JP2002127499A - 光書き込み制御方法および装置 - Google Patents
光書き込み制御方法および装置Info
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- JP2002127499A JP2002127499A JP2000329379A JP2000329379A JP2002127499A JP 2002127499 A JP2002127499 A JP 2002127499A JP 2000329379 A JP2000329379 A JP 2000329379A JP 2000329379 A JP2000329379 A JP 2000329379A JP 2002127499 A JP2002127499 A JP 2002127499A
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- laser diode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＤの応答性がばらついていても、低コスト
で高品質な画像の書き込みを可能とする。 【解決手段】 光ビームを走査することによって像担持
体上に画像を書き込む光書き込み装置において、ＬＤ
（レーザダイオード）１０８のバイアス電流値をＬＤ１
０８毎に変更する手段を設けた。変更する手段として
は、例えば可変抵抗器が使用され、抵抗ＲＥの抵抗値を
変えることにより、ＬＤ１０８がＯＦＦのときのバイア
ス電流Ｉｂを、Ｉｂ＝（Ｖｃｃ−８０ｍＶ）／ＲＥで示
すように調整し、ＬＤ１０８毎にフラットな光波形を得
る。
で高品質な画像の書き込みを可能とする。 【解決手段】 光ビームを走査することによって像担持
体上に画像を書き込む光書き込み装置において、ＬＤ
（レーザダイオード）１０８のバイアス電流値をＬＤ１
０８毎に変更する手段を設けた。変更する手段として
は、例えば可変抵抗器が使用され、抵抗ＲＥの抵抗値を
変えることにより、ＬＤ１０８がＯＦＦのときのバイア
ス電流Ｉｂを、Ｉｂ＝（Ｖｃｃ−８０ｍＶ）／ＲＥで示
すように調整し、ＬＤ１０８毎にフラットな光波形を得
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式の画
像形成装置、例えばレーザプリンタ、デジタル複写機、
ファクシミリなどに使用され、レーザダイオードを使用
した光書き込み制御方法および装置に関する。
像形成装置、例えばレーザプリンタ、デジタル複写機、
ファクシミリなどに使用され、レーザダイオードを使用
した光書き込み制御方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザプリンタ、デジタル複写機
の画像形成部（エンジン部）は高速高画質化が要求さ
れ、とくに書き込み部はマルチビーム化やカラー化が進
んでいる。高速化、高密度化に伴い、光書き込みの光源
となるレーザダイオード（以下、「ＬＤ」と称す）の繰
り返し周波数も高くなり、ＬＤ自体も高速な応答性が要
求される。ＬＤ駆動周波数に対して、ＬＤの応答速度が
遅いと、図６（ａ）に示すように発光の立ち上がりが鈍
り、同図（ｂ）に示すように孤立ドットのときの露光エ
ネルギが減少してしまうので、同図（ｃ）に示すように
例えば１ドット縦ラインが横ライン（連続ドット）よ
り、細くなってしまったりする。
の画像形成部（エンジン部）は高速高画質化が要求さ
れ、とくに書き込み部はマルチビーム化やカラー化が進
んでいる。高速化、高密度化に伴い、光書き込みの光源
となるレーザダイオード（以下、「ＬＤ」と称す）の繰
り返し周波数も高くなり、ＬＤ自体も高速な応答性が要
求される。ＬＤ駆動周波数に対して、ＬＤの応答速度が
遅いと、図６（ａ）に示すように発光の立ち上がりが鈍
り、同図（ｂ）に示すように孤立ドットのときの露光エ
ネルギが減少してしまうので、同図（ｃ）に示すように
例えば１ドット縦ラインが横ライン（連続ドット）よ
り、細くなってしまったりする。
【０００３】また、図７（ｂ）に示すように発光の立ち
上がりが早くオーバーシュートが大きいと、図７（ａ）
のようなフラットな波形入力の場合に比べて、孤立ドッ
トのときの露光エネルギが過多となり、隣接するドット
間隔がつぶれて画像上の空間周波数が低くなる。この現
象は、一般に発振波長が短いほど、顕著に現れる傾向に
ある。一方、現状では、高解像度の要求に対し、感光体
