JP2010050247A - Tabテープおよびその製造方法 - Google Patents
Tabテープおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010050247A JP2010050247A JP2008212500A JP2008212500A JP2010050247A JP 2010050247 A JP2010050247 A JP 2010050247A JP 2008212500 A JP2008212500 A JP 2008212500A JP 2008212500 A JP2008212500 A JP 2008212500A JP 2010050247 A JP2010050247 A JP 2010050247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder resist
- insulating film
- tab tape
- film substrate
- device hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁性フィルム基板1の表裏両面にそれぞれ張り合わされた銅箔11a、11bのうちの少なくとも片面の銅箔11aにパターン加工を施して、インナーリード9を含む導体パターン2aを形成する工程と、絶縁性フィルム基板1の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターンを形成する工程と、前記絶縁性フィルム基板1の有機材料における分子結合を光分解によって解離することを主体として当該絶縁性フィルム基板1にデバイスホール5の穴開け加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、前記絶縁性フィルム基板1における前記インナーリード9の先端を含む所定位置にデバイスホール5を形成する工程とを含む製造方法。
【選択図】図1
Description
図6に一例を示したように、TABテープに半導体チップ200のような半導体素子を実装してなる半導体実装パッケージは、TCP(Tape Carrier Package)と呼ばれる、極めて小型・薄型の実装パッケージである。
絶縁性フィルム基板101の長手方向両辺にそれぞれ沿って、所定の間隔ごとに、スプロケットホール112が設けられている。
TCPは、上記のようなTABテープのデバイスホール104内に半導体チップ200を配置し、チップバンプ201を介して半導体チップ200とインナーリード103とを接合させた構造となっている。
する。その後、その配線パターン上にソルダレジストと呼ばれる回路保護用の樹脂をスクリーン印刷法などによって形成する。そして、そのソルダレジストで覆われておらずに敢えて露出させた部分の導体パターンの表面上に、錫めっきや金/ニッケルめっきを析出させることで、その主要部が完成する。
両面配線のTABテープの製造方法では、図7および図8に示したように、まず、製造開始材料として、銅箔106a/絶縁性フィルム基板101/銅箔106bという3層構造のいわゆる両面銅張基板を用意する(図7(a))。
その両面銅張基板に、スプロケットホール112などの必要治具穴、認識穴(図示省略)などを、金型(図示省略)を用いた打ち抜き加工法によって形成する(図7(b))。
続いて、炭酸ガスレーザ光を用いて導通用ビア穴108を形成する。その導通用ビア108を介して表裏の銅箔106(導体パターン102)同士の電気的導通を取るために、銅めっき107を、導通用ビア穴108がスルーホールの場合には両面に、ブラインドビアの場合には片面(第2配線面側)に施すことで、フィルドビア109を形成する(図7(c))。
その後、銅箔106bおよびその表面上に析出してなる銅めっき107における、デバイスホール104を形成する予定の位置に、フォトエッチング法等により開口113を形成する(図7(d))。
このレーザ光としては、一般に、炭酸ガスレーザが用いられる。炭酸ガスレーザを用いたデバイスホール104の穴開けの際には、そのデバイスホール104の形状を微細に制御することが困難であるため、フォトエッチング法などによって形成された開口113を有する縁取パターン105を、レーザ光の照射マスクとして用いることが必須となる。
続いて、錫めっきや金/ニッケルめっき等(図示省略)をソルダレジストパターン111で覆われていない部分の導体パターン102上に析出させて、従来のTABテープの主要部が完成する。
分の形状を精緻に制御することは困難である。而して炭酸ガスレーザを用いた加工では、その波長(9.4μm程度)のレーザ光が吸収されるのは有機樹脂等からなる絶縁性フィルム基板101であり、レーザ光を吸収しない銅箔106(導体パターン102)のような金属箔の表面では、レーザ光が反射されるので、そのレーザ光の主に熱エネルギによる穴開け等の加工は行われない。この性質を利用して、銅箔106b(導体パターン102b)および銅めっき107をフォトエッチング法等によりパターン加工してなる縁取パターン105をデバイスホール104の周囲を縁取るように形成しておき、その縁取パターン105をデバイスホール104の形成の際にレーザ光のマスクとして用いることにより、デバイスホール104を縁取パターン105に沿ったパターンに加工するようにしていた(以上、特許文献1参照)。
ところが、このような距離を取ることが必要であることに起因して、ソルダレジスト110またはそれをパターニングしてなるソルダレジストパターン111で覆うことができる領域が制約されてしまうという問題がある。
