベルを示す電圧とが入力され
る。これにより、サンプルホールド回路１０７は、発光
期間における発光レベルを保持し、比較増幅器１０８に
この保持したレベルを出力する。比較増幅器１０８に
は、この保持された発光時のレベルと、トランジスタＱ
３のエミッタから出力された電圧Ｖ１と略等しい電圧と
が入力され、消光期間中におけるロウレベルと保持され
た発光時のレベルとが比較増幅され、比較結果信号がス
イッチ回路１０９に入力される。スイッチ回路１０９
は、入力部１０１から出力された発光／消光信号に応じ
て、消光期間中において比較結果信号を制御増幅器１０
５に出力する。これにより、制御増幅器１０５からは発
光期間中における発光量に基づいて調整した制御誤差信
号をトランジスタＱ１及びＱ２のベースに入力して、発
光レベルの制御を行うことができる。
【００４６】さらに、駆動電流を供給されて発光する半
導体レーザ１１１の発光量は、光検出器１１２によって
検出され、制御増幅器１０５の反転入力端子に入力され
る。よって、制御増幅器１０５から出力される制御誤差
信号は、検出された発光レベルが反映されたものとな
り、発光量を最適なレベルに保つように制御することが
できる。
【００４７】このように、本実施の形態によれば、上記
第２の実施の形態と同様に消光期間中に出力段トランジ
スタＱ１２が完全にオフしないようにトランジスタＱ１
０のベース電位を制御すると共に、発光期間中における
発光レベルを示す信号（電圧Ｖ１）と、検出された発光
量とに基づいて、フィードバック制御を行うことができ
る。
【００４８】図４に、光ディスク装置に適用が可能な本
発明の第４の実施の形態による光レーザ装置の構成を示
す。この装置は、第２の実施の形態による半導体レーザ
駆動回路５００、制御増幅器２０１、オシレータ２０
２、半導体レーザ回路２１０、可変抵抗器２１３、基準
電圧源２０３、電源監視装置２０４を備えている。
【００４９】半導体レーザ駆動回路５００におけるトラ
ンジスタＱ７及びＱ８のベースには、オシレータ２０２
から出力される相補的なパルス信号が入力される。この
パルス信号は、例えば１００〜４００ＭＨｚの間の所望
の高周波数に設定されている。
【００５０】制御増幅器２０１の非反転入力端子と反転
入力端子とには、基準電圧源２０３から出力される基準
電圧Ｖref と、光検出器２１２から出力された発光量検
出信号とがそれぞれ入力される。この発光量検出信号の
レベルは、可変抵抗器２１３により調整可能である。制
御増幅器２０１は、基準電圧Ｖref に対する発光量検出
信号の差を増幅した制御誤差信号が差動出力としてトラ
ンジスタＱ１及びＱ２のベースにそれぞれ入力される。
【００５１】さらに、電源監視装置２０４は電源電圧Ｖ
ccを監視しており、何らかの異常が発生して所定レベル
よりも低下すると、トランジスタＱ７のベース電位を強
制的に接地レベルまで低下させて、半導体レーザ２１１
への駆動電流の供給を停止させる。
【００５２】本実施の形態によれば、上記第２の実施の
形態による半導体レーザ駆動回路を、光ディスク装置に
おける半導体レーザの駆動部に適用したことで、発光遅
延が防止され、１００〜４００ＭＨｚというような高い
周波数で半導体レーザを発光／消光させる場合にも、優
れた高周波特性を得ることができる。このように高周波
で発光をオン／オフさせることで、レーザノイズの発生
が抑制され、また消光時はレーザ駆動電流が零となるこ
とから、平均駆動電量は低減され低消費電力化が達成さ
れる。
【００５３】図５に、本発明の第５の実施の形態による
半導体レーザ装置の構成を示す。この装置は、集積回路
化し端子２〜９を有する半導体レーザ制御回路１と、こ
の半導体レーザ制御回路１に接続され駆動電流を供給さ
れる半導体レーザ回路４２と、半導体レーザ制御回路１
に外付けされた可変抵抗４０、抵抗４１、コンデンサ４
５及び４６を備えている。半導体レーザ回路４２は、半
導体レーザ４３と、この半導体レーザ４３からの出力光
をモニタする受光ダイオードである光検出器４４とを有
している。
【００５４】次に、本実施の形態による回路の動作につ
いて説明する。半導体レーザ制御回路１の入力端子２
に、外部から発光及び消光を指示するＴＴＬレベルの２
値化信号が入力される。このＴＴＬレベルの２値化信号
は、ＴＴＬ／ＥＣＬ変換回路１０に入力されて、回路内
部で用いられるＥＣＬレベルの２値化信号に変換されて
出力される。この出力されたＥＣＬレベルの２値化信号
は、制御信号としてインバータ１２と、サンプルホール
ド回路３２と、制御信号生成回路１１と、差動出力バッ
ファ１３とにそれぞれ入力される。
【００５５】制御信号生成回路１１に制御信号が入力さ
れると、発光レベルと消光レベルとを指示する２値の制
御信号及び基準信号とが生成されて、それぞれ抵抗１５
と抵抗１４とを介して制御幅器１６の反転入力端子と非
反転入力端子とに入力される。ここで、制御信号生成回
路１１から出力される制御信号のレベルは、制御信号生
成回路１１の制御端子に接続された半導体レーザ制御回
路１の端子３に接続されている可変抵抗器４０により調
整することができる。
【００５６】制御増幅器１６の反転入力端子には、上述
したように抵抗１５を介して供給される制御信号と、光
検出器４４から出力され半導体レーザ制御回路１の端子
５を介して与えられる光検出信号と、後述するクランプ
回路１ａから出力される比較結果信号とを加算して供給
される。これにより、制御増幅器１６には、反転入力端
子に供給されたこの信号と、非反転入力端子に供給され
た基準信号との差に相当する誤差を増幅して、制御誤差
信号を差動出力として出力し、後述する駆動信号生成回
路１ｂに与える。
【００５７】駆動信号生成回路１ｂは、電源電圧Ｖcc端
子に抵抗１９を介してコレクタが接続され、ベースが制
御増幅器１６の一方の出力端子に接続されたｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタ１７と、電源電圧Ｖcc端子に抵抗
２３を介してコレクタが接続され、ベースが制御増幅器
１６の他方の出力端子に接続されたｎｐｎ型バイポーラ
トランジスタ１８と、トランジスタ１７及び１８のエミ
ッタと接地端子との間に両端が接続された定電流源２０
を有する差動増幅器を構成している。
