JPH0878582A - 半導体装置及び半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置製造方法Info
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- JPH0878582A JPH0878582A JP6207567A JP20756794A JPH0878582A JP H0878582 A JPH0878582 A JP H0878582A JP 6207567 A JP6207567 A JP 6207567A JP 20756794 A JP20756794 A JP 20756794A JP H0878582 A JPH0878582 A JP H0878582A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱可塑性樹脂を用いてパッケージを形成するこ
とにより生産性を高めた場合であってもリード線等の断
線を未然に防止することができ、信頼性を確保できる半
導体装置を提供すること。 【構成】パッケージ内部に半導体素子２０が取り付けら
れたキャリア部材２１を配設してなる半導体装置１０に
おいて、前記パッケージは、中空容器状に形成された熱
可塑性樹脂からなる外側部３０と、外側部３０内に収容
された熱硬化性樹脂からなる内側部４０とを備えてい
る。
とにより生産性を高めた場合であってもリード線等の断
線を未然に防止することができ、信頼性を確保できる半
導体装置を提供すること。 【構成】パッケージ内部に半導体素子２０が取り付けら
れたキャリア部材２１を配設してなる半導体装置１０に
おいて、前記パッケージは、中空容器状に形成された熱
可塑性樹脂からなる外側部３０と、外側部３０内に収容
された熱硬化性樹脂からなる内側部４０とを備えてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を樹脂で封
止することによりパッケージを形成した半導体装置及び
半導体装置製造方法に関する。
止することによりパッケージを形成した半導体装置及び
半導体装置製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からリードフレームやＴＡＢ（tape
automated bonding）テープ等のキャリア部材上に半導
体素子を載置し、キャリア部材とともに金型内に投入
し、この金型内に樹脂を流し込むことにより封止してパ
ッケージを形成した半導体装置がある。上記樹脂は通
常、クラック防止のために熱硬化性樹脂であるエポキシ
樹脂を用いてトランスファモールドにより成形されてい
る。エポキシ樹脂は成形時の流動性及び硬化後のリード
フレームとの密着性に優れているため広く用いられてい
る。しかし、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の保存には
冷凍庫が必要で取扱いが繁雑なこと、成形後の硬化時間
に６０〜１８０秒の時間がかかり生産性が低いこと等の
問題があった。
automated bonding）テープ等のキャリア部材上に半導
体素子を載置し、キャリア部材とともに金型内に投入
し、この金型内に樹脂を流し込むことにより封止してパ
ッケージを形成した半導体装置がある。上記樹脂は通
常、クラック防止のために熱硬化性樹脂であるエポキシ
樹脂を用いてトランスファモールドにより成形されてい
る。エポキシ樹脂は成形時の流動性及び硬化後のリード
フレームとの密着性に優れているため広く用いられてい
る。しかし、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の保存には
冷凍庫が必要で取扱いが繁雑なこと、成形後の硬化時間
に６０〜１８０秒の時間がかかり生産性が低いこと等の
問題があった。
【０００３】そこで、硬化時間を短縮させて生産性を向
上させるために、封止する樹脂として熱可塑性樹脂を用
いることが試みられている。これは、従来のトランスフ
ァモールドにかわってインジェクションモールドにより
パッケージを成形するものであり、樹脂の硬化が１０秒
程度で終了するため、生産性が向上する利点がある。
上させるために、封止する樹脂として熱可塑性樹脂を用
いることが試みられている。これは、従来のトランスフ
ァモールドにかわってインジェクションモールドにより
パッケージを成形するものであり、樹脂の硬化が１０秒
程度で終了するため、生産性が向上する利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような熱可塑性
樹脂を用いて半導体装置のパッケージを形成する場合に
は次のような問題があった。すなわち、熱可塑性樹脂は
熱硬化性樹脂に比べて軟化流動時の粘度が高く、リード
フレームやボンディングされたリード線が流動抵抗で変
形し、リード線が断線する虞があった。
樹脂を用いて半導体装置のパッケージを形成する場合に
は次のような問題があった。すなわち、熱可塑性樹脂は
