JPH0894537A - 回路パターン検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路パターンのエッジ周辺の欠陥に関し、そ
れらの重要度をより詳しく評価し、真に回路としての機
能に影響を与える欠陥のみを検出する。 【構成】 位置ずれ検出部１０と位置補正部１２によ
り、被検査画像と参照画像との位置ずれを補正する。こ
の位置ずれ補正後の被検査画像信号と参照画像信号とを
用いて、差分画像生成部１４により、欠陥として無視で
きる微小な差分パターンが除去された差分信号ＳD、差
分パターンが残銅系か否かを示す差分判定信号ＳJを生
成し、エッジ抽出部１６により、回路パターンのエッジ
を示すエッジ信号ＳEを生成する。これらの信号ＳD、Ｓ
J、ＳEを用いて測長部１８により、エッジから差分パタ
ーンまでの距離DIS、差分パターンの大きさSIZ、回路パ
ターンの幅Ｗを求める。そして欠陥判定部２０により、
差分パターンがエッジに接している場合には比SIZ／Ｗ
に基づき、エッジから離れている場合には積DIS・Ｗと
に基づき、欠陥の有無を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板や、マ
スク・レチクル、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板等
における回路パターンを検査する検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】回路パターンの検査において検出される
欠陥は、同じような欠陥であっても、その位置によって
品質管理上の重要度が異なり、一般的には、回路パター
ンのエッジ周辺に位置する欠陥の重要度が高い。すなわ
ち、回路パターンのエッジから十分離れた位置にある微
小な欠陥は、回路としての機能には影響を与えないが、
回路パターンのエッジ周辺に存在する欠陥は、微小なも
のであっても致命的なものとなる可能性が高い。

【０００３】そこで、特開平４−６９７７７号公報に記
載されたプリント基板のパターン検査装置では、導電性
パターン（回路パターン）のエッジ近傍領域においては
厳しい判定基準を採用し、それ以外の領域においては比
較的緩やかな判定基準を採用することにより、エッジ近
傍における欠陥の有無が厳しく検査される。これは、別
の観点から見ると、回路パターンのエッジから十分離れ
た微小な欠陥すなわち回路としての機能に影響を与えな
いような欠陥を無視することになり、これにより、回路
パターンが形成されたプリント基板等の製造のスループ
ットが向上する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述の公報に記載され
たプリント基板のパターン検査装置による検査等、従来
の回路パターンの検査では、回路パターンのエッジ周辺
に位置する欠陥は重要度が高いものと一義的に決められ
ている。しかし、回路パターンの幅が十分大きい場合に
は、そのエッジ周辺に欠陥が存在しても、回路としての
機能には影響しないことが多い。また、回路パターンの
エッジ周辺に存在する欠陥であっても、その回路パター
ンが通常の配線パターンかランド又はパッドかにより、
その欠陥の重要度は異なる。例えば、表面実装素子（Su
rface Mount Device）（以下「ＳＭＤ」という）のパッ
ドの周辺に欠陥が存在すると、部分実装工程においてパ
ッド間のショートを招き易い。このため、ＳＭＤのパッ
ドの周辺に存在する欠陥は、通常の配線の周辺に存在す
る欠陥よりも重要度が高い。

【０００５】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、回路パ
ターンのエッジ周辺の欠陥の重要度をより詳しく評価
し、その評価結果に基づき、真に回路としての機能に影
響を与える欠陥のみを検出することができる回路パター
ン検査装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係る第１の回路パターン検査装置
は、回路パターンが形成された検査対象物のパターンを
読み取って得られる画像データに基づき、前記回路パタ
ーンにおける欠陥を検出する回路パターン検査装置にお
いて、 ａ）前記画像データによって表わされる被検査画像を、
欠陥のない前記検査対象物のパターンを示す参照画像と
比較し、両画像の差異部分を示す差分画像を生成する差
分画像生成手段と、 ｂ）前記参照画像における回路パターンのエッジを示す
参照エッジ画像を生成するエッジ抽出手段と、 ｃ）前記参照画像における回路パターンの幅、及び、前
記参照エッジ画像によって示される回路パターンのエッ
ジから前記差分画像によって示される差異部分までの距
離を計測する測長手段と、 ｄ）測長手段によって計測された前記幅と前記距離との
積に基づいて欠陥の有無を判定する判定手段と、を備え
ることを特徴としている。

【０００７】本発明に係る第２の回路パターン検査装置
は、上記第１の回路パターン検査装置において、前記差
分画像によって示される差異部分が前記参照エッジ画像
によって示される回路パターンのエッジと接しているか
否かを判定する接触判定手段を更に備え、前記測長手段
は、接触判定手段によって前記差異部分が前記エッジに
接していると判定された場合には、前記差異部分の大き
さを計測し、前記判定手段は、接触判定手段によって前
記差異部分が前記エッジに接していると判定された場合
には、前記距離と前記幅との積ではなく、前記測長手段
によって計測された前記大きさと前記幅との比に基づい
て欠陥の有無を判定する、ことを特徴としている。

【０００８】本発明に係る第３の回路パターン検査装置
は、回路パターンが形成された検査対象物のパターンを
読み取って得られる画像データに基づき、前記回路パタ
ーンにおける欠陥を検出する回路パターン検査装置にお
いて、 ａ）前記画像データによって表わされる被検査画像を、
欠陥のない前記検査対象物のパターンを示す参照画像と
比較し、両画像の差異部分を示す差分画像を生成する差
分画像生成手段と、 ｂ）前記参照画像における回路パターンの特徴を認識
し、回路パターンの各特徴領域を示すマクロ情報を生成
するマクロ情報生成手段と、 ｃ）前記参照画像における回路パターンのエッジと前記
差分画像によって示される差異部分との距離を計測する
測長手段と、 ｄ）測長手段によって計測された前記距離と回路パター
ンに付与されたマクロ情報に対応する基準値との比較に
基づき、欠陥の有無を判定する判定手段と、を備えるこ
とを特徴としている。

【０００９】本発明に係る第４の回路パターン検査装置
は、上記第１乃至第３のいずれかの回路パターン検査装
置において、前記差分画像生成手段は、前記両画像の差
異部分を示す画像から所定パターンによって被覆可能な
差異部分を消去した後の画像を前記差分画像として生成
する、ことを特徴としている。

