JPH09100158A - 圧電磁器及びその製造方法 - Google Patents
圧電磁器及びその製造方法Info
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- JPH09100158A JPH09100158A JP26022995A JP26022995A JPH09100158A JP H09100158 A JPH09100158 A JP H09100158A JP 26022995 A JP26022995 A JP 26022995A JP 26022995 A JP26022995 A JP 26022995A JP H09100158 A JPH09100158 A JP H09100158A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的品質係数Ｑｍが小さく、かつ、耐熱性
の優れた圧電磁器、例えば、表面実装に対応可能なフィ
ルタ素子用の圧電磁器と、これを大量、かつ、安定的に
生産する方法を提供する。 【課題解決手段】 少なくとも鉛、ジルコニウム、チタ
ンの複合酸化物を含む圧電磁器であって、マンガンの酸
化物が該圧電磁器の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃
度で存在し、かつ、ガラス相が該結晶粒界層に存在す
る。そして、その製造方法は、前記圧電磁器の表面に、
マンガン化合物とガラス材とを付着させた後、熱処理し
て、該付着物を前記圧電磁器の結晶粒界部分に拡散させ
る。
の優れた圧電磁器、例えば、表面実装に対応可能なフィ
ルタ素子用の圧電磁器と、これを大量、かつ、安定的に
生産する方法を提供する。 【課題解決手段】 少なくとも鉛、ジルコニウム、チタ
ンの複合酸化物を含む圧電磁器であって、マンガンの酸
化物が該圧電磁器の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃
度で存在し、かつ、ガラス相が該結晶粒界層に存在す
る。そして、その製造方法は、前記圧電磁器の表面に、
マンガン化合物とガラス材とを付着させた後、熱処理し
て、該付着物を前記圧電磁器の結晶粒界部分に拡散させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に耐熱性の要求
される表面実装型の圧電部品に使用される圧電磁器とそ
の製造方法に関する。
される表面実装型の圧電部品に使用される圧電磁器とそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックフィルタ等に用いられる圧電
磁器として、従来より、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（Ｔｉx Ｚｒ1-x ）Ｏ3 ）等を主成分とする圧電磁器が
広く用いられており、その圧電特性を改善するために種
々の微量添加物の添加が試みられている。
磁器として、従来より、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（Ｔｉx Ｚｒ1-x ）Ｏ3 ）等を主成分とする圧電磁器が
広く用いられており、その圧電特性を改善するために種
々の微量添加物の添加が試みられている。
【０００３】そして、特に、群遅延時間（ＧＤＴ）特性
が平坦で、しかも位相歪みの小さいという優れた特性の
セラミックフィルタ用の材料としては、機械的品質係数
Ｑｍの値が小さいことが要求され、チタン酸ジルコン酸
鉛に、添加物として酸化ニオブ、酸化アンチモン、酸化
タンタル等を添加したものや、チタン酸ジルコン酸鉛の
Ｐｂ原子の一部をＳｒ、Ｂａ、ＣａやＬａ等の希土類元
素で置換したものが知られている。
が平坦で、しかも位相歪みの小さいという優れた特性の
セラミックフィルタ用の材料としては、機械的品質係数
Ｑｍの値が小さいことが要求され、チタン酸ジルコン酸
鉛に、添加物として酸化ニオブ、酸化アンチモン、酸化
タンタル等を添加したものや、チタン酸ジルコン酸鉛の
Ｐｂ原子の一部をＳｒ、Ｂａ、ＣａやＬａ等の希土類元
素で置換したものが知られている。
【０００４】しかしながら、上記のＱｍ値が小さい圧電
磁器は、キュリー温度が高いものであっても、温度上昇
に伴い、圧電磁器の両端に形成した電極間を短絡させた
時はよいが、開放したときには電気機械結合係数Ｋが低
下し、共振、反共振周波数が大きくずれてしまうという
欠点があった。そのため、これを表面実装型のフィルタ
素子として使用した場合、リフローはんだ付けの際の高
温（約２５０℃）にさらされると、フィルタ特性が大き
く劣化するという問題があった。
磁器は、キュリー温度が高いものであっても、温度上昇
に伴い、圧電磁器の両端に形成した電極間を短絡させた
時はよいが、開放したときには電気機械結合係数Ｋが低
下し、共振、反共振周波数が大きくずれてしまうという
欠点があった。そのため、これを表面実装型のフィルタ
素子として使用した場合、リフローはんだ付けの際の高
温（約２５０℃）にさらされると、フィルタ特性が大き
く劣化するという問題があった。
【０００５】これを解決するために、Ｑｍ値の小さい圧
電磁器でキュリー温度が高いものに対して、磁器表面か
らマンガン化合物を熱拡散させて、マンガンの酸化物を
高濃度で結晶粒界層に偏在させることにより、結晶粒界