熱硬化性樹脂に比べて軟化流動時の粘度が高く、リード
フレームやボンディングされたリード線が流動抵抗で変
形し、リード線が断線する虞があった。
【０００５】そこで本発明は、熱可塑性樹脂を用いてパ
ッケージを形成することにより生産性を高めた場合であ
ってもリード線等の断線を未然に防止することができ、
信頼性を確保できる半導体装置及び半導体装置製造方法
を提供することを目的としている。
ッケージを形成することにより生産性を高めた場合であ
ってもリード線等の断線を未然に防止することができ、
信頼性を確保できる半導体装置及び半導体装置製造方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明は、パッケージ内部に半導体素
子が取り付けられたキャリア部材を配設してなる半導体
装置において、前記パッケージは、中空容器状に形成さ
れた熱可塑性樹脂からなる外側部と、この外側部内に収
容された熱硬化性樹脂からなる内側部とを備えるように
した。
達成するために、本発明は、パッケージ内部に半導体素
子が取り付けられたキャリア部材を配設してなる半導体
装置において、前記パッケージは、中空容器状に形成さ
れた熱可塑性樹脂からなる外側部と、この外側部内に収
容された熱硬化性樹脂からなる内側部とを備えるように
した。
【０００７】一方、半導体素子を樹脂により封止する半
導体装置製造方法において、前記半導体素子が取り付け
られたキャリア部材の両面に熱可塑性樹脂により形成さ
れた２つの有底容器の開口部をそれぞれ接着し、中空容
器を形成する工程と、前記中空容器内に熱硬化性樹脂を
充填する工程を備えるようにした。
導体装置製造方法において、前記半導体素子が取り付け
られたキャリア部材の両面に熱可塑性樹脂により形成さ
れた２つの有底容器の開口部をそれぞれ接着し、中空容
器を形成する工程と、前記中空容器内に熱硬化性樹脂を
充填する工程を備えるようにした。
【０００８】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。すなわち、粘度が高いために充填の際にキャリア部
材が変形しリード線の断線が生じやすい熱可塑性樹脂は
中空容器状の外側部を形成するのに用い、この外側部の
内側に粘度が低い熱硬化性樹脂を充填することによりパ
ッケージを形成したので、リード線の断線を未然に防止
することができる。このため、半導体装置の信頼性を向
上させることができるとともに、熱硬化性樹脂の硬化終
了を待つことなく次の工程に送ることができるので、半
導体装置の生産性が向上する。
る。すなわち、粘度が高いために充填の際にキャリア部
材が変形しリード線の断線が生じやすい熱可塑性樹脂は
中空容器状の外側部を形成するのに用い、この外側部の
内側に粘度が低い熱硬化性樹脂を充填することによりパ
ッケージを形成したので、リード線の断線を未然に防止
することができる。このため、半導体装置の信頼性を向
上させることができるとともに、熱硬化性樹脂の硬化終
了を待つことなく次の工程に送ることができるので、半
導体装置の生産性が向上する。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体装置と
してのデュアルインラインパッケージ（以下「ＤＩＰ」
と称する。）を示す断面図であり、図２の（ａ）〜
（ｄ）は図１に示すＤＩＰの製造方法を示す工程図であ
る。
してのデュアルインラインパッケージ（以下「ＤＩＰ」
と称する。）を示す断面図であり、図２の（ａ）〜
（ｄ）は図１に示すＤＩＰの製造方法を示す工程図であ
る。
【００１０】図１中１０はＤＩＰを示している。ＤＩＰ
１０は矩形状の半導体素子２０と、この半導体素子２０
が取り付けられたキャリア部材としてのリードフレーム
２１と、半導体素子２０の各端子とリードフレーム２１
のリード部（不図示）とを接続するリード線２２と、熱
可塑性樹脂である液晶ポリマ（ＬＣＰ）により中空容器
状に形成された外側部３０と、外側部３０に収容された
熱硬化性樹脂製の内側部４０とを備えている。外側部３
０は、リードフレーム２１の半導体素子２０が取り付け
られた側の面に開口部の端面を接着した第１の有底容器
３０ａと、リードフレーム２１の他方の面に開口部の端
面を接着した第２の有底容器３０ｂから構成されてい
る。第１の有底容器３０ａの底部中央には孔３１が設け
られている。内側部４０を構成する熱硬化性樹脂は曲げ
弾性率が小さく、線膨張係数が小さいエポキシ樹脂を主
成分とする熱硬化性樹脂である。
１０は矩形状の半導体素子２０と、この半導体素子２０
が取り付けられたキャリア部材としてのリードフレーム
２１と、半導体素子２０の各端子とリードフレーム２１
のリード部（不図示）とを接続するリード線２２と、熱
可塑性樹脂である液晶ポリマ（ＬＣＰ）により中空容器
状に形成された外側部３０と、外側部３０に収容された
熱硬化性樹脂製の内側部４０とを備えている。外側部３
０は、リードフレーム２１の半導体素子２０が取り付け
られた側の面に開口部の端面を接着した第１の有底容器
３０ａと、リードフレーム２１の他方の面に開口部の端
