JPH0458250A - オートフォーカス方法 - Google Patents
オートフォーカス方法Info
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- JPH0458250A JPH0458250A JP2168573A JP16857390A JPH0458250A JP H0458250 A JPH0458250 A JP H0458250A JP 2168573 A JP2168573 A JP 2168573A JP 16857390 A JP16857390 A JP 16857390A JP H0458250 A JPH0458250 A JP H0458250A
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- Japan
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- best focus
- focus position
- autofocus
- correction
- automatic focusing
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- Pending
Links
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- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、LSI造工程中で使用される投影露光装置に
おけるオートフォーカス方法に関するものである。
おけるオートフォーカス方法に関するものである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第5図は、かかる従来の投影露光装置におけるオートフ
ォーカス方式の一例を示す図である。
ォーカス方式の一例を示す図である。
この図に示すように、x−Yステージ3上にあるウェハ
チャック8によってウェハ7が固定され、そのウェハ7
に対し、斜めの方向から、オートフォーカス光発光部4
より発光されたオートフォーカス光6が入射し、ウェハ
7面上で反射されたオートフォーカス光6がオートフォ
ーカス光受光部5に照射される方式となっている。
チャック8によってウェハ7が固定され、そのウェハ7
に対し、斜めの方向から、オートフォーカス光発光部4
より発光されたオートフォーカス光6が入射し、ウェハ
7面上で反射されたオートフォーカス光6がオートフォ
ーカス光受光部5に照射される方式となっている。
ここでフォーカシング動作は、ウェハチャック8によっ
てウェハ7を上下動させると、オートフォーカス受光部
5に照射されるオートフォーカス光6の量が変化するこ
とを利用して行われ、オートフォーカス受光部5に照射
されるオートフォーカス光6が最大となるウェハ7の位
置をベストフォーカスと決める方式である。
てウェハ7を上下動させると、オートフォーカス受光部
5に照射されるオートフォーカス光6の量が変化するこ
とを利用して行われ、オートフォーカス受光部5に照射
されるオートフォーカス光6が最大となるウェハ7の位
置をベストフォーカスと決める方式である。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、以上述べた従来の方式では、オートフォーカス
系と露光光学系が独立に存在するため、オートフォーカ
スの再現性は良いが、レチクル1及び投影レンズ2を透
過した露光光9によって結像されるレチクル像1のベス
トフォーカス位置、つまり、露光光学系のベストフォー
カス位置と、オートフォーカス系のベストフォーカス位
置のずれが生じ、解像力低下などが発生する。また、そ
のずれ量を補正するため、定期的にずれ量を測定する必
要がある。このずれ量の測定は人手によって行われるた
め、装置の稼働時間の低下及び補正ミス等が発生する。
系と露光光学系が独立に存在するため、オートフォーカ
スの再現性は良いが、レチクル1及び投影レンズ2を透
過した露光光9によって結像されるレチクル像1のベス
トフォーカス位置、つまり、露光光学系のベストフォー
カス位置と、オートフォーカス系のベストフォーカス位
置のずれが生じ、解像力低下などが発生する。また、そ
のずれ量を補正するため、定期的にずれ量を測定する必
要がある。このずれ量の測定は人手によって行われるた
め、装置の稼働時間の低下及び補正ミス等が発生する。
本発明は、以上述べたオートフォーカス系と露光光学系
のフォーカス位置ずれによる解像力低下及び、ずれ量補
正作業による装置稼働時間低下の問題を除去するため、
オートフォーカス系と露光光学系のフォーカス位置ずれ
量検出機構を設け、ずれ量の自動補正が可能なオートフ
ォーカス方法を提供することを目的とする。
のフォーカス位置ずれによる解像力低下及び、ずれ量補
正作業による装置稼働時間低下の問題を除去するため、
オートフォーカス系と露光光学系のフォーカス位置ずれ
量検出機構を設け、ずれ量の自動補正が可能なオートフ
ォーカス方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記目的を達成するために、投影露光装置に
おけるオートフォーカス方法において、レチクルマスク
上にスリット状補正用パターンをセットし、X−Yステ
ージ上にレチクルマスク上のスリット状補正用パターン
による投影パターンと同等の形状・寸法のマスクパター
ンをセットし、該マスクパターンに近接して受光機をセ
ラ)・し、前記マスクパターン及び前記受光機を投影光
軸方向に移動させて、露光光学系のベストフォーカス位
置を求め、発光機と受光機をセットし、オートフォーカ
ス系のベストフォーカスが得られるX・Yステージの位
置を求め、前記露光光学系のベストフォーカス位置と、
前記オートフォーカス系のベストフォーカス位置との比
較を行うようにしたものである。
おけるオートフォーカス方法において、レチクルマスク
上にスリット状補正用パターンをセットし、X−Yステ
ージ上にレチクルマスク上のスリット状補正用パターン
による投影パターンと同等の形状・寸法のマスクパター
ンをセットし、該マスクパターンに近接して受光機をセ
ラ)・し、前記マスクパターン及び前記受光機を投影光
軸方向に移動させて、露光光学系のベストフォーカス位
置を求め、発光機と受光機をセットし、オートフォーカ
ス系のベストフォーカスが得られるX・Yステージの位
置を求め、前記露光光学系のベストフォーカス位置と、
前記オートフォーカス系のベストフォーカス位置との比
較を行うようにしたものである。
また、前記露光光学系のベストフォーカス位置に一致す
るようにオートフォーカス系のベストフォーカス位置が
得られるように補正するようにしたものである。
るようにオートフォーカス系のベストフォーカス位置が
得られるように補正するようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、上記のように、露光光学系のベストフ
ォーカス位置を求め、発光機と受光機をセットし、オー
トフォーカス系のベストフォーカスが得られるx−Yス
テージの位置を求め、前記露光光学系のベストフォーカ
ス位置と、前記オートフォーカス系のベストフォーカス
位置との比較を行って、両者の差を求めることができる
。
ォーカス位置を求め、発光機と受光機をセットし、オー
トフォーカス系のベストフォーカスが得られるx−Yス
テージの位置を求め、前記露光光学系のベストフォーカ
ス位置と、前記オートフォーカス系のベストフォーカス
位置との比較を行って、両者の差を求めることができる
。
更に、前記露光光学系のベストフォーカス位置と、前記
オートフォーカス系のベストフォーカス位置との差に基
づいて、前記露光光学系のベストフォーカス位置に一致
するようにオートフォーカス系のベストフォーカス位置
を補正する。
オートフォーカス系のベストフォーカス位置との差に基
づいて、前記露光光学系のベストフォーカス位置に一致
するようにオートフォーカス系のベストフォーカス位置
を補正する。
従って、露光光学系のベストフォーカス位置とオートフ
ォーカス系のベストフォーカス位置のずれを自動的に補
正することができるので、解像力低下を防止することが
できると共に、補正ミスの防止、装置稼働時間の向上を
図ることができる。
ォーカス系のベストフォーカス位置のずれを自動的に補
正することができるので、解像力低下を防止することが
できると共に、補正ミスの防止、装置稼働時間の向上を
図ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示すオートフォーカス方法の
説明図である。
説明図である。
この図において、11はレチクルマスク、12は投影レ
ンズ、13はX−Yステージ、14はオートフォーカス
光発光部、15はオートフォーカス光受光部、16はオ
ートフォーカス光、17は補正用パターン(レチクル側
)であり、通常マスクと同様にクロムマスクでよい、
1Bは補正用受光部であり、補正用パターン17の投影
形状に合わせて形成する。投影倍率が115なら、11
5に形成する。この補正用パターン17は、石英ガラス
上にクロムのパターンを形成して得られる。19は露光
光、17aは補正用パターンスリット幅(レチクル側)
であり、実際の配線の最小パターン幅と同一であること
が好ましいが、それよりやや大きめでもよい、また、パ
ターンが縦方向と横方向の両方向に形成されているのは
、レンズ収差(縦と横とで若干フォーカスが異なる)に
よるバランスをとるためである。
ンズ、13はX−Yステージ、14はオートフォーカス
光発光部、15はオートフォーカス光受光部、16はオ
ートフォーカス光、17は補正用パターン(レチクル側
)であり、通常マスクと同様にクロムマスクでよい、
1Bは補正用受光部であり、補正用パターン17の投影
形状に合わせて形成する。投影倍率が115なら、11
5に形成する。この補正用パターン17は、石英ガラス
上にクロムのパターンを形成して得られる。19は露光
光、17aは補正用パターンスリット幅(レチクル側)
であり、実際の配線の最小パターン幅と同一であること
が好ましいが、それよりやや大きめでもよい、また、パ
ターンが縦方向と横方向の両方向に形成されているのは
、レンズ収差(縦と横とで若干フォーカスが異なる)に
よるバランスをとるためである。
18aは補正用パターンスリット幅(ステージ側)であ
る、なお、ウェハ(図示なし)は補正用受光部18を覆
わない(外した)位置にセットされる。
る、なお、ウェハ(図示なし)は補正用受光部18を覆
わない(外した)位置にセットされる。
この図に示すように、オートフォーカス機構のベストフ
ォーカス位置ずれ補正方法として、レチクルマスクll
上に作成したスリット形状の補正用パターン17に露光
光19を照射し、投影レンズ12によって、X−Yステ
ージ13上に作成した補正用受光部18上に結像させる
機構を付加する。X−Yステージ13上の補正用受光部
18のスリット幅18aは、レチクル側補正パターン1
7のスリット幅17aを投影した寸法程度とする。
ォーカス位置ずれ補正方法として、レチクルマスクll
上に作成したスリット形状の補正用パターン17に露光
光19を照射し、投影レンズ12によって、X−Yステ
ージ13上に作成した補正用受光部18上に結像させる
機構を付加する。X−Yステージ13上の補正用受光部
18のスリット幅18aは、レチクル側補正パターン1
7のスリット幅17aを投影した寸法程度とする。
第2図はX−Yステージ上の補正用受光部の詳細な構成
図である。
図である。
この図に示すように、補正用受光部18は、補正用受光
部マスク18b、補正用受光機18c、補正用受光部上
下駆動部20より構成されている。ここで、補正用受光
機18cとしては、例えばCCDを用いる。当然補正用
受光機18cはウェハで覆われない(外れた)位置にセ
ットされる。レチクル上の補正用パターン17の補正用
受光部マスク18b上への投影像は、第3図(a)、第
3図(c)に示すように、受光部の位置を補正用受光部
上下駆動部20によって、上下に移動させることによっ
て変化する。この投影像は、補正用受光機18c上では
補正用受光部マスク18bのスリットによって、第3図
(b)、第3図(d)に示すようになる。このような投
影像を補正用受光1118cによって積分処理すること
によって、補正用受光部18の上下位置と、投影像のイ
ンテンシテイの関係が第3図(e)に示すように上に凸
な曲線として求まる。そして、このインテンシテイの最
も高くなる位置aがベストフォーカス位置となる。
部マスク18b、補正用受光機18c、補正用受光部上
下駆動部20より構成されている。ここで、補正用受光
機18cとしては、例えばCCDを用いる。当然補正用
受光機18cはウェハで覆われない(外れた)位置にセ
ットされる。レチクル上の補正用パターン17の補正用
受光部マスク18b上への投影像は、第3図(a)、第
3図(c)に示すように、受光部の位置を補正用受光部
上下駆動部20によって、上下に移動させることによっ
て変化する。この投影像は、補正用受光機18c上では
補正用受光部マスク18bのスリットによって、第3図
(b)、第3図(d)に示すようになる。このような投
影像を補正用受光1118cによって積分処理すること
によって、補正用受光部18の上下位置と、投影像のイ
ンテンシテイの関係が第3図(e)に示すように上に凸
な曲線として求まる。そして、このインテンシテイの最
も高くなる位置aがベストフォーカス位置となる。
この時、オートフォーカス光発光部14よりオートフォ
ーカス光16を補正用受光部マスク18bへ照射し、反
射光をオートフォーカス光受光部15で検出することに
より、第4図に示すように、補正用受光部18の上下位
置とインテンシテイの関係が同様に上に凸な曲線として
求まる。ここで、補正用受光部18の位置すがベストフ
ォーカス位置となる。
ーカス光16を補正用受光部マスク18bへ照射し、反
射光をオートフォーカス光受光部15で検出することに
より、第4図に示すように、補正用受光部18の上下位
置とインテンシテイの関係が同様に上に凸な曲線として
求まる。ここで、補正用受光部18の位置すがベストフ
ォーカス位置となる。
これらのベストフォーカス位置aとbはそれぞれコント
ローラ21のメモリに記憶する。
ローラ21のメモリに記憶する。
そこで、上記補正用パターンによるインテンシテイ曲線
より求めたベストフォーカス位置aと、オートフォーカ
ス光によるインテンシテイ曲線より求められるベストフ
ォーカス位置すをコントローラ21において、比較する
ことによって、オートフォーカス機構のベストフォーカ
ス位置ずれ量を検出することができる。
より求めたベストフォーカス位置aと、オートフォーカ
ス光によるインテンシテイ曲線より求められるベストフ
ォーカス位置すをコントローラ21において、比較する
ことによって、オートフォーカス機構のベストフォーカ
ス位置ずれ量を検出することができる。
次に、この両者の位置ずれ量を一致させる場合には、以
下のような方法を用いることができる。
下のような方法を用いることができる。
(1)コントローラ21におけるソフト処理による補正
オートフォーカス光の受光インテンシテイ特性(第4図
参照)を微分処理すると、第6図に示すような受光イン
テンシテイ変化率特性が得られる。
参照)を微分処理すると、第6図に示すような受光イン
テンシテイ変化率特性が得られる。
ここで、オートフォーカス系のベストフォーカス位置決
めを、インテンシテイ最大の位置でなく、インテンシテ
イ変化率の予め決められた値へ追い込む方法をとるよう
にする。
めを、インテンシテイ最大の位置でなく、インテンシテ
イ変化率の予め決められた値へ追い込む方法をとるよう
にする。
更に、現在までのオートフォーカス系のベストフォーカ
ス位置すでのインテンシテイ変化率x1を露光光学系の
ベストフォーカス位置aでのインテンシテイ変化率X、
へ置き換え、以降このインテンシテイ変化率X、を目標
にオートフォーカス系のベストフォーカスの位置を検出
するようにする。
ス位置すでのインテンシテイ変化率x1を露光光学系の
ベストフォーカス位置aでのインテンシテイ変化率X、
へ置き換え、以降このインテンシテイ変化率X、を目標
にオートフォーカス系のベストフォーカスの位置を検出
するようにする。
(2)オートフォーカス光受光部15の位置を移動させ
て、露光光学系のベストフォーカス位置aにおいて、オ
ートフォーカス系のベストフォーカス位置すがaになる
位置にオートフォーカス光受光部15を設定する。
て、露光光学系のベストフォーカス位置aにおいて、オ
ートフォーカス系のベストフォーカス位置すがaになる
位置にオートフォーカス光受光部15を設定する。
また、上記実施例においては、斜入射型検出方式による
オートフォーカス機構について説明したが、エアマイク
ロ方式に対しても通用可能である。
オートフォーカス機構について説明したが、エアマイク
ロ方式に対しても通用可能である。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、露光光
学系のベストフォーカス位置とオートフォーカス系のベ
ストフォーカス位置のずれを検出することができる。
学系のベストフォーカス位置とオートフォーカス系のベ
ストフォーカス位置のずれを検出することができる。
また、その両者の位置のずれ量に基づき、オートフォー
カス系のベストフォーカス位置を自動的に補正すること
ができるので、解像力低下を防止することができると共
に、補正ミスの防止、装置稼働時間の向上を図ることが
できる。
カス系のベストフォーカス位置を自動的に補正すること
ができるので、解像力低下を防止することができると共
に、補正ミスの防止、装置稼働時間の向上を図ることが
できる。
第1図は本発明の実施例を示すオートフォーカス方法の
説明図、第2図はX−Yステージ上の補正用受光部の詳
細な構成図、第3図は補正パターン投影像のインテンシ
テイ特性図、第4図はオートフォーカス光受光インテン
シテイ特性図、第5図は従来の投影露光装置のオートフ
ォーカス方法の説明図、第6図はオートフォーカス光受
光インテンシテイ変化率特性図である。 11・・・レチクルマスク、12・・・投影レンズ、1
3・・・X−Yステージ、14・・・オートフォーカス
光発光部、15・・・オートフォーカス光受光部、16
・・・オートフォーカス光、17・・・補正用パターン
(レチクル側)、L7a・・・補正用パターンスリット
幅(レチクル側)、18・・・補正用受光部、18a・
・・補正用パターンスリット幅(ステージ側)、18b
・・・補正用受光部マスク、18c・・・補正用受光機
、19・・・露光光、20・・・補正用受光部上下駆動
部、21・・・コントローラ。 特許出願人 宮崎沖電気株式会社(外1名)代理人 弁
理士 清 水 守(外1名)本発明0莢橢dり1も
示すオートフォー刀スオ法。書1明図第1図 ×Yステージ上の補正用◆L@市斜番田な構威因第2図 り 争(象のオート7オーカ又方法のt巨呵図第5図 受光#4力屋 材−トフォーηス」(艶尤4ンテ、シ〉う・イ噌[4ヒ
沸−り1性図a” Q fig月
説明図、第2図はX−Yステージ上の補正用受光部の詳
細な構成図、第3図は補正パターン投影像のインテンシ
テイ特性図、第4図はオートフォーカス光受光インテン
シテイ特性図、第5図は従来の投影露光装置のオートフ
ォーカス方法の説明図、第6図はオートフォーカス光受
光インテンシテイ変化率特性図である。 11・・・レチクルマスク、12・・・投影レンズ、1
3・・・X−Yステージ、14・・・オートフォーカス
光発光部、15・・・オートフォーカス光受光部、16
・・・オートフォーカス光、17・・・補正用パターン
(レチクル側)、L7a・・・補正用パターンスリット
幅(レチクル側)、18・・・補正用受光部、18a・
・・補正用パターンスリット幅(ステージ側)、18b
・・・補正用受光部マスク、18c・・・補正用受光機
、19・・・露光光、20・・・補正用受光部上下駆動
部、21・・・コントローラ。 特許出願人 宮崎沖電気株式会社(外1名)代理人 弁
理士 清 水 守(外1名)本発明0莢橢dり1も
