JP3347857B2 - フィルム状回路積層体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐熱フィルムと耐熱接
着剤層からなる積層物に関するものであり、とくにベー
スフィルムの寸法安定性と、積層物の優れた寸法安定性
と回路作成が簡略化できる積層フィルム、またその積層
フィルムから作られた電気配線回路を持つ積層体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年のエレクトロニクス産業の発達に伴
い、エレクトロニクス製品の、小型化、軽量化および高
機能化の要求が強くなり、軽量で立体的な配線のできる
フレキシブル印刷配線基板（ＦＰＣ）やＴＡＢテープ、
ＩＣＣの需要が増大してきている。

【０００３】従来、これらの積層物としては、一般に耐
熱フィルムとしてはポリイミドが、接着剤としてはエポ
キシ樹脂系が中心に使用されてきた。しかし、近年で
は、さらなる電気製品の軽薄・短小の要求にともなっ
て、これらの積層物の加工時間、加工精度、種々の電気
的特性等が十分に満足行くものではなくなってきた。例
えばフレキシブル印刷配線基板は、金属箔と絶縁基体で
ある耐熱性フィルムとを接着剤を介して張り合わせるた
め、使用される接着剤にも、より高度な、接着性、耐熱
性、耐熱劣化性および電気絶縁性が要求されるようにな
った。しかし従来の接着剤組成では、前記の特性を総て
十分に満足させる接着剤は開発されていない。例えば、
エポキシ樹脂ーポリアミド樹脂系接着剤は、接着力に優
れているが耐吸湿性に劣る。また、カルボキシル基含有
アクリロニトリルブタジエンゴムーエポキシ樹脂系接着
剤は、接着力、耐薬品性、および電気絶縁性に優れてい
るが、耐熱性に劣り、特に加熱により接着剤が劣化して
接着力の低下が著しい欠点があった。

【０００４】また、従来の接着剤は熱硬化性樹脂であっ
たため、硬化過程において多大な時間を要していた。例
えば、硬化時間が短いとされる場合でも、１５０℃で数
十分から２時間程度かかっていたし、さらに電気的信頼
性や加工精度が要求される場合には、１日弱の硬化時間
を要していた。さらに、熱硬化性の接着剤を使用する場
合は、その寿命（ライフ）が問題となっている。より接
着力が高くなければならない製品においては、数日から
数週間で使用しなければならなかったし、長い期間保証
を持つものでも３カ月から６カ月程度の保存期間にしば
られていた。またその多くは、保存を冷蔵庫や冷凍庫で
行わねばならなかった。

【０００５】熱硬化性樹脂を接着剤として用いるための
このような硬化時間や保存期間の必要性は、結局製品の
コスト高や生産性の悪さにつながっていた。これらの問
題点を解決するために、例えば、特開平４ー７１７０７
号公報、特開平２ー２７２０７７号公報、特開昭６０ー
１０２７５１号公報、特開昭５７ー５０６７０号公報に
は、耐熱性のベースフィルムであるポリイミドフィルム
上に熱可塑性のポリイミドやその他の熱可塑性樹脂を積
層して得られる複合フィルムを用いた印刷配線板、及び
半導体素子固定用接着フィルム等が開示されている。ま
た特開平１ー２７６６９４号公報にみられるように、こ
のような積層フィルムをカバーレイに使用してその加工
時間を短縮させる試みがなされている。

【０００６】しかしながら、これらの積層フィルムは、
ある範囲内で使用されるには有効であるが、近年の半導
体素子の高集積度化やこれにともなった素子の小型化あ
るいは、リードフレームの多ピン化が急速に進んでいる
中にあってはその寸法安定性が問題になって来ている。
即ち、リードピンの線幅は細かくなり、各リード間距離
も狭くなっており、これらの位置精度や実装精度はかな
りきびしく管理されている。当然、これらの半導体素子
を実装するキャリアテープも同様にファインピッチ化や
寸法安定性が要求されている。