上のビームスポット径を小径化するために、ＬＤの発光
波長は従来の７８０ｎｍ近傍から、６５０ｎｍ付近の赤
色ＬＤに移行しつつある。そのため、前記問題がより重
要なる。
上がりが早くオーバーシュートが大きいと、図７（ａ）
のようなフラットな波形入力の場合に比べて、孤立ドッ
トのときの露光エネルギが過多となり、隣接するドット
間隔がつぶれて画像上の空間周波数が低くなる。この現
象は、一般に発振波長が短いほど、顕著に現れる傾向に
ある。一方、現状では、高解像度の要求に対し、感光体
上のビームスポット径を小径化するために、ＬＤの発光
波長は従来の７８０ｎｍ近傍から、６５０ｎｍ付近の赤
色ＬＤに移行しつつある。そのため、前記問題がより重
要なる。
【０００４】そこで、特開平１１−３４０５５２号公報
では、前述の問題に対する解決策としてモニタ用フォト
ダイオードから得られた電流値とレーザ駆動制御回路か
ら得られた電流値との演算を行うことで、温度変化によ
るバイアス電流の補正を行うことが提案されている。
では、前述の問題に対する解決策としてモニタ用フォト
ダイオードから得られた電流値とレーザ駆動制御回路か
ら得られた電流値との演算を行うことで、温度変化によ
るバイアス電流の補正を行うことが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、発光波形の立
ち上がり部の変動は、温度による依存性よりも、ＬＤ個
々のばらつきによる差の方がはるかに大きい。また、ば
らつきの中から一定のオーバーシュート量またはアンダ
ーシュート量になるように、ＬＤを選別しようとする
と、歩留まりが低下し、コストアップとなってしまう。
ち上がり部の変動は、温度による依存性よりも、ＬＤ個
々のばらつきによる差の方がはるかに大きい。また、ば
らつきの中から一定のオーバーシュート量またはアンダ
ーシュート量になるように、ＬＤを選別しようとする
と、歩留まりが低下し、コストアップとなってしまう。
【０００６】本発明はこのような従来技術の実情に鑑み
てなされたもので、その目的は、ＬＤの応答性がばらつ
いていても、低コストで高品質な画像の書き込みが可能
な光書き込み方法および光書き込み制御方法および装置
を提供するにある。
てなされたもので、その目的は、ＬＤの応答性がばらつ
いていても、低コストで高品質な画像の書き込みが可能
な光書き込み方法および光書き込み制御方法および装置
を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、レーザダイオードを付勢し、光ビームを
走査することによって像担持体上に画像を書き込む光書
き込み制御方法において、レーザダイオードの発光量を
モニタするフォトダイオードを備え、レーザダイオード
の出力から前記レーザダイオードの発光量が所定の光量
になるように調整した後、前記フォトダイオードから出
力される光波形の立ち上がり部がフラットな特性になる
ように前記レーザダイオードのバイアス電流値を変更す
ることを特徴とする。
め、本発明は、レーザダイオードを付勢し、光ビームを
走査することによって像担持体上に画像を書き込む光書
き込み制御方法において、レーザダイオードの発光量を
モニタするフォトダイオードを備え、レーザダイオード
の出力から前記レーザダイオードの発光量が所定の光量
になるように調整した後、前記フォトダイオードから出
力される光波形の立ち上がり部がフラットな特性になる
ように前記レーザダイオードのバイアス電流値を変更す
ることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、光ビームを走査すること
によって像担持体上に画像を書き込む光書き込み制御装
置において、レーザダイオードのバイアス電流値をレー
ザダイオードの発光波形の立ち上がり部のばらつきに応
じて変更する手段を備えていることを特徴とする。
によって像担持体上に画像を書き込む光書き込み制御装
置において、レーザダイオードのバイアス電流値をレー
ザダイオードの発光波形の立ち上がり部のばらつきに応
じて変更する手段を備えていることを特徴とする。
【０００９】この場合、前記変更する手段は、ＬＤの発
光波形の立ち上がり部のばらつきに応じてバイアス電流
値を変更する。変更するための具体的手段は、ＬＤのバ
イアス電流値を決定する抵抗器として可変抵抗器が使用
できる。また、ＬＤのバイアス電流値を決定する複数の