面を接着した第２の有底容器３０ｂから構成されてい
る。第１の有底容器３０ａの底部中央には孔３１が設け
られている。内側部４０を構成する熱硬化性樹脂は曲げ
弾性率が小さく、線膨張係数が小さいエポキシ樹脂を主
成分とする熱硬化性樹脂である。
【００１１】一方、上述したＤＩＰ１０は図２の（ａ）
〜（ｄ）に示す製造工程により形成される。すなわち、
図２の（ａ）に示すようにリードフレーム２１に半導体
素子２０を搭載した後、リード線２２により半導体素子
２０の各端子とリードフレーム２１のリード部とを接続
する。次に図２の（ｂ）に示すように、半導体素子２０
の両面に予めインジェクションモールドで形成された第
１及び第２の有底容器３０ａ，３０ｂの開口部を超音波
溶着若しくは接着剤によりリードフレーム２１に接着す
る。
〜（ｄ）に示す製造工程により形成される。すなわち、
図２の（ａ）に示すようにリードフレーム２１に半導体
素子２０を搭載した後、リード線２２により半導体素子
２０の各端子とリードフレーム２１のリード部とを接続
する。次に図２の（ｂ）に示すように、半導体素子２０
の両面に予めインジェクションモールドで形成された第
１及び第２の有底容器３０ａ，３０ｂの開口部を超音波
溶着若しくは接着剤によりリードフレーム２１に接着す
る。
【００１２】次に、第１及び第２の有底容器３０ａ，３
０ｂが接着されたリードフレーム２１をトランスファモ
ールド工程に送る。ここで図２の（ｃ）に示すように溶
融した熱硬化性樹脂Ｅを第１及び第２の有底容器３０
ａ，３０ｂにより形成された外側部３０の内部に低速・
低圧で空気の巻き込みがないように充填する。図２の
（ｄ）に示すように充填が終了すると、エポキシ樹脂Ｅ
の硬化を待つことなく次の工程へ送ることができる。
０ｂが接着されたリードフレーム２１をトランスファモ
ールド工程に送る。ここで図２の（ｃ）に示すように溶
融した熱硬化性樹脂Ｅを第１及び第２の有底容器３０
ａ，３０ｂにより形成された外側部３０の内部に低速・
低圧で空気の巻き込みがないように充填する。図２の
（ｄ）に示すように充填が終了すると、エポキシ樹脂Ｅ
の硬化を待つことなく次の工程へ送ることができる。
【００１３】上述したように本実施例によれば、外側部
３０を熱可塑性樹脂で中空容器状に形成し、この外側部
３０の内部に熱硬化性樹脂Ｅを充填することにより内側
部４０を形成するようにしたので、熱硬化性樹脂Ｅの硬
化終了を待つことなく次の工程に送ることが可能とな
り、ＤＩＰ１０の生産性を向上させることができる。ま
た、熱硬化性樹脂Ｅは粘度が低いため充填の際にリード
フレーム２１の変形量が小さいのでリード線２２の断線
を未然に防止でき、ＤＩＰ１０の信頼性を向上させるこ
とができる。
３０を熱可塑性樹脂で中空容器状に形成し、この外側部
３０の内部に熱硬化性樹脂Ｅを充填することにより内側
部４０を形成するようにしたので、熱硬化性樹脂Ｅの硬
化終了を待つことなく次の工程に送ることが可能とな
り、ＤＩＰ１０の生産性を向上させることができる。ま
た、熱硬化性樹脂Ｅは粘度が低いため充填の際にリード
フレーム２１の変形量が小さいのでリード線２２の断線
を未然に防止でき、ＤＩＰ１０の信頼性を向上させるこ
とができる。
【００１４】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。すなわち上記実施例では、熱可塑性樹
脂として液晶ポリマ（ＬＣＰ）を用いているが、ポリエ
ーテルニトリル（ＰＥＮ）を用いるようにしてもよく、
これらを混ぜたものを用いてもよい。このほか本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿
論である。
るものではない。すなわち上記実施例では、熱可塑性樹
脂として液晶ポリマ（ＬＣＰ）を用いているが、ポリエ
ーテルニトリル（ＰＥＮ）を用いるようにしてもよく、
これらを混ぜたものを用いてもよい。このほか本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿
論である。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、粘度が高いために充填
の際にキャリア部材が変形しリード線の断線が生じやす
い熱可塑性樹脂は中空容器状の外側部を形成するのに用
い、この外側部の内側に粘度が低い熱硬化性樹脂を充填
することによりパッケージを形成したので、リード線の
断線を未然に防止することができる。このため、半導体
装置の信頼性を向上させることができるとともに、熱硬
化性樹脂の硬化終了を待つことなく次の工程に送ること
ができるので、生産性を向上させることが可能である。
の際にキャリア部材が変形しリード線の断線が生じやす
い熱可塑性樹脂は中空容器状の外側部を形成するのに用
い、この外側部の内側に粘度が低い熱硬化性樹脂を充填
することによりパッケージを形成したので、リード線の
断線を未然に防止することができる。このため、半導体
装置の信頼性を向上させることができるとともに、熱硬
化性樹脂の硬化終了を待つことなく次の工程に送ること
ができるので、生産性を向上させることが可能である。
【図１】本発明の一実施例に係るＤＩＰの断面図。
【図２】同ＤＩＰの製造工程を示す工程図。
１０…ＤＩＰ ２０…半導体素子 ２１…リードフレーム ２２…リード線 ３０…外側部 ３０ａ…第１の有
底容器 ３０ｂ…第２の有底容器 ３１…孔 ４０…内側部
底容器 ３０ｂ…第２の有底容器 ３１…孔 ４０…内側部
Claims (2)
- 【請求項１】パッケージ内部に半導体素子が取り付けら
れたキャリア部材を配設してなる半導体装置において、 前記パッケージは、中空容器状に形成された熱可塑性樹
脂からなる外側部と、この外側部内に収容された熱硬化
性樹脂からなる内側部とを備えていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】半導体素子を樹脂により封止する半導体装
置製造方法において、 前記半導体素子が取り付けられたキャリア部材の両面に
熱可塑性樹脂により形成された２つの有底容器の開口部
をそれぞれ接着し、中空容器を形成する工程と、 前記中空容器内に熱硬化性樹脂を充填する工程を備えて
いることを特徴とする半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207567A JPH0878582A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置及び半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207567A JPH0878582A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置及び半導体装置製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878582A true JPH0878582A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16541892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6207567A Pending JPH0878582A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置及び半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296371A2 (en) * | 2001-09-20 | 2003-03-26 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Semiconductor device and method of making the same |
| JP2010272760A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6207567A patent/JPH0878582A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296371A2 (en) * | 2001-09-20 | 2003-03-26 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Semiconductor device and method of making the same |
| JP2003094479A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Tokai Rika Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP1296371A3 (en) * | 2001-09-20 | 2006-05-24 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Semiconductor device and method of making the same |
| US7588962B2 (en) | 2001-09-20 | 2009-09-15 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Method of making semiconductor device |
| JP4620303B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2011-01-26 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010272760A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
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