されているため、ドライフィルムタイプのソルダレジストを貼り付ける際に、そのフライングリード構造のインナーリード103が押し曲げられてしまう虞が極めて高い。このため、上記のような従来のTABテープの製造方法では、ドライフィルムタイプのソルダレジストは、実際には使用することができなかった。
本発明のTABテープの製造方法は、絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれ張り合わされた金属箔からなる導体層のうちの少なくとも片面の導体層にパターン加工を施して、フライングリード構造のインナーリードを含む導体パターンを形成する工程と、前記導体層にパターン加工を施した後、前記絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターンを形成する工程と、前記ソルダレジストパターンを形成した後、前記絶縁性フィルム基板の有機材料における分子結合を光分解によって解離することを主体として当該絶縁性フィルム基板にデバイスホールの形成加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、前記絶縁性フィルム基板における前記インナーリードの先端を含む所定位置にデバイスホールを形成する工程とを含むことを特徴としている。
図1は、本発明の実施の形態に係るTABテープの主要部の構造を示す図、図2は、本発明の実施の形態に係るTABテープの製造工程の主要な流れを示す図、図3は、図2に引き続いて、本発明の実施の形態に係るTABテープの製造工程の主要な流れを示す図、図4は、本発明の実施の形態に係る設定によるレーザ光のビーム径Lと照射ピッチW1との関係(a)およびそれによって形成されるデバイスホールのエッジの加工線(b)を模式的に示す図、図4は、レーザ光のビーム照射径Lと照射ピッチW1との関係(a)およ
びその設定で得られるデバイスホールのエッジの加工線(b)を示す図、図5は、比較のために敢えて本発明の実施の形態とは異なる設定とした場合のレーザ光のビーム照射径Lと照射ピッチW2との関係(a)およびその設定で得られるデバイスホールのエッジの加工線(b)を模式的に示す図である。
この導体パターン2は、絶縁性フィルム基板1の表裏に張り合わされた銅箔11のような導体箔を例えばフォトエッチング法などによってパターン加工して形成されたもので、主に電気的配線のための配線パターンとして形成されている。
このソルダレジストパターン10における、デバイスホール5寄りの(デバイスホール5に最も近い)端辺8−1とそのソルダレジストパターン10に最も近いデバイスホール5の端辺8−2との間の距離dは、0.045mm以上0.45mm未満の寸法となっている。
このソルダレジストパターン10は、後述するような本発明の実施の形態に係るレーザ光を用いた加工プロセスを含んだ製造方法を採用することによって、従来のTABテープおよびその製造方法では困難であった、液状タイプまたはドライフィルムタイプのフォトソルダレジスト13をフォトリソグラフィ法等によってパターン加工して、上記のようなデバイスホール5との距離dを飛躍的に短縮化してなるソルダレジストパターン10とすることが可能となる。ここで、このソルダレジストパターン10の形成位置や形状等についての必要十分なパターン形成精度を確保することが可能であるならば、印刷法などにより、そのときの印刷に適合したインキ状のソルダレジストを印刷することで、所望のパターンのソルダレジストパターン10を形成するようにしてもよい。但し、このソルダレジストパターン10の形成位置および形状を可能な限り精緻に制御する、という観点からは、液状タイプまたはドライフィルムタイプのフォトソルダレジストを用いることが、より望ましい。
さらに具体的には、この工程では、例えば液状またはドライフィルム状のフォトソルダレジスト13をパターン加工して、ソルダレジストパターン10を形成する。このとき、ソルダレジストパターン10におけるデバイスホール5が形成される予定の領域の外縁に最も近い端辺8−1とそのデバイスホール5が形成される予定の領域の外縁(端辺)8−2との間の距離dを、0.045mm以上0.45mm未満の寸法に設定することができる。これは、このソルダレジストパターン形成工程が行われる段階では、従来の技術の場合とは全く異なり、未だデバイスホール5が設けられていないので、例えば第1配線面側に塗布または印刷された液状のフォトソルダレジスト13がデバイスホール5を通って第2配線面側へと流れ込むなどしてその第2配線面を汚染するといった不都合な事態が発生する虞が全くないため、ソルダレジストパターン10の端辺8−1を、従来の技術の場合のようなデバイスホール5の端辺(外縁)8−2に対して0.45mm以上のような比較的大きな距離の余裕を持たせて配置しなくても済むこととなるからである。
ム基板1におけるインナーリード9の先端を含む所定位置に、そのインナーリード9をオーバーハングしたような状態で突出させるデバイスホール5を形成する工程である(図3(e))。
この観点から、図4(a)に模式的に示したように、レーザ光のビーム41の中心点42を矢線43方向に直線的に平行移動させて行くことでデバイスホール5を形成する際の、そのレーザ光のビーム41の隣り合う照射スポット同士(隣接ショット間)の中心間距離である照射ピッチW1は、ビーム照射径Lの25%以上75%以下に設定することが好ましい。これは、ビーム41の照射ピッチW1をビーム径Lの75%以下に設定することにより、図4(b)に示したように、このとき得られるデバイスホール5のエッジ(端辺)の加工線44が、極めてスムースなものとなるからである。そしてまた、ビーム41の照射ピッチW1をビーム径Lの25%以上に設定することにより、生産性を実用的なものとすることが可能となるからである。
