JPH087870B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザの光を絞った微小スポットを用
いて、光ディスク上に情報を記録したり、あるいは記録
した光ディスク上の情報を消去・再生する光ディスク装
置のなかで、特に半導体レーザ駆動回路に関するもので
ある。

従来の技術 従来の光ディスク装置の半導体レーザ駆動回路を第６図
に示す。同図において、１は半導体レーザ、２は半導体
レーザ１の光出力を受けて、光出力に応じたモニタ電流
IMを発生する光受光器、３はモニタ電流IMを抵抗Ｒによ
りモニタ電圧VMに変換する電流電圧変換器である。４は
サーボアンプSAで、モニタ電圧VMと基準電圧VRとの比較
を行い、制御電圧VSを発生する。基準電圧VRは、６の再
生用の基準電圧VPと５の記録用の基準電圧VMの２つがあ
り、アナログスイッチSW1とアナログスイッチSW2により
どちらかが選択される。選択は記録ゲートWG及び、イン
バータ９の出力により制御される。アナログスイッチSW
3は、インバータ17を通したホールドゲートHLDにより制
御され、制御電圧VSをバッファアンプ12に与えるもので
ある。11はホールド用コンデンサである。アナログスイ
ッチSW3、コンデンサ11、バッファーアンプ12によりサ
ンプルホールド回路を構成しており、アナログスイッチ
SW3はオンで前記制御電圧VSをサンプルし、オープン時
にはサンプルした制御電圧VSをホールドするものであ
り、インバータ17と共に第２の制御手段を構成する。バ
ッファーアンプ12の出力VSHは電流源13に接続され、半
導体レーザ１に流す駆動電流ILを制御する。駆動電流IL
は２つのトランジスタ14,15によりスイッチングされ
る。スイッチングは記録データWDTと、インバータ16の
出力により制御される。

以上のように構成された従来の半導体レーザ駆動回路
において、以下その動作を第７図を用いて説明する。

なお、以降アナログスイッチの動作はすべて、その制
御端子が“HIGH"の時にオン、“LOW"の時にオープンに
なるものとする。

信号は、上から記録ゲートWG,ホールドゲートHLD,記
録データWDT,基準電圧VR,半導体レーザの光出力であ
る。半導体レーザの光出力は、電流電圧変換器３のモニ
タ電圧VMと相似的に同じである。

時間t1までは再生区間を示す。記録ゲートWGは“LOW"
で、アナログスイッチSW1がオープン、アナログスイッ
チSW2がオンである。この時、基準電圧VRにはアナログ
スイッチSW2の再生用の基準電圧VPが発生している。ホ
ールドゲートHLDは“LOW"で、アナログスイッチSWはオ
ンで、サンプルホールド回路は制御電圧VSをサンプル状
態である。記録データWDTは“HIGH"で、電流源13による
駆動電流ILは１の半導体レーザに流れる。これより、半
導体レーザの光出力は基準電圧VPで設定される再生パワ
ーになるように、出力にサーボがかかる。

時間t1で、記録ゲートWGが“HIGH"になると、アナロ
グスイッチSW2がオープンで、アナログスイッチSW1がオ
ンになる。基準電圧VRはアナログスイッチSW1の記録用
の基準電圧VWが発生する。ホールドゲートHLDは“LOW"
で制御電圧VSのサンプル状態は続いている。記録データ
WDTは“HIGH"のままで、電流源13による駆動電流ILはす
べて半導体レーザ１に流れる。これより、半導体レーザ
１の光出力は基準電圧VWで設定される記録パワーになる
ように、再生パワーから記録パワーへとDC的にサーボが
かかって立ち上がる。

時間t2でホールドゲートHLDが“HIGH"になる。アナロ
グスイッチSW3はオープンになり、サンプルホールド回
路はサンプルしていた制御電圧VSをホールドする。電流
源13は、ホールドした制御電圧VSで駆動される。記録デ
ータWDTは、本来の記録信号で変調が始まる。これよ
り、半導体レーザ１の光出力は、記録データWDTの信号
をホールドした制御電圧で設定される記録パワーで変調
を受ける。