部分の抵抗率を低下させ、耐熱性を向上させることがで
きることが報告されている（特開平６−１６５５〜１６
５７号公報）。
電磁器でキュリー温度が高いものに対して、磁器表面か
らマンガン化合物を熱拡散させて、マンガンの酸化物を
高濃度で結晶粒界層に偏在させることにより、結晶粒界
部分の抵抗率を低下させ、耐熱性を向上させることがで
きることが報告されている（特開平６−１６５５〜１６
５７号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧電磁
器表面からマンガン化合物を熱拡散させるときに、あら
かじめ焼結させた圧電磁器の結晶粒界の構造が変化した
り、圧電磁器のＰｂ量が製造工程中で蒸発して変動した
りする場合、または、熱拡散炉内の温度分布が大きい場
合には、特性バラツキが大きくなるという製造上の問題
があった。そのため、大量、かつ、安定的に熱拡散を行
うことが困難で、結晶粒界部分の抵抗率を低下させ、耐
熱性を向上させることも不十分であった。
器表面からマンガン化合物を熱拡散させるときに、あら
かじめ焼結させた圧電磁器の結晶粒界の構造が変化した
り、圧電磁器のＰｂ量が製造工程中で蒸発して変動した
りする場合、または、熱拡散炉内の温度分布が大きい場
合には、特性バラツキが大きくなるという製造上の問題
があった。そのため、大量、かつ、安定的に熱拡散を行
うことが困難で、結晶粒界部分の抵抗率を低下させ、耐
熱性を向上させることも不十分であった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記の問題点を
解決するものであり、機械的品質係数Ｑｍが小さく、か
つ、耐熱性の優れた圧電磁器、例えば、表面実装に対応
可能なフィルタ素子用の圧電磁器と、これを大量、か
つ、安定的に生産する製造方法を提供することにある。
解決するものであり、機械的品質係数Ｑｍが小さく、か
つ、耐熱性の優れた圧電磁器、例えば、表面実装に対応
可能なフィルタ素子用の圧電磁器と、これを大量、か
つ、安定的に生産する製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１にお
いて、圧電磁器は、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタ
ンの複合酸化物を含む圧電磁器であって、マンガンの酸
化物が該圧電磁器の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃
度で存在し、かつ、ガラス相が該結晶粒界層に存在する
ことを特徴とする。
いて、圧電磁器は、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタ
ンの複合酸化物を含む圧電磁器であって、マンガンの酸
化物が該圧電磁器の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃
度で存在し、かつ、ガラス相が該結晶粒界層に存在する
ことを特徴とする。
【０００９】また、請求項２において、圧電磁器の製造
方法は、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンの複合酸
化物を含む圧電磁器の表面に、マンガン化合物とガラス
材とを付着させた後、熱処理して、該付着物を前記圧電
磁器の結晶粒界部分に拡散させることを特徴とする。
方法は、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンの複合酸
化物を含む圧電磁器の表面に、マンガン化合物とガラス
材とを付着させた後、熱処理して、該付着物を前記圧電
磁器の結晶粒界部分に拡散させることを特徴とする。
【００１０】このように、マンガンの酸化物が圧電磁器
の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃度で偏在し、か
つ、ガラス相が該結晶粒界層に存在していることによ
り、圧電磁器の抵抗率を低下させ、耐熱性を向上させる
ことができる。
の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃度で偏在し、か
つ、ガラス相が該結晶粒界層に存在していることによ
り、圧電磁器の抵抗率を低下させ、耐熱性を向上させる
ことができる。
【００１１】また、本発明の製造方法において、圧電磁
器の表面に、マンガン化合物とガラス材とを付着させ、
熱処理すると、拡散温度における圧電磁器の表面ではガ
ラス材が溶融した状態となる。このため、圧電磁器の結
晶粒界部分へのマンガン化合物の移動が容易になり、広
い温度範囲で均一に拡散させることができる。また、圧
電磁器の結晶粒界部分のＰｂ量が少ない場合でも、表面
に溶融したガラス材により、マンガン化合物の結晶粒界
への拡散を促進することができる。
器の表面に、マンガン化合物とガラス材とを付着させ、
熱処理すると、拡散温度における圧電磁器の表面ではガ
ラス材が溶融した状態となる。このため、圧電磁器の結
晶粒界部分へのマンガン化合物の移動が容易になり、広
い温度範囲で均一に拡散させることができる。また、圧
電磁器の結晶粒界部分のＰｂ量が少ない場合でも、表面
に溶融したガラス材により、マンガン化合物の結晶粒界
への拡散を促進することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を示して、