これと比較して、図5(a)模式的に示したように、例えば照射ピッチW2をビーム照射径Lよりも大きなものとする(つまり照射ピッチW2をビーム照射径Lの100%超に設定する)というように、敢えて上記のような本発明の実施の形態に係る数値範囲を超えた数値に設定した場合には、図5(b)に示したように、このとき得られるデバイスホール5の加工線45は、いわゆる波線状のような、スムースさを著しく欠いたものとなってしまうこととなる。そしてまた、上記のような本発明の実施の形態に係る設定の数値範囲(25%)未満の数値に設定すると、加工能率が大幅に低下して実用的なものではなくなってしまうこととなる。
しかし、そのような従来の技術とは全く異なり、本発明の実施の形態に係るTABテープでは、デバイスホール5を形成するために、従来一般に用いられていたような熱エネルギによる加工を主体とする炭酸ガスレーザではなく、例えば248nm以上1065nm以下の波長のUVレーザのような、絶縁性フィルム基板1の有機材料における分子結合を光分解によって解離することでその絶縁性フィルム基板1に比較的大きめの貫通孔であるデバイスホール5の穴開けを行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、その絶縁性フィルム基板1におけるインナーリード9の先端を含む所定位置に、デバイスホール5を形成するようにしている。
このUV光のような248nm以上1065nm以下の波長のレーザ光によれば、炭酸ガスレーザの場合のような加工対象の部分を焼き切ることで穴開けを行うのではなく、絶縁性フィルム基板1の有機材料における分子結合を光分解することによって、その加工対象の部分をきれいに除去することができるようになるので、レーザ光の照射時にマスクとして用いられる縁取パターン等を予め形成しておくという制約には全く束縛されることなしに、デバイスホール5を、所望の位置に、所望のタイミング(工程順序)で、かつ所望の滑らかで明確なパターンとして、形成することができる。
斯様な従来の技術とは全く異なり、本発明の実施の形態に係るTABテープおよびその製造方法によれば、上記のように縁取パターンを形成することが全く不要となるので、その縁取パターンを設けることに起因した束縛から完全に解放されて、その製造工程は簡易なものとなり、またその工期の短縮化や低コスト化等を実現することが可能となる。
具体的には、本発明の実施の形態に係るTABテープおよびその製造方法によれば、従来と比べて約3%分の製造プロセスステップを省略することができる。また、製造コストの点では、約10%の削減が可能である。また、TABテープ製造における工期短縮およ
び製造コスト低廉化の阻害要因となり易いフォトファブリケーションプロセスの各ロット毎での使用回数を削減することができるため、生産能率の向上を達成することができ、例えば製品納期を3日程度も短縮することが可能となる。
従って、従来のような、デバイスホールを通してのソルダレジストの滲みや流れ出しなどを防ぐために、そのデバイスホールの端辺からソルダレジストパターンの端辺を少なくとも0.45mm以上の距離的余裕を以て設けるようにすることを余儀なくされるといった制約から、全く解放される。その結果、ソルダレジストパターン10の端辺8−1とデバイスホール5の端辺8−2との距離dの寸法ばらつき(誤差)は、純粋にフォトソルダレジスト13の露光増度とレーザ光の照射位置精度との兼ね合いのみによって定まることとなるので、本発明の実施の形態に係るTABテープおよびその製造方法によれば、ソルダレジストパターン10の端辺8−1とデバイスホール5の端辺8−2との間の距離dを、例えば0.045mmのように、従来よりも飛躍的に短縮化することが可能となる。また、ソルダレジストとしてはフォトソルダレジスト13を用いることで、ソルダレジストパターン10の寸法精度やパターン再現性を、さらに良好なものとすることができる。
具体的には、フォトソルダレジスト13をフォトファブリケーションプロセスによってパターン加工してなるソルダレジストパターン10では、従来の製造方法によって形成されるソルダレジストパターンの場合の寸法精度(±0.300mm)と比較して、その精度(±0.030mm)を1桁以上も高いものとすることが可能となる。
まず、25μm厚のポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム基板1の表裏両面にそれぞれ18μm厚の銅箔11を張り合わせてなる両面銅張基板を用意し、それにスプロケットホール7をパンチング加工法により打抜形成した。
また、上記の実施の形態および実施例では、絶縁性フィルム基板1としてポリイミドフィルムからなるものを用いる場合について説明したが、これ以外にも、例えば液晶ポリマーフィルムやその他各種のプラスティックフィルム、または薄手のエポキシ樹脂やフェノール樹脂などのような、各種の有機樹脂材料からなるものを、絶縁性フィルム基板1として選択することも可能である。また、そのような場合、絶縁性フィルム基板1の有機材料に合わせて、その有機材料をより能率的に分解することが可能な波長のレーザ光を選択することが、より望ましい。
また、例えば、第1配線面は、配線パターンのような導体パターン2aが形成された面とし、第2配線面は、配線パターンのような導体パターンではなく、ほぼ全面がいわゆるベタな一枚構成のGND層や、面積の広い面的なパターンである電源パターンと配線幅が微細な線的なパターンである配線パターンとが混在するような面とした構成のTABテープなどにも本発明は適用可能である。
2 導体パターン
3 銅めっき
4 フィリングビア
5 デバイスホール
6 導通用ピア穴
7 スプロケットホール
9 インナーリード