時間t3で記録ゲートWGが“LOW"になると、アナログス
イッチSW2がオンで、アナログスイッチSW1がオープンに
なる。基準電圧VRは再生用の基準電圧VPが発生する。ま
たホールドゲートHLDも時間t3で“LOW"になり、アナロ
グスイッチSW3がオンで、サンプルホールド回路はサン
プル状態になる。記録データWDTは“HIGH"になる。これ
より、半導体レーザ１の光出力は、再生パワーになるよ
うサーボがかかる。

以上の説明より、記録ゲートWGが“HIGH"になって、
記録データWDTの変調が始まるまでの時間t1から時間t2
までの間、記録データWDTはDC的に“HIGH"になって、半
導体レーザ１の光出力をDCで立ち上げることが分かる。

時間t2から時間t3までの間をTHとすると、THの区間サ
ンプルホールド回路でホールドした制御電圧により、電
流源13が駆動され、記録データWDTの変調が行われるこ
とになる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では、半導体レーザの
光出力を再生パワーから記録パワーに設定する際、記録
パワーをDC的に立ち上げていた。このため高出力の記録
パワーがDC的に光ディスクの記録膜にかかることにな
り、記録膜への熱負荷が大きく、結果として記録膜の破
れの問題点を有していた。

また高出力のDC記録パワーは、半導体レーザ自身の寿
命も短くすると言う問題点も有していた。

本発明はかかる点に鑑み、半導体レーザの光出力を設
定する際、半導体レーザの光出力をAC変調して立ち上げ
て記録膜への熱負荷を軽減し、記録膜の破れを防止する
半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本願の請求項１の半導体レーザ駆動回路は、半導体レ
ーザと、半導体レーザの光を受けて光出力に応じたモニ
タ信号を発生する光受光器と、前記するモニタ信号のピ
ークを検出してピーク信号を発生するピークホールド回
路と、光受光器のモニタ信号と前記ピークホールド回路
のピーク信号とを選択する第１の制御手段と、光出力を
設定するための基準電圧を発生する基準電圧発生手段
と、前記第１の制御手段で選択した信号と前記基準電圧
とを比較して前記半導体レーザの光出力を所定の光出力
に制御する制御電圧を発生するサーボアンプと、前記サ
ーボアンプの制御電圧をサンプルホールドするサンプル
ホールド回路と、サンプルホールド回路のサンプル状態
とホールド状態かを選択する第２の制御手段と、前記サ
ンプルホールド回路の出力により半導体レーザに電流を
流す電流源と、前記電流源の電流を記録データで変調す
る変調段と、光出力を設定する区間、前記記録データに
AC変調データを付加すると共に前記第１の制御手段でピ
ーク信号を選択し、前記第２の制御手段により前記サン
プルホールド回路をサンプル状態とする記録データ制御
手段と、を備えたことを特徴とするものである。

また、本願の請求項２の発明は、請求項１のサンプル
ホールド回路及び第２の制御手段に代えて、サーボアン
プの制御電圧をAD変換してディジタル電圧に変換するAD
変換機と、AD変換したディジタル電圧をDA変換してアナ
ログ電圧にするDA変換器と、制御電圧とアナログ電圧と
を選択する第３の制御手段を用い、記録データ制御手段
は光出力を設定する区間、第３の制御手段により制御電
圧を選択するようにしたものである。

作用 本発明は前記した構成により、半導体レーザの光出力
を設定する際、記録データにAC変調データを付加して、
半導体レーザの光出力をAC変調して立ち上げる。光受光
器のAC変調されたモニタ信号から、モニタ信号のピーク
をピークホールド回路でとる。ピークホールド回路でと
ったモニタ信号のピークと、基準電圧とをサーボアンプ
で比較することで、半導体レーザの光出力を安定にサー
ボをかけて立ち上げる。光出力が所定の値になった時に
制御電圧をサンプルホールド回路でホールドして、記録
データの変調を行うようにしている。