【０００７】例えば、ＴＡＢキャリアテープに半導体素
子を実装する行程や、テープ自身を他のデバイスへ実装
する行程では、１６０℃〜３００℃ほどの温度がかけら
れる。むろんこの時キャリアテープにもこの熱が伝わる
が、この時加えられる温度やその後、室温に製品自体が
戻った時の温度差からくる各素材の寸法変化の差から回
路の不良が生じる。即ち、従来一般的に用いられてきた
積層物のベースフィルムはポリイミドフィルムである
が、この代表的な市販品であるカプトンＲフィルムの熱
膨張係数は２．０×１０^-5／℃である。一方、ＬＳＩ等
電子素材の熱膨張係数は６．０×１０^-7〜６．０×１０
^-6／℃である。ＬＳＩを実装する工程では、回路が形成
されたＴＡＢキャリアテープ上に、ＬＳＩの足にあたる
リードがある間隔を持って接続されることとなる。この
実装工程で加熱されることから、相互の素材の熱膨張率
の違いにより寸法変化率が異なり、即ちフィルムの熱膨
張率が大いため、回路形成時に回路がずれるという問題
があった。またほかに、ＬＳＩが実装されたキャリアテ
ープを、例えば液晶画面へ接続する場合も、液晶のデバ
イスであるガラス素材とこのキャリアテープの素材であ
る有機高分子フィルムの熱膨張係数に差があるため、同
様の回路接続部のずれが生じ不良品につながっていた。
実際、実装行程ではこれらを見越した回路寸法設計がな
されている。このように回路にずれが生ずることや、回
路設計上で制限が加えられることによって、よりファイ
ンピッチの回路を作成するのはなかなか難しかった。

【０００８】一方、別途我々は熱寸法安定性のよい耐熱
フィルムとして全芳香族ポリアミドから得られるフィル
ムをえている。例えば、ｐ−フェニレンテレフタルアミ
ド（ＰＰＴＡ）のフィルムは、ＰＰＴＡの光学異方性を
示す硫酸ドープを光学等方性ドープに相変化させた後凝
固させることにより、寸法精度や力学性能の卓越したフ
ィルム（特開昭６２−３７１２４号公報、特開昭６２−
３９６３４号公報）を得ている。これらのフィルムはそ
の優れた耐熱性や機械強度を利用して高密度・高精度の
電気・電子材料に使用されつつある。

【０００９】しかしながら、パラ配向型芳香族ポリアミ
ドフィルムは、非常に耐熱性が高く、軟化温度を有しな
い。このため、通常の熱可塑性または熱軟化性ポリマー
よりなるフィルムのような熱融着性が無いことによる利
用上の不便を生じ、これを上記のような電気・電子材料
用のキャリアーフィルムとして用いるためにはエポキシ
樹脂等の接着剤と共に使用せねばならず、上記で述べた
同様の問題を抱えて、せっかくの高寸法安定性を活かし
きれていなかった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
熱寸法安定性の良い芳香族ポリアミドフィルムに熱融着
層をもつ積層フィルムを得ることによって、寸法安定性
がよく、耐熱性がよく、加工時間がかからず、加工性が
複雑でない電気電子用に利用される積層フィルム上に電
気回路を形成させた積層体を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、 ２０℃〜３
００℃における幅方向の平均熱線膨張係数が８ｐｐｍ／
℃以下の全芳香族アラミドフィルムの片面もしくは両面
に融着剤として熱可塑性樹脂が配置された積層フィルム
の片面もしくは両面に回路状に作られた金属箔層を持つ
積層体であり、該金属箔層が熱線膨張係数が５ｐｐｍ／
℃以下の金属箔からなる層であることを特徴とするフィ
ルム状回路積層体に関するものである。

【００１２】以下に本発明を詳細に説明する。本発明で
使用する耐熱性のベースフィルムは、２０℃〜３００℃
における平均熱線膨張係数が８ｐｐｍ／℃以下の全芳香
族アラミドフィルムを使用する。本発明に用いられる全
芳香族ポリアミドは、アミド結合の少なくとも８５％以
上が芳香族環性ジアミン、芳香族環性ジカルボン酸成分
より得られるものである。

