JP6225475B2 - 半導体レーザー駆動装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
半導体レーザー素子のオン及びオフを指示する発光制御信号に応じて上記半導体レーザー素子に供給する駆動電流を制御する半導体レーザー駆動装置において、
入力電流に対応する駆動電流を生成して上記半導体レーザー素子に供給する駆動回路と、
上記半導体レーザー素子を所望の発光量で発光させるときの駆動電流から上記半導体レーザー素子が発光しているときの第1のバイアス電流を減算した発光電流に対応する第1の設定値と、上記第1のバイアス電流に対応する第2の設定値と、上記半導体レーザー素子が発光していないときの第2のバイアス電流に対応する第3の設定値とを計算して格納する電流設定回路と、
上記第1の設定値から第1の入力電流を生成する第1の電流生成回路と、
上記第2の設定値から第2の入力電流を生成し、上記第3の設定値から第3の入力電流を生成する第2の電流生成回路と、
上記発光制御信号がオンであるとき、上記第1及び第2の入力電流の和を上記駆動回路に供給し、上記発光制御信号がオフであるとき、上記第3の入力電流を上記駆動回路に供給するスイッチ回路とを備え、
上記電流設定回路は、
上記半導体レーザー素子の発光量を上記半導体レーザー素子の駆動電流の関数として表し、上記所望の発光量における上記関数の接線とゼロの発光量を示す直線との交点における駆動電流の値を、上記第1のバイアス電流として計算し、
上記ゼロの発光量の近傍における上記関数の接線と上記ゼロの発光量を示す直線との交点における駆動電流の値を、上記第2のバイアス電流として計算し、
上記発光電流及び上記計算された第1及び第2のバイアス電流に対応する上記第1〜第3の設定値を計算して格納することを特徴とする。
半導体レーザー素子のオン及びオフを指示する発光制御信号に応じて上記半導体レーザー素子に供給する駆動電流を制御する半導体レーザー駆動装置において、
入力電流に対応する駆動電流を生成して上記半導体レーザー素子に供給する駆動回路と、
上記半導体レーザー素子を所望の発光量で発光させるときの駆動電流から上記半導体レーザー素子が発光しているときの第1のバイアス電流を減算した発光電流に対応する第1の設定値と、上記第1のバイアス電流に対応する第2の設定値と、上記半導体レーザー素子が発光していないときの第2のバイアス電流に対応する第3の設定値とを格納した電流設定回路と、
上記第1の設定値から第1の入力電流を生成する第1の電流生成回路と、
上記第2の設定値から第2の入力電流を生成し、上記第3の設定値から第3の入力電流を生成する第2の電流生成回路と、
上記発光制御信号がオンであるとき、上記第1及び第2の入力電流の和を上記駆動回路に供給し、上記発光制御信号がオフであるとき、上記第3の入力電流を上記駆動回路に供給するスイッチ回路とを備えたことを特徴とする。
上記電流設定回路は、
上記半導体レーザー素子の発光量を上記半導体レーザー素子の駆動電流の関数として表し、上記所望の発光量における上記関数の接線とゼロの発光量を示す直線との交点における駆動電流の値を、上記第1のバイアス電流として計算し、
上記ゼロの発光量の近傍における上記関数の接線と上記ゼロの発光量を示す直線との交点における駆動電流の値を、上記第2のバイアス電流として計算し、
上記発光電流及び上記計算された第1及び第2のバイアス電流に対応する上記第1〜第3の設定値を計算して格納することを特徴とする。
上記第1及び第2の電流生成回路は、電流電圧変換回路又は電流出力型のD/Aコンバータであることを特徴とする。
上記駆動回路は、上記入力電流に比例する上記駆動電流を生成することを特徴とする。
上記駆動回路、上記電流設定回路、上記第1及び第2の電流生成回路、及び上記スイッチ回路は、単一の集積回路に集積化されたことを特徴とする。
3…マルチプレクサ、
10…電流設定回路、
11…制御回路、
12…基準電圧源、
13…比較器、
14〜16…レジスタ、
LD…レーザーダイオード、
PD…フォトダイオード、
R1…抵抗、
TR1,TR2…トランジスタ、
TR3…スイッチ。
Claims (6)
- 半導体レーザー素子のオン及びオフを指示する発光制御信号に応じて上記半導体レーザー素子に供給する駆動電流を制御する半導体レーザー駆動装置において、