10 ソルダレジストパターン
11 銅箔
13 フォトソルダレジスト
Claims (7)
- 貫通孔状のデバイスホールが設けられた有機材料からなる絶縁性フィルム基板と、前記絶縁性フィルム基板の両面にそれぞれ設けられた導体層と、前記絶縁性フィルム基板の片面にて前記導体層に連なると共に前記デバイスホール内にオーバーハング状に突出するように設けられたフライングリード構造のインナーリードと、前記導体層上を含む前記絶縁性フィルム基板上に形成されたソルダレジストパターンとを有するTABテープであって、
前記ソルダレジストパターンにおける前記デバイスホール寄りの端辺と当該デバイスホールの端辺との間の距離が、0.045mm以上0.45mm未満である
ことを特徴とするTABテープ。 - 請求項1記載のTABテープにおいて、
前記ソルダレジストパターンが、フォトソルダレジストをパターン加工してなるものである
ことを特徴とするTABテープ。 - 絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれ張り合わされた金属箔からなる導体層のうちの少なくとも片面の導体層にパターン加工を施して、フライングリード構造のインナーリードを含む導体パターンを形成する工程と、
前記導体層にパターン加工を施した後、前記絶縁性フィルム基板の表裏両面にそれぞれソルダレジストパターンを形成する工程と、
前記ソルダレジストパターンを形成した後、前記絶縁性フィルム基板の有機材料における分子結合を光分解によって解離することを主体として当該絶縁性フィルム基板にデバイスホールの形成加工を行うことが可能な光量子エネルギを有するレーザ光の照射によって、前記絶縁性フィルム基板における前記インナーリードの先端を含む所定位置にデバイスホールを形成する工程と
を含むことを特徴とするTABテープの製造方法。 - 請求項3記載のTABテープの製造方法において、
前記レーザ光として、248nm以上1065nm以下の波長のUVレーザ光を用いることを特徴とするTABテープの製造方法。 - 請求項3または4記載のTABテープの製造方法において、
前記ソルダレジストパターンを、フォトソルダレジストをパターン加工して形成する
ことを特徴とするTABテープの製造方法。 - 請求項3ないし5のうちいずれか1つの項に記載のTABテープの製造方法において、
前記ソルダレジストパターンにおける前記デバイスホール寄りの端辺と当該デバイスホールの端辺との間の距離を、0.045mm以上0.45mm未満にする
ことを特徴とするTABテープの製造方法。 - 請求項3ないし6のうちいずれか1つの項に記載のTABテープの製造方法において、
前記レーザ光のビーム照射ピッチを、ビーム照射径の25%以上75%以下とする
ことを特徴とするTABテープの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008212500A JP5136284B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | Tabテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008212500A JP5136284B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | Tabテープの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010050247A true JP2010050247A (ja) | 2010-03-04 |
JP5136284B2 JP5136284B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=42067105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008212500A Expired - Fee Related JP5136284B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | Tabテープの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5136284B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04316342A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Nitto Denko Corp | フレキシブル配線板の製法 |
JPH07185847A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Tabテープ加工方法 |
JPH0883820A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体集積回路用フィルムキャリヤ |
JPH09298219A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Hitachi Cable Ltd | Tabテープキャリアの製造方法 |
JPH11102940A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Hitachi Cable Ltd | Tabテープ |
JPH11204586A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Tabテープの製造方法 |