【００５８】さらに、駆動信号生成回路１ｃは、電源電
圧Ｖcc端子に抵抗２３を介してコレクタが接続されたｎ
ｐｎ型バイポーラトランジスタ２１と、電源電圧Ｖcc端
子にコレクタが接続されたｎｐｎ型バイポーラトランジ
スタ２２と、トランジスタ２１及び２２のエミッタと接
地端子との間に両端が接続された可変電流源２４と、可
変電流源２４の出力電流を制御する電流制御回路３６
と、トランジスタ２１及び２２のベースに出力端子がそ
れぞれ接続された差動出力バッファ１３とを有する差動
増幅器を構成している。差動出力バッファ１３の入力端
子は、ＴＴＬ／ＥＣＬ変換回路１０の出力端子に接続さ
れている。
【００５９】そして、駆動信号生成回路１ｂのトランジ
スタ１８のコレクタと、駆動信号生成回路１ｃのトラン
ジスタ２１のコレクタとは、後述するレベルシフト回路
１ｄのｎｐｎ型バイポーラトランジスタのベースに共通
接続されている。
【００６０】駆動信号生成回路１ｂのトランジスタ１７
及び１８のベースに、制御増幅器１６から差動出力とし
て出力された制御誤差信号が供給されて差動増幅され、
フィードバッククランプ用のモニタ信号がトランジスタ
１７のコレクタ端子より生成され、第１の駆動信号がト
ランジスタ１８のコレクタ端子より生成される。同時
に、ＴＴＬ／ＥＣＬ変換回路１０から出力された２値化
信号が差動増幅バッファ１３に与えられ、差動増幅され
たものが差動出力として駆動信号生成回路１ｃのトラン
ジスタ２１及び２２のベースにそれぞれ供給される。こ
れにより、第１の駆動信号を出力するトランジスタ１８
のコレクタにコレクタが接続されているトランジスタ２
１は、消光期間における第１の駆動信号のレベルが所定
のレベルまで低下するように動作する。この低下させる
べきレベルは、高すぎると結果的に半導体レーザ４３へ
の駆動電流が消光期間中にほぼ「０」とならず、消光比
が低下する。逆に低すぎると、駆動回路１ｅの最終段ト
ランジスタ３０が消光期間中には完全にオフ状態にな
り、発光遅延が生じる。そこで、消光期間中には第１の
駆動信号を最適なレベルに低下させる必要があり、この
レベルは後述するように可変電流源２４の出力電流を電
流制御回路３６がクランプ回路１ａからの出力に基づい
て制御することにより調整される。この結果、発光期間
中は駆動信号生成回路１ｂから出力された第１の駆動信
号と同じレベルを持ち、消光期間中は駆動信号生成回路
１ｃによって所定レベルまで低下した信号が第２の駆動
信号としてレベルシフト回路１ｄに出力される。
【００６１】レベルシフト回路１ｄは、コレクタが電源
電圧Ｖcc端子に接続され、ベースに第２の駆動信号を供
給され、エミッタが抵抗２６を介して可変電流源２７の
一端に接続されたｎｐｎ型バイポーラトランジスタ２５
と、可変電流源２７からの出力電流を制御する電流制御
回路３７とを有している。トランジスタ２５のベースに
上述した第２の駆動信号が入力されると、一定のレベル
にシフトされた信号が抵抗２６の一端と可変電流源２７
の一端とを接続するノードより生成される。このシフト
されるレベルは、後述するように電流制御回路３７の制
御に基づいて可変電流源２７の出力電流が制御されるこ
とで決定される。
【００６２】抵抗２６と可変電流源２７とを接続するノ
ードには、駆動回路１ｅが接続されている。駆動回路１
ｅは、コレクタが電源電圧Ｖcc端子に接続されベースが
抵抗２６を介してトランジスタ２５のエミッタに接続さ
れ、エミッタが抵抗２９を介して接地されたｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタ２８と、コレクタが半導体レーザ
４３の一端に接続されベースがトランジスタ２８のエミ
ッタに接続され、エミッタが抵抗４１を介して接地され
たｎｐｎ型バイポーラトランジスタ３０とを有してい
る。
【００６３】第２の駆動信号がレベルシフト回路１ｄに
よって一定レベルにシフトされ、第３の駆動信号として
駆動回路１ｅのトランジスタ２８のベースに供給され
る。ダーリントン接続されたトランジスタ２８及び３０
により増幅されて、第３の駆動信号に基づいた駆動電流
がトランジスタ３０のコレクタ端子に生成される。この
トランジスタ３０のコレクタ端子には、端子７を介して
半導体レーザ４３が接続されており、生成された駆動電
流により発光動作が制御される。
【００６４】さらに、駆動信号生成回路１ｂのトランジ
スタ１７のコレクタ端子には、クランプ回路１ａが接続
されている。クランプ回路１ａは、トランジスタ１７の
コレクタに入力端子を接続されたバッファ３１と、バッ
ファ３１の出力端子に入力端子を接続され、ＴＴＬ／Ｅ
ＣＬ変換回路１０の出力端子に制御端子を接続されたサ
ンプルホールド回路３２と、バッファ３１の出力端子に
反転入力端子を接続されサンプルホールド回路３２の出
力端子に非反転入力端子を接続された比較増幅器３３
と、比較増幅器３３の出力端子に抵抗３４を介して一端
を接続され、他端を差動増幅器１６の出力端子に接続さ
れたアナログスイッチ３５とを有している。このアナロ
グスイッチ３５は、ＴＴＬ／ＥＣＬ変換回路１０より出
力されインバータ１２により増幅された２値化信号を与
えられて開閉動作を制御される。
【００６５】駆動信号生成回路１ｂのトランジスタ１７
のコレクタ端子からは、トランジスタ１８のコレクタ端
子から生成される上述の第１の駆動信号とは逆相の関係
にあるモニタ信号が生成される。このモニタ信号がクラ
ンプ回路１ａのバッファ３１で増幅され、サンプリング
ホールド回路３２に与えられる。サンプルホールド回路
３２は、ＴＴＬ／ＥＣＬ変換回路１０からの２値化信号
で規定されるタイミングに従って、発光期間におけるモ
ニタ信号のレベルをサンプルホールドし、消光期間中は
このホールドしたレベルを出力する。サンプルホールド
回路３２によりホールドされたレベルは、比較増幅器３
３の非反転入力端子と電流制御回路３６とに与えられ
る。
【００６６】比較増幅器３３は、このホールドされた発
光時のモニタ信号のレベルと、バッファ３１から出力さ
れたモニタ信号とを与えられて比較してその結果を出力
する。比較増幅器３３からの出力は、抵抗３４及びアナ
ログスイッチ３５を介して、差動増幅器１６の反転入力
端子に入力される。アナログスイッチ３５は、ＴＴＬ／