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
【００１３】（実施例１）始めに、圧電磁器組成物の表
面にマンガン化合物とガラス材とを付着させ、熱処理し
て、該付着物を結晶粒界部分に拡散させた圧電磁器を作
製した。
面にマンガン化合物とガラス材とを付着させ、熱処理し
て、該付着物を結晶粒界部分に拡散させた圧電磁器を作
製した。
【００１４】すなわち、出発原料として、機械的品質係
数Ｑｍの小さい圧電磁器の構成材料である、ＰｂＯ、Ｓ
ｒＯ、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、及びＺｒＯ2 の各粉末を
用意した。これらの各粉末を（Ｐｂ0.95Ｓｒ0.03Ｌａ
0.02）（Ｚｒ0.51Ｔｉ0.49）Ｏ3 のセラミックが得られ
るように秤量し、これに水を加えボ−ルミルを用いて湿
式混合した。
数Ｑｍの小さい圧電磁器の構成材料である、ＰｂＯ、Ｓ
ｒＯ、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、及びＺｒＯ2 の各粉末を
用意した。これらの各粉末を（Ｐｂ0.95Ｓｒ0.03Ｌａ
0.02）（Ｚｒ0.51Ｔｉ0.49）Ｏ3 のセラミックが得られ
るように秤量し、これに水を加えボ−ルミルを用いて湿
式混合した。
【００１５】これにより得られた混合物を乾燥した後、
８００〜９００℃で２時間仮焼し、この仮焼済材料に粘
結材として少量のポリビニルアルコール及び水を加え、
１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形を行った。得
られた成形体を１１００〜１２５０℃の温度で２時間焼
成を行い、形状２０×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍの角板状の
磁器を得た。
８００〜９００℃で２時間仮焼し、この仮焼済材料に粘
結材として少量のポリビニルアルコール及び水を加え、
１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形を行った。得
られた成形体を１１００〜１２５０℃の温度で２時間焼
成を行い、形状２０×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍの角板状の
磁器を得た。
【００１６】一方、ＭｎＣＯ3 粉末と市販のほう珪酸鉛
ガラスを、それぞれの重量比率が３：７と５：５になる
ように所定の量秤量し、ワニスと混練して、２種類の熱
拡散用ペーストを作製した。
ガラスを、それぞれの重量比率が３：７と５：５になる
ように所定の量秤量し、ワニスと混練して、２種類の熱
拡散用ペーストを作製した。
【００１７】次に、これらのペーストを別々の前記磁器
の表面にスクリーン印刷により塗布し、乾燥させた後、
これらを７５０〜１１００℃の温度で２時間熱処理し、
マンガン化合物の拡散を行った。そして、これらの磁器
を厚さ０．３〜０．８ｍｍに研磨し、両端面に銀電極を
塗布、焼き付けした後、絶縁オイル中（温度：室温〜１
００℃）で３０分間、２〜３ｋＶ／ｍｍの電界を印加し
て分極処理を行い、圧電磁器を得た。
の表面にスクリーン印刷により塗布し、乾燥させた後、
これらを７５０〜１１００℃の温度で２時間熱処理し、
マンガン化合物の拡散を行った。そして、これらの磁器
を厚さ０．３〜０．８ｍｍに研磨し、両端面に銀電極を
塗布、焼き付けした後、絶縁オイル中（温度：室温〜１
００℃）で３０分間、２〜３ｋＶ／ｍｍの電界を印加し
て分極処理を行い、圧電磁器を得た。
【００１８】このようにして得られた圧電磁器を５×５
ｍｍの正方形板状にカットし、その比抵抗ρ及び広がり
振動における電気機械結合係数Ｋを測定した。
ｍｍの正方形板状にカットし、その比抵抗ρ及び広がり
振動における電気機械結合係数Ｋを測定した。
【００１９】（実施例２）次に、圧電磁器組成物の表面
に、マンガン化合物と鉛系ガラスを熱処理して得られた
混合物を付着させ、これを熱処理して、該付着物を結晶
粒界部分に拡散させた圧電磁器を作製した。
に、マンガン化合物と鉛系ガラスを熱処理して得られた
混合物を付着させ、これを熱処理して、該付着物を結晶
粒界部分に拡散させた圧電磁器を作製した。
【００２０】すなわち、まず、実施例１と同様にして、
形状２０×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍの角板状の磁器を準備
した。
形状２０×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍの角板状の磁器を準備
した。
【００２１】一方、マンガンを含むガラスとして、Ｍｎ
ＣＯ3 と鉛系ガラスを秤量後、坩堝で熱処理して溶融さ
せ、急冷後得られた混合物を、前記実施例１と同様にワ
ニスと混練し、熱拡散用のペーストとした。なお、ここ
で急冷後得られた混合物は、一様に非晶質である必要は
なく、例えば、材料として用いたマンガン化合物と、ガ
ラス材中の成分である珪素の化合物である珪酸マンガン
等が含まれていても問題はない。
ＣＯ3 と鉛系ガラスを秤量後、坩堝で熱処理して溶融さ
せ、急冷後得られた混合物を、前記実施例１と同様にワ
ニスと混練し、熱拡散用のペーストとした。なお、ここ
で急冷後得られた混合物は、一様に非晶質である必要は
なく、例えば、材料として用いたマンガン化合物と、ガ
ラス材中の成分である珪素の化合物である珪酸マンガン
等が含まれていても問題はない。
【００２２】次に、作製したマンガンの熱拡散用ペース
トを前記磁器の表面にスクリーン印刷により塗布し、以
降、実施例１と同様にして圧電磁器を得た。
トを前記磁器の表面にスクリーン印刷により塗布し、以
降、実施例１と同様にして圧電磁器を得た。
【００２３】このようにして得られた圧電磁器を５×５
ｍｍの正方形板状にカットし、比抵抗ρ及び電気機械結
合係数Ｋを測定した。
ｍｍの正方形板状にカットし、比抵抗ρ及び電気機械結
合係数Ｋを測定した。
【００２４】（比較例）次に、圧電磁器組成物の表面
に、ガラスを用いず、マンガン化合物を付着させ、熱処
理して、該付着物を結晶粒界部分に拡散させた圧電磁器
を作製した。
に、ガラスを用いず、マンガン化合物を付着させ、熱処
理して、該付着物を結晶粒界部分に拡散させた圧電磁器
を作製した。
【００２５】すなわち、まず、実施例１と同様にして、
形状２０×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍの角板状の磁器を準備
した。
形状２０×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍの角板状の磁器を準備
した。
【００２６】一方、ＭｎＣＯ3 を単独でワニスと混練し
たペーストを作製した。次に、このペーストを前記磁器
の表面にスクリーン印刷により塗布し、以降、実施例１
と同様にして圧電磁器を得た。
たペーストを作製した。次に、このペーストを前記磁器
の表面にスクリーン印刷により塗布し、以降、実施例１
と同様にして圧電磁器を得た。
【００２７】このようにして得られた圧電磁器を５×５
ｍｍの正方形板状にカットし、比抵抗ρ及び電気機械結
合係数Ｋを測定した。
ｍｍの正方形板状にカットし、比抵抗ρ及び電気機械結
合係数Ｋを測定した。
【００２８】以上の測定結果につき、図１に実施例１の
拡散温度に対する比抵抗ρの変化を、示し、図２に同じ
く実施例１の拡散温度に対する電気機械結合係数Ｋの変
化をそれぞれ比較例とともに示す。また、図３に実施例
２の拡散温度に対する比抵抗ρの変化を示し、図４に同
じく実施例２の拡散温度に対する電気機械結合係数Ｋの
変化をそれぞれ比較例とともに示す。
拡散温度に対する比抵抗ρの変化を、示し、図２に同じ
く実施例１の拡散温度に対する電気機械結合係数Ｋの変
化をそれぞれ比較例とともに示す。また、図３に実施例
２の拡散温度に対する比抵抗ρの変化を示し、図４に同
じく実施例２の拡散温度に対する電気機械結合係数Ｋの
変化をそれぞれ比較例とともに示す。
【００２９】図１及び図３より、実施例１及び実施例２
のいずれにおいても、マンガン化合物とガラス材を熱拡
散させた圧電磁器は、比較例のマンガン化合物を単独で
熱拡散させたものと比べて、より低い熱拡散温度で比抵
抗ρの低下が起こっていることがわかる。これに対し
て、比較例は、高温側において比抵抗ρが低くなり過ぎ
ている。そのため分極電界が印加できなくなり、図２及
び図４からわかるように電気機械結合係数Ｋが急激に低
下している。
のいずれにおいても、マンガン化合物とガラス材を熱拡
散させた圧電磁器は、比較例のマンガン化合物を単独で
熱拡散させたものと比べて、より低い熱拡散温度で比抵
抗ρの低下が起こっていることがわかる。これに対し
て、比較例は、高温側において比抵抗ρが低くなり過ぎ
ている。そのため分極電界が印加できなくなり、図２及
び図４からわかるように電気機械結合係数Ｋが急激に低
下している。
【００３０】そして、熱拡散を施した圧電磁器の比抵抗
ρは、比較例と比べて熱拡散処理の温度の変化による変
動が小さいところから、大量の熱拡散処理を行う場合、
熱拡散処理用の炉の温度分布や磁器組成物の結晶粒界の
状態の影響を受けにくい。
ρは、比較例と比べて熱拡散処理の温度の変化による変
動が小さいところから、大量の熱拡散処理を行う場合、
熱拡散処理用の炉の温度分布や磁器組成物の結晶粒界の
状態の影響を受けにくい。
【００３１】また、図２及び図４から、拡散温度におけ
る電気機械結合係数Ｋについても、比較例と比べて、熱
拡散温度が変化しても広い温度範囲で高い値を示してい
ることがわかる。
る電気機械結合係数Ｋについても、比較例と比べて、熱
拡散温度が変化しても広い温度範囲で高い値を示してい
ることがわかる。
【００３２】なお、本発明では、ＰＺＴ系圧電磁器にマ
ンガン化合物を拡散させたものであるが、クロム、鉄、
錫等を熱拡散させる場合においても、ガラス材とともに
拡散させることで、同じような効果を得ることができ
る。
ンガン化合物を拡散させたものであるが、クロム、鉄、
錫等を熱拡散させる場合においても、ガラス材とともに
拡散させることで、同じような効果を得ることができ
る。
【００３３】このように、本発明は、少なくとも鉛、ジ
ルコニウム及びチタンの複合酸化物を含む圧電磁器の表
面に、マンガン化合物とガラス材とを付着させた後、熱
処理して、該付着物を前記圧電磁器の結晶粒界部分に拡
散させることで、マンガンの酸化物が圧電磁器の結晶粒
内部よりも結晶粒界層に高濃度で存在し、かつ、ガラス
相が結晶粒界層に存在する圧電磁器が作られている。し
たがって、拡散温度範囲内において、比抵抗ρが低く、
かつ、電気機械結合係数Ｋが大きい、圧電材料に必要な
特性が得られる。
ルコニウム及びチタンの複合酸化物を含む圧電磁器の表
面に、マンガン化合物とガラス材とを付着させた後、熱
処理して、該付着物を前記圧電磁器の結晶粒界部分に拡
散させることで、マンガンの酸化物が圧電磁器の結晶粒
内部よりも結晶粒界層に高濃度で存在し、かつ、ガラス
相が結晶粒界層に存在する圧電磁器が作られている。し
たがって、拡散温度範囲内において、比抵抗ρが低く、
かつ、電気機械結合係数Ｋが大きい、圧電材料に必要な
特性が得られる。
【００３４】なお、上記実施例では、磁器表面にペース
トを付着させるために、スクリーン印刷で塗布する方法
を用いたが、これに限られるものではなく、例えば、筆
塗り、吹き付け等の付着方法を用いてもよい。
トを付着させるために、スクリーン印刷で塗布する方法
を用いたが、これに限られるものではなく、例えば、筆
塗り、吹き付け等の付着方法を用いてもよい。
【００３５】また、上記実施例では、圧電磁器として
（Ｐｂ0.95Ｓｒ0.03Ｌａ0.02）（Ｚｒ0.51Ｔｉ0.49）Ｏ
3 の組成のものを用いたが、これに限られるものではな
く、例えば、その他の組成の２成分系や３成分系のＰＺ
Ｔ系セラミックス、また、これらの主材料の鉛の一部を
Ｓｒ，Ｂａ、Ｃａ、Ｌａ等で置き換えたものであっても
よい。
（Ｐｂ0.95Ｓｒ0.03Ｌａ0.02）（Ｚｒ0.51Ｔｉ0.49）Ｏ
3 の組成のものを用いたが、これに限られるものではな
く、例えば、その他の組成の２成分系や３成分系のＰＺ
Ｔ系セラミックス、また、これらの主材料の鉛の一部を
Ｓｒ，Ｂａ、Ｃａ、Ｌａ等で置き換えたものであっても
よい。
【００３６】また、上記実施例では、マンガン化合物と
ガラス材の重量比率が３：７と５：５の２種類の熱拡散
用ペーストを用いたが、両者の重量比率はこれらに限ら
れるものではなく、必要に応じて任意に設定すればよ
い。
ガラス材の重量比率が３：７と５：５の２種類の熱拡散
用ペーストを用いたが、両者の重量比率はこれらに限ら
れるものではなく、必要に応じて任意に設定すればよ
い。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＰＺＴ
系圧電磁器の抵抗率を低下させて、耐熱性を向上させる
ことができるとともに、圧電磁器中へマンガン化合物を
熱拡散させる場合、拡散炉の温度バラツキや圧電磁器中
のＰｂ量の変動、また、圧電磁器の粒界構造・成分の変
動等を受けることなく、常に大量、かつ、安定して拡散
を行うことができる。
系圧電磁器の抵抗率を低下させて、耐熱性を向上させる
ことができるとともに、圧電磁器中へマンガン化合物を
熱拡散させる場合、拡散炉の温度バラツキや圧電磁器中
のＰｂ量の変動、また、圧電磁器の粒界構造・成分の変
動等を受けることなく、常に大量、かつ、安定して拡散
を行うことができる。
【００３８】したがって、機械的品質係数Ｑｍが小さ
く、かつ、電気機械結合係数Ｋが大きく、抵抗率が低い
ため耐熱性の優れた圧電磁器、例えば、表面実装に対応
可能なフィルタ素子用の圧電磁器が得られ、かつ、これ
を安定的に製造することができる。
く、かつ、電気機械結合係数Ｋが大きく、抵抗率が低い
ため耐熱性の優れた圧電磁器、例えば、表面実装に対応
可能なフィルタ素子用の圧電磁器が得られ、かつ、これ
を安定的に製造することができる。
【図１】実施例１による拡散温度に対する比抵抗ρの変
化を示すグラフである。
化を示すグラフである。
【図２】実施例１による拡散温度に対する電気機械結合
係数Ｋの変化を示すグラフである。
係数Ｋの変化を示すグラフである。
【図３】実施例２による拡散温度に対する比抵抗ρの変
化を示すグラフである。
化を示すグラフである。
【図４】実施例２による拡散温度に対する電気機械結合
係数Ｋの変化を示すグラフである。
係数Ｋの変化を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長井 昭 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 徳田 有 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 林 宏一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンの
複合酸化物を含む圧電磁器であって、マンガンの酸化物
が該圧電磁器の結晶粒内部よりも結晶粒界層に高濃度で
存在し、かつ、ガラス相が該結晶粒界層に存在すること
を特徴とする圧電磁器。 - 【請求項２】 少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンの
複合酸化物を含む圧電磁器の表面に、マンガン化合物と
ガラス材とを付着させた後、熱処理して、該付着物を前
記圧電磁器の結晶粒界部分に拡散させることを特徴とす
る圧電磁器の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26022995A JP3119139B2 (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 圧電磁器及びその製造方法 |
| EP19960116024 EP0767152B1 (en) | 1995-10-06 | 1996-10-07 | Piezoelectric ceramic and manufacturing method thereof |
| KR1019960044442A KR100200181B1 (ko) | 1995-10-06 | 1996-10-07 | 압전 세라믹 및 그의 제조 방법 |
| DE69613928T DE69613928T2 (de) | 1995-10-06 | 1996-10-07 | Piezoelektrische Keramik und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US08/726,746 US5965057A (en) | 1995-10-06 | 1996-10-07 | Piezoelectric ceramic and manufacturing method thereof |
| CN961134364A CN1064939C (zh) | 1995-10-06 | 1996-10-07 | 压电陶瓷及其制备方法 |
| TW85112278A TW307052B (ja) | 1995-10-06 | 1996-10-08 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26022995A JP3119139B2 (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 圧電磁器及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09100158A true JPH09100158A (ja) | 1997-04-15 |
| JP3119139B2 JP3119139B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=17345151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26022995A Expired - Fee Related JP3119139B2 (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 圧電磁器及びその製造方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0767152B1 (ja) |
| JP (1) | JP3119139B2 (ja) |
| KR (1) | KR100200181B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69613928T2 (ja) |
| TW (1) | TW307052B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113999006A (zh) * | 2021-11-07 | 2022-02-01 | 北京工业大学 | 具有晶界颗粒桥结构的高温细晶能量收集压电陶瓷材料及制备 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3598874B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2004-12-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物及びこの圧電磁器組成物を用いた圧電素子 |
| JP3861582B2 (ja) | 1999-10-12 | 2006-12-20 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミック、圧電セラミック電子部品、および圧電セラミックの製造方法 |
| JP4120210B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2008-07-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミックの製造方法 |
| WO2005031886A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 圧電素子及びそれを備えたインクジェットヘッド並びにそれらの製造方法 |
| JP4554232B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-09-29 | 株式会社デンソー | 圧電スタック及び圧電スタックの製造方法 |
| CN101215168B (zh) * | 2008-01-16 | 2010-06-02 | 武汉理工大学 | 镁钽酸锆钛酸铅陶瓷的掺杂改性方法 |
| CN113004025A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-22 | 广西中科鑫玺电子科技有限公司 | 一种压电陶瓷工艺配方 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601656A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Fujitsu Ltd | 磁気記録再生装置 |
| JPS61657A (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-06 | 帝人株式会社 | 乾式不織布用ポリエステルバインダ |
| US4588630A (en) * | 1984-06-13 | 1986-05-13 | Chicopee | Apertured fusible fabrics |
| JPH0624841A (ja) * | 1990-09-20 | 1994-02-01 | Mitsubishi Kasei Corp | アクチュエータ用圧電セラミック組成物 |
| JP3214055B2 (ja) * | 1991-06-26 | 2001-10-02 | 三菱化学株式会社 | アクチュエータ用圧電セラミック組成物 |
| DE69209613T2 (de) * | 1991-10-24 | 1996-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielektrisches-keramisches Verbundmaterial |
| EP0575966B1 (en) * | 1992-06-23 | 1998-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric ceramics |
| JP3221145B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2001-10-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器 |
| JP3384044B2 (ja) * | 1993-07-19 | 2003-03-10 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器 |
| JP3204056B2 (ja) * | 1995-11-08 | 2001-09-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器 |
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1995
- 1995-10-06 JP JP26022995A patent/JP3119139B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-07 DE DE69613928T patent/DE69613928T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-07 CN CN961134364A patent/CN1064939C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-07 EP EP19960116024 patent/EP0767152B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-07 KR KR1019960044442A patent/KR100200181B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-07 US US08/726,746 patent/US5965057A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-08 TW TW85112278A patent/TW307052B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113999006A (zh) * | 2021-11-07 | 2022-02-01 | 北京工业大学 | 具有晶界颗粒桥结构的高温细晶能量收集压电陶瓷材料及制备 |
| CN113999006B (zh) * | 2021-11-07 | 2022-09-30 | 北京工业大学 | 具有晶界颗粒桥结构的高温细晶能量收集压电陶瓷材料及制备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0767152B1 (en) | 2001-07-18 |
| KR970021026A (ko) | 1997-05-28 |
| TW307052B (ja) | 1997-06-01 |
| CN1151981A (zh) | 1997-06-18 |
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| DE69613928D1 (de) | 2001-08-23 |
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| US5965057A (en) | 1999-10-12 |
| DE69613928T2 (de) | 2002-04-11 |
| KR100200181B1 (ko) | 1999-06-15 |
| EP0767152A1 (en) | 1997-04-09 |
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