JPH09116364A

JPH09116364A - 弾性表面波装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09116364A
Application number: JP27161295A
Authority: JP
Inventors: Keiji Onishi; 慶治大西; Shunichi Seki; 関　　俊一; Yutaka Taguchi; 豊田口
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-10-19
Filing date: 1995-10-19
Publication date: 1997-05-02

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程中の温度変化によって櫛形電極の焦
電破壊を引き起こすことがなく、また、弾性表面波素子
の検査工程においても制約を受けることのない弾性表面
波装置を、電極レイアウトの自由度を低下させることな
く、低コストで効率良く製造する。【解決手段】焦電性を有する基板１０１の上に、弾性
表面波素子１０２の電極パターンを複数個形成する。弾
性表面波素子１０２の電極パターンが形成された基板１
０１の少なくとも一部に導電性膜１０５を形成する。弾
性表面波素子１０２を個々に分割し、接着剤１０６を介
してパッケージ１０７に固着した後、導電性膜１０５を
除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置の
製造方法に関する。さらに詳細には、焦電性を有する基
板上に、弾性表面波素子の電極パターンが形成された弾
性表面波装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】移動体通信の発展に伴い、機器を構成す
るキーデバイスの１つである弾性表面波装置の小型化、
高性能化が要求されている。弾性表面波装置は、圧電基
板上に、アルミニウムや金などからなる櫛形電極や、引
出し電極などの電極パターンが形成された弾性表面波素
子を、気密保持のためのパッケージに実装した構造を有
している。例えばバンドパスフィルタの場合、前記櫛形
電極の電極指ピッチは、その中心周波数と、前記圧電基
板の弾性表面波伝搬速度とによって決定される。移動体
通信における使用周波数帯の高周波化に伴い、前記櫛形
電極の電極指ピッチは微細化する傾向にある。

【０００３】以下、従来の弾性表面波装置の製造方法に
ついて説明する。図９は、従来の弾性表面波装置の製造
方法の一例を示す工程図である。まず、圧電性を有する
基板２０１の上に電極膜を形成し、半導体分野で用いら
れているフォトリソグラフィ技術を利用して、櫛形電極
２０３及び電極パッド２０４からなる弾性表面波素子２
０２の電極パターンを複数個形成する（図９（ａ））。
次いで、個々の弾性表面波素子２０２に分割し（図９
（ｂ））、その後、分割した個々の弾性表面波素子２０
２をセラミックなどからなるパッケージ２０６に、導電
性又は絶縁性の接着剤２０５を介して接着固定する（図
９（ｃ））。次いで、弾性表面波素子２０２の上に形成
された電極パッド２０４とパッケージ２０６に形成され
ている電極とを金属ワイヤ２０７によって接続し、外部
との導通を図る。最後に、パッケージ２０６内の気密を
保持するために、パッケージ２０６の上端開口部に金属
やセラミックなどからなる蓋２０８を取り付ける（以
上、図９（ｄ））。以上の工程により、弾性表面波装置
が製造される。

【０００４】移動体通信機器に利用される弾性表面波装
置、特に高周波帯のバンドパスフィルタにおいては、圧
電基板として、一般に、焦電性の大きいタンタル酸リチ
ウムやニオブ酸リチウムなどが使用されている。上記従
来の弾性表面波装置の製造方法には、レジスト除去や基
板乾燥、接着剤の熱硬化など温度変化を伴う工程が多く
含まれている。ところが、前記圧電基板は焦電性を有し
ているため、工程中の温度変化によって電荷が発生し
て、圧電基板上に形成された櫛形電極の電極指間で放電
が起こり、櫛形電極に損傷を与えるという問題があっ
た。特に、使用周波数帯の高周波化に伴い、櫛形電極の
電極指ピッチが微細化した場合には、前記櫛形電極の焦
電破壊はより深刻な問題となる。

【０００５】前記課題を解決するために、弾性表面波装
置の製造方法として、櫛形電極をコ字型電極で短絡させ
ておき、個々の弾性表面波素子に分割する際に、コ字型
電極を同時に開放する方法が提案されている（特開昭６
１−２５７００７号公報）。また、同様の目的を達成す
るために、櫛形電極をそれぞれスクライブ線と接続する
方法が提案されている（特開平３−２９３８０８号公
報）。このような方法を採用すれば、個々の弾性表面波
素子に分割する前の製造工程中において、それぞれの櫛
形電極を電気的に同電位とすることができるので、電極
指間での放電が防止される。さらに、櫛形電極を、直流
的には抵抗線となり、高周波的には開放（高インピーダ
ンス）となるような短絡パターンによって接続する方法
なども提案されている（特開平３−２４４２０９号公
報）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開昭６
１−２５７００７号、特開平３−２９３８０８号の各公
報に開示されている方法では、個々の弾性表面波素子に
分割するダイシング工程以降において、それぞれの櫛形
電極が電気的に分離し、接着剤の熱硬化時等における製
造工程中の温度変化により、櫛形電極の焦電破壊を引き
起こすという問題がある。さらに、弾性表面波素子サイ
ズの小型化に対しては、電極レイアウトの自由度が小さ
くなるという問題がある。

【０００７】一方、上記特開平３−２４４２０９号公報
に開示された方法では、製造工程中の温度変化に対して
は、櫛形電極の焦電破壊を防止することができるが、高
周波的に高インピーダンスの短絡パターンを形成するた
めには、電極レイアウトの自由度が小さくなるという問
題がある。さらに、弾性表面波素子の検査工程におい
て、櫛形電極の短絡不良を簡単に発見することができな
いという問題がある。

【０００８】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するため、製造工程中の温度変化によって櫛形電極の
焦電破壊を引き起こすことがなく、また、弾性表面波素
子の検査工程においても制約を受けることのない弾性表
面波装置を、電極レイアウトの自由度を低下させること
なく、低コストで効率良く製造することのできる弾性表
面波装置の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る弾性表面波装置の第１の製造方法は、
焦電性を有する基板上に、弾性表面波素子の電極パター
ンを複数個形成する工程と、前記弾性表面波素子を個々
に分割し、個々の前記弾性表面波素子を接着剤を介して
パッケージに固着する工程と、金属ワイヤによって前記
弾性表面波素子と前記パッケージとの導通を図る工程と
を備えた弾性表面波装置の製造方法であって、前記弾性
表面波素子の電極パターンが形成される前の基板、及び
前記弾性表面波素子の電極パターンが形成された後の基
板の少なくとも一部からなる群から選ばれる少なくとも
一方に導電性膜を形成する工程と、個々の前記弾性表面
波素子を接着剤を介してパッケージに固着する工程以降
に、前記電極パターン上の導電性膜を除去する工程とが
さらに備わったことを特徴とする。