抵抗器を設け、前記複数の抵抗器は基板上のパタ−ンで
結線され、前記パタ−ンの少なくとも一部をカットする
ことで、カットする前の抵抗値と異ならせることでバイ
アス電流を変更するようにすることもできる。
光波形の立ち上がり部のばらつきに応じてバイアス電流
値を変更する。変更するための具体的手段は、ＬＤのバ
イアス電流値を決定する抵抗器として可変抵抗器が使用
できる。また、ＬＤのバイアス電流値を決定する複数の
抵抗器を設け、前記複数の抵抗器は基板上のパタ−ンで
結線され、前記パタ−ンの少なくとも一部をカットする
ことで、カットする前の抵抗値と異ならせることでバイ
アス電流を変更するようにすることもできる。
【００１０】また、ＬＤのバイアス電流値を決定する複
数の抵抗器とそれぞれの抵抗器を選択する選択回路を有
し、選択回路の入力に応じて前記抵抗器を選択すること
で、バイアス電流を可変させるように構成することもで
きる。
数の抵抗器とそれぞれの抵抗器を選択する選択回路を有
し、選択回路の入力に応じて前記抵抗器を選択すること
で、バイアス電流を可変させるように構成することもで
きる。
【００１１】また、ＬＤのバイアス電流値を決定する印
刷抵抗器を設け、前記印刷抵抗器をトリミングすること
で前記ＬＤのバイアス電流を変更するように構成するこ
ともできる。
刷抵抗器を設け、前記印刷抵抗器をトリミングすること
で前記ＬＤのバイアス電流を変更するように構成するこ
ともできる。
【００１２】すなわち、図３に示されるように、光波形
のオーバーシュート量（マイナスはアンダーシュート）
とバイアス電流の関係から、バイアス電流Ｉｂが小さい
と、ある光量を得るための動作電流をＩｏｐとすると
き、バイアス電流Ｉｂが大きいときに比べ、ＬＤ発光時
の注入電流変化分が大きくなるので、オーバーシュート
量も大きいことがわかる。また、ある程度のバイアス電
流Ｉｂを発光させる前から流しておくことでオーバーシ
ュート、アンダーシュートのないフラットな光波形を得
ることができることも分かる。また、フラットな光波形
を得るためのバイアス電流Ｉｂは、ＬＤ個々にばらつき
があることも分かっている。そこで、本発明ではＬＤ毎
のばらつきに応じてバイアス電流値Ｉｂを変更可能とし
た。
のオーバーシュート量（マイナスはアンダーシュート）
とバイアス電流の関係から、バイアス電流Ｉｂが小さい
と、ある光量を得るための動作電流をＩｏｐとすると
き、バイアス電流Ｉｂが大きいときに比べ、ＬＤ発光時
の注入電流変化分が大きくなるので、オーバーシュート
量も大きいことがわかる。また、ある程度のバイアス電
流Ｉｂを発光させる前から流しておくことでオーバーシ
ュート、アンダーシュートのないフラットな光波形を得
ることができることも分かる。また、フラットな光波形
を得るためのバイアス電流Ｉｂは、ＬＤ個々にばらつき
があることも分かっている。そこで、本発明ではＬＤ毎
のばらつきに応じてバイアス電流値Ｉｂを変更可能とし
た。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１４】図１は本発明方法を実施するための光書き
込み制御装置としてのカソードコモンＬＤの駆動回路を
示すブロック図である。この駆動回路は、第１および第
２のエラーアンプ１０１，１０２（図ではError-Amp1、
Error-Amp2で示す）、第１および第２のコンデンサ１０
３，１０４（図ではHold Capacitor 1、Hold Capacitor
2で示す）、ＡＮＤゲート１０５、ＮＯＲゲート１０
６、バッファ１０７、ＬＤ１０８、フォトダイオード
（以下、「ＰＤ」と称す）１０９、２本の抵抗ＲＥ，Ｒ
ＰＤから主に構成されている。
込み制御装置としてのカソードコモンＬＤの駆動回路を
示すブロック図である。この駆動回路は、第１および第
２のエラーアンプ１０１，１０２（図ではError-Amp1、
Error-Amp2で示す）、第１および第２のコンデンサ１０
３，１０４（図ではHold Capacitor 1、Hold Capacitor
2で示す）、ＡＮＤゲート１０５、ＮＯＲゲート１０
６、バッファ１０７、ＬＤ１０８、フォトダイオード
（以下、「ＰＤ」と称す）１０９、２本の抵抗ＲＥ，Ｒ
ＰＤから主に構成されている。
【００１５】第１のエラーアンプ１０１のマイナス端子
には比較電圧（Refference Voltage）が、プラス端子に
は抵抗（ＰＲＤ）に直列に接続されたＰＤ１０９のカソ
ード側がそれぞれ接続され、第２のエラーアンプ１０２
のマイナス端子には基準電圧である８０ｍＶが、プラス
端子には抵抗ＲＥに接続されたトランジスタ１１０のコ
レクタ側がそれぞれ接続されている。第１のエラーアン
プ１０１の出力側はＮＯＲゲート１０６の出力に応じて
スイッチングされる第１のスイッチ回路１１１に、第２
のエラーアンプ１０２の出力はＡＮＤゲート１０５の出
力に応じてスイッチングされる第２のスイッチ回路１１
２にそれぞれ接続されている。第１および第２のスイッ
チ回路１０１，１０２はそれぞれバッファ１０７に接続
され、このバッファ１０７の出力はＬＤオン信号によっ
て第１あるいは第２のエラーアンプ１０１，１０２のい
ずれかが選択されてトランジスタ１１０のベースに印加
され、ＬＤ１０８を発光させる。
には比較電圧（Refference Voltage）が、プラス端子に
は抵抗（ＰＲＤ）に直列に接続されたＰＤ１０９のカソ
ード側がそれぞれ接続され、第２のエラーアンプ１０２
のマイナス端子には基準電圧である８０ｍＶが、プラス
端子には抵抗ＲＥに接続されたトランジスタ１１０のコ
レクタ側がそれぞれ接続されている。第１のエラーアン
プ１０１の出力側はＮＯＲゲート１０６の出力に応じて
スイッチングされる第１のスイッチ回路１１１に、第２
のエラーアンプ１０２の出力はＡＮＤゲート１０５の出
力に応じてスイッチングされる第２のスイッチ回路１１
２にそれぞれ接続されている。第１および第２のスイッ
チ回路１０１，１０２はそれぞれバッファ１０７に接続
され、このバッファ１０７の出力はＬＤオン信号によっ
て第１あるいは第２のエラーアンプ１０１，１０２のい
ずれかが選択されてトランジスタ１１０のベースに印加
され、ＬＤ１０８を発光させる。
【００１６】比較電圧（Refference Voltage） は内部
的に生成されているので、第１のコンデンサ （Hold Ca
pacitor 1）１０３により、ＬＤ１０８がＯＮになる場
合のＬＤ順方向電圧が保持される。一方、第２のコンデ
ンサ（Hold Capacitor 2）１０４は外付け抵抗ＲＥの端
子電圧とＶｃｃ−８０ｍＶと比較され、ＲＥ端子電圧が
ＬＤ１０８ＯＦＦのとき等しくなるように制御された結
果が保持される。このように、ＬＤ１０８がＯＮのとき
は第１のエラーアンプ（Error-Amp1）１０１を介した負
帰還ル−プとなり、ＬＤ１０８がＯＦＦのときは第２の
エラーアンプ（Error-Amp2）１０２を介した負帰還ル−
プを構成している。
的に生成されているので、第１のコンデンサ （Hold Ca
pacitor 1）１０３により、ＬＤ１０８がＯＮになる場
合のＬＤ順方向電圧が保持される。一方、第２のコンデ
ンサ（Hold Capacitor 2）１０４は外付け抵抗ＲＥの端
子電圧とＶｃｃ−８０ｍＶと比較され、ＲＥ端子電圧が
ＬＤ１０８ＯＦＦのとき等しくなるように制御された結
果が保持される。このように、ＬＤ１０８がＯＮのとき
は第１のエラーアンプ（Error-Amp1）１０１を介した負
帰還ル−プとなり、ＬＤ１０８がＯＦＦのときは第２の
エラーアンプ（Error-Amp2）１０２を介した負帰還ル−
プを構成している。
【００１７】このような回路において抵抗ＲＥの抵抗値
を変えることにより、ＬＤ１０８がＯＦＦのときのバイ
アス電流Ｉｂを、 Ｉｂ＝（Ｖｃｃ−８０ｍＶ）／ＲＥ ・・・（１） で示すように調整でき、ＬＤ毎にフラットな光波形を得
ることができる。
を変えることにより、ＬＤ１０８がＯＦＦのときのバイ
アス電流Ｉｂを、 Ｉｂ＝（Ｖｃｃ−８０ｍＶ）／ＲＥ ・・・（１） で示すように調整でき、ＬＤ毎にフラットな光波形を得
ることができる。
【００１８】図２はアノ−ドコモンタイプのＬＤ駆動回
路を示すブロック図である。
路を示すブロック図である。
【００１９】アノ−ドコモンＬＤ１０８は、図１に示し
たカソードコモンタイプと極性が異なるだけで、抵抗Ｒ
Ｅの抵抗値を変えることにより、 Ｉｂ＝８０ｍＶ／ＲＥ ・・・（２） で示すように調整でき、前述のカソードコモンＬＤの場
合と同様の効果を得ることができる。
たカソードコモンタイプと極性が異なるだけで、抵抗Ｒ
Ｅの抵抗値を変えることにより、 Ｉｂ＝８０ｍＶ／ＲＥ ・・・（２） で示すように調整でき、前述のカソードコモンＬＤの場
合と同様の効果を得ることができる。
【００２０】前記抵抗ＲＥを簡単に可変させる手段とし
ては、ボリューム式の可変抵抗器を用いることができ
る。一般にＬＤ１０８の発光量は同じ駆動電流を注入し