【００１３】その具体例としては、ポリパラベンズアミ
ド、ポリパラフェエレンテレフタルアミド、 ポリ−
４，４’−ジアミノベンズアニリド、ポリテレフタルア
ミド、ポリパラフェニレン−２，６−ナフタリックアミ
ド、コポリパラフェニレン／４，４’（３，３’−ジメ
チルビフェニレン）テレフタルアミド、コポリパラフェ
ニレン／２，５−ピリジレンテレフタルアミド、ポリオ
ルソフェニレンフタルアミド、ポリメタフェニレンフタ
ルアミド、ポリパラフェニレンフタルアミド、ポリオル
ソフェニレンイソフタルアミド、ポリメタフェニレンイ
ソフタルアミド、ポリパラフェニレンイソフタルアミ
ド、ポリオルソフェニレンテレフタルアミド、ポリメタ
フェニレンテレフタルアミド、ポリ−１，５−ナフタレ
ンフタルアミド、ポリ−４，４’−ジフェニレンオルソ
フタルアミド、ポリ−４，４’−ジフェニレンイソフタ
ルアミド、ポリ１，４−ナフタレンフタルアミド、ポリ
−１，４−ナフタレンイソフタルアミド、ポリ−１，５
−ナフタレンイソフタルアミド等、及びこれらの芳香族
ジアミンのベンゼン核の一部をハロゲンで核置換した化
合物、さらには、これらの芳香族ジアミンのベンゼン核
の一部をピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、
２，５−ジエチルピペラジンで置換した化合物等に代表
される脂環式アミンを含む芳香族ポリアミド、または芳
香族ジアミンが３，３’−オキシジフェニレンジアミ
ン、３，４’−オキシジフェニレンジアミン等のアリル
基、アルキル基、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−Ｎ
Ｈ−等の基より結合された２個のフェニル基を含む芳香
族ポリアミド、または上述の芳香族ポリアミドのコポリ
マー、例えば、ポリ−３，３’−オキシジフェニレンテ
レフタルアミド／ポリパラフェニレンテレフタルアミド
共重合体、ポリ−３，４’−オキシジフェニレンテレフ
タルアミド／ポリパラフェニレンテレフタルアミド共重
合体等を挙げることができる。

【００１４】本発明で用いられる全芳香族ポリアミドフ
ィルムの幅方向の熱線膨張係数は２０℃〜３００℃の間
の平均で８ｐｐｍ／℃以下のフィルムを用いる。より好
ましくは、４ｐｐｍ／℃以下の物である。本発明中にお
いて、厚み方向の熱線膨張係数は特に規定しないが、以
下で述べる理由と同じで小さい方がより好ましい。

【００１５】一般にＬＳＩ等電子素材の熱線膨張係数
は、６．０×１０^-7〜６．０×１０^-6／℃である。例え
ば、ＬＣＤ用のガラスは、約５ｐｐｍ／℃であり、ＳＩ
単結晶は約３ｐｐｍ／℃、ＳｉＯ₂は約０．６ｐｐｍ／
℃である。一方、従来一般的に用いられてきた耐熱性の
ベースとなるポリイミドフィルムとしてのカプトンＲフ
ィルムの熱線膨張係数は一般には２０ｐｐｍ／℃程度の
物である。これらのＬＳＩ素子等を実際に使用するため
には、ある回路をもったベースとなる基材上に実装する
ことになるが、これらを実装するときの半田付や、最終
製品に至るまでには、数々の熱がかけられることにな
る。これらの実装工程の温度変化によって、相互の素材
の線膨張係数の違いから寸法変化の差が生じ、即ちフィ
ルムの熱線膨張係数が素子等と比べ大きすぎるため、回
路成形路にずれが生じたり、製品全体が歪んだりするこ
ととなる。これらはすべて成形品の不良率の増加につな
がり、よりファインピッチの製品をつくるには限界がき
ていた。よってこれらの成形品不良を低減し、より製品
を小型化するためには、基材となるフィルムの線膨張係
数を低くしなければならない。

【００１６】さて、以上のような要求を満たすための熱
線膨張係数が小さい耐熱性フィルムである全芳香族ポリ
アミドフィルムを得るための製造方法は、特には本発明
中では規定しないが以下のような方法で容易に得ること
ができる。例えば、全芳香族ポリアミドの一種であるｐ
−フェニレンテレフタルアミド（ＰＰＴＡ）のフィルム
は、ＰＰＴＡの光学異方性を示す硫酸ドープを光学等方
性ドープに相変化させた後凝固させることにより力学性
能の卓越したフィルム（特開昭６２−３７１２４号公
報、特開昭６２−３９６３４号公報）をえることができ
るが、同時に熱線膨張係数も約４ｐｐｍ／℃程度のフィ
ルムが特に機械的な延伸操作等の処理無しでできる。こ
のようにして得られたフィルムは、熱処理や機械的延伸
操作によって所望の熱線膨張係数をもったフィルムに仕
上げることができる。

【００１７】熱線膨張係数を本発明中の８ｐｐｍ／℃以
下、好ましくは４ｐｐｍ／℃以下にするためには、上記
に示した全芳香族ポリアミドの内で、ポリパラベンズア
ミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド等のパラ配
向形の全芳香族ポリアミドの方がより好ましい態様であ
る。即ち、フィルムをつくる全芳香族ポリアミドの成分
は、その分子がより剛直性を持った方が、できあがった
フィルムに特に処理をすることなしで容易に低線膨張係
数を持った物が得られる。

【００１８】しかしながら、他の構成成分からつくられ
たフィルムも以下のような処理をすることでより低い線
膨張係数を持つことが出来るようになる。たとえば、
１）有機フィルムの系内に、無機フィラー等の第二成分
を添加したり、２）有機フィイルムの一軸、二軸の方向
に加熱しながら延伸する方法、等で低い熱線膨張係数を
持ったフィルムが得られる。

【００１９】いずれにしろ、本発明中の要件で最も大切
なことの一つは、ベースとなるフィルムの熱線膨張係数
が８ｐｐｍ／℃以下、好ましくは４ｐｐｍ／℃以下であ
ることであり、上記の方法で得る事ができる。また上記
の方法で得られたＰＰＴＡフィルムは、例えば引張弾性
率が１４００Ｋｇ／ｍｍ²、破断強度が４０Ｋｇ／ｍｍ²
を示し、機械的性質にも優れている。この結果、製品の
強度が増したり製品へ加工する際のラインでのトラブル
が少なくなることは非常に好ましいことである。例え
ば、パンチングにより開けられたスプロケットホール部
で走行中に製品の加工ラインで力がかかりすぎてフィル
ムが引き裂かれるなどしてトラブルを起こし加工収率上
問題となっているがフィルムの強度を上げることによっ
てこれらのトラブルは少なくなる。

【００２０】本発明で使用されるフィルムの厚みは、通
常１６μｍ〜１２５μｍ程度の厚みを有するものが採用
される。これらは使用方法により厚みは異なり、例えば
ＦＰＣなら薄い方が良い。ＴＡＢやなんらかの支持体に
用いられる場合は厚い方がよい。これらに使用されると
き全方向族ポリアミドフィルム、特にＰＰＴＡ等のフィ
ルムは、前にも述べたように高強度、高弾性率を有する
フィルムであることから同じ強度や弾性率をもたせたい
場合は通常よりも薄くすることができ、製品の軽薄化
や、コスト面で有利にもなるし、同じ厚みの製品ならば
製品強度のアップにもつながり信頼性が増すことにな
る。