【００１０】また、前記本発明の第１の製造方法におい
ては、金属ワイヤによって弾性表面波素子とパッケージ
との導通を図った後に、電極パターン上の導電性膜を除
去するのが好ましい。

【００１１】また、前記本発明の第１の製造方法におい
ては、導電性膜が、炭素からなるのが好ましい。また、
この場合には、導電性膜を、酸素プラズマによって酸化
除去するのが好ましい。また、この場合には、導電性膜
を、大気中又は酸化性雰囲気における熱処理によって酸
化除去するのが好ましい。

【００１２】また、前記本発明の第１の製造方法におい
ては、基板のうち弾性表面波素子の電極パターンを形成
しない面に、裏面導電性膜を形成する工程がさらに備わ
っているのが好ましい。また、この場合には、裏面導電
性膜が、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする
合金からなるのが好ましい。また、この場合には、電極
パターン上の導電性膜を除去する工程において、裏面導
電性膜を一括して除去するのが好ましい。この場合には
さらに、裏面導電性膜が、炭素からなるのが好ましい。

【００１３】また、前記本発明の第１の製造方法におい
ては、電極パターンが形成される前に形成された導電性
膜のうち、前記電極パターンによって被覆されていない
前記導電性膜を、前記電極パターンをマスクとして除去
する工程がさらに備わっているのが好ましい。

【００１４】また、本発明に係る弾性表面波装置の第２
の製造方法は、焦電性を有する基板上に、弾性表面波素
子の電極パターンを複数個形成する工程と、前記弾性表
面波素子の電極パターン上に、導電性突起物を形成する
工程と、前記弾性表面波素子を個々に分割し、個々の前
記弾性表面波素子をフェイスダウン方式でパッケージに
装着して前記導電性突起物と前記パッケージとの導通を
図る工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記弾性表面波素子の電極パターンが形成される前
の基板、及び前記弾性表面波素子の電極パターンが形成
された後の基板の少なくとも一部からなる群から選ばれ
る少なくとも一方に導電性膜を形成する工程と、前記導
電性突起物と前記パッケージとの導通を図る工程以降
に、前記電極パターン上の導電性膜を除去する工程とが
さらに備わったことを特徴とする。

【００１５】また、前記本発明の第２の製造方法におい
ては、導電性膜が、炭素からなるのが好ましい。また、
この場合には、導電性膜を、酸素プラズマによって酸化
除去するのが好ましい。また、この場合には、導電性膜
を、大気中又は酸化性雰囲気における熱処理によって酸
化除去するのが好ましい。

【００１６】また、前記本発明の第２の製造方法におい
ては、基板のうち弾性表面波素子の電極パターンを形成
しない面に、裏面導電性膜を形成する工程がさらに備わ
っているのが好ましい。また、この場合には、裏面導電
性膜が、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする
合金からなるのが好ましい。また、この場合には、電極
パターン上の導電性膜を除去する工程において、裏面導
電性膜を一括して除去するのが好ましい。この場合には
さらに、裏面導電性膜が、炭素からなるのが好ましい。

【００１７】また、前記本発明の第２の製造方法におい
ては、電極パターンが形成される前に形成された導電性
膜のうち、前記電極パターンによって被覆されていない
前記導電性膜を、前記電極パターンをマスクとして除去
する工程がさらに備わっているのが好ましい。

【００１８】また、前記本発明の第２の製造方法におい
ては、導電性膜が形成されていない弾性表面波素子の電
極パターン上に、導電性突起物を形成するのが好まし
い。また、前記本発明の第２の製造方法においては、導
電性突起物とパッケージとの導通を直接又は導電性接着
剤を介して図るのが好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】前記本発明の第１の製造方法によ
れば、焦電性を有する基板上に、弾性表面波素子の電極
パターンを複数個形成する工程と、前記弾性表面波素子
を個々に分割し、個々の前記弾性表面波素子を接着剤を
介してパッケージに固着する工程と、金属ワイヤによっ
て前記弾性表面波素子と前記パッケージとの導通を図る
工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法であって、前
記弾性表面波素子の電極パターンが形成される前の基
板、及び前記弾性表面波素子の電極パターンが形成され
た後の基板の少なくとも一部からなる群から選ばれる少
なくとも一方に導電性膜を形成する工程と、個々の前記
弾性表面波素子を接着剤を介してパッケージに固着する
工程以降に、前記電極パターン上の導電性膜を除去する
工程とがさらに備わっていることにより、次のような作
用を奏することができる。すなわち、弾性表面波素子の
電極パターンが形成される前の基板、あるいは弾性表面
波素子の電極パターンが形成された後の基板の少なくと
も一部に導電性膜を形成するようにしたので、弾性表面
波素子の電極パターンを構成する櫛形電極が導電性膜に
よって被覆された状態、あるいは櫛形電極の下層に導電
性膜が形成された状態を作り出すことができる。その結
果、弾性表面波素子をパッケージに固着するための接着
剤として熱硬化性の接着剤を使用した場合でも、接着剤
の加熱硬化工程において、温度変化による基板の焦電効
果によって櫛形電極の電極指間に電位差が発生すること
はないので、電極指間の放電によって櫛形電極が損傷を
受けることはない。特に、弾性表面波素子の電極パター
ンが形成される前の基板、及び前記弾性表面波素子の電
極パターンが形成された後の基板の少なくとも一部の双
方に導電性膜を形成するようにすれば、櫛形電極の焦電
破壊抑制効果がさらに向上する。また、弾性表面波素子
の電極パターンが形成された後の基板の少なくとも一部
のみに導電性膜を形成する場合には、導電性膜を形成す
る前の段階においては、個々の弾性表面波素子に短絡パ
ターンが形成されていないため、短絡不良検査や高周波
プローブを用いた特性検査を容易に行うことができる。
また、個々の弾性表面波素子に短絡パターンを形成する
必要がないので、電極レイアウトの自由度が大きくな
る。このように、前記本発明の第１の製造方法によれ
ば、信頼性の高い弾性表面波装置を低コストで効率良く
製造することができる。

【００２０】また、前記本発明の第１の製造方法におい
ては、金属ワイヤによって弾性表面波素子とパッケージ
との導通を図った後に、電極パターン上の導電性膜を除
去するという好ましい例によれば、導電性膜を、大気中
又は酸化性雰囲気における熱処理によって酸化除去する
場合でも、特に徐冷を行う必要がない。