JP2001274203A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Cable Ltd | 2メタル基板とbga構造 |
JP2004103706A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-08-21 JP JP2008212500A patent/JP5136284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04316342A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Nitto Denko Corp | フレキシブル配線板の製法 |
JPH07185847A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Tabテープ加工方法 |
JPH0883820A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体集積回路用フィルムキャリヤ |
JPH09298219A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Hitachi Cable Ltd | Tabテープキャリアの製造方法 |
JPH11102940A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Hitachi Cable Ltd | Tabテープ |
JPH11204586A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Tabテープの製造方法 |
JP2001274203A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Cable Ltd | 2メタル基板とbga構造 |
JP2004103706A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5136284B2 (ja) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9955580B2 (en) | Method of manufacturing rigid-flexible printed circuit board | |
US8238114B2 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing same | |
US20070207607A1 (en) | Ball grid array substrate having window and method of fabricating same | |
JP2009295949A (ja) | 電子部品内装型プリント基板及びその製造方法 | |
US20060060558A1 (en) | Method of fabricating package substrate using electroless nickel plating | |
US20110154658A1 (en) | Circuit substrate and manufacturing method thereof | |
TWI442854B (zh) | 印刷電路板及其製造方法 | |
JP2011061176A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
JPH1022645A (ja) | キャビティ付きプリント配線板の製造方法 | |
TW201513761A (zh) | 電路基板、電路基板的製造方法及電子機器 | |
JP5227753B2 (ja) | 配線回路基板の製造方法 | |
JP5136284B2 (ja) | Tabテープの製造方法 | |
JP2004031710A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2006313945A (ja) | 多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法 | |
JP4456834B2 (ja) | レーザ加工方法およびこれに用いるキャリア付金属箔 | |
JP2004055777A (ja) | 複合多層配線基板の製造方法 | |
JP5287570B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2008306102A (ja) | 半導体装置用テープキャリア及びその製造方法 | |
JP5439165B2 (ja) | 多層配線板及びその製造方法 | |
TW201108903A (en) | Printed wiring board and method for producing the same | |
TWM590841U (zh) | 具有填縫層的電路結構 | |
KR100873666B1 (ko) | 다층 인쇄 회로 기판을 위한 양면 코어 기판 제조 방법 | |
JP2002009440A (ja) | 複合配線基板 | |
JPH08279679A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
JPH07176565A (ja) | 配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120829 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |