JPH0883820A

JPH0883820A - 半導体集積回路用フィルムキャリヤ

Info

Publication number: JPH0883820A
Application number: JP21624394A
Authority: JP
Inventors: Hirosaku Nagasawa; 啓作長沢
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1994-09-09
Filing date: 1994-09-09
Publication date: 1996-03-26

Abstract

(57)【要約】【目的】ＬＳＩとのインナーリードボンディングにお
ける接続不良率を改善し、ファインピッチ化が可能な半
導体実装用フィルムキャリヤを提供する。【構成】ＬＳＩと接続するためのインナーリードの一
部がインナーリード間にわたって、熱膨張係数が−５×
１０^-6以上、１０×１０^-6以下であり、２５０℃での熱
収縮率が０．５％以下である可撓性フィルムにより連結
されていることを特徴とする半導体集積回路用フィルム
キャリヤ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路（以下、
ＬＳＩと称する）用フィルムキャリヤに関するものであ
り、更に詳しくはフィルムキャリヤの信号入力端子（以
下インナーリードと称する）と、ＬＳＩとを接続するイ
ンナーリードボンディングに際して、接続不良率を低下
できる半導体集積回路用フィルムキャリヤに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣの実装方法の一つであるフィルムキ
ャリヤ法は、特公昭４７−３２０６号公報、日刊工業新
聞社発行「電子技術」第１６巻第１１号９３〜９７
（１９７４）、日経マグロウヒル発行「日経エレクトロ
ニクス」１９７４年８月１２日号１２１〜１３６頁、
日経マグロウヒル発行「日経エレクトロニクス」１９７
１年６月６日号６０〜６７頁等にその基本技術が示さ
れており、これらは例えばＭｉｎｉ−Ｍｏｄ方式（米国
ゼネラルエレクトリック社の商標）、チップキャリヤ方
式、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方
式などと呼ばれており、これらの方式により、生産性の
向上、製造費の削減などを図ることができる。

【０００３】従来のフィルムキャリヤとしては、基板の
素材としてポリイミドフィルム、ポリエステルフィル
ム、エポキシ樹脂含浸ガラスシートなどを用い、これら
の長尺シートに銅箔を接着し、パターンエッチングした
ものが一般的に用いられている。フィルムキャリヤは、
ＬＣＤのドライバーＩＣの実装用、多ピンＬＳＩチップ
であるゲートアレイのＴＡＢパッケージ、サーマルヘッ
ド等、多ピン、薄型の用途で広く使われている。

【０００４】近年ＬＳＩの集積度が益々高密度化し、Ｔ
ＡＢにおいてもインナーリードおよびアウターリードの
ピン数を増加し、リード間の距離（ピッチ）を益々短縮
することが要求されている。これらの要求に対し、リー
ド自体の幅を狭くすることが必要であり、また、エッチ
ングによるリード形成上の理由で、用いられる銅箔も薄
いものを用いる必要がある。従って、ＬＳＩとの接続の
ために絶縁基板から銅箔が単独で細い回線として突き出
して成形されているインナーリードにおいては、リード
の剛性が低くなり、ＴＡＢ製造工程や、インナーリード
ボンディング工程において、リードの変形が生じ易く、
接続の不良率が高いことが問題になっている。

【０００５】リードの変形を防止する手段として、リー
ド部分を基板フイルムから単独で突き出させるのではな
く、フィルム上に積層された状態とし、且つ基板フィル
ムとして低熱膨張率のものを、また金属箔として基板フ
ィルムと同等の低熱膨張率金属を選ぶ提案が、特開平６
−９７２３５号にてなされているが、低熱膨張率の合金
はいずれも銅よりも電気伝導度が劣り、回路のインピー
ダンス他の問題で全ての用途に用いることはできない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＴＡ
Ｂ製造工程やＬＳＩとのインナーリードボンディング工
程においてインナーリードの変形が生じにくく、インナ
ーリードボンディングの接続不良率が改良でき、ファイ
ンピッチ化が可能な半導体実装用フィルムキャリヤを提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、可撓性
のフィルムを絶縁基板とし、そのフィルムの片面または
両面に銅箔よりなる配線パターンが形成されてなる半導
体集積回路用フィルムキャリヤであって半導体集積回路
と接続するためのインナーリードの一部がインナーリー
ド間にわたって、熱膨張係数が−５×１０^-6以上、１０
×１０^-6以下であり、２５０℃での熱収縮率が０．５％
以下である可撓性フィルムにより連結されていることを
特徴とする半導体集積回路用フィルムキャリヤによって
達成される。