てもバラツキが大きいので、受光素子（ＰＤ）１０９に
よるモニタ電流を抵抗ＲＰＤを介して電圧監視し、ある
光量になるように抵抗ＲＰＤを個別に調整してバラツキ
を制御している。これがいわゆるＡＰＣ（Auto Power C
ontroll）と称されるものである。
ては、ボリューム式の可変抵抗器を用いることができ
る。一般にＬＤ１０８の発光量は同じ駆動電流を注入し
てもバラツキが大きいので、受光素子（ＰＤ）１０９に
よるモニタ電流を抵抗ＲＰＤを介して電圧監視し、ある
光量になるように抵抗ＲＰＤを個別に調整してバラツキ
を制御している。これがいわゆるＡＰＣ（Auto Power C
ontroll）と称されるものである。
【００２１】本実施形態においては、前記抵抗ＲＰＤを
調整した後の一定光量において、光波形を観測しなが
ら、波形立ち上がり部がオーバーシュート、アンダーシ
ュートのない、フラットな特性になるように抵抗ＲＥを
調整する。
調整した後の一定光量において、光波形を観測しなが
ら、波形立ち上がり部がオーバーシュート、アンダーシ
ュートのない、フラットな特性になるように抵抗ＲＥを
調整する。
【００２２】図４は図２における抵抗ＲＥを複数の固定
抵抗ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３で構成した回路構成を示す
図である。ここでは、固定抵抗ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３
により抵抗ＲＥを構成している。
抵抗ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３で構成した回路構成を示す
図である。ここでは、固定抵抗ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３
により抵抗ＲＥを構成している。
【００２３】ＲＥ＝ＲＥ１／／ＲＥ２／／ＲＥ３ この場合、図中のＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３と直列にパッ
ト１、パット２、パット３を設け、さらに、直列に設け
た抵抗とパットの組を並列に設けている。このように構
成することよりパットを切断する場所と個数で、７種類
の合成抵抗ＲＥを選択することができる。たとえば、Ｔ
ａｂｌｅ１に示すようにＲＥ１＝６．８Ω、ＲＥ２＝１
２Ω、ＲＥ３＝１８ΩとしたときＩｂを４．４ｍＡ〜２
２．８ｍＡまで可変させることができる。
ト１、パット２、パット３を設け、さらに、直列に設け
た抵抗とパットの組を並列に設けている。このように構
成することよりパットを切断する場所と個数で、７種類
の合成抵抗ＲＥを選択することができる。たとえば、Ｔ
ａｂｌｅ１に示すようにＲＥ１＝６．８Ω、ＲＥ２＝１
２Ω、ＲＥ３＝１８ΩとしたときＩｂを４．４ｍＡ〜２
２．８ｍＡまで可変させることができる。
【００２４】図５は図４に示したパットの代わりに、ス
イッチング素子を用いて抵抗ＲＥ１，ＲＥ２、ＲＥ３を
選択するＲＥ選択回路を有し、図４の例と同様にバイア
ス電流Ｉｂを変更することができるように構成したもの
である。すなわち、バイアス電流Ｉｂを変更することに
よりＲＥ選択回路５０１は３ｂｉｔの入力に応じて、
“Ｈ”が入力されるとトランジスタ５０２，５０３，５
０４のベ−スを制御し、トランジスタ５０２〜５０４の
ＯＮ状態を選択し、抵抗ＲＥ１〜３を選択する。
イッチング素子を用いて抵抗ＲＥ１，ＲＥ２、ＲＥ３を
選択するＲＥ選択回路を有し、図４の例と同様にバイア
ス電流Ｉｂを変更することができるように構成したもの
である。すなわち、バイアス電流Ｉｂを変更することに
よりＲＥ選択回路５０１は３ｂｉｔの入力に応じて、
“Ｈ”が入力されるとトランジスタ５０２，５０３，５
０４のベ−スを制御し、トランジスタ５０２〜５０４の
ＯＮ状態を選択し、抵抗ＲＥ１〜３を選択する。
【００２５】入力情報はＬＤ毎に不揮発性メモリに書き
込んでおき、ＣＰＵからＲＥ選択回路５０１の入力部５
０５に与えてもよいし、ＤｉｐスイッチなどのＨ／Ｌ切
り替えスイッチで３ｂｉｔのＨ／Ｌ信号を生成して与え
てもよい。なお、スイッチング素子はトランジスタに限
らず、アナログスイッチ等でもよい。
込んでおき、ＣＰＵからＲＥ選択回路５０１の入力部５
０５に与えてもよいし、ＤｉｐスイッチなどのＨ／Ｌ切
り替えスイッチで３ｂｉｔのＨ／Ｌ信号を生成して与え
