JPH0888171A - 多機能光検出器 - Google Patents
多機能光検出器Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光光源の光均一度、投影レンズの倍率変化
感知、両ステージの動きにおける平行度検出及び投影レ
ンズの焦点位置を自動的に検出できる多機能光検出器を
提供する。 【解決手段】 露光光が入って来るマスクステージに置
かれたマスクには両ステージの動きの平行度を検出する
ための第１マークと、前記第１マークと共に動作して投
影レンズの倍率変化を測定するための第２マークと、投
影レンズの焦点位置を決定するための第３マークが刻ま
れている。その下には投影レンズと結像用のワークピー
スステージが位置し、前記ワークピースステージの上に
は各マークの動作を補助する第４マークが刻まれ、第１
光検出部と第５マークが刻まれており、露光光を検出す
るための第２光検出部が置かれている。
感知、両ステージの動きにおける平行度検出及び投影レ
ンズの焦点位置を自動的に検出できる多機能光検出器を
提供する。 【解決手段】 露光光が入って来るマスクステージに置
かれたマスクには両ステージの動きの平行度を検出する
ための第１マークと、前記第１マークと共に動作して投
影レンズの倍率変化を測定するための第２マークと、投
影レンズの焦点位置を決定するための第３マークが刻ま
れている。その下には投影レンズと結像用のワークピー
スステージが位置し、前記ワークピースステージの上に
は各マークの動作を補助する第４マークが刻まれ、第１
光検出部と第５マークが刻まれており、露光光を検出す
るための第２光検出部が置かれている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置等に用いる光検
出器に係り、より詳しくは、装置を組み立てる際や、組
み立てられた装置を再整備する際に、露光光源の光均一
度、投影レンズの倍率変化感知、ステージの動きにおけ
る平行度検出及び投影レンズの焦点位置を自動的に検出
できる多機能光検出器に関する。
出器に係り、より詳しくは、装置を組み立てる際や、組
み立てられた装置を再整備する際に、露光光源の光均一
度、投影レンズの倍率変化感知、ステージの動きにおけ
る平行度検出及び投影レンズの焦点位置を自動的に検出
できる多機能光検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光検出器の作用系の構成を図１に
示す。
示す。
【０００３】この図に示されるように、従来の光検出器
は、露光装置からの入射光（Ｓ１）を受け入れてマスク
が置かれる第１ステージ１００と、前記入射光を受け入
れて結像を行うための結像レンズ１０１と、像が結像さ
れる第２ステージ１０３と、前記第２ステージ１０３上
において左右に移動し、入射光の強度分布を測定して調
整するための光検出部１０２から構成される。
は、露光装置からの入射光（Ｓ１）を受け入れてマスク
が置かれる第１ステージ１００と、前記入射光を受け入
れて結像を行うための結像レンズ１０１と、像が結像さ
れる第２ステージ１０３と、前記第２ステージ１０３上
において左右に移動し、入射光の強度分布を測定して調
整するための光検出部１０２から構成される。
【０００４】上記構成による従来の光検出器の動作を以
下に示す。
下に示す。
【０００５】カメラの電源が印加されると、前記構成に
よる従来の光検出器の作用系の動作が始まる。
よる従来の光検出器の作用系の動作が始まる。
【０００６】動作が始まると、入射光（Ｓ１）が第１ス
テージ１００を通じて入り、結像レンズ１０１を通じて
第２ステージ１０３に結像される。この際、光検出部１
０２は前記第２ステージ１０３の左から右に移動し、さ
らに右から左に移動し、入射光の強度分布の測定値を利
用して露光光源の光均一度を調整する。
テージ１００を通じて入り、結像レンズ１０１を通じて
第２ステージ１０３に結像される。この際、光検出部１
０２は前記第２ステージ１０３の左から右に移動し、さ
らに右から左に移動し、入射光の強度分布の測定値を利
用して露光光源の光均一度を調整する。
【０００７】また、従来においては、露光装置の組立及
び再整備の際に、投影レンズの焦点位置にワークピース
が置かれるようにするため、任意の位置にワークピース
を置いて露光を行った後に現像過程を経て焦点を確認
し、さらにワークピースを光軸方向に移動させた後露光
を行ない、現像過程を経て再度目視により焦点を確認す
る。このように、同じような過程を数回にわたって繰り
返すことで正確な焦点位置を決定している。
び再整備の際に、投影レンズの焦点位置にワークピース
が置かれるようにするため、任意の位置にワークピース
を置いて露光を行った後に現像過程を経て焦点を確認
し、さらにワークピースを光軸方向に移動させた後露光
を行ない、現像過程を経て再度目視により焦点を確認す
る。このように、同じような過程を数回にわたって繰り
返すことで正確な焦点位置を決定している。
【０００８】そこで、露光装置が実際に作動される際に
は、露光の際毎に前記方法で決定した焦点位置に常にワ
ークピースが置かれるようにする。
は、露光の際毎に前記方法で決定した焦点位置に常にワ
ークピースが置かれるようにする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光検出器の機能は、前記のとおり露光強度の均一度を調
整するという単一の機能しかない。従って、焦点を合わ
せるためには繰返し手作業を行う必要があり、使用する
には不便であるという問題点が残されいた。
光検出器の機能は、前記のとおり露光強度の均一度を調
整するという単一の機能しかない。従って、焦点を合わ
せるためには繰返し手作業を行う必要があり、使用する
には不便であるという問題点が残されいた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、単一の光検出器をもって露光光源の光均
一度、投影レンズの倍率変化の感知、両ステージの動き
における平行度検出及び投影レンズの焦点位置を自動的
に検出できる多機能光検出器を提供することを目的とす
る。
に、本発明は、単一の光検出器をもって露光光源の光均
一度、投影レンズの倍率変化の感知、両ステージの動き
における平行度検出及び投影レンズの焦点位置を自動的
に検出できる多機能光検出器を提供することを目的とす
る。
【００１１】前記目的を達成しようとする本発明の構成
は、光が入射するマスクステージと、入射光を受けて結
像を行うための投影レンズと、前記投影レンズからの像
が結像されるワークピースステージと、前記マスクステ
ージの上に置かれて、前記各ステージの動きの平行度を
検出するための第１マークと、前記第１マークと共に動
作して投影レンズの倍率変化を測定するための第２マー
クと、前記投影レンズの焦点位置を決定するための第３
マークがそれぞれ刻まれたマスクと、前記第１マーク、
第２マークとの動作を補助する第４マークが刻まれてお
り、前記ワークピースステージの上に置かれて入射光を
検出するための第１光検出部と、前記第３マークの動作
を補助する第５マークが刻まれており、前記ワークピー
スステージの上に置かれて入射光を検出する第２光検出
部と、からなる。
は、光が入射するマスクステージと、入射光を受けて結
像を行うための投影レンズと、前記投影レンズからの像
が結像されるワークピースステージと、前記マスクステ
ージの上に置かれて、前記各ステージの動きの平行度を
検出するための第１マークと、前記第１マークと共に動
作して投影レンズの倍率変化を測定するための第２マー
クと、前記投影レンズの焦点位置を決定するための第３
マークがそれぞれ刻まれたマスクと、前記第１マーク、
第２マークとの動作を補助する第４マークが刻まれてお
り、前記ワークピースステージの上に置かれて入射光を
検出するための第１光検出部と、前記第３マークの動作
を補助する第５マークが刻まれており、前記ワークピー
スステージの上に置かれて入射光を検出する第２光検出
部と、からなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明を容易に実施できる好適な実施の形態を添説明する。
明を容易に実施できる好適な実施の形態を添説明する。
【００１３】図２は、本発明の実施の形態の一例に基づ
く多数機能光検出器の斜視図、図３は、本発明の実施の
形態に基づく多機能光検出器の光検出部の説明図、図４
は、本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器のマス
クの説明図、図５は、本発明の実施の形態に基づく多機
能光検出器において両ステージの動きの平行度を測定す
る方法の説明図であり、図６は、本発明の実施の形態に
基づく多機能光検出器において投影レンズの倍率変化を
測定する方法の説明図、図７は、本発明の実施の形態に
基づく多機能光検出器において投影レンズの焦点位置を
決定する方法の説明図、図８は、本発明の実施の形態に
基づく多機能光検出器において光検出器の他の構成の説
明図、図９は、本発明の実施の形態に基づく多機能光検
出器において光検出部のその他の構成の説明図である。
く多数機能光検出器の斜視図、図３は、本発明の実施の
形態に基づく多機能光検出器の光検出部の説明図、図４
は、本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器のマス
クの説明図、図５は、本発明の実施の形態に基づく多機
能光検出器において両ステージの動きの平行度を測定す
る方法の説明図であり、図６は、本発明の実施の形態に
基づく多機能光検出器において投影レンズの倍率変化を
測定する方法の説明図、図７は、本発明の実施の形態に
基づく多機能光検出器において投影レンズの焦点位置を
決定する方法の説明図、図８は、本発明の実施の形態に
基づく多機能光検出器において光検出器の他の構成の説
明図、図９は、本発明の実施の形態に基づく多機能光検
出器において光検出部のその他の構成の説明図である。
【００１４】図２に図示されているとおり、本発明の実
施の形態に基づく多機能光検出器の構成は、露光光源か
らの光が入って来るマスクステージ１に置かれたマスク
２には、両ステージの動きの平行度を検出するための第
１マーク３と、上記第１マークと共に動作して投影レン
ズ６の倍率変化を測定するための第２マーク４と、投影
レンズ６の焦点を決定するための第３マーク５とが刻ま
れている。
施の形態に基づく多機能光検出器の構成は、露光光源か
らの光が入って来るマスクステージ１に置かれたマスク
２には、両ステージの動きの平行度を検出するための第
１マーク３と、上記第１マークと共に動作して投影レン
ズ６の倍率変化を測定するための第２マーク４と、投影
レンズ６の焦点を決定するための第３マーク５とが刻ま
れている。
【００１５】前記マスクステージ１の下には、前記入射
光を受け入れて結像を行うための投影レンズ６が位置
し、その下には前記結像されるワークピースステージ７
が位置し、前記ワークピースステージ７の上には前記第
１マーク３と第２マーク４の動作を助けるための第４マ
ーク８が刻まれている。また、前記ワークピースステー
ジ７の上には、その上に置かれて入射光を検出するため
の第１光検出部１０、前記第３マーク５の動作を補助す
るための第５マーク９が刻まれており、前記ワークピー
スステージ７の上に置かれて入射光を検出するための第
２光検出部１１が置かれている構造からなる。
光を受け入れて結像を行うための投影レンズ６が位置
し、その下には前記結像されるワークピースステージ７
が位置し、前記ワークピースステージ７の上には前記第
１マーク３と第２マーク４の動作を助けるための第４マ
ーク８が刻まれている。また、前記ワークピースステー
ジ７の上には、その上に置かれて入射光を検出するため
の第１光検出部１０、前記第３マーク５の動作を補助す
るための第５マーク９が刻まれており、前記ワークピー
スステージ７の上に置かれて入射光を検出するための第
２光検出部１１が置かれている構造からなる。
【００１６】前記第１及び第２光検出部１０、１１の詳
細な構造は図３に図示されており、前記マスク２の詳細
な構造は図４に図示されている。
細な構造は図３に図示されており、前記マスク２の詳細
な構造は図４に図示されている。
【００１７】前記ワークピースステージ７と光検出部１
０、１１は、図８に図示されるように、ワークピースス
テージ７の縁に第１光検出部１０と第２光検出部１１と
を位置させた構造からなることもできる。
０、１１は、図８に図示されるように、ワークピースス
テージ７の縁に第１光検出部１０と第２光検出部１１と
を位置させた構造からなることもできる。
【００１８】前記ワークピースステージ７と光検出部１
０、１１は、図９に図示されるように、ワークピースス
テージ７には第１光検出部１０、第２光検出部１１のみ
を位置させ、第４マーク８、第５マーク９は別途の第２
マスク１２に刻んで前記第２マスク１２をワークピース
ステージ７の上に置いた構造からなることもできる。
０、１１は、図９に図示されるように、ワークピースス
テージ７には第１光検出部１０、第２光検出部１１のみ
を位置させ、第４マーク８、第５マーク９は別途の第２
マスク１２に刻んで前記第２マスク１２をワークピース
ステージ７の上に置いた構造からなることもできる。
【００１９】前記構成による本発明の実施の形態に基づ
く多機能光検出器の作用は次のとおりである。
く多機能光検出器の作用は次のとおりである。
【００２０】第１に、本発明の実施の形態に基づく多機
能光検出器を利用して入射光の強度を検出する動作は次
のとおりである。
能光検出器を利用して入射光の強度を検出する動作は次
のとおりである。
【００２１】先ず、マスクステージ１に置かれたマスク
２を除去し、ワークピースステージ７に置かれている第
１光検出部１０、第２光検出部１１のみを利用して従来
の方法のとおり露光光源からの入射光の強度を検出す
る。
２を除去し、ワークピースステージ７に置かれている第
１光検出部１０、第２光検出部１１のみを利用して従来
の方法のとおり露光光源からの入射光の強度を検出す
る。
【００２２】第２に、マスクステージ１とワークピース
ステージ７の動きの平行度を測定する動作は次のとおり
である。
ステージ７の動きの平行度を測定する動作は次のとおり
である。
【００２３】図５に図示されているように、先ずマスク
２に刻まれている第１マーク３とワークピースステージ
７にある第４マーク８を利用して両ステージ１、７の座
標値を定める。かかる座標値を定める方法は次のとおり
である。
２に刻まれている第１マーク３とワークピースステージ
７にある第４マーク８を利用して両ステージ１、７の座
標値を定める。かかる座標値を定める方法は次のとおり
である。
【００２４】第１マーク３、第４マーク８の間に投影レ
ンズ６が位置してマスク２に刻まれた第１マーク３をワ
ークピースステージ７の第４マーク８上に結像させ、整
列を行って両ステージの相対的な座標値を定める。
ンズ６が位置してマスク２に刻まれた第１マーク３をワ
ークピースステージ７の第４マーク８上に結像させ、整
列を行って両ステージの相対的な座標値を定める。
【００２５】マスクステージ１とワークピースステージ
７を任意の方向に移動させ、さらに整列を行って第１マ
ーク３、第４マーク８が重畳される程度に従う光強度変
化を第１光検出部１０から検出して、それぞれの相対的
な位置を決定することができる。
７を任意の方向に移動させ、さらに整列を行って第１マ
ーク３、第４マーク８が重畳される程度に従う光強度変
化を第１光検出部１０から検出して、それぞれの相対的
な位置を決定することができる。
【００２６】前記のような方法で定めたマスクステージ
１の座標値を（ｘ，ｙ）＝（０，０）とし、ワークピー
スステージ７の座標値を（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）とす
る。
１の座標値を（ｘ，ｙ）＝（０，０）とし、ワークピー
スステージ７の座標値を（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）とす
る。
【００２７】さらに両ステージ１、７を一定距離だけ移
動させて各ステージ１、７の相対的な座標値を得る。こ
の際マスクステージ１の座標値は（ｘ，ｙ）＝（ａ，
ｂ）であり、ワークピースステージ７の座標値は（Ｘ，
Ｙ）＝（Ａ，Ｂ）である。
動させて各ステージ１、７の相対的な座標値を得る。こ
の際マスクステージ１の座標値は（ｘ，ｙ）＝（ａ，
ｂ）であり、ワークピースステージ７の座標値は（Ｘ，
Ｙ）＝（Ａ，Ｂ）である。
【００２８】ｔａｎθ＝（Ａ−ａ）／Ｂ 前記式に置いてｔａｎθの値が０であれば両ステージ
１、７は平行であり、０以外の任意の値であれば両ステ
ージ１、７は平行でない状態にある。従って、両ステー
ジ１、７における平行位置からのずれ量をオフセット値
で与えると常に平行な運動が行える。
１、７は平行であり、０以外の任意の値であれば両ステ
ージ１、７は平行でない状態にある。従って、両ステー
ジ１、７における平行位置からのずれ量をオフセット値
で与えると常に平行な運動が行える。
【００２９】第３に、投影レンズ６の倍率変化を測定す
る方法は次のとおりである。
る方法は次のとおりである。
【００３０】図６に図示されているとおり、先ず前記マ
スクステージ１とワークピースステージ７の動きの平行
度を測定する方法でワークピースステージ７にある第４
マーク８をマスク２に刻まれた第１マーク３について整
列して相対的な位置座標を定める。
スクステージ１とワークピースステージ７の動きの平行
度を測定する方法でワークピースステージ７にある第４
マーク８をマスク２に刻まれた第１マーク３について整
列して相対的な位置座標を定める。
【００３１】次に、ワークピースステージ７を動かして
第４マーク８をマスク２の第２マーク４の下に移動させ
てさらに第２マーク４との相対的な座標値を定める。
第４マーク８をマスク２の第２マーク４の下に移動させ
てさらに第２マーク４との相対的な座標値を定める。
【００３２】前記両座標値が示すワークピースステージ
７が動いた距離とマスク２において両マーク３、４の間
の距離Ｒを比較して投影レンズの倍率変化を感知する。
７が動いた距離とマスク２において両マーク３、４の間
の距離Ｒを比較して投影レンズの倍率変化を感知する。
【００３３】第４に、投影レンズ６の焦点位置を決定す
る方法は次のとおりである。
る方法は次のとおりである。
【００３４】図７に図示されているとおり、ワークピー
スステージ７を投影レンズ６の焦点近所に置いて第３マ
ーク５を投影レンズ６を通じて第５マーク９上に結像さ
せる。この際ワークピースステージ７を右方向（Ｘ軸の
正方向）に走査させるとサインカーブ(sine curve)形態
の光強度変化が第２光検出部１１から得られる。
スステージ７を投影レンズ６の焦点近所に置いて第３マ
ーク５を投影レンズ６を通じて第５マーク９上に結像さ
せる。この際ワークピースステージ７を右方向（Ｘ軸の
正方向）に走査させるとサインカーブ(sine curve)形態
の光強度変化が第２光検出部１１から得られる。
【００３５】さらに、ワークピースステージを光軸Ｚ方
向に微小に移動させ左方向（Ｘ軸の負の方向）に走査さ
せる。この際には整列信号の線幅が変わる。かかる過程
を繰り返してこの中で整列信号の線幅の位置が一番小さ
い時のワークピースステージ７の位置が投影レンズ６の
焦点位置Ｐとなる。
向に微小に移動させ左方向（Ｘ軸の負の方向）に走査さ
せる。この際には整列信号の線幅が変わる。かかる過程
を繰り返してこの中で整列信号の線幅の位置が一番小さ
い時のワークピースステージ７の位置が投影レンズ６の
焦点位置Ｐとなる。
【００３６】前記多機能光検出器において、図８に示さ
れたワークピースステージ７と光検出部１０、１１の他
の構成の動作は同じであり、この場合にはワークピース
ステージ７の最大移動距離が大きくなければならない。
れたワークピースステージ７と光検出部１０、１１の他
の構成の動作は同じであり、この場合にはワークピース
ステージ７の最大移動距離が大きくなければならない。
【００３７】上記多機能光検出器において、図９に図示
した前記ワークピースステージ７と光検出部１０、１１
のまた他の構成の動作は同じであり、この場合にはマス
クステージ１にマスク２を乗せながら同時にワークピー
スステージ７に第２マスク１２を乗せなければならな
い。
した前記ワークピースステージ７と光検出部１０、１１
のまた他の構成の動作は同じであり、この場合にはマス
クステージ１にマスク２を乗せながら同時にワークピー
スステージ７に第２マスク１２を乗せなければならな
い。
【００３８】また、第２マスク１２に刻まれた第４マー
ク８、第５マーク９が正確にワークピースステージ７の
第１光検出部１０、第２光検出部１１上に置かなければ
ならない。
ク８、第５マーク９が正確にワークピースステージ７の
第１光検出部１０、第２光検出部１１上に置かなければ
ならない。
【００３９】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、単一の光
検出器をもって露光光源の光均一度、投影レンズの倍率
変化感知、両ステージの動きにおける平行度検出及び投
影レンズの焦点位置を自動的に検出できる多機能光検出
器が提供される。
検出器をもって露光光源の光均一度、投影レンズの倍率
変化感知、両ステージの動きにおける平行度検出及び投
影レンズの焦点位置を自動的に検出できる多機能光検出
器が提供される。
【図１】従来の光検出器の作用系の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器の
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器の
光検出部の説明図である。
光検出部の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器の
マスク説明図である。
マスク説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出部に
おいて両ステージの動きの平行度を測定する方法の説明
図である。
おいて両ステージの動きの平行度を測定する方法の説明
図である。
【図６】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器に
おいて投影レンズの倍率変化を測定する方法を示した説
明図である。
おいて投影レンズの倍率変化を測定する方法を示した説
明図である。
【図７】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器に
おいて投影レンズの焦点位置を決定する方法を示した説
明図である。
おいて投影レンズの焦点位置を決定する方法を示した説
明図である。
【図８】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器か
ら光検出器の他の構成の構成図である。
ら光検出器の他の構成の構成図である。
【図９】本発明の実施の形態に基づく多機能光検出器か
ら光検出器のまた他の構成を示した構成図である。
ら光検出器のまた他の構成を示した構成図である。
１…マスクステージ ２…マスクステージに置かれたマスク ３…第１マーク ４…第２マーク ５…第３マーク ６…投影レンズ ７…ワークピースステージ ８…第４マーク ９…第５マーク １０…第１光検出部 １１…第２光検出部 １２…第２マスク
Claims (9)
- 【請求項１】 露出光源からの光が入射するマスクステ
ージと、 入射光を受けて結像を行うための投影レンズと、 前記投影レンズからの像が結像されるワークピースステ
ージと、 前記マスクステージの上に置かれて、前記各ステージの
動きの平行度を検出するための第１マークと、 前記第１マークと共に動作して投影レンズの倍率変化を
測定するための第２マークと、 前記投影レンズの焦点位置を決定するための第３マーク
がそれぞれ刻まれたマスクと、 前記第１マーク、第２マークとの動作を補助する第４マ
ークが刻まれており、 前記ワークピースステージの上に置かれて入射光を検出
するための第１光検出部と、 前記第３マークの動作を補助する第５マークが刻まれて
おり、 前記ワークピースステージの上に置かれて入射光を検出
する第２光検出部と、を有することを特徴とする多機能
光検出器。 - 【請求項２】 前記ワークピースステージとワークピー
スステージの縁に第１光検出部と第２光検出部とを位置
させた構造からなることを特徴とする請求項１記載の多
機能光検出器。 - 【請求項３】 前記ワークピースステージには第１光検
出部、第２光検出部のみを位置させ、第４マーク、第５
マークは別途の第２マスクに刻んで、前記第２マスクを
前記ワークピースステージの上に置いた構造からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の多機能光検出器。 - 【請求項４】 前記マスクは第１マーク、第２マーク、
第３マークが刻まれており、両ステージの動きの平行度
を検出し、投影レンズの倍率変化を測定し、投影レンズ
の焦点位置を決定する役割を果たすことを特徴とする請
求項１記載の多機能光検出器。 - 【請求項５】 前記第１光検出部、第２光検出部の上に
置かれた第４マーク、第５マークの代わりに第４マー
ク、第５マークが刻まれた別途の第２マスクを用いるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の多機能光検出
器。 - 【請求項６】 前記第１光検出部、第２光検出部の位置
をワークピースステージの中心に置いてワークピースス
テージの最大移動距離を減らすことを特徴とする請求項
１記載の多機能光検出器。 - 【請求項７】 倍率補正、ステージの動きの平行度測定
と投影レンズの焦点位置を決定するのにそれぞれ他の独
立の第１マーク、第２マーク、第３マークを用いること
を特徴とする請求項１記載の多機能光検出器。 - 【請求項８】 前記第１マーク、第２マークは投影レン
ズの焦点位置を決定するためスリット構造を有するマー
クと光検出器を用いることを特徴とする請求項１記載の
多機能光検出器。 - 【請求項９】 前記マークと光検出器はステージの動き
の平行度を検出し、投影レンズの倍率変化を測定するた
め非周期的な配列のスリット構造を有するマークと光検
出器を用いることを特徴とする請求項１記載の多機能光
検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1994-20932 | 1994-08-24 | ||
| KR1019940020932A KR0137918B1 (ko) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 다수의 기능을 가진 광검출기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888171A true JPH0888171A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=19391038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7214918A Pending JPH0888171A (ja) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | 多機能光検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5565989A (ja) |
| JP (1) | JPH0888171A (ja) |
| KR (1) | KR0137918B1 (ja) |
| CN (1) | CN1143201A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510454B1 (ko) * | 1998-02-10 | 2005-10-24 | 삼성전자주식회사 | 스텝퍼의 패턴 이미지 보정장치 및 이를 이용한 패턴 이미지 보정 방법 |
| CN102043343B (zh) * | 2009-10-23 | 2012-05-30 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 测量曝光机聚焦点的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3318980C2 (de) * | 1982-07-09 | 1986-09-18 | Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken |
-
1994
- 1994-08-24 KR KR1019940020932A patent/KR0137918B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-08-21 US US08/517,416 patent/US5565989A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-22 CN CN95116223A patent/CN1143201A/zh active Pending
- 1995-08-23 JP JP7214918A patent/JPH0888171A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5565989A (en) | 1996-10-15 |
| KR960009243A (ko) | 1996-03-22 |
| CN1143201A (zh) | 1997-02-19 |
| KR0137918B1 (ko) | 1998-06-01 |
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Legal Events
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|
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