【０００８】本発明の構成を図に従って説明する。図１
はフィルムキャリヤの一般的な概略の構成を示すもので
ある。絶縁基板フィルム１の上に、銅箔などの金属によ
る配線２が設けられており、配線には、インナーリード
３、アウターリード４、テストパッド５などの部分が設
けられている。絶縁基板フィルムにはスプロケットホー
ル６、デバイスホール７、アウターリードホール８など
が設けられている。

【０００９】図２は本発明のフィルムキャリヤの一部を
示すものであり、図３はその断面を示すものである。図
２において、１は絶縁基板のフィルムであり、そのフィ
ルム上に、図３の１０ａの接着剤層により張り合わされ
た実質的に銅箔よりなる配線２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ他
が形成されている。配線の先端は絶縁基板１の端から、
デバイスホールに向かって延長して形成されており、半
導体との接続に用いられるインナーリード３ａ、３ｂ、
３ｃ、３ｄ他を形成している。各インナーリードの先端
は本発明の特徴とする可撓性フィルム（以下連結フィル
ムと称する）９により、図３の１０ｂの接着剤層で接着
されて連結されている。

【００１０】本発明を実施する上で絶縁基板は、特に限
定されるものではなく、従来用いられているポリイミド
やパラ配向性芳香族ポリアミド等の耐熱性フィルム、ポ
リエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート
等のポリエステルフィルム等が用いられてよく、また、
ガラス繊維織物にエポキシ樹脂を含浸したシートも同様
に用いることができる。本発明を工業的に実施する観点
からは、絶縁基板と連結フィルムを同一のものに選び、
フィルムキャリヤ製造時に同時に連結フィルム部分も形
成することは好ましい実施態様である。

【００１１】配線を形成する銅箔についても、従来から
用いられる銅または銅を主体とする合金が用いられてよ
い。その厚みについても、配線の密度他の設計上から任
意に選択されてよい。図２において連結フィルムは、イ
ンナーリードの先端においてインナーリード間を連結し
ているが、連結する場所が図４の如く、インナーリード
３の中間部分であってもよい。また、連結フィルム９
は、図３の様にインナーリード３の絶縁基板１と同じ側
であっても、図４の如く絶縁基板１の反対側であっても
よい。

【００１２】またこれらの例において、連結フイルムの
一端または両端が、図５の如くデバイスホール縁まで延
長されて絶縁基板フィルムに連結されていることも、イ
ンナーリードの変形が生じにくくなる点で好ましい実施
態様である。本発明を実施する上で、連結フィルムはイ
ンナーリードの全体にわたって設けられることは避けら
れるべきである。インナーリードの全体がフィルムで接
続されている場合は、フィルムと銅箔との熱膨張係数の
差により、インナーリードボンディング他の加熱に際
し、リードに反りが生じる問題がある他、封止樹脂を片
面より供給してＬＳＩを樹脂で封止するに際しても、樹
脂が十分ＬＳＩの全周にわたって流れず、完全な封止効
果が得られないためである。この観点から、基板フィル
ムのデバイスホール縁と本発明の連結フィルムとは、少
なくとも０．３ｍｍ以上の間隔をもって設けられること
が好ましい。

【００１３】インナーリードがＬＳＩの入出力端子と接
続される部分には、接続のためのバンプが転写法などに
より設置されてもよい。インナーリード上でＬＳＩとの
接続点は、本発明の連結フィルムよりも先端部であって
も、絶縁基板フィルム側であってもよく、インナーリー
ドボンディング上支障がなければ連結フィルムが接続さ
れている部分であってもよい。

【００１４】本発明の実施態様の一つとして、インナー
リードの先端部を互いに連結するフィルムが、ＬＳＩ部
分まで延長されていたり、ＬＳＩのためのデバイスホー
ル部分を設けず、デバイスホール相当部分のフィルムの
周辺部でインナーリード先端を互いに連結することも可
能である。即ち、本発明のフィルムにおいては、その熱
膨張係数がＬＳＩの熱膨張係数に近いため、ボンディン
グに先立つてＬＳＩ部分のフィルムにＬＳＩを固定した
り、インナーリードボンディング後封止樹脂にてフィル
ムとＬＳＩを固定する際に、それらの工程で受ける加
熱、冷却時の寸法のずれが少ない利点があり、特にイン
ナーリードボンディングに先立ってＬＳＩをフィルムに
固定できることは、ボンディング操作を容易にする上で
有益である。

【００１５】本発明を実施する上で、連結フィルムは熱
膨張係数が−５×１０^-6以上、１０×１０^-6以下、更に
好ましくは−２×１０^-6以上、６×１０^-6以下であり、
２５０℃での熱収縮率が０．５％以下、更に好ましくは
０．２％以下であることが必要である。熱膨張係数が上
記範囲にないフィルムを用いた場合には、インナーリー
ドボンディング時の加熱により、連結フィルムの熱膨張
によりリードの変形や確実なＬＳＩとの接続が望めない
おそれがある。

【００１６】本発明の連結フィルムの他の機械的特性は
特に制限されるものではないが、フィルムキャリヤ製造
工程や、ＩＣ実装などの作業時のフィルムの破損やイン
ナーリードの変形や破損を防止する上で、連結フィルム
の強度や弾性率が高いことが望ましい。用いられる連結
フィルムの強度は好ましくは２５ｋｇ／ｍｍ²以上、更
に好ましくは３０ｋｇ／ｍｍ²以上であり、弾性率は好
ましくは６００ｋｇ／ｍｍ²以上、更に好ましくは８０
０ｋｇ／ｍｍ²以上である。

【００１７】連結フィルムの厚みも特に制限されるもの
ではないが、通常絶縁基板フィルムの厚さの２倍以下、
具体的には２５０μｍ以下に選ばれる。またあまりに薄
いフィルムではインナーリードを固定する効果が失われ
るおそれがあり、用いられるフィルムの機械的特性によ
っても異なるが、通常１２ミクロン以上に選ばれる。こ
れらの特性を満足するフィルムとしては、芳香族ポリア
ミド（アラミド）樹脂やポリイミド樹脂よりなるフィル
ムの一部の物が使用可能である。

【００１８】本発明に用いられるアラミド樹脂として
は、次の構成単位からなる群より選択された単位より実
質的に構成される。 −ＮＨ−Ａｒ₁−ＮＨ− （１） −ＣＯ−Ａｒ₂−ＣＯ− （２） −ＮＨ−Ａｒ₃−ＣＯ− （３）ここでＡｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は少なくとも１個の芳香環
を含み、同一でも異なっていてもよく、これらの代表例
としては下記の化１が挙げられる。

【００１９】

【化１】

【００２０】また、これらの芳香環の環上の水素の一部
が、ハロゲン基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基
などで置換されているものも含む。また、Ｘは−Ｏ−、
−ＣＨ₂−、−ＳＯ₂−、−Ｓ−、−ＣＯ−などである。
特に、全ての芳香環の８０モル％以上がパラ位にて結合
されているアラミド樹脂は、本発明に用いられるフィル
ムを製造する上で好ましい。

【００２１】本発明に用いられるポリイミド樹脂として
は、ポリマーの繰り返し単位の中に芳香環とイミド基を
それぞれ１個以上含むものであり、化２または化３の一
般式で表されるものである。

【００２２】

【化２】

【００２３】

【化３】

【００２４】ここでＡｒ₄及びＡｒ₆は少なくとも１個の
芳香環を含み、イミド環を形成する２個のカルボニル基
は芳香環上の隣接する炭素原子に結合している。このＡ
ｒ₄は、芳香族テトラカルボン酸またはその無水物に由
来する。代表例としては、下記の化４がある。

【００２５】

【化４】

【００２６】ここでＹは、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ₂
−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−などである。また、Ａｒ₆は無水
トリカルボン酸、あるいはそのハライドに由来する。Ａ
ｒ₅、Ａｒ₇は、少なくとも１個の芳香環を含み、芳香族
ジアミン、芳香族イソシアネートに由来する。Ａｒ₅ま
たはＡｒ₇の代表例としては下記の化５がある。

【００２７】

【化５】

【００２８】ここで、これらの芳香環の環上の水素の一
部が、ハロゲン基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ
基などで置換されているものも含む。Ｚは、−Ｏ−、−
ＣＨ ₂−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−などである。特
に、Ａｒ₅、Ａｒ₇の８０％以上がパラ位に結合された芳
香環であるポリイミド樹脂が、本発明に用いられるフィ
ルムを製造する上で好ましい。

【００２９】また、本発明のアラミド樹脂またはポリイ
ミド樹脂には、フィルムの物性を損ねたり、本発明の目
的に反しない限り、滑剤、酸化防止剤、その他の添加剤
などや、他のポリマーが含まれていてもよい。本発明の
フィルムの製造法については、特に限定されるものでは
なく、それぞれの樹脂に適した製造法が取られてよい。

【００３０】まずアラミド樹脂については、有機溶剤可
溶のものでは、直接溶剤中で重合するか、一旦ポリマー
を単離した後再溶解するなどして溶液とし、ついで乾式
法または湿式法にて製膜される。また、ポリパラフェニ
レンテレフタルアミド（以下、ＰＰＴＡと称する）等の
有機溶剤に難溶のものについては、濃硫酸などに溶解し
て溶液とし、ついで乾湿式法または湿式法にて製膜され
る。

【００３１】本発明を実施する上で、アラミド樹脂はア
ミド結合の水との親和性により吸湿による寸法変化が大
きいきらいがあるため、アラミド樹脂フィルムの湿度膨
張係数の制御には特に留意する必要がある。好ましい湿
度膨張係数の範囲は、３５×１０^-6以下である。その下
限は、低ければ低いほど好ましいが、通常１０×１０ ^-6
程度が実現できる下限といえる。アラミド樹脂フィルム
の湿度膨張係数の制御の方法としては、ポリマーの主鎖
中にＣｌ基、ＮＯ₂基などを導入する方法の他、フィル
ムを十分熱処理して結晶化を進める方法、フィルムを構
成するアラミド分子の末端基のＣＯＯＨ基への結合金属
イオンの種類、量を選択する方法などの方法が任意に用
いられる。

【００３２】一方、ポリイミド樹脂については、有機溶
剤中にてテトラカルボン酸無水物と芳香族ジアミンを反
応させて、ポリアミド酸とし、この溶液をそのまま、ま
たは一旦閉環処理してポリイミドとした後再度溶剤に溶
解して溶液を得、それらを乾式法または湿式法にて製膜
される。乾式法では、溶液はダイから押し出され、金属
ドラムやエンドレスベルトなどの支持体上にキャストさ
れ、キャストされた溶液が自己支持性あるフィルムを形
成するまで乾燥またはイミド化反応が進められる。

【００３３】湿式法では、溶液はダイから直接凝固液中
に押し出されるか、乾式法と同様に金属ドラムまたはエ
ンドレスベルト上にキャストされた後、凝固液中に導か
れ、凝固される。ついでこれらのフィルムはフィルム中
の溶剤や無機塩などを洗浄され、延伸、乾燥、熱処理な
どの処理を受ける。

【００３４】本発明に用いる基板フィルムには、易滑
剤、染料や顔料などの着色剤、難燃剤、帯電防止剤、酸
化防止剤、その他の改質剤が、それらが本発明の目的に
反しない限り含まれていてもよい。本発明で言うフィル
ムキャリヤとは、耐熱性フィルムを基板とし、そのフィ
ルムの片面または両面に銅などの金属層よりなる配線パ
ターンが積層されたものであり、本発明のフィルムキャ
リヤの製造法としては、特に制限されるものではなく、
従来の方法が用いられてよい。通常、基板フィルムとエ
ポキシ樹脂などの接着剤を塗布した後、スプロケットホ
ール及び必要に応じてデバイスホールをパンチングし、
銅箔をラミネートし、エッチングによってパターニング
を行う方法や、絶縁フィルムに銅をスパッタリング法や
蒸着法で薄く被覆し、その上に感光性樹脂を被覆し、回
路部分を除去した後銅をメッキし、感光性樹脂を除去し
た後、最初の銅薄膜をスパッタリング法などで除去した
後、絶縁フィルムをエッチングやレーザなどのエネルギ
ーで分解除去することでデバイスホールを形成する方法
などの通常のプロセスで製造される。

【００３５】本発明のフィルムキャリヤは、絶縁フィル
ムの一方の面にのみ回路が形成されていても、両面に回
路が形成されていてもよい。また、両面タイプの場合、
表側は、通常の方法で、裏側の回路パターンからはスル
ーホールを介して表裏の両面の回路にボンディングする
こともできる。本発明の特徴とするインナーリードを連
結するフィルムの形成法としては、特に制限するもので
はなく、例えば、デバイスホールを打ち抜いた絶縁フィ
ルムに銅箔を張り合わせ、パターニングの前にデバイス
ホール部分に予め接着剤を塗布し半硬化処理を施した連
結フィルムを張り合わせて硬化処理する方法や、従来の
方法でフィルムキャリヤを成形した後、予め接着剤を塗
布し半硬化処理を施し所定の寸法に打ち抜いた連結フィ
ルムを、所定の位置に張り合わせて硬化処理する方法な
どが採用されてよい。