【００２１】本発明中で用いられる熱可塑性樹脂は、熱
融着性を有しているものであるならば特に規定はない
が、半導体やその他の電子部品の実装・加工方法を考え
た場合その融点は１００℃〜３５０℃が良く、さらに好
ましくは１５０℃〜３３０℃がよい。熱可塑性樹脂の融
点が低すぎるものでは、電子部品が使用される温度環境
下で部品同士の接合に不良が生じたり、電子部品を成形
する際の半田ずけ工程やその他の加熱によるボンディン
グ工程で不良が生じる恐れがある。例えば、一般の半導
体装置のアセンブリ工程において、半導体チップをリー
ドフレームに接着するダイボンディング工程では１５０
℃〜２５０℃程度が、またリードフレームのインナーリ
ードピン先端と半導体チップ上の配線用パッドとを金線
で接続するためのワイヤーボンディング工程では１５０
℃〜３５０℃程度の加熱処理がなされることになるし、
その他の電子部品の実装工程においても様々な熱履歴を
へることとなる。このような熱履歴を経る上でも、また
全方向属のポリアミドフィルムの耐熱性をそのまま利用
するためにも、本発明で使用される熱可塑性樹脂の耐熱
性は非常に有用である。

【００２２】一方、熱可塑性樹脂の融点が高すぎるもの
では、半導体装置やその他の電子部品をアセンブリする
工程または、回路となる金属箔と積層一体化する際に不
良が生じる。たとえば、熱可塑性樹脂の融点が高すぎる
場合、半導体素子を実装するダイボンディング工程で素
子自信に熱がかかりすぎて不良を起こしたりする。ま
た、銅などの金属箔を積層一体化する場合、金属のアニ
ールの問題が生じてせっかくの熱寸法安定性を損なう恐
れもでてくる。

【００２３】以上のような理由で本発明中で用いられる
熱可塑性樹脂は、熱融着性を有しているものであるなら
ば特に規定はないが、半導体やその他の電子部品の実装
・加工方法を考えた場合その融点は１００℃〜３５０℃
が良く、さらに好ましくは１５０℃〜３３０℃がよい。
本発明に用いられる熱可塑性樹脂を具体的に挙げるなら
ば、ポリアミド樹脂（ナイロン６・６やナイロン６な
ど）、フッ素ポリマー（パーフルオロアルケンやパーフ
ルオロビニルエーテルなど）、ポリエステル（ＰＥＴや
ＰＢＴ、ポリカーボネートなど）、ポリアセタール、ポ
リフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、
ポリサルフォン、芳香属ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、芳香属ポリエステル等が挙げられる。またこ
れらのアロイ化物等が使用されるが、これらの熱可塑性
樹脂を選択する基準としては、実際の商品とするものの
特性や加工条件等を考え合わせて選ばれるべき物であ
る。また、上記で述べた熱可塑性樹脂層にエポキシ樹脂
やアリル基を持った樹脂などの架橋性樹脂を配合させる
ことは接着性などを上げる意味において有用である。

【００２４】上記で述べた全芳香属ポリアミドフィルム
の両面もしくは片面に熱融着剤としてなる熱可塑性樹脂
を固定する方法は特に規定はしないが、溶剤を使用した
塗工方法やコーティング、溶剤を使用しない方法（例え
ば、ラミネート法、熱融着、、内部加熱法、ホットメル
ト法、蒸着等）などいろいろな方法がとれる。また用い
られる全芳香属ポリアミドフィルムと熱可塑性樹脂には
接着性向上の点から片方に、もしくは双方に対してコロ
ナ放電処理、イオンスパッタリング処理、サンドブラス
ト加工、アンダーコート加工、プライマー処理などの如
き表面処理を施すことは、製品の信頼性を増す目的でよ
り好ましい態様である。

【００２５】熱融着剤層としてなる熱可塑性樹脂の厚み
としては１〜１００μｍ、好適には寸法安定性を損ねな
いために５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下
が好ましい。本発明において、上記の積層体へ異物の付
着を防止するために、熱可塑性樹脂としての融着剤の側
に（片面もしくは両面に）、ポリエステルフィルム、ポ
リプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムなどの保
護フィルムを用いてもよい。これらの保護フィルムは離
型処理された物でも良いが、電気回路状物や半導体固定
用テープ等として使用される場合にはこれらの保護フィ
ルムははがして使用される。

【００２６】本発明で使用される金属箔としては、一般
には銅箔であるが、アルミ箔、ニッケル箔、ステンレス
箔、タングステン箔、モリブデン箔等や金属合金箔（例
えば、鉄ーニッケルで作られた４２合金等）を用いるこ
とも出来る。本発明の重要な目的である熱寸法変化によ
るファインピッチ化や電子製品を搭載したの後の製品不
良率の低減を達成するためには、回路となる金属層も低
熱線膨張率が望ましい。その意味において、例えばモリ
ブデン箔やタングステン箔（いずれも、熱線膨張係数は
約５ｐｐｍ／℃）などや、４２合金（線膨張係数は約
４．６ｐｐｍ／℃）などを用いることは、より好ましい
態様である。

【００２７】上記で示された金属箔は、熱可塑性樹脂を
融着剤としてなる全芳香属ポリアミドフィルムの積層体
と、各々の熱可塑性樹脂の融点以上でラミネートし積層
物を得る。本発明で、上記で得られた熱可塑性樹脂を融
着剤としてなる全芳香属ポリアミドフィルムの積層体に
金属箔層で電気回路状に成形する方法は特に問わない
が、例を挙げるならば、エッチング法、サブトラクティ
ブ法、アディティブ法およびこれらの改良法、ダイスタ
ンプ法、ＰＣＢ法等がある。この積層物の利点を生かす
為には、ダイスタンプ法、ＰＣＢ法がより好ましい。ま
たダイスタンプ法の改良として提案されている新規な配
線成形方法（減圧下にある金型を用いたプレスによる回
路成形方法；プリント回路学会第７回学術講演会予稿集
Ｐ１３９、題名：乾式プロセスによる新規プリント配線
成形方法）などの回路成形方法によればより好ましい態
様である。

【００２８】即ち、現在主流で行われているサブトラク
ティブ法やアディティブ法など湿式の回路作成法では、
廃液処理や多くの中間材料を必要とするばかりでなく、
回路形成終了までの中間工程が多く時間もかかってい
た。一方乾式プロセスによる回路成形方法であるなら
ば、接着剤層としてなる熱可塑性樹脂の利点を活かし
て、その融点以上の温度にて回路成形させれば短時間
に、また、溶剤等の中間材料を大幅に省き所望の回路状
物が得られる。これらの意味において、熱可塑性樹脂を
融着剤としてなる全芳香属ポリアミドフィルムの積層体
に金属箔層で電気回路状に成形する方法は、乾式プロセ
スがより望ましい。

【００２９】本発明においては、形状加工の際に、ドリ
ルや打ち抜きプレス等の機械的方法も必要であるならば
当然利用できる。このようにして得られた回路状の積層
体は、そのままＦＰＣやＴＡＢの素材として利用された
り、半導体などの電子部品をダイボンディング法などで
その表面に実装させるようなベース材料として利用され
る。

【００３０】

【実施例】以下本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。これらの実施例は本発明を説明するものであって、
決して限定するものではない。尚、実施例中に、特に限
って規定しない場合は重量部または重量％を示す。以下
に本発明中での評価方法等を説明する。

【００３１】対数粘度ηinhは、９８％硫酸１００ｍｌ
にポリマー０．５ｇを溶解し、３０℃で常法で測定した
値である。ドープの粘度は、Ｂ形粘度計を用いて１ｒｐ
ｍの回転速度で測定したものである。強伸度およびヤン
グ率は、定速伸長型強伸度測定機により、フィルム試料
を１００ｍｍ＊１００ｍｍの長方形に切り取り、最初の
つかみ長さ３０ｍｍ、引っ張り速度３０ｍｍ／分で測定
し、算出した。

【００３２】１８０゜剥離力は、積層体と金属箔をラミ
ネートした試料を１０ｍｍ幅に切り、定速伸長型強伸度
測定機により１５０ｍｍのストローク長を引っ張り速度
５０ｍｍ／分で測定しそのときの荷重を見た。フィルム
の熱膨張係数は、フィルム試料を２５ｍｍ＊２５ｍｍの
長方形に切り取り、島津制作所ＴＭＡ；ＤＴ−４０にて
昇温速度５℃／分にて測定し、２０℃〜３００℃の間の
平均線膨張率を計算した（ｎ＝５）。

【００３３】ファインピッチの加工性及び製品へ対応で
きるかどうかの基準として半導体素子固定用に用いるリ
ードフレームを使用してこのリードフレームの寸法変化
を測定した。以下にその測定方法を記す。リードシフト
率を測定するために１２８ピンＱＦＰリードフレーム
（図１）を使用した。前もってこのリードフレームのＡ
で示された部分（図２；図１の部分拡大図）の距離
（ａ）を測定（測定精度１μm）しておく。次に本発明
で示されたところの積層接着テープを図１に示された位
置（Ｂ、Ｃ）に張り合わせる。テーピングの終えたリー
ドフレームを半導体装置の実装温度を想定してホットプ
レート上で３００℃下、３分加熱処理を行う。その後、
先の図２で示されたＡ部の距離（ａ’）を同様に測定し
てリードシフト率（α）を、α＝（ａ’−ａ）／ａ＊１
００の式にしたがって計算した。

【００３４】尚、図２におけるＡはリードシフト率を測
定する部位を示す。

【００３５】

【実施例１】特開昭４７−３９４５８号公報に従って、
ＰＰＴＡフィルムを製膜した。このときの条件として
は、ηinhが５．５のポリパラフェニレンテレフタルア
ミド（ＰＰＴＡ）のポリマーを９９．７％の硫酸にポリ
マー濃度１１．５％で溶解し、６０℃で光学異方性のあ
るドープを得た。このドープの粘度を常温で測定したと
ころ１０６００ポイズだった。このドープを約７０℃に
加温して、真空下に脱気した。この場合も上記と同じ光
学異方性を有し、粘度は４４００ポイズであった。タン
クから静止型混合機を通じ、ギアポンプを経て、０．９
５ｍｍ＊３００ｍｍのスリットを有するダイから、鏡面
に磨いたタンタル製のベルトにキャストし、相対湿度約
８５％の約９０℃の空気を吹き付けて、流延ドープを光
学等方化し、ベルトと共に、−２０℃の３０重量％硫酸
水溶液の中に導いて凝固させた。ついで凝固フィルムを
ベルトからひき剥し、約４０℃の温水中を走行させて洗
浄した。洗浄の終了したフィルムを水切りロールで表面
に付着した水分を除去し、テンターを用いて横方向に
１．１倍延伸しつつ２４０℃で熱風乾燥した後、２５０
℃でフリー熱処理をした。その後コロナ処理を両面に施
し、そして巻とり、厚さ５０．５μｍのフィルムを得
た。

【００３６】このフィルムの強度は４０．６ｋｇ／ｍｍ
²、伸度は１８．２％、弾性率は１５２０ｋｇ／ｍｍ²、
熱膨張係数は４．１＊１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
得られたＰＰＴＡのフィルム上にポリエーテルイミド
（ＰＥＩ；融点２７５℃）を溶融塗工した。膜厚は２５
μｍであった。この積層シートを幅２０ｍｍ及び幅１７
ｍｍに、ベースフィルムのマシン方向にそって切り出
し、リードシフト用のサンプルとした。リードフレーム
は４２アロイ合金で作られた前記の物を用い、このリー
ドフレームへの接着シートの貼合わせは、２６０℃のホ
ットプレート上で６ｋｇ／ｃｍ²の圧力で実質的に約１
５秒間熱圧着した。得られたサンプルの寸法変化の安定
性を見るために前記したリードシフト率を測定し、これ
らの結果を表１にまとめた。

【００３７】

【実施例２】実施例１と同じフィルムにテトラフルオロ
エチレンーヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥ
Ｐ；融点２７０℃）を溶融塗工した（膜厚；３０μ
m）。この接着シートを、実施例１と同様の手順でリー
ドフレームに貼合わせ成形品とした。これらの結果は表
１にまとめた。

【００３８】

【実施例３】実施例１と同じ方法でキャストし得たフィ
ルムを、さらにテンターを用いて横、縦両方向に１．０
５倍延伸しつつ２７０℃で熱風乾燥した後、２５０℃で
フリー熱処理をし、その後巻とり、厚さ５０．４μｍの
フィルムを得た。このフィルムの強度は４５．７ｋｇ／
ｍｍ²、伸度は９．８％、弾性率は１６２０ｋｇ／ｍ
ｍ²、熱膨張係数は２．２＊１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であ
った。

【００３９】このフィルムに実施例２と同じＦＥＰを溶
融塗工し（膜厚；３０μｍ）、実施例１と同様の操作で
成形品を得た。

【００４０】

【比較例１】市販のポリイミドフィルム（カプトン２０
０Ｈ；東レデュポン社製）に、実施例１と同様にＰＥＩ
を溶融塗工し、同様の操作でサンプルを得た。これらの
結果を表１に合わせて記した。

【００４１】

【比較例２】実施例１と同じフィルムに、接着剤として
熱硬化性の接着剤であるアクリル系の接着剤（テイサン
レジンＳＧ−７０Ｌ；帝国化学産業社製）を塗工し、熱
風乾燥機中（１５０℃）で１０分間おき接着シート（塗
工厚み；２５μｍ）とした。この接着シートを用いて実
施例１と同様のリードフレームに貼合わせた。次に、後
硬化として１５０℃の硬化炉に１時間いれて硬化を完了
し、サンプルを得た。

【００４２】得られたサンプルの結果は、表１にまとめ
たが、硬化時間中に樹脂の流動性が大きいため、不良率
が多かった。

【００４３】

【参考例１】実施例１と同じＰＰＴＡフィルムへポリエ
ーテルサルホン（ＰＥＳ）を溶融塗工（塗工厚み；３０
μｍ）し、接着フィルムとした。溶剤を使用しない乾式
の回路作製法として減圧下においた回路原版用金型を用
いた熱プレス法（改良ダイスタンプ法）で、この接着フ
ィルムと１８μｍの電解銅箔を積層し回路成形し、プリ
ント回路基盤を作成した。このときの成形条件として
は、回路原版用金型温度は２４０℃、加圧圧力は５５０
ｋｇ／ｃｍ²、加圧時間は２０秒であった。

【００４４】得られたプリント回路基盤のピッチは、
０．３ｍｍであり、平坦で良好な配線回路基盤であっ
た。

【００４５】

【比較例３】市販のポリイミドフィルム（カプトン２０
０Ｈ；東レデュポン社製）に、参考例１と同様にＰＥＳ
を溶融塗工し、同様の操作でサンプルを得ようとした。
しかしながら、フィルムが破れてしまったり、操作条件
を検討してようやく得たサンプルも全体的に成形体が歪
んだ物しか得られず、回路基盤として用いるには不適で
あった。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【発明の効果】半導体やその他の電気回路を実装する
（例えば、ＦＰＣ用、リードフレーム補強用テープ，Ｔ
ＡＢキャリアテープ、ダイボンディング用テープとして
使用する）際に、本発明中の強度が強く熱寸法安定性の
良い芳香族ポリアミドフィルムに熱融着層をもつ積層フ
ィルムを使うことによって、加工時間を短縮し、加工工
程を簡略でき、さらに得られた製品も寸法安定性がよい
物が得られる事からよりファインピッチ化することがで
きる。これによって、製品もよりダウンサイジング化
し、製品コストも低下できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】接着テープが貼付けられた状態を示す平面図。

【図２】図１の一部の拡大図。

【符号の説明】

１ 接着テープ ２ リードピン ３ サポートバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 C08J 7/04 C08J 7/02 H05K 1/03

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２０℃〜３００℃における幅方向の平均
   熱線膨張係数が８ｐｐｍ／℃以下の全芳香族アラミドフ
   ィルムの片面もしくは両面に融着剤として熱可塑性樹脂
   が配置された積層フィルムの片面もしくは両面に回路状
   に作られた金属箔層を持つ積層体であり、該金属箔層が
   熱線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下の金属箔からなる層で
   あることを特徴とするフィルム状回路積層体。