【００１０】本発明に係る第５の回路パターン検査装置
は、上記第１乃至第３のいずれかの回路パターン検査装
置において、前記差分画像生成手段は、前記両画像の差
異部分を示す画像から所定パターンによって被覆可能で
あって所定面積よりも小さい面積の差異部分を消去した
後の画像を前記差分画像として生成する、ことを特徴と
している。

【００１１】

【作用】第１の回路パターン検査装置によると、まず差
分画像生成手段により、被検査画像が参照画像と比較さ
れ、両画像の差異部分を示す差分画像が生成される。一
方、エッジ抽出手段により、参照画像における回路パタ
ーンのエッジを示す参照エッジ画像が生成される。次
に、測長手段により、参照画像における回路パターンの
幅、及び、参照エッジ画像によって示される回路パター
ンのエッジから差分画像によって示される差異部分まで
の距離が計測される。ここで、差分画像によって示され
る差異部分は欠陥ではあるが、検査対象物の回路として
の機能に影響を与えないものもある。その差異部分が回
路としての機能に影響を与え致命的なものとなるか否か
という観点から考えると、その差異部分が回路パターン
のエッジに近い程、また、その差異部分周辺の回路パタ
ーンの幅が小さい程、その差異部分の欠陥としての重要
度は高い。そこで本回路パターン検査装置では、判定手
段により、測長手段によって計測された前記幅と前記距
離との積に基づいて欠陥の有無が判定される。すなわ
ち、この積が所定の値よりも小さい差異部分のみが欠陥
として検出される。

【００１２】第２の回路パターン検査装置によると、第
１の回路パターン検査装置と同様にして差分画像が生成
され、接触判定手段により、その差分画像によって示さ
れる差異部分が参照画像における回路パターンのエッジ
と接しているか否かが判定される。ここで、差異部分が
エッジに接している場合には、第１の回路パターン検査
装置とは異なり、測長手段により、その差異部分の大き
さが計測され、判定手段により、測長手段によって計測
された前記差異部分の大きさと前記幅との比に基づいて
欠陥の有無が判定される。すなわち、この比（大きさ／
幅）が所定の値よりも大きい差異部分のみが欠陥として
検出される。

【００１３】第３の回路パターン検査装置においても、
まず、第１の回路パターン検査装置と同様にして差分画
像が生成され、そして、測長手段によって回路パターン
のエッジから差分画像までの距離が計測される。前述の
ように、この差分画像によって示される差異部分は、通
常、回路パターンのエッジに近い程、欠陥としての重要
度が高い。しかし、この差異部分の周辺の回路パターン
の特徴、例えば回路パターンの種類、密度の高低等によ
って欠陥としての重要度が異なる場合がある。これに対
して、マクロ情報生成手段は、回路パターンの特徴を認
識し、回路パターンの各特徴領域を示すマクロ情報を生
成する。判定手段は、回路パターンのエッジから差分画
像までの距離と回路パターンに付与されたマクロ情報に
対応する基準値とを比較し、その結果に基づいて欠陥の
有無を判定する。すなわち、本装置においては、回路パ
ターンの各特徴毎に基準値を設定することで、それらに
応じた重要度で欠陥の有無が判定される。

【００１４】第４の回路パターン検査装置によると、ま
ず差分画像生成手段により、被検査画像が参照画像と比
較され、両画像の差異部分を示す画像が生成される。こ
の画像に示された差異部分には、欠陥として無視できる
ものも含まれている。そこで、その画像から、所定パタ
ーンによって被覆可能な差異部分は無視できる欠陥とし
て消去され、この消去後の画像が差分画像として出力さ
れる。以降、この差分画像を用い、第１乃至第３のいず
れかの回路パターン検査回路と同様にして、欠陥の有無
が検出される。

【００１５】第５の回路パターン検査装置によると、ま
ず差分画像生成手段により、被検査画像が参照画像と比
較され、両画像の差異部分を示す画像が生成される。こ
の画像から、所定パターンによって被覆可能であって、
かつ、所定面積よりも小さい差異部分が消去される。し
たがって、欠陥として無視できる差異部分が第４の回路
パターン検査装置よりも厳しく選別されて消去され、こ
の消去後の画像が差分画像として出力される。以降、こ
の差分画像を用い、第１乃至第３の回路パターン検査回
路と同様にして、欠陥の有無が検出される。

【００１６】

【実施例】

［実施例１］図１は、本発明の一実施例（以下「実施例
１」という）である回路パターン検査装置の要部の構成
を示すブロック図である。図１に示すように、本実施例
の回路パターン検査装置は、位置ずれ検出部１０、位置
補正部１２、差分画像生成部１４、エッジ抽出部１６、
測長部１８、及び欠陥判定部２０を備えている。また、
この回路パターン検査装置は、画像入力部（図示せず）
を備え、これにより、回路パターンが形成されたプリン
ト基板等の検査対象物のパターンを読み取って２値画像
信号を生成する。この２値画像信号は、被検査画像信号
Ｓobjとして位置ずれ検出部１０に入力される。一方、
プリント基板等の設計データから欠陥のない検査対象物
のパターンを示す２値画像信号である参照画像信号Ｓre
fが生成され、この参照画像信号Ｓrefも位置ずれ検出部
１０に入力される。なお、参照画像信号Ｓrefについて
は、設計データから生成する代わりに、欠陥のないプリ
ント基板等の検査対象物のパターンを読み取って得られ
る画像データから生成してもよい。

【００１７】位置ずれ検出部１０は、参照画像信号Ｓre
fと被検査画像信号Ｓobjとを用いて、参照画像と被検査
画像との位置ずれを検出する。位置補正部１２は、検出
された位置ずれに基づいて両画像の位置を補正し、補正
後の両画像の信号を出力する。これにより、位置補正部
１２から出力される参照画像信号Ｓrefと被検査画像信
号Ｓobjとは、それぞれの画像信号によって表わされる
画像における同じ位置のパターンが互いに対応するとい
う関係となっている。

【００１８】差分画像生成部１４は、位置補正部１２に
よって位置ずれが補正された参照画像と被検査画像との
差異部分を示す差分画像を生成し、これを差分信号ＳD
として出力すると共に、差分画像によって示される各差
異部分のパターン（以下「差分パターン」という）が残
銅系か欠損系かを識別するための差分判定信号ＳJを出
力する。ここで、残銅系差分パターンとは、本来銅箔
（一般的には導体。以下同様。）が存在しないはずの部
分に銅箔が存在するために生じた差分パターンをいい、
欠損系差分パターンとは、本来あるべき銅箔が存在しな
いために生じた差分パターンをいう。一方、エッジ抽出
部１６は、位置ずれが補正された参照画像における回路
パターンのエッジを抽出し、このエッジを示す画像をエ
ッジ信号ＳEとして出力する。

【００１９】測長部１８は、差分画像生成部１４から出
力される差分判定信号ＳJ及び差分信号ＳDとエッジ抽出
部１６から出力されるエッジ信号ＳEとを用いて、参照
画像における回路パターンのエッジから差分パターンま
での距離DISを計測すると共に、その回路パターンの幅
Ｗ及びその差分パターンの大きさSIZを計測し、これら
の計測結果を信号Ｓdis、Ｓw、Ｓsizとして出力する。
また、測長部１８は、後述のモード信号Ｓmodも出力す
る。

【００２０】欠陥判定部２０は、測長部１８から出力さ
れる上記の信号Ｓdis、Ｓw、Ｓsiz、及びＳmodを用いて
欠陥の有無を判定する。これにより、各差分パターンの
欠陥としての重要度に基づいて欠陥の有無が判定される
ことになる。

【００２１】以下、図２〜図８を参照しつつ、本実施例
における欠陥検出のための構成及び動作の詳細について
説明する。図２は、差分画像生成部１４の内部構成を示
すブロック図である。この図に示すように、差分画像生
成部１４は、差分画像発生部２２、二次元展開部２４、
エリア切出判定部２６、面積加算判定部２８、及び微小
差分消去部３０から構成され、位置補正部１２から出力
された被検査画像信号Ｓobj及び参照画像信号Ｓrefが差
分画像発生部２２に入力される。差分画像発生部２２
は、両画像信号Ｓobj、Ｓrefの排他的論理和をとること
により、被検査画像と参照画像の差異部分を示す差分画
像を生成し、これを原差分信号ＳD1として出力する。ま
た差分画像発生部２２は、上記の原差分信号ＳD1と参照
画像信号Ｓrefの反転信号との論理積をとることによ
り、残銅系差分パターンにおいて'１'となり、それ以外
の部分において'０'となる信号を生成する。この信号
は、各差分パターンが残銅系か欠損系かを識別するため
の信号であり、差分判定信号ＳJとして差分画像生成部
１４から出力される。

【００２２】上記のようにして差分画像発生部２２によ
り生成される差分画像には、欠陥としては無視できるよ
うな微小な差分パターンも含まれている。そこで微小差
分消去部３０は、原差分信号ＳD1によって表わされる差
分パターンのうち、予め決められたパターンによって被
覆可能であり、かつ予め決められた面積よりも小さい面
積の差分パターンを消去する。これにより、欠陥として
は無視できるような微小な差分パターンが消去された差
分画像が得られ、この差分画像は差分信号ＳDとして差
分画像生成部１４から出力される。本実施例では、この
ような消去すべき微小な差分パターンを選別するため
に、本件出願人が特願平４−３２８８５５号において紹
介したプリント基板のスルーホール選別装置と同様の構
成を採用している。以下、この選別のための構成及び動
作について説明する。

【００２３】差分画像発生部２２から出力された原差分
信号ＳD1は、まず、二次元展開部２４に入力される。二
次元展開部２４は、原差分信号ＳD1を二次元展開し、展
開された原差分信号ＳD1の各１ライン分ＯＰu〜ＯＰc〜
ＯＰdは、エリア切出判定部２６に入力される。

【００２４】エリア切出判定部２６は、差分パターンを
表わすこの画像信号ＯＰu〜ＯＰc〜ＯＰdを基に、二次
元展開された原差分信号ＳD1に所定の広がりを有するオ
ペレータを作用させる。そして、原差分信号ＳD1によっ
て表わされる差分パターンの画像がこのオペレータに包
含されるか否かに応じて、その差分パターンが消去すべ
き微小な差分パターンか否かを判定し、その判定結果を
第１微小差分判定信号SIGN1として出力する。またエリ
ア切出判定部２６は、画像信号ＯＰu〜ＯＰc〜ＯＰdか
ら選択された選択画像信号SOPu〜SOPdも出力する。この
選択は、選択画像信号SOPu〜SOPdによって表現され、走
査線に直交する線分状の画像領域の長さが、消去すべき
微小な差分パターンをそれ以外の差分パターンから選別
するための差分パターンの基準サイズ（差分パターンが
円形であればその直径の基準値）となるように設定され
る。さらにエリア切出判定部２６は、カウント信号COUN
THを出力する。このカウント信号COUNTHは、走査線に直
交する直線のうち差分パターンを通過する部分が、選択
画像信号SOPu〜SOPdに対応する走査線に直交する線分に
包含されるようになったとき、'０'から'１'に変化し、
その包含関係が維持されている限り、所定期間だけ'１'
を保持する信号である。

【００２５】面積加算判定部２８は、まずカウント信号
COUNTHが値'１'の区間において、選択画像信号SOPu〜SO
Pdに基づいて、差分パターン画像の面積を算出する。次
に、第１微小差分判定信号SIGN1が'１'であるときに限
り、即ちその差分パターンが前記オペレータに包含され
るときに限り、その算出値を所定の基準値と比較する。
そして、基準値以下であれば真に消去すべき微小な差分
パターンと判定して、選別をより確実なものとする。こ
の判定結果は第２微小差分判定信号SIGN2として出力さ
れる。微小差分消去部３０は、この第２微小差分判定信
号SIGN2によって示される微小な差分パターンを、原差
分信号ＳD1によって表わされる差分パターンから消去
し、消去後の差分パターンの画像を差分信号ＳDとして
出力する。

【００２６】図３は、エッジ抽出部１６の動作を説明す
るための図である。エッジ抽出部１６は、回路パターン
のエッジを抽出するために３×３のエッジ検出オペレー
タＯＰEを参照画像に作用させる。このオペレータＯＰE
は、参照画像において回路パターン（導体パターン）を
構成する各画素を対象画素とし、その対象画素の８近傍
（又は４近傍）の画素の中にその対象画素と値の異なる
ものが存在するか否かを調べ、値の異なるものが存在す
れば、その対象画素すなわち３×３の中心の画素はエッ
ジを構成すると判断する。これにより、参照画像におけ
る回路パターンのエッジが抽出される。例えば、図３に
示す回路パターンＣＰに対してエッジ検出オペレータＯ
ＰEを作用させると、エッジＥが得られる。エッジ抽出
部１６は、このようにして得られた回路パターンのエッ
ジを示す画像信号を、エッジ信号ＳEとして出力する。
なお、上記のエッジ検出オペレータＯＰEは、例えば、
２個のラインメモリと３×３個のＤフリップフロップ等
を用い、後述の二次元展開部３２と同様の構成により
（図５参照）、実現することができる。

【００２７】図４は、測長部１８の内部構成を示すブロ
ック図である。この図に示すように、測長部１８は、二
次元展開部３２、処理モード判定部３４、及び計測部３
６から構成される。二次元展開部３２は、エッジ信号Ｓ
E、差分信号ＳD、及び差分判定信号ＳJの各画像信号
を、画素毎に対応させながら二次元展開するものであ
り、例えば、ｎ−１個のラインメモリとｎ×ｎ個のＤフ
リップフロップ（ただし、ｎは奇数）を図５に示すよう
に接続した回路を各画像信号に対して設けることによ
り、実現される。図５に示した回路は、前記各画像信
号、その画像信号を１ライン分遅延させた信号、２ライ
ン分遅延させた信号、…、ｎ−１ライン分遅延させた信
号が、それぞれ、Ｄフリップフロップによって構成され
る別個のｎ段シフトレジスタに入力される構成となって
おり、これにより、前記各画像信号がｎ×ｎに二次元展
開される。

【００２８】処理モード判定部３４は、二次元展開され
たエッジ信号ＳEと差分信号ＳDとを用いて、二次元展開
の中心の画素（以下「注目画素」という）が参照画像に
おける回路パターンのエッジ上にあるときに、その注目
画素の８近傍のいずれかに差分パターンが存在するか否
かを調べ、差分パターンが存在する場合には'１'、存在
しない場合には'０'となるモード信号Ｓmodを出力す
る。

【００２９】計測部３６は、注目画素がエッジ上にある
ときに、処理モード判定部３４から出力されるモード信
号Ｓmodによって示される処理モードに応じ、次のよう
な計測を行ない、欠陥判定部２０はその計測結果に基づ
いて欠陥の有無を判定する。

【００３０】（１）モード信号Ｓmod＝'１'の場合 この場合、エッジに差分パターンが接している（以下、
判定対象の差分パターンを「注目差分パターン」とい
う）。計測部３６は、まず、二次元展開されたエッジ信
号ＳEと差分信号ＳDとを用いて、エッジ上の注目画素か
ら上、下、左、右、左上、左下、右上、右下の８方向に
延びる各画素列によって構成される測長オペレータによ
り、注目差分パターンの大きさSIZを計測する。ここで
は、測長オペレータを構成する画素列上で注目差分パタ
ーンの画素が直線状に連続する数（以下「差分パターン
の長さ」という）の最大値を、注目差分パターンの大き
さSIZとしている。例えば図６（ａ）に示す例では、注
目画素ｏから８方向ａ〜ｈに延びる各画素列における注
目差分パターンの長さは、方向ｂ、ｃ、ｄについてそれ
ぞれ１、４、１であり、それ以外の方向については０で
あるため、注目差分パターンの大きさSIZは４となる。

【００３１】次に計測部３６は、二次元展開された差分
判定信号ＳJを用いて注目差分パターンが残銅系か欠損
系かを判断し、残銅系か欠損系かに応じて以下のような
計測を行なう。そして欠陥判定部２０は、計測部３６の
計測結果に基づき以下のように欠陥の有無を判定する。

【００３２】ｉ）残銅系差分パターンの場合 二次元展開されたエッジ信号ＳEを用いて、上記の測長
オペレータにより、注目画素が存在するエッジを有する
回路パターンの幅Ｗを計測する。ここでは、注目差分パ
ターンの大きさが計測された方向と反対方向に延びる画
素列上で別のエッジに達するまでの画素数を、計測すべ
き回路パターンの幅Ｗとしている。例えば図６（ａ）に
示した例では、方向ｃに延びる画素列上で注目差分パタ
ーンの大きさSIZが計測されるため、方向ｃの反対方向
である方向ｇに延びる画素列上で注目画素ｏのエッジＥ
１から別のエッジＥ２に達するまでの画素数Ｗ１が、計
測すべき回路パターンの幅Ｗとなる。欠陥判定部２０
は、まず、計測部３６によって計測された注目差分パタ
ーンの大きさSIZと回路パターンの幅Ｗとの比SIZ／Ｗを
算出する。そして、この比SIZ／Ｗが予め設定された第
１判定基準値Ｒ1よりも大きいか否か調べ、SIZ／Ｗ＞Ｒ
1であれば欠陥有り、SIZ／Ｗ≦Ｒ1であれば欠陥無しと
判定し、その判定結果を欠陥信号Ｓdとして出力する。

【００３３】ii）欠損系差分パターンの場合 この場合も、計測部３６は、二次元展開されたエッジ信
号ＳEを用いて、上記の測長オペレータにより、注目画
素が存在するエッジを有する回路パターンの幅Ｗを計測
する。ただし、上記の残銅系差分パターンの場合とは異
なり、注目差分パターンの大きさが計測された方向と同
じ方向に延びる画素列上で別のエッジに達するまでの画
素数が、計測すべき回路パターンの幅Ｗとなる。例えば
図６（ｂ）に示した例では、方向ｃに延びる画素列上で
注目差分パターンの大きさSIZが計測されるため、同じ
方向ｃに延びる画素列上で注目画素ｏのエッジＥ３から
別のエッジＥ４に達するまでの画素数Ｗ２が、計測すべ
き回路パターンの幅Ｗである。欠陥判定部２０は、上記
の残銅系差分パターンの場合と同様、まず、注目差分パ
ターンの大きさSIZと回路パターンの幅Ｗとの比SIZ／Ｗ
を算出する。そして、この比SIZ／Ｗが予め設定された
第１判定基準値Ｒ1よりも大きいか否か調べ、SIZ／Ｗ＞
Ｒ1であれば欠陥有り、SIZ／Ｗ≦Ｒ1であれば欠陥無し
と判定し、その判定結果を欠陥信号Ｓdとして出力す
る。

【００３４】なお、残銅系の場合と欠損系の場合とで
は、第１判定基準値Ｒ1を別々の値にしてもよい。

【００３５】（２）モード信号Ｓmod＝'０'の場合 この場合、注目画素の位置においてエッジに接する差分
パターンは存在しない。計測部３６は、まず、二次元展
開された差分信号ＳDとエッジ信号ＳEとを用いて、上記
と同様の測長オペレータにより、エッジ上の注目画素か
ら差分パターンまでの距離を計測する。ここでは、注目
画素から８方向に延びる各画素列が差分パターンに到達
するまでの画素数のうちの最小値を、差分パターンまで
の距離DISとしている（以下、注目画素からの画素数が
最小となる差分パターンを「注目差分パターン」とい
う）。例えば図７（ａ）に示す例では、注目画素ｏから
８方向ａ〜ｈに延びる各画素列のうち、方向ｃに延びる
画素列が差分パターンＤに到達するまでの画素数は２で
あり、それ以外の方向に延びる画素列は差分パターンに
到達しないため、差分パターンまでの距離はDIS＝２と
なる。

【００３６】次に計測部３６は、二次元展開された差分
判定信号ＳJを用いて、注目差分パターンを構成する画
素に対応する差分判定信号ＳJの値を調べることによ
り、注目差分パターンが残銅系か欠損系かを判断し、残
銅系か欠損系かに応じて以下のような計測を行なう。そ
して欠陥判定部２０は、計測部３６の計測結果に基づき
以下のように欠陥の有無を判定する。

【００３７】ｉ）残銅系差分パターンの場合 上記の測長オペレータにより、モード信号Ｓmod＝'１'
の場合と同様に（図６（ａ）参照）、二次元展開された
エッジ信号ＳEを用いて、注目画素が存在するエッジを
有する回路パターンの幅Ｗを計測する。例えば図７
（ａ）に示した例では、方向ｃに延びる画素列上で距離
DISが計測されるため、方向ｃの反対方向である方向ｇ
に延びる画素列上で注目画素ｏのエッジＥ５から別のエ
ッジＥ６に達するまでの画素数Ｗ３が、計測すべき回路
パターンの幅Ｗとなる。欠陥判定部２０は、まず、計測
部３６によって計測された注目差分パターンまでの距離
DISと回路パターンの幅Ｗとの積DIS・Ｗを算出する。そ
して、この積DIS・Ｗが予め設定された第２判定基準値
Ｒ2よりも小さいか否か調べ、DIS・Ｗ＜Ｒ2であれば欠
陥有り、DIS・Ｗ≧Ｒ2であれば欠陥無しと判定し、その
判定結果を欠陥信号Ｓdとして出力する。

【００３８】ii）欠損系差分パターンの場合 この場合も、上記の残銅系差分パターンの場合と同様に
して、計測部３６は、注目画素が存在するエッジを有す
る回路パターンの幅Ｗを計測する。ただし、残銅系差分
パターンの場合とは異なり、注目差分パターンまでの距
離が計測された方向と同じ方向に延びる画素列上で別の
エッジに達するまでの画素数が、計測すべき回路パター
ンの幅Ｗとなる。例えば図７（ｂ）に示した例では、方
向ｃに延びる画素列上で距離DISが計測されるため、同
じ方向ｃに延びる画素列上で注目画素ｏのエッジＥ７か
ら別のエッジＥ８に達するまでの画素数Ｗ４が、計測す
べき回路パターンの幅Ｗである。欠陥判定部２０は、上
記の残銅系差分パターンの場合と同様、まず、注目差分
パターンまでの距離DISと回路パターンの幅Ｗとの積DIS
・Ｗを算出する。そして、この積DIS・Ｗが予め設定さ
れた第２判定基準値Ｒ2よりも小さいか否か調べ、DIS・
Ｗ＜Ｒ2であれば欠陥有り、DIS・Ｗ≧Ｒ2であれば欠陥
無しと判定し、その判定結果を欠陥信号Ｓdとして出力
する。

【００３９】なお、残銅系の場合と欠損系の場合とで
は、第２判定基準値Ｒ2を別々の値にしてもよい。

【００４０】上記実施例の計測部３６において、回路パ
ターンの幅Ｗ、差分パターンの大きさSIZ、及び差分パ
ターンまでの距離DISを求めるには、ＲＯＭテーブルを
用いることができる。すなわち、二次元展開部３２によ
ってエッジ信号ＳE、差分信号ＳD、及び差分判定信号Ｓ
Jの各画像信号が例えば図８（ａ）に示すように１１×
１１に展開された場合には（ｎ＝１１）、１１×１１の
画素の中心画素（注目画素）ｏから８方向に延びる画素
列の画素ａ1〜ａ5、ｂ1〜ｂ5、ｃ1〜ｃ5、ｄ1〜ｄ5、ｅ
1〜ｅ5、ｆ1〜ｆ5、ｇ1〜ｇ5、ｈ1〜ｈ5のうち、所定の
画素の値をアドレス信号として入力したとき、所望の測
長値を出力するように内部にデータが設定されたＲＯＭ
を用いればよい。例えば、注目画素から注目差分パター
ンまでの距離DISを計測する場合において、方向ｃに延
びる画素列が差分パターンに到達するまでの画素数を求
めるときには（図７（ａ）参照）、図８（ｂ）に示すよ
うに、二次元展開されたエッジ信号ＳEにおける中心画
素ｏ、及び二次元展開された差分信号ＳDにおいて方向
ｃに延びる画素列の画素ｃ1〜ｃ5をアドレス信号として
入力したとき、方向ｃに延びる画素列が差分パターンに
到達するまでの画素数Ｌcを出力するように内部にデー
タが設定されたＲＯＭ１０２を用いればよい。図８
（ｂ）に示した例は、図７（ａ）において、中心画素ｏ
がエッジＥ５の左側、エッジＥ５の上、エッジＥ５の右
側にそれぞれ位置する場合の入出力関係を表わしてい
る。ここでは、中心画素ｏがエッジＥ５上に位置する場
合にのみ、差分パターンに到達するまでの画素数Ｌｃ
（２）が出力される。

【００４１】以上のように本実施例によれば、差分パタ
ーンが回路パターンのエッジに接している場合には差分
パターンの大きさSIZと回路パターンの幅Ｗとの比SIZ／
Ｗに基づき、差分パターンが回路パターンのエッジから
離れている場合には差分パターンまでの距離DISと回路
パターンの幅Ｗとの積DIS・Ｗとに基づき、欠陥の有無
が判定されるため、差分パターンの欠陥としての重要度
のより詳しい評価に基づいて欠陥が検出されることにな
る。

【００４２】［実施例２］図９は、本発明の他の実施例
（以下「実施例２」という）である回路パターン検査装
置の要部の構成を示すブロック図である。図９に示すよ
うに、本実施例の回路パターン検査装置は、位置ずれ検
出部５０、位置補正部５２、差分画像生成部５４、測長
部５８、及び欠陥判定部６０を備えており、実施例１
（図１参照）と同様、位置ずれ検出部５０には被検査画
像信号Ｓobj及び参照画像信号Ｓrefが入力される。しか
し、本実施例の回路パターン検査装置は、実施例１と異
なり、エッジ抽出部１６の代わりにマクロ情報作成部５
６を有し、これにより、パッド又はランド（本実施例で
は、パッドとランドとを区別せずに両者を併せて単に
「パッド」という）を示す情報、ラインを示す情報、及
び回路パターンの高密度領域を示す情報等（以下、これ
らの情報を総称して「マクロ情報」という）が作成され
る。測長部５８は差分パターンと回路パターンとの距離
を計測し、欠陥判定部６０はこの計測結果及びマクロ情
報に基づいて欠陥の有無を判定する。本実施例の他の点
については、実施例１と同様であるため説明を省略す
る。

【００４３】以下、図１０〜図１５を参照しつつ、本実
施例における欠陥検出のための構成及び動作の詳細につ
いて説明する。図１０は、上記の測長部５８の内部構成
をマクロ情報作成部５６及び欠陥判定部６０と共に示す
ブロック図である。マクロ情報作成部５６は、参照画像
信号Ｓrefを用いて、パッドの認識、ラインの認識、回
路パターンの高密度領域の認識を行ない、パッドを示す
情報、ラインを示す情報、及び回路パターンの高密度領
域を示す情報を作成する。

【００４４】マクロ情報作成部５６におけるパッドの認
識には、図１１に示すように、ライン幅よりも大きいサ
イズのｎ×ｎのパッド認識オペレータＯＰpが用いられ
る。このようなパッド認識オペレータＯＰpによると、
そのオペレータ内の全ての画素がラインを構成すること
は有り得ないが、パッド内の所定領域ではそのオペレー
タ内の全ての画素がパッドを構成する。そこでパッド認
識オペレータＯＰpは、そのオペレータ内の全ての画素
が回路パターンを構成するとき、その中心画素はパッド
領域を構成すると認識する。図１１に示した例では、ラ
インＬの幅よりも大きい３×３のパッド認識オペレータ
ＯＰpにより、斜線が付された領域がパッド領域として
認識され、その領域に対してパッド信号Ｓpadが生成さ
れる。このようなパッド認識オペレータＯＰpは、実施
例１のエッジ検出オペレータＯＰE等と同様、ラインメ
モリとＤフリップフロップ等を用いて実現することがで
きる。なお、より正確にパッド領域を認識するために
は、ライン幅よりも大きい範囲で出来るだけ小さいサイ
ズのオペレータを用いるのが好ましい。

【００４５】ラインの認識には、図１２に示すように、
放射状に延びる８方向の腕を持つオペレータであって、
各腕の長さがラインＬの幅よりも長い所定サイズのオペ
レータＯＰLが用いられる。このようなライン認識オペ
レータＯＰLによると、特定画素数以上の部分が回路パ
ターン上にある腕の数は、オペレータの中心がライン上
にあるときには１又は２、パッド上にあるときには３以
上、ベース上（回路パターンの間隙部分）にあるときに
は０となる。そこでライン認識オペレータＯＰLは、特
定画素数以上の部分が回路パターン上にある腕の数が１
又は２であるとき、そのオペレータの中心の画素はライ
ンを構成すると認識する。図１２に示した例では、ライ
ンＬの幅よりも長い腕を持つライン認識オペレータＯＰ
Lにより、斜線が付された領域がライン領域として認識
され、その領域に対してライン信号Ｓlinが生成され
る。また、このようなオペレータＯＰLの代わりに、パ
ッドよりもサイズが小さく、放射状に延びる腕を持つオ
ペレータを、ライン認識オペレータとして用いてもよ
い。ただし、このライン認識オペレータの腕の長さはラ
インの幅よりも長いものとする。この場合、ライン認識
オペレータは、互いに反対方向に延びる二つの腕の全て
の部分が回路パターン上に存在し、その二つの腕と直交
するいずれの腕についても少なくとも一部が回路パター
ン上に存在しないとき、そのオペレータの中心はライン
上に存在すると認識する。上記のいずれのライン認識オ
ペレータも、実施例１のエッジ検出オペレータＯＰEや
前記のパッド認識オペレータ等と同様、ラインメモリと
Ｄフリップフロップ等を用いて実現することができる。
また、放射状のオペレータのみで、パッド及びラインを
認識することもできる。

【００４６】回路パターンの高密度領域の認識に際して
は、図１３に示すように、参照画像が、複数画素からな
る連続領域であるブロックを単位とする複数の領域に分
割され、各ブロック毎に、回路パターンを構成する画素
の数が数えられる（以下、この画素の数を「パターン密
度」という）。図１３に示した例では、回路パターンＣ
Ｐの存在により、斜線が付された各ブロックからなる領
域のパターン密度が所定の基準値よりも高くなり、その
高密度領域に対して密度信号Ｓdenが生成される。な
お、一般的に、高密度領域に差分パターンが存在すると
回路としての機能に影響を与える可能性が高い。また、
このようなブロック毎の回路パターンの高密度領域の認
識は、前記の各オペレータと同様、ラインメモリとＤフ
リップフロップ等を用いて実現することができる。

【００４７】マクロ情報作成部５６は、以上のようにし
て作成したパッド認識領域を示す情報、ライン認識領域
を示す情報、及び回路パターンの高密度領域を示す情報
を、それぞれ、パッド信号Ｓpad、ライン信号Ｓlin、及
び密度信号Ｓdenとして出力する。

【００４８】測長部５８は、上記の各マクロ情報に対応
した二次元展開部７３ａ〜７３ｃを備え、二次元展開部
７３ａ〜７３ｃは、それぞれ、上記の信号Ｓpad、Ｓli
n、Ｓdenを二次元展開する。また測長部５８は、二次元
展開部７２を備え、これにより、差分信号ＳDを二次元
展開する。これらの二次元展開部７２、７３ａ〜７３ｃ
は、実施例１の二次元展開部と同様の構成により実現す
ることができる（図５参照）。

【００４９】測長部５８は、さらに、上記の各マクロ情
報に対応する計測部７４ａ〜７４ｃを備え、計測部７４
ａ〜７４ｃは、二次元展開部７２、７３ａ〜７３ｃによ
って展開された上記各信号ＳD、Ｓpad、Ｓlin、Ｓdenを
用いて、以下の測長を行なう。

【００５０】計測部７４ａは、二次元展開された差分信
号ＳD及びパッド信号Ｓpadを用いて、各差分パターンか
らパッドまでの距離を計測する。すなわち、二次元展開
の中心の画素（注目画素）が差分パターン上にあるとき
に、その注目画素から８方向に延びる各画素列がパッド
に到達するまでの画素数を数え、その画素数のうちの最
小値を差分パターンからパッドまでの距離とする。例え
ば図１４に示す例では、対パッド最小値ＰSが差分パタ
ーンＤからＳＭＤパッドＰまでの距離となる。このよう
な計測部７４ａは、実施例１における計測部３６と同様
の構成により実現することができる（図８参照）。

【００５１】計測部７４ｂは、二次元展開された差分信
号ＳD及びライン信号Ｓlinを用い、上記計測部７４ａと
同様にして、各差分パターンからラインまでの距離を計
測する。例えば図１４及び図１５に示す例では、対ライ
ン最小値ＬSが差分パターンＤからラインＬまでの距離
となる。この計測部７４ｂは、実施例１における計測部
３６と同様の構成により実現することができる（図８参
照）。

【００５２】計測部７４ｃは二次元展開された差分信号
ＳD及び密度信号Ｓdenを用い、上記計測部７４ａと同様
にして、各差分パターンから高密度領域における回路パ
ターン（以下「高密度パターン」という）までの距離を
計測する。例えば図１５に示す例では、対高密度領域最
小値ＰＷSが差分パターンＤから高密パターン（電源ラ
インＬPW）までの距離となる。この計測部７４ｃは、実
施例１における計測部３６と同様の構成により実現する
ことができる（図８参照）。

【００５３】欠陥判定部６０は、計測部７４ａ〜７４ｃ
によって得られた上記の各計測値、すなわち、差分パタ
ーンからパッドまでの距離ＰS、差分パターンからライ
ンまでの距離ＬS、及び差分パターンから高密度パター
ンまでの距離ＰＷSを用いて、欠陥の有無を判定する。
この判定に際して各差分パターンの欠陥としての重要度
を考慮するために、これらの計測値のそれぞれに対して
マクロ情報に対応する判定基準値が設定されている。こ
れは以下の理由による。

【００５４】すなわち、ＳＭＤの場合には、パッド周辺
に欠陥が存在すると、部分実装工程においてパッド間の
ショートを招き易いため、ＳＭＤのパッド周辺に存在す
る欠陥は、ラインの周辺に存在する欠陥よりも重要度が
高いからである。また、図１５に示すように電源ライン
Ｌpwと信号ラインＬsgとが混在する場合には、電源ライ
ンＬpw近傍の空隙部分Ｂにピンが配置されることがあ
り、差分パターンＤから回路パターンまでの距離ＬS及
び回路パターンの幅により一律に重要度を判断すること
はできないからである。この場合、差分パターンＤの欠
陥としての重要度の判断に際し、その差分パターンＤか
ら高密度パターン、すなわち電源ラインＬPWまでの距離
ＰＷSを重視する必要がある。

【００５５】そこで欠陥判定部６０は、まず、通常のラ
インに対しては、差分パターンＤからラインまでの距離
ＬSとライン判定基準値ＲＬとを比較し、ＲＬ＞ＬSであ
れば欠陥有りと判定する。一方、欠陥判定部６０は、パ
ッドまでの距離を重要視し、パッドに対しては、差分パ
ターンＤからパッドまでの距離ＰSとパッド判定基準値
ＲＰ（＞ＲＬ）とを比較し、ＲＰ＞ＰSであれば欠陥有
りと判定する。さらに、欠陥判定部６０は、高密度パタ
ーンまでの距離を重要視し、高密度領域に対しては、差
分パターンＤから高密度パターンまでの距離ＰＷSと密
度判定基準値ＲＤ（＞ＲＬ）とを比較し、ＲＤ＞ＰSで
あれば欠陥有りと判定する。これにより、検査対象物の
特徴に応じて、より正確にかつより詳しく差分パターン
の欠陥としての重要度が評価され、その評価に基づいて
欠陥の有無が判定される。

【００５６】なお、上記実施例ではマクロ情報としてパ
ッドを示す情報、ラインを示す情報、及び回路パターン
の高密度領域を示す情報を作成しているが、これら以外
のマクロ情報、例えばスルーホールを示す情報等を作成
して、スルーホール等との位置関係を計測し、その計測
結果をも考慮して欠陥の有無を判定するようにしてもよ
い。

【００５７】

【発明の効果】第１の回路パターン検査装置によれば、
回路パターンのエッジから差異部分までの距離とその回
路パターンの幅との積に基づき欠陥の有無が判定される
ため、回路パターン周辺の差異部分の欠陥としての重要
度のより詳しい評価に基づいて欠陥が検出される。これ
により、真に回路としての機能に影響を与える欠陥のみ
を検出することができるため、検査対象物であるプリン
ト基板等の製造のスループットが向上する。

【００５８】第２の回路パターン検査装置によれば、差
異部分が回路パターンのエッジと接している場合には、
差異部分の大きさと回路パターンの幅との比に基づき欠
陥の有無が判定される。したがって、差異部分が回路パ
ターンのエッジと接している場合にも、差異部分の欠陥
としての重要度のより詳しい評価に基づいて欠陥が検出
され、これにより、真に回路としての機能に影響を与え
る欠陥のみを検出することができる。

【００５９】第３の回路パターン検査装置によれば、回
路パターンのエッジから差異部分までの距離と基準値と
の比較に基づいて欠陥の有無を判定する際、マクロ情報
に対応する基準値が採用されるので、欠陥としての重要
度のより正確で詳しい評価に基づいて欠陥が検出され
る。これにより、真に回路としての機能に影響を与える
欠陥のみを検出することができる。

【００６０】第４の回路パターン検査装置では所定パタ
ーンによって被覆可能な差異部分を消去した後の画像
を、第５の回路パターン検査装置では所定パターンによ
って被覆可能であって所定面積よりも小さい面積の差異
部分を消去した後の画像を、それぞれ差分画像としてい
るため、これらの回路パターン検査装置によって生成さ
れる差分画像には、欠陥として無視できる微小な差異部
分は含まれない。このため、真に回路としての機能に影
響を与える欠陥のみを検出することができ、検査対象物
であるプリント基板等の製造のスループットが更に向上
する。なお、第５の回路パターン検査装置では、欠陥と
して無視できる微小な差異部分が第４の回路パターン検
査装置よりも厳しく選別されるため、欠陥の見落としが
少ない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例（実施例１）である回路パ
ターン検査装置の要部の構成を示すブロック図。

【図２】 実施例１における差分画像生成部の内部構成
を示すブロック図。

【図３】 実施例１におけるエッジ抽出部の動作を説明
するための図。

【図４】 実施例１における測長部の内部構成を示すブ
ロック図。

【図５】 測長部における二次元展開部の構成例を示す
回路図。

【図６】 差分パターンが回路パターンのエッジに接し
ている場合の、実施例１における計測部の動作を説明す
るための図。

【図７】 差分パターンが回路パターンのエッジから離
れている場合の、実施例１における計測部の動作を説明
するための図。

【図８】 計測部の実現方法を説明するための図。

【図９】 本発明の他の実施例（実施例２）である回路
パターン検査装置の要部の構成を示すブロック図。

【図１０】 実施例２における測長部の内部構成をマク
ロ情報作成部及び欠陥判定部と共に示すブロック図。

【図１１】 パッド領域の認識方法を説明するための
図。

【図１２】 ライン領域の認識方法を説明するための
図。

【図１３】 回路パターンの高密度領域の認識方法を説
明するための図。

【図１４】 実施例２における計測部の動作を説明する
ための図。

【図１５】 電源ラインと信号ラインとが混在する回路
パターンにおける欠陥の検出を説明するための図。

【符号の説明】

１４ …差分画像生成部 １６ …エッジ抽出部 １８、５８…測長部 ２０、６０…欠陥判定部 ３０ …微小差分消去部 ３４ …処理モード判定部 ３６ …計測部 ５６ …マクロ情報作成部 Ｓobj …被検査画像信号 Ｓref …参照画像信号 ＳD …差分信号 ＳE …エッジ信号 Ｓpad …パッド信号（パッド認識領域を示す信号） Ｓlin …ライン信号（ライン認識領域を示す信号） Ｓden …密度信号（回路パターンの高密度領域を示
す信号）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9061−5Ｈ Ｇ０６Ｆ 15/70 ４５５ Ｂ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路パターンが形成された検査対象物の
   パターンを読み取って得られる画像データに基づき、前
   記回路パターンにおける欠陥を検出する回路パターン検
   査装置において、 ａ）前記画像データによって表わされる被検査画像を、
   欠陥のない前記検査対象物のパターンを示す参照画像と
   比較し、両画像の差異部分を示す差分画像を生成する差
   分画像生成手段と、 ｂ）前記参照画像における回路パターンのエッジを示す
   参照エッジ画像を生成するエッジ抽出手段と、 ｃ）前記参照画像における回路パターンの幅、及び、前
   記参照エッジ画像によって示される回路パターンのエッ
   ジから前記差分画像によって示される差異部分までの距
   離を計測する測長手段と、 ｄ）測長手段によって計測された前記幅と前記距離との
   積に基づいて欠陥の有無を判定する判定手段と、を備え
   ることを特徴とする回路パターン検査装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の回路パターン検査装置
   において、 前記差分画像によって示される差異部分が前記参照エッ
   ジ画像によって示される回路パターンのエッジと接して
   いるか否かを判定する接触判定手段を更に備え、 前記測長手段は、接触判定手段によって前記差異部分が
   前記エッジに接していると判定された場合には、前記差
   異部分の大きさを計測し、 前記判定手段は、接触判定手段によって前記差異部分が
   前記エッジに接していると判定された場合には、前記距
   離と前記幅との積ではなく、前記測長手段によって計測
   された前記大きさと前記幅との比に基づいて欠陥の有無
   を判定する、回路パターン検査装置。
3. 【請求項３】 回路パターンが形成された検査対象物の
   パターンを読み取って得られる画像データに基づき、前
   記回路パターンにおける欠陥を検出する回路パターン検
   査装置において、 ａ）前記画像データによって表わされる被検査画像を、
   欠陥のない前記検査対象物のパターンを示す参照画像と
   比較し、両画像の差異部分を示す差分画像を生成する差
   分画像生成手段と、 ｂ）前記参照画像における回路パターンの特徴を認識
   し、回路パターンの各特徴領域を示すマクロ情報を生成
   するマクロ情報生成手段と、 ｃ）前記参照画像における回路パターンのエッジと前記
   差分画像によって示される差異部分との距離を計測する
   測長手段と、 ｄ）測長手段によって計測された前記距離と回路パター
   ンに付与されたマクロ情報に対応する基準値との比較に
   基づき、欠陥の有無を判定する判定手段と、を備えるこ
   とを特徴とする回路パターン検査装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の回路
   パターン検査装置において、 前記差分画像生成手段は、前記両画像の差異部分を示す
   画像から所定パターンによって被覆可能な差異部分を消
   去した後の画像を前記差分画像として生成する、回路パ
   ターン検査装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかに記載の回路
   パターン検査装置において、 前記差分画像生成手段は、前記両画像の差異部分を示す
   画像から所定パターンによって被覆可能であって所定面
   積よりも小さい面積の差異部分を消去した後の画像を前
   記差分画像として生成する、回路パターン検査装置。