【００３６】工業的に実施する上で有用な方法は、絶縁
フィルムと連結フィルムを同一のフィルムとする方法で
あり、銅箔と張り合わせるに先立つて、デバイスホール
の打ち抜き加工と同時にまたは前後して、インナーリー
ドを連結すべきフィルム部分を形成した後、従来の方法
に準じて銅箔を接着しフィルムキャリヤに加工すること
で本発明の構造が容易に製造できる。また、インナーリ
ード部分の全ての絶縁フィルムを残してフィルムキャリ
ヤに加工した後、エキシマレーザなどの高精度のエネル
ギービームにより、連結フィルム部分を残して絶縁フィ
ルムを分解除去する方法によっても本発明の構造が提供
できる。

【００３７】

【実施例】以下に実施例をもって本発明を具体的に説明
するが、これらの実施例は本発明を説明するものであっ
て、本発明を限定するものではない。（特性の測定法）本発明の特性値の測定法は次の通りで
ある。（１）フィルムの厚み、強度、伸度、弾性率の測定法フィルムの厚みは、直径２ｍｍの測定面を持つダイヤル
ゲージで測定する。

【００３８】強度、伸度、弾性率は、定速伸長型強伸度
測定機（島津製作所製ＤＳＳ−５００）を用い、測定
長１００ｍｍ、引っ張り速度５０ｍｍ／分で測定したも
のである。（２）熱収縮率の測定法フィルムから２ｃｍ×５ｃｍの試料片を切り出し、４ｃ
ｍの間隔に刃物で傷をつけて標識とし、予め２３℃、５
５％ＲＨの雰囲気下に７２時間放置した後、標識間の距
離を読み取り顕微鏡にて測定し、次いで２００℃の熱風
式オーブンに２時間拘束することなく放置した後、再度
２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下に７２時間放置した後、
標識間の距離を読み取り顕微鏡にて測定して求めた。（３）熱膨張係数の測定法熱力学特性測定機（ＴＭＡ、真空理工株式会社製ＴＭ７
０００型）に幅５ｍｍのサンプルを取り付け、荷重０．
３ｇ下で、一旦３００℃まで昇温してサンプルの残留歪
を除去した後、窒素気流下に冷却し、３００℃から３０
℃までのフィルムの寸法変化を測定し、この間の熱膨張
率を平均値として求める。（４）湿度膨張係数の測定法フィルムから２ｃｍ×５ｃｍの試料片を切り出し、４ｃ
ｍの間隔に刃物を傷でつけて標識とし、次いで２００℃
の熱風式オ−ブンに２時間拘束することなく放置した
後、吸湿を防ぎつつ２３℃に冷却して標識間の距離を読
み取り顕微鏡にて測定し、次いで２３℃、５５％ＲＨの
雰囲気下に７２時間放置した後、再度標識間の距離を読
み取り顕微鏡にて測定して、それらの値から湿度熱膨張
率を平均値として求めた。

【００３９】以下の例中のフィルムの特性は、（長尺方
向の値）−（幅方向の値）の如く表す。

【００４０】

【実施例１】連結フィルムとして、ＰＰＴＡフィルムを
用い、絶縁基板フィルムにも同じＰＰＴＡフイルムを用
いた例を示す。濃度９９．５％の濃硫酸にηｉｎｈ＝
６．１のＰＰＴＡを６０℃で溶解し、ポリマー濃度１２
％の原液を調製した。この原液を、６０℃に保ったま
ま、真空下に脱気した。タンクからフィルタを通し、ギ
アポンプにより送液し、０．４ｍｍ×７５０ｍｍのスリ
ットを有するＴダイから、タンタル製のベルト上にド−
プをキャストし、相対湿度約５％、温度約１０５℃の空
気を吹き付けて、流延ド−プを光学等方化し、ベルトと
共に５℃の水の中に導いて凝固させた。ついで凝固フィ
ルムをベルトから引き剥し、約３０℃の温水で洗浄し、
次に０．５％ＮａＯＨ水溶液にて中和し、更に室温の水
にて洗浄した後、更に炭酸ガスを吸収させてｐＨ５．０
に調整した水にて処理した後、再度水洗した。洗浄の終
了したフィルムを乾燥させずに１．０１倍縦方向に延伸
し、次いで横方向に１．０５倍テンターで延伸した後、
２００℃で定長乾燥し、４００℃で定長熱処理し、次い
で３５０℃で弛緩熱処理した後巻取り、厚さ５０μｍ、
曲げ弾性率０．４２−０．４３ｇ・ｃｍ²／ｃｍ、強度
３９−３８Ｋｇ／ｍｍ²、モジュラス１０２０−９９０
Ｋｇ／ｍｍ²、伸度３５−３６％、熱収縮率０．０４−
０．０４％、熱膨張係数４×１０^-6−４×１０^-6、湿度
膨張係数２７×１０^-6−２６×１０^-6のフィルムを得
た。

【００４１】次いでこのＰＰＴＡフィルムを３５ｍｍ幅
にスリットした後、その中央部に幅２６．３ｍｍに亘り
エポキシ樹脂を主剤とする接着剤を厚み２０μｍとなる
ように塗布して半硬化し、次いでスプロケットホール、
アウターリードホール、及び本発明の特徴とする連結フ
ィルムとなる部分を、デバイスホール縁から１．２ｍｍ
の距離に０．８ｍｍの幅で残してデバイスホールをパン
チングした後、厚み３５μｍ、幅２６．４ｍｍの銅箔を
張り合わせて加熱下に硬化し接着した。次いで光硬化性
樹脂を塗布し、回路を露光し、未硬化樹脂を除去した
後、銅箔をエッチングしてパターニングを行った。

【００４２】次いで光硬化性樹脂を除去し、ソルダレジ
スト樹脂を印刷した後無電解メッキ法により金メッキし
てフィルムキャリヤを製造した。得られたフィルムキャ
リヤは、幅１００μｍ、長さ２ｍｍのインナーリード部
の先端部において幅０．８ｍｍ、厚さ５０μｍのＰＰＴ
Ａフィルムにより連結され、且つ連結フィルムの両端が
基板フィルム部に連結されており、インナーリードの変
形が生じにくい構造であることが理解できる。

【００４３】

【発明の効果】本発明の半導体集積回路用フィルムキャ
リヤによれば、インナーリード間が連結フィルムにより
互いに連結されているため、フィルムキャリヤ製造工程
やＬＳＩ実装工程でのインナーリードの変形が生じにく
く、更に連結フィルムの熱膨張係数がＬＳＩに近いため
に、インナーリードボンディングに際しての加熱、冷却
でのピッチのずれも少ないため、フィルムキャリヤの不
良率やＬＳＩとの接続不良率が大幅に改善されることが
期待できる。

【００４４】従って、今後ますます進むであろうＬＳＩ
の高集積化や端子間のピッチの細密化にも対応でき、よ
り高密度の端子接続を可能にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】フィルムキャリヤの一般的な概略の構成を示す
ものである。

【図２】本発明のフィルムキャリヤの一部を示すもので
ある。

【図３】本発明のフィルムキャリヤの一部の断面図であ
る。

【図４】本発明のフィルムキャリヤの一部の断面図であ
る。

【図５】本発明のフィルムキャリヤの一部を示すもので
ある。

【符号の説明】

１絶縁基板フィルム２配線３インナーリード４アウターリード５テストパッド６スプロケットホール７デバイスホール８アウターリードホール９連結フィルム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可撓性のフィルムを絶縁基板とし、その
フィルムの片面または両面に実質的に銅箔よりなる配線
パターンが形成されてなる半導体集積回路用フィルムキ
ャリヤであって、半導体集積回路と接続するためのイン
ナーリードの一部がインナーリード間にわたって、熱膨
張係数が−５×１０^-6以上、１０×１０ ^-6以下であり、
２５０℃での熱収縮率が０．５％以下である可撓性フィ
ルムにより連結されていることを特徴とする半導体集積
回路用フィルムキャリヤ。
【請求項２】インナーリードの一部をインナーリード
間にわたって連結する可撓性フィルムが、半導体集積回
路と重複する範囲にまで至っていることを特徴とする請
求項１記載の半導体集積回路用フィルムキャリヤ。
【請求項３】インナーリードの一部をインナーリード
間にわたって連結する可撓性フィルムが、少なくともそ
の一端がデバイスホール縁まで延長され絶縁基板に結合
していることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体
集積回路用フィルムキャリヤ。