【００２１】また、前記本発明の第１の製造方法におい
て、導電性膜が、炭素からなるという好ましい例によれ
ば、酸素プラズマ中で容易に反応し、二酸化炭素又は一
酸化炭素として除去することができる。また、この場
合、導電性膜を、大気中又は酸化性雰囲気における熱処
理によって酸化除去するという好ましい例によれば、導
電性膜の除去を、弾性表面波素子をパッケージに固着す
るための接着剤の加熱硬化工程と一括して行うことがで
きる。

【００２２】また、前記本発明の第１の製造方法におい
て、基板のうち弾性表面波素子の電極パターンを形成し
ない面に、裏面導電性膜を形成する工程がさらに備わっ
ているという好ましい例によれば、基板の焦電性によっ
て発生する電荷をより効果的に中和除去することができ
る。また、この場合、裏面導電性膜が、アルミニウム又
はアルミニウムを主成分とする合金からなるという好ま
しい例によれば、粉塵の発生しにくい裏面導電性膜を形
成することができる。また、この場合、電極パターン上
の導電性膜を除去する工程において、裏面導電性膜を一
括して除去するという好ましい例によれば、製造工程を
簡略化することができる。この場合さらに、裏面導電性
膜が、炭素からなるという好ましい例によれば、導電性
膜が、炭素からなる場合に、導電性膜と裏面導電性膜と
を一括して酸化除去することができる。

【００２３】また、前記本発明の第１の製造方法におい
て、電極パターンが形成される前に形成された導電性膜
のうち、前記電極パターンによって被覆されていない前
記導電性膜を、前記電極パターンをマスクとして除去す
る工程がさらに備わっているという好ましい例によれ
ば、この工程の後の段階においては、個々の弾性表面波
素子に短絡パターンが形成されていないため、短絡不良
検査や高周波プローブを用いた特性検査を容易に行うこ
とができる。

【００２４】また、前記本発明の第２の製造方法によれ
ば、焦電性を有する基板上に、弾性表面波素子の電極パ
ターンを複数個形成する工程と、前記弾性表面波素子の
電極パターン上に、導電性突起物を形成する工程と、前
記弾性表面波素子を個々に分割し、個々の前記弾性表面
波素子をフェイスダウン方式でパッケージに装着して前
記導電性突起物と前記パッケージとの導通を図る工程と
を備えた弾性表面波装置の製造方法であって、前記弾性
表面波素子の電極パターンが形成される前の基板、及び
前記弾性表面波素子の電極パターンが形成された後の基
板の少なくとも一部からなる群から選ばれる少なくとも
一方に導電性膜を形成する工程と、前記導電性突起物と
前記パッケージとの導通を図る工程以降に、前記電極パ
ターン上の導電性膜を除去する工程とがさらに備わって
いることにより、次のような作用を奏することができ
る。すなわち、弾性表面波素子の電極パターンが形成さ
れる前の基板、あるいは弾性表面波素子の電極パターン
が形成された後の基板の少なくとも一部に導電性膜を形
成するようにしたので、弾性表面波素子の電極パターン
を構成する櫛形電極が導電性膜によって被覆された状
態、あるいは櫛形電極の下層に導電性膜が形成された状
態を作り出すことができる。その結果、弾性表面波素子
をパッケージ内に装着する際の加熱硬化工程において、
温度変化による基板の焦電効果によって櫛形電極の電極
指間に電位差が発生することはないので、電極指間の放
電によって櫛形電極が損傷を受けることはない。また、
櫛形電極に短絡パターンを形成する必要がないので、短
絡不良検査や高周波プローブを用いた特性検査を容易に
行うことができる。また、短絡パターンを形成する必要
がないために、電極レイアウトの自由度が大きくなる。

【００２５】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。〈第１の実施例〉図１は本発明に係る弾性表面波装置の
製造方法の第１の実施例を示す工程図である。

【００２６】まず、図１（ａ）に示すように、焦電性を
有する基板１０１の上に電極膜を形成し、半導体分野で
用いられているフォトリソグラフィ技術を利用して、櫛
形電極１０３及び電極パッド１０４からなる弾性表面波
素子１０２の電極パターンを複数個形成した。本実施例
においては、弾性表面波素子１０２を形成する圧電基板
として、焦電性の大きいタンタル酸リチウムを用いた。
図１（ａ）では基板１０１の一部の断面を示している
が、弾性表面波素子１０２は平面的に展開している。電
極材料として、Ｃｕを不純物として含有する厚さ約４０
０ｎｍのアルミニウム合金を用い、電極パターンの形成
にはドライエッチング法を用いた。この段階において
は、個々の弾性表面波素子１０２に短絡パターンなどが
形成されていないため、短絡不良検査や高周波プローブ
を用いた特性検査等を容易に行うことができる。また、
このように個々の弾性表面波素子１０２に短絡パターン
を形成する必要がないので、電極レイアウトの自由度が
大きくなる。

【００２７】次いで、図１（ｂ）に示すように、基板１
０１の全面に、弾性表面波素子１０２を覆うようにして
導電性膜１０５を形成した。本実施例においては、抵抗
加熱蒸着によって炭素（カーボン）からなる厚さ５００
ｎｍの導電性膜１０５を形成した。

【００２８】次いで、図１（ｃ）に示すように、弾性表
面波素子１０２をダイシング装置によって個々に分割し
た。次いで、図１（ｄ）に示すように、熱硬化性の接着
剤１０６を用いて個々の弾性表面波素子１０２をセラミ
ックからなるパッケージ１０７に固着した。本実施例に
おいては、接着剤１０６としてシリコン系の絶縁性熱硬
化性接着剤（硬化温度１５０℃）を用いた。この場合、
櫛形電極１０３は、カーボンからなる導電性膜１０５に
よって被覆されているので、接着剤１０６の加熱硬化工
程において、温度変化による基板１０１の焦電効果によ
って櫛形電極１０３の電極指間に電位差が発生すること
はないので、電極指間の放電によって櫛形電極１０３が
損傷を受けることはない。

【００２９】次いで、図１（ｅ）に示すように、酸素プ
ラズマによって導電性膜１０５を酸化除去した。カーボ
ンからなる導電性膜１０５は、酸素プラズマ中で容易に
反応し、二酸化炭素又は一酸化炭素として除去される。

【００３０】次いで、図１（ｆ）に示すように、アルミ
ニウムからなる金属ワイヤ１０８によって、電極パッド
１０４とパッケージ１０７に形成されている引出し電極
との導通を図った。そして、パッケージ１０７内の気密
を保持するために、パッケージ１０７の上端開口部にセ
ラミックからなる蓋１０９を取り付けた。

【００３１】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、カーボンからなる導電性膜１０５
を、弾性表面波素子１０２の電極パターンの厚さ（約４
００ｎｍ）よりも厚く形成したが、必ずしもこの構成に
限定されるものではない。数十ｎｍ程度の厚さの導電性
膜１０５であっても、櫛形電極１０３を十分被覆するこ
とができ、同様の焦電破壊抑止効果が得られる。

【００３２】また、本実施例においては、酸素プラズマ
によってカーボンからなる導電性膜１０５を除去した
が、必ずしもこの方法に限定されるものではなく、大気
中又は酸化性雰囲気における熱処理によって導電性膜１
０５を除去してもよい。熱処理によって導電性膜１０５
を除去する場合には、導電性膜１０５の除去を、接着剤
１０６の加熱硬化工程と一括して行うことができる。

【００３３】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性によって発生
する電荷をより効果的に中和除去することができる。前
記裏面導電性膜は、弾性表面波素子を形成する電極膜を
成膜した後に形成するのが好ましい。これは、フォトリ
ソグラフィ工程中の温度変化による基板の焦電性によっ
て発生する電荷のために、裏面導電性膜に異物が吸着し
ないようにするためである。従って、裏面導電性膜とし
ては、粉塵の発生しにくい金属膜が好ましく、弾性表面
波素子を形成しているアルミニウム又はアルミニウムを
主成分とするアルミニウム合金を用いるのが好ましい。
但し、裏面導電性膜として他の金属を用いた場合でも、
同様の効果が得られる。

【００３４】〈第２の実施例〉図２は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第２の実施例を示す工程図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、焦電性を有する基
板１０１の主面に、上記第１の実施例と同様にアルミニ
ウム合金膜を形成した。次いで、基板１０１の裏面にも
同様に、アルミニウム合金膜を形成し、裏面導電性膜１
１０とした。基板１０１の主面の電極厚さは、櫛形電極
の設計に基づいて決定されるが、裏面導電性膜の厚さは
通常数十から１００ｎｍ程度で十分である。次いで、上
記第１の実施例と同様に、半導体分野で用いられている
フォトリソグラフィ技術を利用して、基板１０１の主面
上に、櫛形電極１０３及び電極パッド１０４からなる弾
性表面波素子１０２の電極パターンを複数個形成した。
本実施例においても、弾性表面波素子１０２を形成する
圧電基板として、焦電性の大きいタンタル酸リチウムを
用いた。この段階においては、個々の弾性表面波素子１
０２に短絡パターンなどが形成されていないため、短絡
不良検査や高周波プローブを用いた特性検査等を容易に
行うことができる。また、このように個々の弾性表面波
素子１０２に短絡パターンを形成する必要がないので、
電極レイアウトの自由度が大きくなる。

【００３５】次いで、図２（ｂ）に示すように、基板１
０１の上面に、弾性表面波素子１０２の櫛形電極１０３
を覆うようにして導電性膜１０５を形成した。本実施例
においては、抵抗加熱蒸着によって炭素（カーボン）か
らなる厚さ約５０ｎｍの導電性膜１０５を形成した。
尚、蒸着に際しては、櫛形電極部が開口したメタルマス
クを用いた。

【００３６】次いで、図２（ｃ）に示すように、弾性表
面波素子１０２をダイシング装置によって個々に分割し
た。次いで、図２（ｄ）に示すように、熱硬化性の接着
剤１０６を用いて個々の弾性表面波素子１０２をセラミ
ックからなるパッケージ１０７に固着した。本実施例に
おいては、接着剤１０６としてエポキシ系の熱硬化性導
電接着剤（硬化温度１５０℃）を用いた。この場合、櫛
形電極１０３は、カーボンからなる導電性膜１０５によ
って被覆されているので、接着剤１０６の加熱硬化工程
において、温度変化による基板１０１の焦電効果によっ
て櫛形電極１０３の電極指間に電位差が発生することは
ないので、電極指間の放電によって櫛形電極１０３が損
傷を受けることはない。次いで、電極パッド１０４とパ
ッケージ１０７に形成されている引出し電極とをアルミ
ニウムからなる金属ワイヤ１０８によって接続した。

【００３７】次いで、図２（ｅ）に示すように、導電性
膜１０５を、上記第１の実施例と同様に酸素プラズマに
よって酸化除去した。最後に、図２（ｆ）に示すよう
に、パッケージ１０７内の気密を保持するために、パッ
ケージ１０７の上端開口部にセラミックからなる蓋１０
９を取り付けた。

【００３８】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる導電性膜１０５を除去したが、必ずしもこの方法に
限定されるものではなく、大気中又は酸化性雰囲気にお
ける熱処理によって導電性膜１０５を除去してもよい。
熱処理によって導電性膜１０５を除去する場合には、導
電性膜１０５の除去を、接着剤１０６の加熱硬化工程と
一括して行うことができる。また、上記のように、金属
ワイヤ１０８による導通を図った後に、導電性膜１０５
を除去するようにしたので、大気中又は酸化性雰囲気に
おける熱処理によって導電性膜１０５を除去する場合で
あっても、特に徐冷を行う必要はない。

【００３９】また、本実施例においては、裏面導電性膜
１１０としてアルミニウム合金を用いたが、必ずしもこ
れに限定されるものではなく、裏面導電性膜として他の
金属を用いた場合でも、同様の効果が得られる。

【００４０】〈第３の実施例〉図３は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第３の実施例を示す工程図であ
る。まず、図３（ａ）に示すように、焦電性を有する基
板１０１の上に、抵抗加熱蒸着法を用いて、カーボンか
らなる厚さ約３０導電性膜１０５を形成した。

【００４１】次いで、図３（ｂ）に示すように、導電性
膜１０５の上に、上記第１の実施例と同様にアルミニウ
ム合金膜を形成した。そして、半導体分野で用いられて
いるフォトリソグラフィ技術を利用して、弾性表面波素
子１０２のレジストパターンを形成し、リフトオフ法に
よって櫛形電極１０３及び電極パッド１０４からなる電
極パターンを形成した。本実施例においては、弾性表面
波素子１０２を形成する圧電基板として、焦電性の大き
いニオブ酸リチウムを用いた。