実施例 第１図は、半導体レーザの光出力を設定する際、半導
体レーザの光出力をAC変調して立ち上げ、光ディスクの
記録膜への熱負荷を軽減する、第１の実施例の半導体レ
ーザ駆動回路の構成図である。

先に説明した従来例の第６図に追加した部分の説明を
する。モニタ電圧VMのピークを検出するダイオード20,
検出したピークをホールドするコンデンサ21によりピー
クホールド回路22が構成される。ピークホールド出力は
アナログスイッチSW4に与えられ、記録ゲートWGが“HIG
H"の記録時に選択される。アナログスイッチSW5は、記
録ゲートWGが“LOW"の再生時に選択される。ここでアナ
ログスイッチSW4,SW5により、第１の制御手段を構成す
る。一方、アンドゲート24は、ホールドゲートHLDのイ
ンバートを記録ゲートWGのアンドをとり、記録設定区間
信号SETを発生する。また、アンドゲート25は、記録設
定区間信号SETと、AC変調データであるACDTとのアンド
をとるものであり、その出力は、次段のオアゲート26に
与えられる。WDTは従来例における記録データである。
オアゲート26は、従来の記録データWDTに、AC変調デー
タACDTを記録の設定区間付加して、新たな記録データWD
TTを発生する。このようにアンドゲート24,25とオアゲ
ート26により、記録データWDTにAC変調データACDTを付
加する記録データ制御手段23を構成している。

第２図を用いて、本実施例の半導体レーザ駆動回路に
ついて、その動作を説明する。

信号は上から、記録ゲートWG,ホールドゲートHLD,記
録設定区間信号SET,AC変調データを付加した新たな記録
データWDTT,基準電圧VR,ピークホールド回路の出力であ
るピーク電圧VMP,半導体レーザ１の光出力である。半導
体レーザ１の光出力は、相似的に電流電圧変換器のモニ
タ電圧VMと同じである。

ここで第７図の従来例の動作図の信号と異なっている
のは、記録設定区間信号SETと記録データWDTTである。
時間t1から時間t2までの、半導体レーザの光出力を再生
から記録パワーに立ち上げる区間、記録設定区間信号SE
Tは“HIGH"になる。また同じ区間において、従来の記録
データWDTはDC的に“HIGH"であったが、実施例ではAC変
調データACDTが付加されている。

時間t1までは再生区間を示す。記録ゲートWGは“LOW"
で、アナログスイッチSW1,SW4がオープンで、アナログ
スイッチSW2,SW5がオンである。この時、基準電圧VRに
はアナログスイッチSW2の再生用の基準電圧VPが発生し
ている。またサーボアンプの入力VMPは、電流電圧変換
器３のモニタ電圧VMがアナログスイッチSW5を通って接
続され、ピークホールド回路22の出力は接続されない。
ホールドゲートHLDは“LOW"で、アナログスイッチSW3は
オンで、サンプルホールド回路は制御電圧VSをサンプル
状態である。記録区間信号SETが“LOW"で、記録データW
DTTには従来の記録データWDTが接続される。記録データ
WDTは“HIGH"で、これより記録データWDTTも“HIGH"に
なり、電流源13による駆動電流ILは半導体レーザ１に流
れる。これより、半導体レーザ１の光出力は基準電圧VP
で設定される再生パワーになるように、光出力にサーボ
がかかる。

時間t1で、記録ゲートWGが“HIGH"になると、アナロ
グスイッチSW1,SW4がオンで、アナログスイッチSW2,SW5
がオープンになる。基準電圧VRはアナログスイッチSW1
の記録用の基準電圧VWが発生する。またサーボアンプの
入力VMPは、ピークホールド回路の出力がアナログSW4に
より接続される。ホールドゲートHLDは“LOW"で、アナ
ログスイッチSW3はオンで、サンプルホールド回路は制
御電圧VSをサンプル状態である。記録設定区間信号SET
は“HIGH"になり、記録データWDTTにはAC変調データACD
Tが付加される。これより、半導体レーザ１の光出力
が、AC変調データACDTにより変調される。AC変調された
光受光器のモニタ電圧VMのピークを図のVMPに示すよう
にピークホールド回路が検出する。このピーク値と基準
電圧VWとが一致するように、半導体レーザの光出力にサ
ーボをかけて再生パワーから記録パワーにAC変調して立
ち上げる。

時間t2でホールドゲートHLDが“HIGH"になる。アナロ
グスイッチSW3はオープンになり、サンプルホールド回
路はサンプルしていた制御電圧VSをホールドする。電流
源13は、ホールドした制御電圧VSで駆動される。

記録データWDTTは、記録設定区間信号SETが“LOW"
で、本来の記録データWDTで変調が始まる。これより、
半導体レーザの光出力は、記録データWDTの信号によ
り、ホールドした制御電圧で設定される記録パワーで変
調を受ける。

時間t3で記録ゲートWGが“LOW"になると、アナログス
イッチSW2,SW5がオンで、アナログスイッチSW1,SW4がオ
ープンになる。基準電圧VRは再生用の基準電圧VPが発生
する。またサーボアンプの入力VMPは電流電圧変換器の
モニタ電圧VMが直接接続される。ホールドゲートHLDも
時間t3で“LOW"になり、アナログスイッチSW3がオン
で、サンプルホールド回路はサンプル状態になる。記録
設定区間信号SETは“LOW"で、記録データWDTTは記録デ
ータWDTが入り“HIGH"になる。これより半導体レーザの
光出力は、再生パワーになるようサーボがかかる。

以上のように本実施例によれば、半導体レーザと、半
導体レーザの光を受けて光出力に応じたモニタ信号を発
生する光受光器と、前記モニタ信号のピークを検出して
ピーク信号を発生するピークホールド回路と、光受光器
のモニタ信号かピークホールド回路のピーク信号かを選
択する第１の制御手段と、光出力を設定するための基準
電圧を発生する基準電圧発生手段と、前記第１の制御手
段で選択した信号と前記基準電圧とを比較して半導体レ
ーザの光出力を所定の光出力に制御する制御電圧を発生
するサーボアンプと、サーボアンプの制御電圧をサンプ
ルホールドするサンプルホールド回路と、サンプルホー
ルド回路のサンプル状態とホールド状態とを選択する第
２の制御手段と、前記サンプルホールド回路の出力によ
り半導体レーザに電流を流す電流源と、前記電流源の電
流を記録データで変調する変調段と、光出力を設定する
区間、前記記録データにAC変調データを付加する記録デ
ータ制御手段とを設けることにより、半導体レーザの光
出力を設定する際、光出力をAC変調して立ち上げ、記録
膜への熱付加を軽減して、記録膜の破れ、半導体レーザ
の短寿命化を防止することが出来る。

次に第２の実施例を説明する前に、サンプルホールド
回路のドループについて第５図を用いて説明する。第５
図のグラフで、横軸は時間、縦軸はホールド電圧をとっ
ている。ここでホールド時間がTe経つと、コンデンサの
リーク、あるいはアナログスイッチのリークなどによ
り、初期のホールド電圧VSTが図に示すように、dVの電
圧だけ減少してしまう。このホールド電圧の減少をドル
ープと呼ぶが、サンプルホールド回路では常にこのドル
ープによる減少が所定の誤差範囲εに対してε＞dV/VST
になるように設計する必要がある。逆に言えば、ホール
ド時間Teが長くなると、ドループによる電圧減少dVが大
きくなり、誤差εを抑えることが困難になる。誤差εの
変動は半導体レーザ駆動回路では、直接半導体レーザの
光出力の変動になり、大きな問題となる。

そこで第２の実施例では、半導体レーザの光出力を設
定する際、半導体レーザの光出力をAC変調して立ち上
げ、記録膜への熱負荷を軽減すると共に、AD変換器,DA
変換器を用いて、設定する制御電圧をAD変換器にディジ
タル電圧としてラッチすることにより、制御電圧の変動
を抑えて、半導体レーザの光出力の変動を抑えることを
目的とする。

第３図は第２の実施例の半導体レーザ駆動回路の構成
図である。先に説明した第１の実施例の第１図に追加変
更した部分の説明をする。追加変更したのは、第１の実
施例におけるサンプルホールド回路を第２の実施例で
は、AD変換器とDA変換器と、アナログスイッチSW6,SW7
から構成される第３の制御手段とにした部分である。

27はAD変換器で、サーボアンプ４の出力である制御電
圧VSをディジタル電圧VDにAD変換する。外部のラッチ信
号LTにより、ディジタル電圧をラッチして次段のDA変換
器28に出力する。DA変換器28は、ディジタル電圧VDをAD
変換してアナログ電圧VAを出力する。アナログスイッチ
SW6,アナログスイッチSW7は、外部の制御信号EXCとイン
バータ31の出力により制御され、電流源13の制御信号を
サーボアンプ４の出力VSとDA変換器28の出力VAとに切り
換える第３の制御手段を構成する。外部の制御信号EXC
は、第１の実施例におけるホールド信号とまったく同一
である。外部の制御信号EXCにより、アナログスイッチS
W6,SW7が選択され、結果として、サーボアンプ４の制御
電圧VSかDA変換器28のアナログ電圧VAのどちらかが、電
流源13に接続される。

第４図を用いて、第２の実施例の半導体レーザ駆動回
路について、その動作を説明する。

信号は上から、記録ゲートWG,外部制御信号EXC,記録
設定区間信号SET,AC変調データを付加した新たな記録デ
ータWDTT,AD変換器27のラッチ信号LT,基準電圧VR,ピー
クホールド回路22の出力であるピーク電圧VMP,半導体レ
ーザ１の光出力である。半導体レーザ１の光出力は、相
似的に電流電圧変換器のモニタ電圧VMと同じである。

ここで第２図の第１の実施例の動作図の信号と異なっ
ているのは、外部制御信号EXCとAD変換器27のラッチ信
号LTである。外部制御信号EXCは、第１の実施例のホー
ルドゲートHLDと全く同一である。ラッチ信号LTは、時
間t2で外部制御信号EXCが“HIGH"になる前の時間t4で、
AD変換器27のラッチ信号として、出力が“HIGH"になり
ディジタル電圧VDをラッチする。

時間t1までは再生区間を示す。記録ゲートWGは“LOW"
で、アナログスイッチSW1,SW4がオープンで、アナログ
スイッチSW2,SW5がオンである。この時、基準電圧VRに
はアナログスイッチSW2の再生用の基準電圧VPが発生し
ている。またサーボアンプの入力VMPは、電流電圧変換
器のモニタ電圧VMがアナログスイッチSW5を通って接続
され、ピークホールド回路の出力は接続されない。外部
制御信号EXCは“LOW"で、アナログスイッチSW7はオン
で、アナログスイッチSW6はオープンである。サーボア
ンプ４の制御電圧VSが電流源13に接続され、DA変換器28
の出力は接続されない。記録区間信号SETが“LOW"で、
記録データWDTTには従来の記録データWDTが接続され
る。記録データWDTは“HIGH"で、これより記録データWD
TTも“HIGH"になり、電流源13による駆動電流ILは１の
半導体レーザ１に流れる。これより、半導体レーザ１の
光出力は基準電圧VPで設定される再生パワーになるよう
に、光出力にサーボがかかる。

時間t1で、記録ゲートWGが“HIGH"になると、アナロ
グスイッチSW1,SW4がオンで、アナログスイッチSW2,SW5
がオープンになる。基準電圧VRはアナログスイッチSW1
の記録用の基準電圧VWが発生する。またサーボアンプ４
の入力VMPは、ピークホールド回路の出力がアナログSW4
により接続される。外部制御信号EXCは“LOW"で、アナ
ログスイッチSW7はオンで、アナログスイッチSW6はオー
プンのままであり、電流源13には制御電圧VSが出力され
ている。一方、AD変換器27の入力には制御電圧VSが入
り、ディジタル電圧VDにリアルタイムでDA変換されてい
る。またディジタル電圧VDもDA変換器28によりリアルタ
イムでアナログ電圧VAに変換されている。記録設定区間
信号SETは“HIGH"になり、記録データWDTTにはAC変調デ
ータACDTが付加される。これより、半導体レーザ１の光
出力が、AC変調データACDTにより変調される。AC変調さ
れた光受光器２のモニタ電圧VMのピークを図のVMPに示
すようにピークホールド回路が検出する。このピーク値
と基準電圧VWとが一致するように、半導体レーザ１の光
出力にサーボをかけて再生パワーから記録パワーにAC変
調して立ち上げる。

時間t4でAD変換器のラッチ信号LTが“HIGH"になる。
この時のAD変換したディジタル電圧VDがラッチされて、
DA変換器に出力される。DA変換器はこれをDA変換してア
ナログ電圧VAを発生する。

時間t2で外部制御信号EXCが“HIGH"になる。アナログ
スイッチSW7はオープンになり、アナログスイッチSW6は
オンになる。これより電流源13には、サーボアンプの制
御電圧VSから、DA変換器のアナログ電圧VAが出力され
る。電流源13は、AD変換器にラッチしたディジタル電圧
VDをDA変換したアナログ電圧VAにより駆動される。記録
データWDTTは、記録設定区間信号SETが“LOW"で、本来
の記録データWDTで変調が始まる。これより、半導体レ
ーザ１の光出力は、記録データWDTの信号により、AD変
換器27にラッチしたディジタル電圧VDをDA変換したアナ
ログ電圧VAで設定される記録パワーで変調を受ける。

時間t3で記録ゲートWGが“LOW"になると、アナログス
イッチSW2,SW5がオンで、アナログスイッチSW1,SW4がオ
ープンになる。基準電圧VRは再生用の基準電圧VPが発生
する。またサーボアンプ４の入力VMPは電流電圧変換器
３のモニタ電圧VMが直接接続される。外部制御信号EXC
も時間t3で“LOW"になり、アナログスイッチSW7がオン
で、アナログスイッチSW6がオープンになる。電流源13
にはサーボアンプの制御電圧VSが接続される。記録設定
区間信号SETは“LOW"で、記録データWDTTは記録データW
DTが入り“HIGH"になる。これより半導体レーザ１の光
出力は、再生パワーになるようサーボがかかる。

以上のように本実施例によれば、半導体レーザと、半
導体レーザの光を受けて光出力に応じたモニタ信号を発
生する光受光器と、前記モニタ信号のピークを検出して
ピーク信号を発生するピークホールド回路と、光受光器
のモニタ信号かピークホールド回路のピーク信号かを選
択する第１の制御手段と、光出力を設定するための基準
電圧を発生する基準電圧発生手段と、前記第１の制御手
段で選択した信号と前記基準電圧とを比較して半導体レ
ーザの光出力を所定の光出力に制御する制御電圧を発生
するサーボアンプと、サーボアンプの制御電圧をAD変換
してディジタル電圧にするAD変換器と、前記AD変換した
ディジタル電圧をDA変換してアナログ電圧にするDA変換
器と、前記制御電圧と前記アナログ電圧とを選択する第
３の制御手段と、前記第３の制御手段で選択した電圧に
より半導体レーザに電流を流す電流源と、前記電流源の
電流を記録データで変調する変調段と、光出力を設定す
る区間、前記記録データにAC変調データを付加する記録
データ制御手段とを設けることにより、半導体レーザの
光出力を設定する際、半導体レーザの光出力をAC変調し
て立ち上げ、記録膜への熱負荷を軽減すると共に、設定
する制御電圧をAD変換器にディジタル電圧としてラッチ
して、制御電圧の変動を抑えて、半導体レーザの光出力
の変動を抑えることが出来る。

なお、第1,第２の実施例では半導体レーザの光出力を
再生パワーから記録パワーへと設定したが、これは記録
パワーでなく消去パワーであってもよい。

また第1,第２の実施例では、電流源を１つ用いて記録
パワーの設定のみを実施例としたが、これは電流源を２
つ用いて、記録パワーと消去パワーの２つのパワーを設
定する場合にも本発明は適用できることは言うまでもな
い。

さらにラッチ信号はAD変換器に入力したが、これはDA
変換器に入力してディジタル電圧をラッチしてもよい。

また本実施例では、モニタ電圧VMのピーク検出にダイ
オードとコンデンサによるピークホールド回路を用いた
が、これはモニタ電圧のピークを検出できるものであれ
ば何でも構わない。

発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザ
の光出力を設定する際、光出力をAC変調して立ち上げる
ことができる。従って、記録膜への熱負荷を軽減して、
記録膜の破れ、半導体レーザの短寿命化を防止すること
ができ、その実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における第１の実施例の半導体レーザ駆
動回路の構成図、第２図は同実施例の動作説明図、第３
図は本発明における第２の実施例の半導体レーザ駆動回
路の構成図、第４図は同実施例の動作説明図、第５図は
サンプルホールド回路のドループを説明するための図、
第６図は従来の半導体レーザ駆動回路の構成図、第７図
は従来の半導体レーザ駆動回路の動作説明図である。 １……半導体レーザ、２……光受光器、３……電流電圧
変換器、４……サーボアンプ、13……電流源、20……ダ
イオード、21……コンデンサ、22……ピークホールド回
路、23……記録データ制御手段、24,25……アンドゲー
ト、26……オアゲート、27……AD変換器、28……DA変換
器。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザと、 半導体レーザの光を受けて光出力に応じたモニタ信号を
   発生する光受光器と、 前記モニタ信号のピークを検出してピーク信号を発生す
   るピークホールド回路と、 光受光器のモニタ信号か前記ピークホールド回路のピー
   ク信号かを選択する第１の制御手段と、 光出力を設定するための基準電圧を発生する基準電圧発
   生手段と、 前記第１の制御手段で選択した信号と前記基準電圧とを
   比較して前記半導体レーザの光出力を所定の光出力に制
   御する制御電圧を発生するサーボアンプと、 前記サーボアンプの制御電圧をサンプルホールドするサ
   ンプルホールド回路と、 サンプルホールド回路のサンプル状態かホールド状態か
   を選択する第２の制御手段と、 前記サンプルホールド回路の出力により半導体レーザに
   電流を流す電流源と、 前記電流源の電流を記録データで変調する変調手段と、 光出力を設定する区間前記記録データにAC変調データを
   付加する記録データ制御手段とを備えたことを特徴とす
   る半導体レーザ駆動回路。
2. 【請求項２】半導体レーザと、 半導体レーザの光を受けて光出力に応じたモニタ信号を
   発生する光受光器と、 前記モニタ信号のピークを検出してピーク信号を発生す
   るピークホールド回路と、 光受光器のモニタ信号か前記ピークホールド回路のピー
   ク信号かを選択する第１の制御手段と、 光出力を設定するための基準電圧を発生する基準電圧発
   生手段と、 前記第１の制御手段で選択した信号と前記基準電圧とを
   比較して前記半導体レーザの光出力を所定の光出力に制
   御する制御電圧を発生するサーボアンプと、 前記サーボアンプの制御電圧をAD変換してディジタル電
   圧にするAD変換器と、 前記AD変換器がAD変換してラッチするタイミングを制御
   するラッチ信号を発生するラッチ手段と、 前記AD変換したディジタル電圧をDA変換してアナログ電
   圧にするDA変換器と、 前記制御電圧か前記アナログ電圧かを選択する第２の制
   御手段と、 前記第２の制御手段で選択した電圧により半導体レーザ
   に電流を流す電流源と、 前記電流源の電流を記録データで変調する変調手段と、 光出力を設定する区間前記記録データにAC変調データを
   付加する記録データ制御手段とを備えたことを特徴とす
   る半導体レーザ駆動回路。