示すオートフォー刀スオ法。書1明図第1図 ×Yステージ上の補正用◆L@市斜番田な構威因第2図 り 争(象のオート7オーカ又方法のt巨呵図第5図 受光#4力屋 材−トフォーηス」(艶尤4ンテ、シ〉う・イ噌[4ヒ
沸−り1性図a” Q fig月
Claims (2)
- (1)投影露光装置におけるオートフォーカス方法にお
いて、 (a)レチクルマスク上にスリット状補正用パターンを
セットし、 (b)X・Yステージ上にレチクルマスク上のスリット
状補正用パターンによる投影パターンと同等の形状・寸
法のマスクパターンをセットし、(c)該マスクパター
ンに近接して受光機をセットし、 (d)前記マスクパターン及び前記受光機を投影光軸方
向に移動させて、露光光学系のベストフォーカス位置を
求め、 (e)発光機と受光機をセットし、オートフォーカス系
のベストフォーカスが得られるX・Yステージの位置を
求め、 (f)前記露光光学系のベストフォーカス位置と、前記
オートフォーカス系のベストフォーカス位置との比較を
行うことを特徴とするオートフォーカス方法。 - (2)投影露光装置におけるオートフォーカス方法にお
いて、 (a)レチクルマスク上にスリット状補正用パターンを
セットし、 (b)X・Yステージ上にレチクルマスク上のスリット
状補正用パターンによる投影パターンと同等の形状・寸
法のマスクパターンをセットし、(c)該マスクパター
ンに近接して受光機をセットし、 (d)前記マスクパターン及び前記受光機を投影光軸方
向に移動させて、露光光学系のベストフォーカス位置を
求め、 (e)発光機と受光機をセットし、オートフォーカス系
のベストフォーカスが得られるX・Yステージの位置を
求め、 (f)前記露光光学系のベストフォーカス位置と、前記
オートフォーカス系のベストフォーカス位置との比較を
行い、 (g)前記露光光学系のベストフォーカス位置に一致す
るようにオートフォーカス系のベストフォーカス位置が
得られるように補正することを特徴とするオートフォー
カス方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2168573A JPH0458250A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | オートフォーカス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2168573A JPH0458250A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | オートフォーカス方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0458250A true JPH0458250A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15870551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2168573A Pending JPH0458250A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | オートフォーカス方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0458250A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5437948A (en) * | 1992-07-10 | 1995-08-01 | France Telecom | Process for adjusting a photolithographic exposure machine and associated device |
US8748198B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-06-10 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2168573A patent/JPH0458250A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5437948A (en) * | 1992-07-10 | 1995-08-01 | France Telecom | Process for adjusting a photolithographic exposure machine and associated device |
US8748198B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-06-10 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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