てもよい。なお、スイッチング素子はトランジスタに限
らず、アナログスイッチ等でもよい。
【００２６】また、他の方法としてＬＤの駆動回路が搭
載される基板に抵抗ＲＥに相当する印刷抵抗を設置し、
レーザ等によってトリミングすることで、抵抗値を徐々
に増加させることができる。たとえば、光波形の立ち上
がりを観察したときアンダーシュートが大きい場合、レ
ーザトリミングを行いながら、ＲＥの抵抗値を少しずつ
増加させ、バイアス電流Ｉｂを減少させながら、立ち上
がりがフラットになるまで続ける。
載される基板に抵抗ＲＥに相当する印刷抵抗を設置し、
レーザ等によってトリミングすることで、抵抗値を徐々
に増加させることができる。たとえば、光波形の立ち上
がりを観察したときアンダーシュートが大きい場合、レ
ーザトリミングを行いながら、ＲＥの抵抗値を少しずつ
増加させ、バイアス電流Ｉｂを減少させながら、立ち上
がりがフラットになるまで続ける。
【００２７】また、トリミングをする前にオーバーシュ
ト量およびアンダーシュート量とフラットになるときの
抵抗ＲＥの値の対応表を準備しておき、光波形の立ち上
がりを測定したときに、測定したオーバーシュト量およ
びアンダーシュート量に応じた抵抗値を前記対応表から
読み取って、トリミングを実施してもよい。
ト量およびアンダーシュート量とフラットになるときの
抵抗ＲＥの値の対応表を準備しておき、光波形の立ち上
がりを測定したときに、測定したオーバーシュト量およ
びアンダーシュート量に応じた抵抗値を前記対応表から
読み取って、トリミングを実施してもよい。
【００２８】以上の内容は、光波形の立ち上がりをフラ
ットにする例で記載したが、感光体の特性や帯電、現像
条件等によっては、孤立ドットの再現性をよくするため
に、孤立ドットのときはＤＣレベルより高い光量を必要
とする場合がありうる。このような場合でも、本発明を
用いれば、ＬＤの特性がばらついていても、立ち上がり
のオーバーシュート量を所望の光量に調整することがで
きる。
ットにする例で記載したが、感光体の特性や帯電、現像
条件等によっては、孤立ドットの再現性をよくするため
に、孤立ドットのときはＤＣレベルより高い光量を必要
とする場合がありうる。このような場合でも、本発明を
用いれば、ＬＤの特性がばらついていても、立ち上がり
のオーバーシュート量を所望の光量に調整することがで
きる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、ＬＤの発光量をモニタするＰＤを備え、ＰＤの出
力から前記ＬＤの発光量が所定の光量になるように調整
した後、ＬＤから出力される光波形の立ち上がり部がフ
ラットな特性になるようにＬＤのバイアス電流値を変更
するので、ＬＤ発光波形の立ち上がり部がばらついても
均一な特性にすることができ、これによってばらつきな
く高画像品質を得ることができる。
れば、ＬＤの発光量をモニタするＰＤを備え、ＰＤの出
力から前記ＬＤの発光量が所定の光量になるように調整
した後、ＬＤから出力される光波形の立ち上がり部がフ
ラットな特性になるようにＬＤのバイアス電流値を変更
するので、ＬＤ発光波形の立ち上がり部がばらついても
均一な特性にすることができ、これによってばらつきな
く高画像品質を得ることができる。
【００３０】請求項２記載の発明によれば、ＬＤに印加
されるバイアス電流値をＬＤ発光波形の立ち上がり部の
ばらつきに応じて変更するので、ＬＤ発光波形の立ち上
がり部のばらつきにかかわらず均一な特性にすることが
でき、ばらつきのない高画像品質を得ることができる。
されるバイアス電流値をＬＤ発光波形の立ち上がり部の
ばらつきに応じて変更するので、ＬＤ発光波形の立ち上
がり部のばらつきにかかわらず均一な特性にすることが
でき、ばらつきのない高画像品質を得ることができる。
【００３１】請求項３記載の発明によれば、バイアス電
流を決定する抵抗が可変抵抗器なので、個々のＬＤの特
性に合わせてバイアス電流を簡単な作業で変えることが
できる。
流を決定する抵抗が可変抵抗器なので、個々のＬＤの特
性に合わせてバイアス電流を簡単な作業で変えることが
できる。
【００３２】請求項４記載の発明によれば、基板上のパ
タ−ンで結線され、パタ−ンの少なくとも一部を切断す
ることによって切断する前の抵抗値と異ならせてバイア
ス電流を変更するので、精度よく、個々のＬＤの特性に
合わせてバイアス電流を可変することができる。
タ−ンで結線され、パタ−ンの少なくとも一部を切断す