【００４２】次いで、図３（ｃ）に示すように、弾性表
面波素子１０２をダイシング装置によって個々に分割し
た。次いで、図３（ｄ）に示すように、熱硬化性の接着
剤１０６を用いて個々の弾性表面波素子１０２をセラミ
ックからなるパッケージ１０７に固着した。本実施例に
おいては、接着剤１０６としてシリコン系の絶縁性熱硬
化性接着剤（硬化温度１５０℃）を用いた。この場合、
櫛形電極１０３の下層には、カーボンからなる導電性膜
１０５が形成されているので、接着剤１０６の加熱硬化
工程において、温度変化による基板１０１の焦電効果に
よって櫛形電極１０３の電極指間に電位差が発生するこ
とはないので、電極指間の放電によって櫛形電極が損傷
を受けることはない。次いで、電極パッド１０４とパッ
ケージ１０７に形成されている引出し電極とをアルミニ
ウムからなる金属ワイヤ１０８によって接続した。

【００４３】次いで、図３（ｅ）に示すように、前記電
極パターンによって被覆されていない部分の導電性膜１
０５を、酸素プラズマによって除去した。この段階にお
いては、個々の弾性表面波素子１０２に短絡パターンな
どが形成されていないため、短絡不良検査や高周波プロ
ーブを用いた特性検査等を容易に行うことができる。ま
た、このように個々の弾性表面波素子１０２に短絡パタ
ーンを形成する必要がないので、電極レイアウトの自由
度が大きくなる。

【００４４】最後に、図３（ｆ）に示すように、パッケ
ージ１０７内の気密を保持するために、パッケージ１０
７の上端開口部にセラミックからなる蓋１０９を取り付
けた。

【００４５】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる導電性膜１０５を除去したが、必ずしもこの方法に
限定されるものではなく、大気中又は酸化性雰囲気にお
ける熱処理によって導電性膜１０５を除去してもよい。
熱処理によって導電性膜１０５を除去する場合には、導
電性膜１０５の除去を、接着剤１０６の加熱硬化工程と
一括して行うことができる。

【００４６】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性によって発生
する電荷をより効果的に中和除去することができる。前
記裏面導電性膜は、弾性表面波素子１０２を形成する電
極膜を成膜した後に形成するのが好ましい。これは、フ
ォトリソグラフィ工程中の温度変化による基板の焦電性
によって発生する電荷のために、裏面導電性膜に異物が
吸着しないようにするためである。従って、裏面導電性
膜としては、粉塵の発生しにくい金属膜が好ましく、弾
性表面波素子を形成しているアルミニウム又はアルミニ
ウムを主成分とするアルミニウム合金を用いるのが好ま
しい。但し、裏面導電性膜に他の金属種を用いた場合で
も、同様の効果が得られる。

【００４７】〈第４の実施例〉図４は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第４の実施例を示す工程図であ
る。まず、図４（ａ）に示すように、焦電性を有する基
板１０１の上に、抵抗加熱蒸着法を用いて、カーボンか
らなる厚さ約３０ｎｍの第１の導電性膜１０５を形成し
た。

【００４８】次いで、図４（ｂ）に示すように、第１の
導電性膜１０５の上に、アルミニウム合金からなる電極
膜１１３を形成した。次いで、図４（ｃ）に示すよう
に、半導体分野で用いられているフォトリソグラフィ技
術を利用して、櫛形電極１０３及び電極パッド１０４か
らなる弾性表面波素子１０２の電極パターンを形成し
た。本実施例においては、弾性表面波素子１０２を形成
する圧電基板として、焦電性の大きいニオブ酸リチウム
を用いた。そして、電極パターンを形成した後の酸素プ
ラズマによるレジスト除去工程において、電極パターン
に被覆されていない部分の第１の導電性膜１０５を除去
した。この段階においては、個々の弾性表面波素子１０
２に短絡パターンなどが形成されていないため、短絡不
良検査や高周波プローブを用いた特性検査等を容易に行
うことができる。また、このように個々の弾性表面波素
子１０２に短絡パターンを形成する必要がないので、電
極レイアウトの自由度が大きくなる。

【００４９】次いで、図４（ｄ）に示すように、基板１
０１の上に、前記電極パターンを覆うように第２の導電
性膜１１１を形成した。第２の導電性膜１１１として
は、第１の導電性膜１０５と同じく、厚さ約５０ｎｍの
カーボン蒸着膜を用いた。

【００５０】その後、上記第１の実施例と同様にして、
弾性表面波素子１０２をダイシング装置によって個々に
分割し、セラミックからなるパッケージに、熱硬化性の
接着剤を用いて固着した。この場合、櫛形電極１０３の
下層には、カーボンからなる導電性膜１０５が形成され
ており、また、櫛形電極１０３は、カーボンからなる導
電性膜１１１によって被覆されているので、櫛形電極１
０３の焦電破壊抑制効果がさらに向上する。次いで、酸
素プラズマによって第２の導電性膜１１１を除去した。
最後に、電極パッド１０４とパッケージに形成されてい
る引出し電極とをアルミニウムからなる金属ワイヤによ
って接続し、パッケージ内の気密を保持するために、パ
ッケージの上端開口部にセラミックからなる蓋を取り付
けた。

【００５１】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる第１及び第２の導電性膜１０５、１１１を除去した
が、必ずしもこの方法に限定されるものではなく、大気
中又は酸化性雰囲気における熱処理によって第１及び第
２の導電性膜１０５、１１１を除去してもよい。熱処理
によって導電性膜を除去する場合には、第１及び第２の
導電性膜１０５、１１１の除去を、接着剤の加熱硬化工
程と一括して行うことができる。

【００５２】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性によって発生
する電荷をより効果的に中和除去することができる。

【００５３】〈第５の実施例〉図５は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第５の実施例を示す工程図であ
る。まず、図５（ａ）に示すように、上記第４の実施例
と同様に、焦電性を有する基板１０１の上に、抵抗加熱
蒸着手法を用いて、カーボンからなる厚さ約３０ｎｍの
第１の導電性膜１０５を形成した。

【００５４】次いで、図５（ｂ）に示すように、第１の
導電性膜１０５の上に、アルミニウム合金からなる電極
膜１１３を形成した。次いで、図５（ｃ）に示すよう
に、半導体分野で用いられているフォトリソグラフィ技
術を利用して、櫛形電極１０３及び電極パッド１０４か
らなる弾性表面波素子１０２の電極パターンを形成し
た。本実施例においては、弾性表面波素子１０２を形成
する圧電基板として、焦電性の大きいニオブ酸リチウム
を用いた。そして、電極パターンを形成した後の酸素プ
ラズマによるレジスト除去工程において、電極パターン
に被覆されていない部分の第１の導電性膜１０５を除去
した。この段階においては、個々の弾性表面波素子１０
２に短絡パターンなどが形成されていないため、短絡不
良検査や高周波プローブを用いた特性検査等を容易に行
うことができる。また、このように個々の弾性表面波素
子１０２に短絡パターンを形成する必要がないので、電
極レイアウトの自由度が大きくなる。

【００５５】次いで、図５（ｄ）に示すように、基板１
０１の上に、抵抗加熱蒸着によって弾性表面波素子１０
２の櫛形電極１０３を覆うようにしてカーボンからなる
厚み約５０ｎｍの第２の導電性膜１１１を形成した。
尚、蒸着に際しては、櫛形電極部が開口したメタルマス
クを用いた。

【００５６】その後、上記第２の実施例と同様にして、
弾性表面波素子１０２をダイシング装置によって個々に
分割し、セラミックからなるパッケージに、熱硬化性の
接着剤を用いて固着した。この場合、この場合、櫛形電
極１０３の下層には、カーボンからなる導電性膜１０５
が形成されており、また、櫛形電極１０３は、カーボン
からなる導電性膜１１１によって被覆されているので、
櫛形電極１０３の焦電破壊抑制効果がさらに向上する。
次いで、電極パッド１０４とパッケージに形成されてい
る引出し電極とをアルミニウムからなる金属ワイヤによ
って接続した。そして、第２の導電性膜１１１を、上記
第１の実施例と同様に酸素プラズマによって除去した。
最後に、パッケージ内の気密を保持するために、パッケ
ージの上端開口部にセラミックからなる蓋を取り付け
た。

【００５７】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる第１及び第２導電性膜１０５、１１１を除去した
が、必ずしもこの方法に限定されるものではなく、大気
中又は酸化性雰囲気における熱処理によって第１及び第
２導電性膜１０５、１１１を除去してもよい。

【００５８】また、本実施例においては、金属ワイヤに
よる導通を図った後に、第２の導電性膜１１１を除去す
るようにしたので、大気中又は酸化性雰囲気における熱
処理によって第２の導電性膜１１１を除去する場合であ
っても、特に徐冷を行う必要はない。

【００５９】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性によって発生
する電荷をより効果的に中和除去することができる。

【００６０】〈第６の実施例〉図６は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第６の実施例を示す工程図であ
る。まず、図６（ａ）に示すように、焦電性を有する基
板１０１の主面に、上記第１の実施例と同様にアルミニ
ウム合金膜を形成した。そして、半導体分野で用いられ
ているフォトリソグラフィ技術を利用して、櫛形電極１
０３及び電極パッド１０４からなる弾性表面波素子１０
２の電極パターンを形成した。本実施例においては、弾
性表面波素子１０２を形成する圧電基板として、焦電性
の大きいタンタル酸リチウムを用いた。この段階におい
ては、個々の弾性表面波素子１０２に短絡パターンなど
が形成されていないため、短絡不良検査や高周波プロー
ブを用いた特性検査等を容易に行うことができる。ま
た、このように個々の弾性表面波素子１０２に短絡パタ
ーンを形成する必要がないので、電極レイアウトの自由
度が大きくなる。

【００６１】次いで、図６（ｂ）に示すように、基板１
０１の上に、抵抗加熱蒸着によって弾性表面波素子１０
２の櫛形電極１０３を覆うようにしてカーボンからなる
厚さ約５０ｎｍの導電性膜１０５を形成した。尚、蒸着
に際しては、櫛形電極部が開口したメタルマスクを用い
た。

【００６２】次いで、図６（ｃ）に示すように、前記導
電性膜１０５が形成されていない電極パッド１０４の上
に、Ａｕからなる導電性突起物１１２を形成した。本実
施例においては、導電性突起物１１２として、ボールボ
ンディング法によって形成したＡｕバンプを用いた。次
いで、図６（ｄ）に示すように、弾性表面波素子１０２
をダイシング装置によって個々に分割した。

【００６３】次いで、図６（ｅ）に示すように、セラミ
ックからなるパッケージ１０７に、個々の弾性表面波素
子１０２を、フェイスダウン方式で、熱と超音波を併用
して固着した。この場合、櫛形電極１０３は、カーボン
からなる導電性膜１０５によって被覆されているので、
弾性表面波素子１０２を固着する際の加熱硬化工程にお
いて、温度変化による基板１０１の焦電効果によって櫛
形電極１０３の電極指間に電位差が発生することはない
ので、電極指間の放電によって櫛形電極１０３が損傷を
受けることはない。

【００６４】次いで、図６（ｆ）に示すように、導電性
膜１０５を、第１の実施例と同様に酸素プラズマによっ
て除去した。最後に、図６（ｇ）に示すように、パッケ
ージ１０７内の気密を保持するために、パッケージ１０
７の上端開口部にセラミックからなる蓋１０９を取り付
けた。

【００６５】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる導電性膜１０５を除去したが、必ずしもこの方法に
限定されるものではなく、大気中又は酸化性雰囲気にお
ける熱処理によって導電性膜１０５を除去してもよい。

【００６６】また、本実施例においては、電極パッド１
０４とパッケージ１０７に形成されている引出し電極と
を、導電性突起物１１２によって接続した後に、導電性
膜１０５を除去するようにしたので、大気中又は酸化性
雰囲気における熱処理によって導電性膜１０５を除去す
る場合であっても、特に徐冷を行う必要はない。

【００６７】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性によって発生
する電荷をより効果的に中和除去することができる。裏
面導電性膜は、弾性表面波素子１０２を形成する電極膜
を成膜した後に形成するのが好ましい。裏面導電性膜と
しては、粉塵の発生しにくい金属膜が好ましく、弾性表
面波素子を形成しているアルミニウム又はアルミニウム
を主成分とするアルミニウム合金を用いるのが好まし
い。但し、裏面導電性膜に他の金属を用いた場合でも、
同様の効果が得られる。さらに、裏面導電性膜として導
電性膜１０５と同様にカーボンを用いてもよい。裏面導
電性膜としてカーボンを用いた場合には、導電性膜１０
５を除去する工程において、同時に除去することができ
る。

【００６８】さらに、本実施例においては、導電性突起
物１１２としてＡｕバンプを用い、弾性表面波素子１０
２をパッケージ１０７にフェイスダウン方式で固着する
際に、導電性突起物１１２とパッケージ１０７とを直接
導通させているが、導電性突起物１１２としては他の金
属からなるバンプを用いてもよい。また、導電性突起物
１１２と導電性接着剤とを併用した接続方法を用いた場
合でも、同様の効果が得られる。

【００６９】〈第７の実施例〉図７は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第７の実施例を示す工程図であ
る。まず、図７（ａ）に示すように、焦電性を有する基
板１０１の上に、抵抗加熱蒸着法を用いて、カーボンか
らなる厚さ約３０ｎｍの導電性膜１０５を形成した。

【００７０】次いで、図７（ｂ）に示すように、半導体
分野で用いられているフォトリソグラフィ技術を利用し
て、弾性表面波素子１０２のレジストパターンを形成
し、リフトオフ手法によって櫛形電極１０３及び電極パ
ッド１０４からなる電極パターンを形成した。本実施例
においては、弾性表面波素子１０２を形成する圧電基板
として、焦電性の大きいニオブ酸リチウムを用いた。

【００７１】次いで、図７（ｃ）に示すように、電極パ
ッド１０４の上に、Ａｕからなる導電性突起物１１２を
形成した。本実施例においても、上記第６の実施例と同
様に、導電性突起物１１２として、ボールボンディング
法によって形成したＡｕバンプを用いた。

【００７２】次いで、図７（ｄ）に示すように、弾性表
面波素子１０２をダイシング装置によって個々に分割し
た。その後、上記第６の実施例と同様にして、セラミッ
クからなるパッケージに、個々の弾性表面波素子１０２
を、フェイスダウン方式で、熱と超音波を併用して固着
した。この場合、櫛形電極１０３の下層には、カーボン
からなる導電性膜１０５が形成されているので、弾性表
面波素子１０２を固着する際の加熱硬化工程において、
温度変化による基板１０１の焦電効果によって櫛形電極
１０３の電極指間に電位差が発生することはないので、
電極指間の放電によって櫛形電極１０３が損傷を受ける
ことはない。次いで、弾性表面波素子１０２の電極パタ
ーンに被覆されていない導電性膜１０５を酸素プラズマ
によって酸化除去した。この段階においては、個々の弾
性表面波素子１０２に短絡パターンなどが形成されてい
ないため、短絡不良検査や高周波プローブを用いた特性
検査等を容易に行うことができる。また、このように個
々の弾性表面波素子１０２に短絡パターンを形成する必
要がないので、電極レイアウトの自由度が大きくなる。
最後に、パッケージ内の気密を保持するために、パッケ
ージの上端開口部にセラミックからなる蓋を取り付け
た。

【００７３】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる導電性膜１０５を除去したが、必ずしもこの方法に
限定されるものではなく、大気中又は酸化性雰囲気にお
ける熱処理によって導電性膜１０５を除去してもよい。

【００７４】また、本実施例においては、電極パッド１
０４とパッケージに形成されている引出し電極とを導電
性突起物１１２によって接続した後に、導電性膜１０５
を除去するようにしたので、大気中又は酸化性雰囲気に
おける熱処理によって導電性膜１０５を除去する場合で
あっても、特に徐冷を行う必要はない。

【００７５】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性により発生す
る電荷をより効果的に中和除去することができる。裏面
導電性膜は、弾性表面波素子１０２を形成する電極膜を
成膜した後に形成するのが好ましい。裏面導電性膜とし
ては、粉塵の発生しにくい金属膜が好ましく、弾性表面
波素子を形成しているアルミニウム又はアルミニウムを
主成分とするアルミニウム合金を用いるのが好ましい。
但し、裏面導電性膜に他の金属を用いた場合でも、同様
の効果が得られる。さらに、裏面導電性膜として導電性
膜と同様にカーボンを用いてもよい。裏面導電性膜とし
てカーボンを用いた場合には、導電性膜１０５を除去す
る工程において、同時に除去することができる。

【００７６】さらに、本実施例においては、導電性突起
物１１２としてＡｕバンプを用い、弾性表面波素子１０
２をパッケージにフェイスダウン方式で固着する際に、
導電性突起物１１２とパッケージとを直接導通させてい
るが、導電性突起物１１２として他の金属からなるバン
プを用いてもよい。また、導電性突起物１１２と導電性
接着剤とを併用した接続方法を用いた場合でも、同様の
効果が得られる。

【００７７】〈第８の実施例〉図８は本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法の第８の実施例を示す工程図であ
る。まず、図８（ａ）に示すように、上記第５の実施例
と同様に、焦電性を有する基板１０１の上に、抵抗加熱
蒸着手法を用いて、カーボンからなる厚さ約３０ｎｍの
第１の導電性膜１０５を形成した。

【００７８】次いで、図８（ｂ）に示すように、第１の
導電性膜１０５の上に、アルミニウム合金からなる電極
膜を形成した。そして、半導体分野で用いられているフ
ォトリソグラフィ技術を利用して、櫛形電極１０３及び
電極パッド１０４からなる弾性表面波素子１０２の電極
パターンを形成した。次いで、電極パターンを形成した
後の酸素プラズマによるレジスト除去工程において、電
極パターンに被覆されていない部分の第１の導電性膜１
０５を除去した。この段階においては、個々の弾性表面
波素子１０２に短絡パターンなどが形成されていないた
め、短絡不良検査や高周波プローブを用いた特性検査等
を容易に行うことができる。また、このように個々の弾
性表面波素子１０２に短絡パターンを形成する必要がな
いので、電極レイアウトの自由度が大きくなる。

【００７９】次いで、図８（ｃ）に示すように、基板１
０１の上に、抵抗加熱蒸着によって弾性表面波素子１０
２の櫛形電極１０３を覆うようにしてカーボンからなる
厚さ約５０ｎｍの第２の導電性膜１１１を形成した。
尚、蒸着に際しては、櫛形電極部が開口したメタルマス
クを用いた。次いで、電極パッド１０４の上に、Ａｕか
らなる導電性突起物１１２を形成した。本実施例におい
ても、上記第６の実施例と同様に、導電性突起物１１２
としてボールボンディング法によって形成したＡｕバン
プを用いた。

【００８０】次いで、図８（ｄ）に示すように、弾性表
面波素子１０２をダイシング装置によって個々に分割し
た。その後、上記第６の実施例と同様にして、セラミッ
クからなるパッケージに、個々の弾性表面波素子１０２
を、フェイスダウン方式で、熱と超音波を併用して固着
した。この場合、櫛形電極１０３の下層には、カーボン
からなる第１の導電性膜１０５が形成されており、ま
た、櫛形電極１０３は、カーボンからなる第２の導電性
膜１１１によって被覆されているので、櫛形電極１０３
の焦電破壊抑制効果がさらに向上する。次いで、第２の
導電性膜１１１を酸素プラズマによって酸化除去した。
最後に、パッケージ内の気密を保持するために、パッケ
ージの上端開口部にセラミックからなる蓋を取り付け
た。

【００８１】以上の工程により、櫛形電極１０３に焦電
破壊を生じさせない弾性表面波装置が得られた。尚、本
実施例においては、酸素プラズマによってカーボンから
なる導電性膜１０５を除去したが、必ずしもこの方法に
限定されるものではなく、大気中又は酸化性雰囲気にお
ける熱処理によって導電性膜１０５を除去してもよい。

【００８２】また、本実施例においては、電極パッド１
０４とパッケージに形成されている引出し電極とを導電
性突起物１１２を介して接続した後に、第２の導電性膜
１１１を除去するようにしたので、大気中又は酸化性雰
囲気における熱処理によって第２の導電性膜１１１を除
去する場合であっても、特に徐冷を行う必要はない。

【００８３】また、基板１０１の裏面、すなわち弾性表
面波素子１０２の電極パターンが形成されていない面に
裏面導電性膜を形成すれば、基板の焦電性により発生す
る電荷をより効果的に中和除去することができる。裏面
導電性膜は、弾性表面波素子１０２を形成する電極膜を
成膜した後に形成するのが好ましい。裏面導電性膜とし
ては、粉塵の発生しにくい金属膜が好ましく、弾性表面
波素子を形成しているアルミニウム又はアルミニウムを
主成分とするアルミニウム合金を用いるのが好ましい。
但し、裏面導電性膜に他の金属種を用いた場合でも、同
様の効果が得られる。さらに、裏面導電性膜として導電
性膜と同様にカーボンを用いてもよい。裏面導電性膜と
してカーボンを用いた場合には、導電性膜１０５を除去
する工程において、同時に除去することができる。

【００８４】さらに、本実施例においては、導電性突起
物１１２としてＡｕバンプを用い、弾性表面波素子１０
２をパッケージにフェイスダウン方式で固着する際に、
導電性突起物１１２とパッケージとを直接導通させてい
るが、導電性突起物１１２としては他の金属からなるバ
ンプを用いてもよい。また、導電性突起物１１２と導電
性接着剤とを併用した接続方法を用いた場合でも、同様
の効果が得られる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波装置の製造方法によれば、製造工程中における温
度変化による基板の焦電効果によって櫛形電極の電極指
間に電位差が発生することはないので、電極指間の放電
によって櫛形電極が損傷を受けることはない。また、電
極レイアウトの自由度を低下させることなく、検査工程
においてもなんら制約を受けることはないので、信頼性
の高い弾性表面波装置を低コストで効率良く製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第１
の実施例を示す工程図である。

【図２】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第２
の実施例を示す工程図である。

【図３】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第３
の実施例を示す工程図である。

【図４】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第４
の実施例を示す工程図である。

【図５】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第５
の実施例を示す工程図である。

【図６】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第６
の実施例を示す工程図である。

【図７】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第７
の実施例を示す工程図である。

【図８】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の第８
の実施例を示す工程図である。

【図９】従来の弾性表面波装置の製造方法を示す工程図
である。

【符号の説明】

１０１・・・基板１０２・・・弾性表面波素子１０３・・・櫛形電極１０４・・・電極パッド１０５・・・（第１の）導電性膜１０６・・・接着剤１０７・・・パッケージ１０８・・・金属ワイヤ１０９・・・蓋１１０・・・裏面導電性膜１１１・・・第２の導電性膜１１２・・・導電性突起物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焦電性を有する基板上に、弾性表面波素
子の電極パターンを複数個形成する工程と、前記弾性表
面波素子を個々に分割し、個々の前記弾性表面波素子を
接着剤を介してパッケージに固着する工程と、金属ワイ
ヤによって前記弾性表面波素子と前記パッケージとの導
通を図る工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法であ
って、前記弾性表面波素子の電極パターンが形成される
前の基板、及び前記弾性表面波素子の電極パターンが形
成された後の基板の少なくとも一部からなる群から選ば
れる少なくとも一方に導電性膜を形成する工程と、個々
の前記弾性表面波素子を接着剤を介してパッケージに固
着する工程以降に、前記電極パターン上の導電性膜を除
去する工程とがさらに備わったことを特徴とする弾性表
面波装置の製造方法。
【請求項２】焦電性を有する基板上に、弾性表面波素
子の電極パターンを複数個形成する工程と、前記弾性表
面波素子の電極パターン上に、導電性突起物を形成する
工程と、前記弾性表面波素子を個々に分割し、個々の前
記弾性表面波素子をフェイスダウン方式でパッケージに
装着して前記導電性突起物と前記パッケージとの導通を
図る工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記弾性表面波素子の電極パターンが形成される前
の基板、及び前記弾性表面波素子の電極パターンが形成
された後の基板の少なくとも一部からなる群から選ばれ
る少なくとも一方に導電性膜を形成する工程と、前記導
電性突起物と前記パッケージとの導通を図る工程以降
に、前記電極パターン上の導電性膜を除去する工程とが
さらに備わったことを特徴とする弾性表面波装置の製造
方法。
【請求項３】金属ワイヤによって弾性表面波素子とパ
ッケージとの導通を図った後に、電極パターン上の導電
性膜を除去する請求項１に記載の弾性表面波装置の製造
方法。
【請求項４】導電性膜が、炭素からなる請求項１又は
２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】導電性膜を、酸素プラズマによって酸化
除去する請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】導電性膜を、大気中又は酸化性雰囲気に
おける熱処理によって酸化除去する請求項４に記載の弾
性表面波装置の製造方法。
【請求項７】基板のうち弾性表面波素子の電極パター
ンを形成しない面に、裏面導電性膜を形成する工程がさ
らに備わった請求項１又は２に記載の弾性表面波装置の
製造方法。
【請求項８】裏面導電性膜が、アルミニウム又はアル
ミニウムを主成分とする合金からなる請求項７に記載の
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】電極パターン上の導電性膜を除去する工
程において、裏面導電性膜を一括して除去する請求項７
に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】裏面導電性膜が、炭素からなる請求項
９に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】電極パターンが形成される前に形成さ
れた導電性膜のうち、前記電極パターンによって被覆さ
れていない前記導電性膜を、前記電極パターンをマスク
として除去する工程がさらに備わった請求項１又は２に
記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１２】導電性膜が形成されていない弾性表面
波素子の電極パターン上に、導電性突起物を形成する請
求項２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１３】導電性突起物とパッケージとの導通を
直接又は導電性接着剤を介して図る請求項２に記載の弾
性表面波装置の製造方法。