ＥＣＬ変換回路１０からの２値化信号に基づいて、消光
期間において閉じている。これにより、消光期間におい
て、駆動信号生成回路１ｂから出力されるモニタ信号と
逆相の第１の駆動信号は、発光期間中のレベルを維持す
るようにフィードバッククランプ制御が行われることに
なる。
【００６７】一方、サンプルホールド回路３２によりホ
ールドされたレベルが電流制御回路３６に与えられる
と、このレベルと外部から入力される基準電位ＶR1とが
比較される。この比較結果が駆動信号生成回路１ｂの可
変電流源２４に与えられ、出力電流が制御される。上述
したように、駆動信号生成回路１ｃは、駆動信号生成回
路１ｂが出力した第１の駆動信号に対し、消光期間中は
このレベルを所定レベルまで低下させる。この所定レベ
ルは、駆動回路１ｅのトランジスタ２８のエミッタ電位
を下げすぎてトランジスタ３０が完全にオフし発光遅延
を招くことがないように、また、逆にこのエミッタ電位
が高すぎて半導体レーザ４３への駆動電流が消光期間中
にほぼ「０」とならないことがないように設定する必要
がある。そこで、発光期間中のモニタ信号のレベルをホ
ールドし、このレベルと基準電位ＶR1との比較結果に基
づき、消光期間における可変電流源２４の出力電流を制
御する。これにより、高い消光比と、発光遅延の防止と
が同時に達成される。
【００６８】電流制御回路３７は、温度変化によりトラ
ンジスタのベース・エミッタ間の電圧が変動し、結果的
に駆動電流の変動を招くのを防止するために設けられた
ものである。電流制御回路３７に設けられたトランジス
タのベース・エミッタ間電圧が温度変化により変動する
のを検出し、この検出結果に基づいてレベルシフト回路
１ｄの可変電流源２７の電流を制御する。これにより、
レベルシフト回路１ｄのトランジスタ２５のエミッタ電
位が制御され、結果的に駆動回路１ｅから出力される駆
動電流の温度変化による変動が最小となるように、最適
化される。
【００６９】図６に、図５に示した本実施の形態におけ
る発光及び消光期間における信号の波形をシミュレーシ
ョンした結果を示す。波形１００は、レベルシフト回路
１ｄのトランジスタ２５のエミッタから出力される第３
の駆動信号の波形を示し、波形１０１は駆動回路１ｅの
初段トランジスタ２８のエミッタから出力される信号の
波形を示し、波形１０２は駆動回路１ｅの後段トランジ
スタ３０のエミッタから端子６を介して出力される信号
の電圧レベルをそれぞれ示している。図６において、時
間０の開始時は半導体レーザ４３が発光期間中にあり、
全てのトランジスタ２５、２８及び３０はオンしてお
り、出力レベルは一定にそれぞれ保たれている。約５．
５ナノ秒経過後に消光期間に入ると、駆動信号生成回路
１ｃによってレベルが低下した第２の駆動信号が出力さ
れる。しかし、上述したように電流制御回路３６により
可変電流源２４の電流が制御されて、この第２の駆動信
号のレベルが下がりすぎないように、所定レベルに制御
される。これにより、波形１００に示されるように第２
の駆動信号を入力されるトランジスタ２５のエミッタ電
位は「０」にならず、また波形１０１に示されるように
駆動回路１ｅの初段トランジスタ２８は完全にはオフせ
ず、消光期間中もトランジスタ２８のエミッタの電位は
約０．７Ｖを維持する。
【００７０】トランジスタ２８のエミッタからの出力信
号は駆動回路１ｅの後段トランジスタ３０のエミッタに
供給されるが、トランジスタ２８の出力信号が消光期間
中に完全に「０」レベルになると、最終段トランジスタ
３０からの出力信号の発光時の立ち上がりが遅延する。
しかし、上述したように波形１０１に示されるような消
光期間においても約０．７Ｖのレベルを持つ信号がトラ
ンジスタ３０のベースに入力されることで、トランジス
タ３０の動作遅延が防止される。この結果、波形１０２
に示されるように、発光期間になったときのエミッタ電
位、即ち半導体レーザ４３に供給される駆動電流の立ち
上がりが急峻になり、発光遅延が防止される。
【００７１】さらに、上述したようにフィードバックク
ランプ動作によって、駆動信号生成回路１ｂから出力さ
れる第１の駆動信号及びモニタ信号のレベルは、消光期
間中においても発光期間と同じレベルに保持される。こ
のため、図中約２６ナノ秒経過後の発光時におけるそれ
ぞれの波形１００〜１０２のレベルは、図中０秒経過時
におけるレベルに一致する。これにより、発光期間開始
時におけるそれぞれのレベルが不一致となることが防止
され、一定の発光強度を高精度に継続していくことが可
能である。
【００７２】また、温度変化が原因で各トランジスタの
ベース・エミッタ間電位に変動が生じても、レベルシフ
ト回路１ｄにおける電流制御回路３７による可変電流源
２７の電流制御により吸収され、回路動作を安定化する
ことができる。
【００７３】また、レベルシフト回路１ｄのトランジス
タ２５のベースに供給される第２の駆動信号のレベル
は、上述したように消光期間中の駆動電流がほぼ「０」
となるように制御されるので、高い消光比が得られる。
【００７４】次に、上記第５の実施の形態による半導体
レーザ装置を用いた本発明の第６の実施の形態による画
像記録装置について、図７を用いて説明する。図中、半
導体レーザ制御回路１、可変抵抗４０、抵抗４１、コン
デンサ４５は、それぞれ図５に示されたものと同一のも
のとする。
【００７５】図示されていない画像制御装置からビデオ
信号４００が出力されて、インターフェイス回路４００
に与えられる。ビデオ信号４００は、インターフェース
回路４００内からシーケンスコントローラ４０２を介し
て、上述したように、ＴＴＬレベルの２値化信号として
のビデオ信号４０５が半導体レーザ制御回路１の入力端
子２に与えられる。半導体レーザ制御回路１にこのビデ
オ信号４０５が入力されると、このビデオ信号に基づい
て、上述したように高い消光比と発光遅延防止とを実現
しつつ半導体レーザ装置３２０に内蔵されている半導体
レーザのオンオフが制御される。半導体レーザから出力
されたレーザビームは、コリメータレンズ３２１を介し
てシリンドリカルレンズ３２３を通過し、ポリゴンミラ
ー３２４を照射する。ポリゴンミラー３２４は、モータ
３２５により一定の速度で回転しており、照射されたレ
ーザビームはトーリックレンズ３２６を介して結合レン
ズ３２７を通過し、ミラー３３１上で反射される。ミラ
ー３３１により反射されたレーザビームは、感光ドラム
３３２上を走査して潜像を形成する。
【００７６】感光ドラム３３２は、レーザビームにより
走査される間、一定の速度で回転しており、走査線が同
一面上に重なることがないようにしている。感光ドラム
３３２上に照射されるレーザビームは、上述したように
発光期間と消光期間とが交互に繰り返される。このこと
から、感光ドラム３３２上ではドットで画像が描かれ
る。このドットは、多少重なり合うようにレーザビーム
が照射されるため、連続的な線で描かれた画像が実現さ
れる。
【００７７】また、レーザビームはポリゴンミラー３２
４の１面を走査する毎に、走査開始位置に来るとミラー
３２８により反射され、ミラー３２９によりさらに反射
されて光検出器３３０によって走査開始位置にきたこと
が検出される。
【００７８】光検出器３３０は、レーザビームが走査開
始位置にきたことを検出すると、そのことをシーケンス
コントローラ４０２に通知する。水平同期信号生成回路
４０３は、シーケンスコントローラ４０２に光検出器３
３０から１面を走査する毎に送られてくる通知に基づ
き、ビデオ信号４０５を半導体レーザ制御回路１に送出
するタイミングを調整する。さらに、このビデオ信号４
０５が送出されるタイミングに同期して、スキャナモー
タドライバ３３３がモータ３２５の回転を制御する。
尚、図７には示されていないが、感光ドラム３３２上に
形成された潜像は、公知の画像生成手段によって可視化
することが可能である。
【００７９】半導体レーザ制御回路１は、上述したよう
に半導体レーザの発光遅延を防止し応答特性を高速化す
ることができる。これにより、感光ドラム３３２上に照
射されるレーザビームの走査速度の向上、及び印字速度
の向上に寄与することができる。
【００８０】また、従来は光量の調整は走査開始前のサ
ンプリングにより行っていたが、この場合にはシーケン
スコントローラの負荷が重くなりコストの上昇を招いて
いた。これに対し、本発明の実施の形態によれば、走査
中に半導体レーザ制御回路１において高精度な光量設定
を行うことができる。このため、シーケンスコントロー
ラ４０２に負荷を与えることなく、印字のムラの発生を
防止し高解像度を達成することができ、コスト低減にも
寄与し得る。
【００８１】本発明の第７の実施の形態による光ディス
ク装置の構成を図８に示す。この装置は、図４に示され
た第４の実施の形態による半導体レーザ装置２００を含
み、さらに、半導体レーザ３０１、光検出器３０２、ホ
ログラム素子３０４、対物レンズ３０５を含んだ光ヘッ
ド３００、光ディスク３０７、プリアンプ３０８、演算
処理回路３１０、サーボ回路３１１、データコントロー
ラ３１２を備えている。
【００８２】半導体レーザ駆動回路２００により、光ヘ
ッド３００に含まれる半導体レーザ３０１が１００％近
い高周波電流、例えば１００〜４００ＭＨｚの駆動電流
で駆動され、レーザノイズの発生が抑制される。半導体
レーザ３０１の背面側の出力光が光検出器３０２で受光
され、可変抵抗器２１４により発生する電圧と、基準電
圧源２０３より発生される基準電圧Ｖref との差が零に
なるように平均出力光量が一定に制御される。
【００８３】半導体レーザ３０１からの出力光が対物レ
ンズ３０５を介して光ディスク３０７へ照射され、光デ
ィスク３０７からの反射光がホログラム素子３０４を介
して再生用光検出器３０３へ分岐されて、光ディスク３
０７からのサーボ情報やデータ情報が検出されること
で、光ヘッド３００が光ディスク３０７の半径方向に直
線的に移動することができる。
【００８４】再生用光検出器３０３からは光検出信号が
出力され、プリアンプ３０８で電流／電圧変換が行われ
て電圧信号として出力され、演算処理回路３１０に転送
される。演算処理回路３１０は、再生情報信号とサーボ
用信号とに分離して出力する。サーボ用信号はサーボ処
理回路３１１に与えられ、再生情報信号はデータコント
ローラ３１２に出力される。サーボ処理回路３１１は、
サーボ信号に基づいて光ヘッド３００を制御し、データ
コントローラ３１２は再生情報信号を処理するための復
調回路、誤り訂正回路の他に、サーボ回路３１１及び半
導体レーザ駆動回路２００用のコントローラや、外部イ
ンタフェース等を含んでいる。
【００８５】このような構成を有する本実施の形態によ
る光レーザ装置によれば、半導体レーザ駆動回路２００
により半導体レーザ３０１の駆動が制御されることで発
光遅延が防止され、高周波特性を改善するとともに、低
消費電力化を達成することができる。
【００８６】上述した実施の形態は一例であって、本発
明を限定するものではない。例えば、図２、図６等に示
された半導体レーザ装置の回路構成は一例であり、種々
の変形が可能である。また、図７には本発明の画像記録
装置の一例としてレーザビームプリンタ装置の構成が示
されているが、この構成に限らず半導体レーザの駆動を
行うものであれば全て本発明の適用が可能である。
【００８７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ駆動回路は、発光レベル設定電圧に基づいて、消光
期間中における駆動信号のレベルを調整して駆動電流を
生成する駆動回路に供給することで、駆動回路に与える
消光期間中の駆動信号を最適なレベルに制御することが
できる。
【００８８】特に、駆動電流を出力するトランジスタの
ベース・エミッタ間に消光期間において動作閾値電圧近
傍の電圧が印加されるように駆動信号のレベルを調整す
ることで、発光遅延を防止することができる。
【００８９】このような半導体レーザ駆動回路を、高周
波信号を用いる光ディスク装置における半導体レーザの
駆動に適用した場合には、発光遅延を防止することで高
周波特性を向上させ、さらに低消費電力化を達成するこ
とが可能である。
【００９０】さらに、サンプルホールド回路を用いて発
光期間中の駆動信号のレベルをホールドする場合には、
消光期間中において半導体レーザへの駆動電流がほぼ
「０」となり、かつ駆動電流を出力する駆動回路が完全
にオフ状態にならないように制御することで、発光強度
をより高精度で制御し、消光比を高めると共に発光遅延
を防止することができる。
【００９１】さらに、このような半導体レーザ装置を用
いた本発明の画像記録装置によれば、半導体レーザ装置
の持つ高精度の発光強度制御と、高い消光比、高速応答
性により、高速で高画質な画像を記録することが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
駆動回路の構成を示した回路図。
【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
駆動回路の構成を示した回路図。
【図３】本発明の第３の実施の形態によるレーザビーム
プリンタ装置用の半導体レーザ装置の構成を示した回路
図。
【図４】本発明の第４の実施の形態によるレーザビーム
プリンタ装置用の半導体レーザ装置の構成を示した回路
図。
【図５】本発明の第５の実施の形態による半導体レーザ
装置の構成を示した回路図。
【図６】同半導体レーザ装置におけるレベルシフト回路
と駆動回路の出力波形を示したタイムチャート。
【図７】本発明の第６の実施の形態による画像記憶装置
の構成を示した回路図。
【図８】本発明の第７の実施の形態による光ディスク装
置の構成を示した回路図。
【図９】従来の半導体レーザ装置における駆動電流の波
形を示したタイムチャート。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ制御回路 １ａ クランプ回路 １ｂ、１ｃ 駆動信号生成回路 １ｄ レベルシフト回路 １ｅ 駆動回路 ２〜９ 端子 １０ ＴＴＬ／ＥＣＬ回路 １１ 制御信号生成回路 １２ インバータ １３ 差動出力バッファ １４、１５、１９、２３、２６、２９、３４、４１、１
０２、１０３、Ｒ６０１、Ｒ１〜Ｒ７ 抵抗 １１４、２１３ 可変抵抗 １６、１０５ 制御増幅器 １７、１８、２１、２２、２５、２８、３０、Ｑ６０
１、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ５〜Ｑ１２ ｎｐｎ型バイポーラト
ランジスタ Ｑ４ ｐｎｐ型バイポーラトランジスタ ２０、Ｉ１〜Ｉ５ 定電流源 ２４、２７、Ｉ６０１ 可変電流源 ３１ バッファ ３２、１０７ サンプルホールド回路 ３３、１０８ 比較増幅器 ３５ アナログスイッチ ３６、３７ 電流制御回路 ４０ 可変抵抗 ４２、１１０、３２０、２１０ 半導体レーザ回路 ４３、１１１、２１１、３０１ 半導体レーザ ４４、１１２、２１２、３０２ 光検出器 ４５、４６ コンデンサ １００、２００ 半導体レーザ駆動回路 １０１ 入力部 ２０２ オシレータ ２０３ 基準電圧源 ２０４ 電源監視装置 ３０３ 再生用光検出器 ３０４ ホログラム素子 ３０５ 対物レンズ ３０７ 光ディスク ３０８ プリアンプ ３１０ 演算処理回路 ３１１ サーボ処理回路 ３１２ データコントローラ ３２１ コリメータレンズ ３２３ シリンドリカルレンズ ３２４ ポリゴンミラー ３２５ モータ ３２６ トーリックレンズ ３２７ 結合レンズ ３２８、３２９、３３１ ミラー ３３０ 光検出器 ３３２ 感光ドラム ３３３ スキャナモータドライバ ４００、４０５ ビデオ信号 ４０１ インタフェース回路 ４０２ シーケンスコントローラ ４０３ 水平同期信号生成回路 ６０１ 増幅器 ６０２ 制御回路 ６０３ 駆動信号生成回路 ６０４ 出力段トランジスタ ６０５ 駆動回路 ６０６ スイッチ回路

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】発光レベル設定電圧を入力され、この発光
    レベル設定電圧に基づいた第１の駆動信号を出力する増
    幅器と、 半導体レーザの発光を指示する制御信号と、前記増幅器
    から出力された前記第１の駆動信号とを与えられ、発
    光、消光に応じて前記第１の駆動信号のレベルに対応し
    た第２の駆動信号を出力する駆動信号生成回路と、 前記駆動信号生成回路から出力された前記第２の駆動信
    号を与えられ、前記半導体レーザに供給する駆動電流を
    生成して出力する駆動回路と、 前記発光レベル設定電圧を入力され、この発光レベル設
    定電圧に応じて、消光期間における前記第２の駆動信号
    のレベルの調整を行う制御回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
  2. 【請求項２】前記駆動信号生成回路は、前記半導体レー
    ザの発光時にオフし消光時にオンするスイッチと、前記
    半導体レーザの消光時に前記制御回路の制御により前記
    第１の駆動信号に対応した電流を引き抜いて前記第２の
    駆動信号を生成する定電流源とを有することを特徴とす
    る請求項１記載の半導体レーザ駆動回路。
  3. 【請求項３】相補的な発光レベル設定電圧を入力され、
    この発光レベル設定電圧に基づいて相補的な第１の駆動
    信号及び反転第１の駆動信号をそれぞれ出力する差動型
    の増幅器と、 前記増幅器から出力された前記第１の駆動信号と、半導
    体レーザの発光を指示する相補的な制御信号とを入力さ
    れ、前記制御信号により指示される発光期間では前記第
    １の駆動信号とほぼレベルが等しく、消光期間では前記
    第１の駆動信号のレベルを低下させた第２の駆動信号を
    出力する駆動信号生成回路と、 前記駆動信号生成回路から出力された前記第２の駆動信
    号を入力され、この第２の駆動信号に基づいて前記半導
    体レーザに供給する駆動電流を生成して出力する駆動回
    路と、 前記発光レベル設定電圧、又は前記増幅器から出力され
    た前記反転第１の駆動信号を入力され、この発光レベル
    設定電圧又は反転第１の駆動信号に基づいて、消光期間
    において前記駆動信号生成回路が第１の駆動信号を低下
    させるレベルを制御する制御回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
  4. 【請求項４】前記差動型の増幅器は、電源電圧端子と接
    地端子との間に直列に接続された第１の抵抗、第１のト
    ランジスタ、第１の定電流源と、これと並列に、電源電
    圧端子と接地端子との間に直列に接続された第２の抵
    抗、第２のトランジスタ、第２の定電流源とを有し、前
    記第１及び第２のトランジスタのそれぞれのベースに相
    補的な発光レベル設定電圧を入力され、この発光レベル
    設定電圧に基づいた第１の駆動信号を前記第２のトラン
    ジスタの一端から出力し、この第１の駆動信号と相補的
    な反転第１の駆動信号を前記第１のトランジスタの一端
    から出力し、 前記駆動信号生成回路は、電源電圧端子と接地端子との
    間に直列に接続された第３のトランジスタ及び第３の定
    電流源と、前記第２のトランジスタの前記一端と、前記
    第３のトランジスタと前記第３の定電流源との接続ノー
    ドとの間に接続された第４のトランジスタとを有し、半
    導体レーザの発光を指示する相補的な制御信号を前記第
    ３及び第４のトランジスタのベースに入力され、前記第
    ２のトランジスタから出力された前記第１の駆動信号を
    前記第４のトランジスタの一端に入力されて、前記第４
    のトランジスタの前記一端から、発光期間中は前記第１
    の駆動信号のレベルを有する第２の駆動信号を出力し、 前記駆動回路は、電源電圧端子と出力端子との間に両端
    を接続され、前記駆動信号生成回路から出力された前記
    第２の駆動信号をベースに入力される第５のトランジス
    タと、この第５のトランジスタの一端から出力される信
    号に基づいて前記半導体レーザに供給する駆動電流を出
    力する出力段トランジスタとを含み、 前記制御回路は、電源電圧端子と接地端子との間に直列
    に接続された抵抗、第６のトランジスタ及び第４の定電
    流源と、電源電圧端子と接地端子との間に接続され、前
    記第６のトランジスタと前記第４の定電流源との接続ノ
    ードとに入力端子を接続され、出力端子を前記第３の定
    電流源の制御端子に接続された電流電圧変換回路とを有
    し、前記発光レベル設定電圧又は前記反転第１の駆動信
    号を前記第６のトランジスタのベースに入力され、消光
    期間における前記第３の定電流源の電流量を制御する信
    号を前記電流電圧変換回路から出力するものであること
    を特徴とする請求項３記載の半導体レーザ駆動回路。
  5. 【請求項５】前記制御回路は、消光期間において、前記
    駆動回路に含まれる出力段トランジスタのベース・エミ
    ッタ間に動作閾値電圧近傍の電圧が印加されるように、
    前記第２の駆動信号のレベルの調整を行うことを特徴と
    する請求項１ないし４記載の半導体レーザ駆動回路。
  6. 【請求項６】駆動電流を供給されてレーザ光を出力する
    半導体レーザと、 前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を検出し
    て検出信号を出力する光検出器と、 前記光検出器から出力された前記検出信号と、前記半導
    体レーザの発光を指示する制御信号とを与えられて、相
    補的な制御誤差信号を生成して出力する制御増幅器と、 前記制御誤差信号を入力され、この制御誤差信号に基づ
    いて相補的な第１の駆動信号及び反転第１の駆動信号を
    それぞれ出力する差動型の増幅器と、 前記増幅器から出力された前記第１の駆動信号と、前記
    制御信号とを入力され、前記制御信号により指示される
    発光期間では前記第１の駆動信号とほぼレベルが等し
    く、消光期間では前記第１の駆動信号のレベルを低下さ
    せた第２の駆動信号を出力する駆動信号生成回路と、 前記駆動信号生成回路から出力された前記第２の駆動信
    号を入力され、この第２の駆動信号に基づいて前記半導
    体レーザに供給する駆動電流を生成して出力する駆動回
    路と、 前記制御誤差信号、又は前記増幅器から出力された前記
    反転第１の駆動信号を入力され、この制御誤差信号又は
    反転第１の駆動信号に基づいて、消光期間において前記
    駆動信号生成回路が第１の駆動信号を低下させるレベル
    を制御する制御回路と、 前記制御誤差信号又は前記反転第１の駆動信号と、前記
    制御信号とを入力され、発光期間中の前記制御誤差信号
    又は前記反転第１の駆動信号のレベルを保持し、消光期
    間中にこの保持したレベルを出力するサンプルホールド
    回路と、 前記制御誤差信号又は前記反転第１の駆動信号と、前記
    サンプルホールド回路が出力したレベルとを与えられて
    比較し、この比較結果を消光期間中において前記制御増
    幅器に与えて、前記制御増幅器が消光期間中に出力する
    前記制御誤差信号のレベルを、発光期間中の前記制御誤
    差信号又は前記反転第１の駆動信号のレベルに基づいて
    調整させる比較器と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
  7. 【請求項７】前記差動型の増幅器は、電源電圧端子と接
    地端子との間に直列に接続された第１の抵抗、第１のト
    ランジスタ、第１の定電流源と、これと並列に、電源電
    圧端子と接地端子との間に直列に接続された第２の抵
    抗、第２のトランジスタ、第２の定電流源とを有し、前
    記第１及び第２のトランジスタのそれぞれのベースに前
    記制御誤差信号を入力され、この制御誤差信号に基づい
    た第１の駆動信号を前記第２のトランジスタの一端から
    出力し、この第１の駆動信号と相補的な反転第１の駆動
    信号を前記第１のトランジスタの一端から出力し、 前記駆動信号生成回路は、電源電圧端子と接地端子との
    間に直列に接続された第３のトランジスタ及び第３の定
    電流源と、前記第２のトランジスタの前記一端と、前記
    第３のトランジスタと前記第３の定電流源との接続ノー
    ドとの間に接続された第４のトランジスタとを有し、前
    記制御信号を前記第３及び第４のトランジスタのベース
    に入力され、前記第２のトランジスタから出力された前
    記第１の駆動信号を前記第４のトランジスタの一端に入
    力されて、前記第４のトランジスタの前記一端から第２
    の駆動信号を出力し、 前記駆動回路は、電源電圧端子と出力端子との間に両端
    を接続され、前記駆動信号生成回路から出力された前記
    第２の駆動信号をベースに入力される第５のトランジス
    タと、この第５のトランジスタの一端から出力される信
    号に基づいて前記半導体レーザに供給する駆動電流を出
    力する出力段トランジスタとを含み、 前記制御回路は、電源電圧端子と接地端子との間に直列
    に接続された抵抗、第６のトランジスタ及び第４の定電
    流源と、電源電圧端子と接地端子との間に接続され、前
    記第６のトランジスタと前記第４の定電流源との接続ノ
    ードとに入力端子を接続され、出力端子を前記第３の定
    電流源の制御端子に接続された電流電圧変換回路とを有
    し、前記制御誤差信号又は前記反転第１の駆動信号を前
    記第６のトランジスタのベースに入力され、前記半導体
    レーザが消光する期間における前記第３の定電流源の電
    流量を制御する信号を前記電流電圧変換回路から出力す
    るものであることを特徴とする請求項６記載の半導体レ
    ーザ装置。
  8. 【請求項８】駆動電流を供給されてレーザ光を出力する
    半導体レーザと、 前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を検出し
    て検出信号を出力する光検出器と、 前記光検出器から出力された前記検出信号と、基準信号
    とを与えられて、相補的な制御誤差信号を生成して出力
    する制御増幅器と、 前記半導体レーザの発光を指示する制御信号を出力する
    オシレータと、 前記制御誤差信号を入力され、この制御誤差信号に基づ
    いて相補的な第１の駆動信号及び反転第１の駆動信号を
    それぞれ出力する差動型の増幅器と、 前記増幅器から出力された前記第１の駆動信号と、前記
    制御信号とを入力され、前記制御信号により指示される
    発光期間では前記第１の駆動信号とほぼレベルが等し
    く、消光期間では前記第１の駆動信号のレベルを低下さ
    せた第２の駆動信号を出力する駆動信号生成回路と、 前記駆動信号生成回路から出力された前記第２の駆動信
    号を入力され、この第２の駆動信号に基づいて前記半導
    体レーザに供給する駆動電流を生成して出力する駆動回
    路と、 前記制御誤差信号、又は前記増幅器から出力された前記
    反転第１の駆動信号を入力され、この制御誤差信号又は
    反転第１の駆動信号に基づいて、消光期間において前記
    駆動信号生成回路が第１の駆動信号を低下させるレベル
    を制御する制御回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
  9. 【請求項９】前記差動型の増幅器は、電源電圧端子と接
    地端子との間に直列に接続された第１の抵抗、第１のト
    ランジスタ、第１の定電流源と、これと並列に、電源電
    圧端子と接地端子との間に直列に接続された第１の抵
    抗、第１のトランジスタ、第１の定電流源とを有し、前
    記第１及び第２のトランジスタのそれぞれのベースに前
    記制御誤差信号を入力され、この制御誤差信号に基づい
    た第１の駆動信号を前記第２のトランジスタの一端から
    出力し、この第１の駆動信号と相補的な反転第１の駆動
    信号を前記第１のトランジスタの一端から出力し、 前記駆動信号生成回路は、電源電圧端子と接地端子との
    間に直列に接続された第３のトランジスタ及び第３の定
    電流源と、前記第２のトランジスタの前記一端と、前記
    第３のトランジスタと前記第３の定電流源との接続ノー
    ドとの間に接続された第４のトランジスタとを有し、前
    記制御信号を前記第３及び第４のトランジスタのベース
    に入力され、前記第２のトランジスタから出力された前
    記第１の駆動信号を前記第４のトランジスタの一端に入
    力されて、前記第４のトランジスタの前記一端から第２
    の駆動信号を出力し、 前記駆動回路は、電源電圧端子と出力端子との間に両端
    を接続され、前記駆動信号生成回路から出力された前記
    第２の駆動信号をベースに入力される第５のトランジス
    タと、この第５のトランジスタの一端から出力される信
    号に基づいて前記半導体レーザに供給する駆動電流を出
    力する出力段トランジスタとを含み、 前記制御回路は、電源電圧端子と接地端子との間に直列
    に接続された抵抗、第６のトランジスタ及び第４の定電
    流源と、電源電圧端子と接地端子との間に接続され、前
    記第６のトランジスタと前記第４の定電流源との接続ノ
    ードとに入力端子を接続され、出力端子を前記第３の定
    電流源の制御端子に接続された電流電圧変換回路とを有
    し、前記制御誤差信号又は前記反転第１の駆動信号を前
    記第６のトランジスタのベースに入力され、消光期間に
    おける前記第３の定電流源の電流量を制御する信号を前
    記電流電圧変換回路から出力することを特徴とする請求
    項８記載の半導体レーザ装置。
  10. 【請求項１０】前記制御回路は、消光期間において、前
    記駆動回路に含まれる出力段トランジスタのベース・エ
    ミッタ間に動作閾値電圧近傍の電圧が印加されるよう
    に、前記第２の駆動信号のレベルの調整を行うことを特
    徴とする請求項７ないし９記載の半導体レーザ装置。
  11. 【請求項１１】駆動電流を供給されてレーザ光を出力す
    る半導体レーザと、 前記半導体レーザから出力された前記レーザ光を検出し
    て検出信号を出力する光検出器と、 前記光検出器から出力された前記検出信号と、前記半導
    体レーザの発光を指示する制御信号とを与えられて制御
    誤差信号を生成して出力する制御増幅器と、 前記制御誤差信号を与えられ、モニタ信号及び第１の駆
    動信号を生成して出力する第１の駆動信号生成回路と、 前記制御信号と前記第１の駆動信号とを与えられ、消光
    期間中は、前記半導体レーザに供給される前記駆動電流
    がほぼ零となるように、前記第１の駆動信号生成回路か
    ら出力された前記第１の駆動信号のレベルを低下させて
    第２の駆動信号として出力する第２の駆動信号生成回路
    と、 前記第２の駆動信号生成回路から出力された前記第２の
    駆動信号を与えられてレベルシフトし、第３の駆動信号
    として出力するレベルシフト回路と、 前記レベルシフト回路から出力された前記第３の駆動信
    号を与えられ、前記半導体レーザに供給する駆動電流を
    出力する駆動回路と、 前記制御信号と前記モニタ信号とを与えられ、発光期間
    中の前記モニタ信号のレベルを保持し、消光期間中にお
    いてこの保持したレベルを出力するサンプルホールド回
    路と、 前記サンプルホールド回路が出力したレベルに基づい
    て、前記第２の駆動信号生成回路が消光期間中に低下さ
    せる前記第１の駆動信号のレベルの調整を行う第１の制
    御回路と、 前記サンプルホールド回路が出力したレベルと前記モニ
    タ信号とを与えられて比較し、この比較結果を消光期間
    中において前記制御増幅器に与え、前記制御増幅器が前
    記消光期間中に出力する前記制御誤差信号のレベルが、
    前記発光期間中に出力する前記制御誤差信号のレベルを
    保つように制御する比較器と、 前記レベルシフト回路が出力する前記第３の駆動信号の
    温度変化を補償するように前記レベルシフト回路を制御
    する第２の制御回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
  12. 【請求項１２】前記制御増幅器は、前記制御誤差信号を
    差動出力として出力し、 前記第１の駆動回路は、電源電圧端子に第１の抵抗を介
    してコレクタを接続され、ベースに前記制御誤差信号の
    一方を入力され、エミッタが電流源の一端に接続された
    第１のトランジスタと、電源電圧端子に第２の抵抗を介
    してコレクタを接続され、ベースに前記制御誤差信号の
    他方を入力され、エミッタが前記電流源の一端に接続さ
    れた第２のトランジスタとを有し、前記第１のトランジ
    スタのコレクタより前記モニタ信号を生成し、前記第２
    のトランジスタのコレクタより前記第１の駆動信号を生
    成し、 前記制御信号を与えられて差動出力として出力する増幅
    器をさらに備え、 前記第２の駆動回路は、前記第２のトランジスタのコレ
    クタにコレクタを接続され、ベースに前記制御信号の一
    方を入力され、エミッタを可変電流源の一端に接続され
    た第３のトランジスタと、電源電圧端子にコレクタを接
    続され、ベースに前記制御信号の他方を入力され、エミ
    ッタを前記可変電流源の一端に接続された第４のトラン
    ジスタとを有し、前記可変電流源は前記第１の制御回路
    によって出力電流を制御されることを特徴とする請求項
    １１記載の半導体レーザ装置。
  13. 【請求項１３】前記レベルシフト回路は、前記第３のト
    ランジスタのコレクタにベースを接続され、コレクタを
    電源端子に接続され、エミッタを第３の抵抗を介して前
    記可変電流源に接続された第５のトランジスタを有し、
    前記可変電流源は前記第２の制御回路によって、前記抵
    抗と前記可変電流源との接続ノードより出力する前記第
    ３の駆動信号のレベルが温度変化により変動しないよう
    に出力電流を制御されることを特徴とする請求項１２記
    載の半導体レーザ装置。
  14. 【請求項１４】前記サンプルホールド回路は、前記第１
    の駆動信号生成回路の有する前記第１のトランジスタの
    コレクタに入力端子を接続されて前記モニタ信号を入力
    され、前記制御信号を制御端子に入力され、前記制御信
    号に基づき消光期間中の前記モニタ信号のレベルを保持
    して出力し、 前記比較器は、前記サンプルホールド回路が出力したレ
    ベルと、前記第１の駆動信号生成回路が出力した前記モ
    ニタ信号とを与えられて比較し、前記比較結果を出力す
    る比較増幅器と、前記比較増幅器の出力端子と前記制御
    増幅器の入力端子との間に両端が接続され、前記制御信
    号を制御端子に入力されるスイッチ回路であって、前記
    制御信号に基づき消光期間中に前記比較増幅器から出力
    された前記比較結果を前記制御増幅器に与える前記スイ
    ッチ回路とを有することを特徴とする請求項１２記載の
    半導体レーザ装置。
  15. 【請求項１５】請求項６、７、１０ないし１４のいずれ
    かに記載された前記半導体レーザ装置と、 前記半導体レーザ装置から前記レーザ光が出力されるよ
    うに、前記半導体レーザ装置に前記制御信号を与える制
    御信号生成回路と、 前記制御信号を与えられて前記半導体レーザ装置が出力
    した前記レーザ光を感光体の表面に走査し、潜像を形成
    する走査手段と、 前記走査手段により前記感光体上に形成された前記潜像
    を可視化する画像生成部と、 を備えたことを特徴とする画像記録装置。
  16. 【請求項１６】請求項６、７、８ないし１４のいずれか
    に記載された前記半導体レーザ装置と、 前記半導体レーザ装置から前記レーザ光が出力されるよ
    うに、前記半導体レーザ装置に前記制御信号を与えるオ
    シレータと、 前記制御信号を与えられて前記半導体レーザ装置が出力
    した前記レーザ光を光ディスクの表面に照射し、反射さ
    れたレーザ光を受光して光検出信号を出力する光照射及
    び受光手段と、 前記光照射及び受光手段から出力された前記光検出信号
    を与えられて、光ディスクに書き込まれた情報を再生す
    る再生情報信号を出力する再生情報信号出力手段と、 を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
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