ることによって切断する前の抵抗値と異ならせてバイア
ス電流を変更するので、精度よく、個々のＬＤの特性に
合わせてバイアス電流を可変することができる。
【００３３】請求項５記載の発明によれば、レーザダイ
オードのバイアス電流値を決定する複数の抵抗器と、そ
れぞれの抵抗器を選択する選択回路とからなり、選択回
路の入力に応じて前記抵抗器を選択してバイアス電流を
変更するので、入力情報を与えるだけで、簡単に精度よ
く個々のＬＤの特性に合わせてバイアス電流を変えるこ
とができる。
オードのバイアス電流値を決定する複数の抵抗器と、そ
れぞれの抵抗器を選択する選択回路とからなり、選択回
路の入力に応じて前記抵抗器を選択してバイアス電流を
変更するので、入力情報を与えるだけで、簡単に精度よ
く個々のＬＤの特性に合わせてバイアス電流を変えるこ
とができる。
【００３４】請求項６記載の発明によれば、レーザダイ
オードのバイアス電流値を決定する印刷抵抗器と、当該
印刷抵抗器をトリミングする手段とからバイアス電流を
変更する手段を構成し、トリミングする手段によって印
刷抵抗器の抵抗値を変えることによってバイアス電流を
可変に設定するので、精度よく短時間に個々のＬＤの特
性に合わせてバイアス電流を変えることができる。
オードのバイアス電流値を決定する印刷抵抗器と、当該
印刷抵抗器をトリミングする手段とからバイアス電流を
変更する手段を構成し、トリミングする手段によって印
刷抵抗器の抵抗値を変えることによってバイアス電流を
可変に設定するので、精度よく短時間に個々のＬＤの特
性に合わせてバイアス電流を変えることができる。
【図１】本発明方法を実施するためのカソードコモンＬ
Ｄの駆動回路を示すブロック図である。
Ｄの駆動回路を示すブロック図である。
【図２】本発明方法を実施するためのアノードコモンタ
イプのＬＤ駆動回路を示すブロック図である。
イプのＬＤ駆動回路を示すブロック図である。
【図３】光波形のオーバーシュート量（マイナスはアン
ダーシュート）とバイアス電流の関係を示す図である。
ダーシュート）とバイアス電流の関係を示す図である。
【図４】図２における抵抗ＲＥを複数の固定抵抗ＲＥ
１、ＲＥ２、ＲＥ３で構成した回路構成を示す図であ
る。
１、ＲＥ２、ＲＥ３で構成した回路構成を示す図であ
る。
【図５】スイッチング素子を用いて抵抗ＲＥ１，ＲＥ
２、ＲＥ３を選択するＲＥ選択回路を構成した回路構成
を示す図である。
２、ＲＥ３を選択するＲＥ選択回路を構成した回路構成
を示す図である。
【図６】ＬＤの応答速度と画像との関係を示す図であ
る。
る。
【図７】ＬＤのオーバーシュートと解像度との関係を示
す図である。
す図である。
１０１，１０２ エラーアンプ １０３，１０４ コンデンサ １０５ ＡＮＤゲート １０６ ＮＯＲゲート １０７ バッファ １０８ レーザダイオード（ＬＤ） １０９ フォトダイオード（ＰＤ） １１０ トランジスタ ４０１，４０２，４０３ パット ５０１ ＲＥ選択回路 ５０２，５０３，５０４ トランジスタ ５０５ 入力部 ＲＥ，ＲＰＤ 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C362 AA03 AA17 AA53 AA54 AA55 AA57 AA61 AA63 2H045 CB42 DA02 5C072 AA03 BA16 HA02 HA13 HB02 HB11 UA05 XA01 XA05 5C074 AA02 AA11 BB03 CC26 DD08 EE02 EE06 HH02 5F073 BA07 EA15 FA01 GA02 GA12
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザダイオードを付勢し、光ビームを
走査することによって像担持体上に画像を書き込む光書
き込み制御方法において、 レーザダイオードの発光量をモニタするフォトダイオー
ドを備え、フォトダイオードの出力から前記レーザダイ
オードの発光量が所定の光量になるように調整した後、
前記レーザダイオードから出力される光波形の立ち上が
り部がフラットな特性になるように前記レーザダイオー
ドのバイアス電流値を変更することを特徴とする光書き
込み制御方法。 - 【請求項２】 光ビームを走査することによって像担持
体上に画像を書き込む光書き込み制御装置において、 レーザダイオードのバイアス電流値をレーザダイオード
の発光波形の立ち上がり部のばらつきに応じて変更する
手段を備えていることを特徴とする光書き込み制御装
置。 - 【請求項３】 前記変更する手段が、可変抵抗器からな
ることを特徴とする請求項２記載の光書き込み制御装
置。 - 【請求項４】 前記変更する手段が、基板上のパタ−ン
で結線され、前記パタ−ンの少なくとも一部をカットす
ることによってカットする前の抵抗値と異ならせてバイ
アス電流を変更するようにした複数の抵抗器からなるこ
とを特徴とする請求項２記載の光書き込み制御装置。 - 【請求項５】 前記変更する手段が、レーザダイオード
のバイアス電流値を決定する複数の抵抗器と、それぞれ
の抵抗器を選択する選択回路とからなり、前記選択回路
の入力に応じて前記抵抗器を選択することを特徴とする
請求項２記載の光書き込み制御装置。 - 【請求項６】 前記変更する手段が、レーザダイオード
のバイアス電流値を決定する印刷抵抗器と、当該印刷抵
抗器をトリミングする手段とからなり、前記トリミング
する手段によって印刷抵抗器の抵抗値を変えることによ
ってバイアス電流を可変に設定したことを特徴とする請
求項２記載の光書き込み制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329379A JP2002127499A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 光書き込み制御方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329379A JP2002127499A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 光書き込み制御方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002127499A true JP2002127499A (ja) | 2002-05-08 |
Family
ID=18806054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000329379A Pending JP2002127499A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 光書き込み制御方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002127499A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197990A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置、画像形成装置、制御方法及びプログラム |
| JP2017102207A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 光走査装置及び画像形成装置 |
| US20220382180A1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical scanning device, image forming apparatus, and control method |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000329379A patent/JP2002127499A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197990A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置、画像形成装置、制御方法及びプログラム |
| JP2017102207A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 光走査装置及び画像形成装置 |
| US20220382180A1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical scanning device, image forming apparatus, and control method |
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