入力電流に対応する駆動電流を生成して上記半導体レーザー素子に供給する駆動回路と、
上記半導体レーザー素子を所望の発光量で発光させるときの駆動電流から上記半導体レーザー素子が発光しているときの第1のバイアス電流を減算した発光電流に対応する第1の設定値と、上記第1のバイアス電流に対応する第2の設定値と、上記半導体レーザー素子が発光していないときの第2のバイアス電流に対応する第3の設定値とを計算して格納する電流設定回路と、
上記第1の設定値から第1の入力電流を生成する第1の電流生成回路と、
上記第2の設定値から第2の入力電流を生成し、上記第3の設定値から第3の入力電流を生成する第2の電流生成回路と、
上記発光制御信号がオンであるとき、上記第1及び第2の入力電流の和を上記駆動回路に供給し、上記発光制御信号がオフであるとき、上記第3の入力電流を上記駆動回路に供給するスイッチ回路とを備え、
上記電流設定回路は、
上記半導体レーザー素子の発光量を上記半導体レーザー素子の駆動電流の関数として表し、上記所望の発光量における上記関数の接線とゼロの発光量を示す直線との交点における駆動電流の値を、上記第1のバイアス電流として計算し、
上記ゼロの発光量の近傍における上記関数の接線と上記ゼロの発光量を示す直線との交点における駆動電流の値を、上記第2のバイアス電流として計算し、
上記発光電流及び上記計算された第1及び第2のバイアス電流に対応する上記第1〜第3の設定値を計算して格納することを特徴とする半導体レーザー駆動装置。 - 上記電流設定回路は、制御回路、基準電圧源、比較器、及びレジスタを備え、
上記基準電圧源は、固定電圧を発生する固定電圧源と、上記制御回路の制御下で上記固定電圧を可変な係数で分圧した分圧電圧を発生する分圧回路とを備え、
上記比較器は、上記固定電圧又は上記分圧電圧と、上記半導体レーザー素子の駆動電流に対応する上記半導体レーザー素子の駆動電圧とを比較し、
上記制御回路は、
上記固定電圧を第1の係数で分圧した第1の分圧電圧を上記基準電圧源に設定し、上記第1の分圧電圧に対応する第1の駆動電流を検出し、
上記固定電圧を上記第1の係数より小さい第2の係数で分圧した第2の分圧電圧を上記基準電圧源に設定し、上記第2の分圧電圧に対応する第2の駆動電流を検出し、
上記固定電圧を上記第2の係数より小さい第3の係数で分圧した第3の分圧電圧を上記基準電圧源に設定し、上記第3の分圧電圧に対応する第3の駆動電流を検出し、
上記固定電圧を上記基準電圧源に設定し、上記固定電圧に対応する第4の駆動電流を検出し、
上記第3及び第4の駆動電流に基づいて上記第1のバイアス電流を計算し、
上記第1及び第2の駆動電流に基づいて上記第2のバイアス電流を計算し、
上記半導体レーザー素子を所望の発光量で発光させるときの駆動電流と上記第1のバイアス電流とに基づいて上記発光電流を計算し、
上記レジスタは、上記発光電流に対応する第1の設定値と、上記第1のバイアス電流に対応する第2の設定値と、上記第2のバイアス電流に対応する第3の設定値とを格納することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザー駆動装置。 - 上記第1及び第2の電流生成回路は、電流電圧変換回路又は電流出力型のD/Aコンバータであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザー駆動装置。
- 上記駆動回路は、上記入力電流に比例する上記駆動電流を生成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体レーザー駆動装置。
- 上記駆動回路、上記電流設定回路、上記第1及び第2の電流生成回路、及び上記スイッチ回路は、単一の集積回路に集積化されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体レーザー駆動装置。
- 半導体レーザー素子及び請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体レーザー駆動装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
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