JPH0873454A - シクロヘプトイミダゾ−ル誘導体の製造法 - Google Patents
シクロヘプトイミダゾ−ル誘導体の製造法Info
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- JPH0873454A JPH0873454A JP6210867A JP21086794A JPH0873454A JP H0873454 A JPH0873454 A JP H0873454A JP 6210867 A JP6210867 A JP 6210867A JP 21086794 A JP21086794 A JP 21086794A JP H0873454 A JPH0873454 A JP H0873454A
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Abstract
ダゾール誘導体を合成する方法を提供する。 【構成】式(1)と式(2)との反応生成物を脱保護す
るシクロヘプトイミダゾール誘導体(4)の製造法。
〔各式中、R1は水素又はイソプロピル基、R2は低級ア
ルキル基。A、A1はそれぞれ4位又は8位に存在し、
水素又は水酸基、或いはAとA1とでオキソ基又は=C
HCOOR3を形成してもよい。……線は二つの二重結
合又は飽和された一重結合。Xはハロゲン又はトリフル
オロメタンスルホネート基、Yは−B(OH)2又は−
Sn(R5)3、Zは保護基。(R3、R5は低級アルキル
基)〕 【化1】 【化2】 【化3】
Description
プター拮抗作用を有し、高血圧及びうっ血性心不全の治
療剤として有用なシクロヘプトイミダゾール誘導体の新
規な製造方法に関する。
成し、その生理活性の研究を行ってきた。そして、先に
アンジオテンシンIIレセプター拮抗作用を有しており、
高血圧及びうっ血性心不全の治療剤又は眼圧低下剤とし
て極めて有用である下記化5の一般式で示される新規な
シクロヘプトイミダゾール誘導体及びその製造方法を提
案した(特開平5−320139号公報、特願平5−1
90153号)。
R2は低級アルキル基、R3はカルボキシル基又はテトラ
ゾール基を表す。A,A1はそれぞれ4位又は8位に存
在する置換基で、Aが水素原子のときA1は水素原子又
は水酸基であり、またAとA1とでオキソ基又は=CH
COOR3(R3は低級アルキル基)を表すことがある。
……線は二つの二重結合又は飽和された一重結合を表
す。) 先に提案したシクロヘプトイミダゾール誘導体の製法
は、下記の化学式で示すようにシクロヘプトイミダゾー
ルとハロゲノメチルビフェニル化合物とを塩基の存在下
で反応させ、次いでR4のニトリル基をカルボキシル基
又はテトラゾール基に変換している。
原子を表す。) この製造方法によると、R4のニトリル基をテトラゾー
ルに変換させる場合には目的物を得るまでに二段階の反
応を行わなければならなく、しかも反応の際にSnN3
(アジ化スズ)等の高価で、且つ取扱いの難しい化合物
を使用しなければならない場合があるなどの問題点を有
する。
鑑みなされたもので、簡単な操作でしかも収率良く安価
にシクロヘプトイミダゾール誘導体を合成し得る方法を
提供することを目的とする。
クロヘプトイミダゾール誘導体の合成方法について鋭意
研究を行ってきた結果、触媒等を使用して実に簡単な操
作でしかも収率良く安価にシクロヘプトイミダゾール誘
導体を合成し得ることを見い出した。本発明は、次式の
一般式(1)
R2は低級アルキル基を表す。A、A1はそれぞれ4位又
は8位に存在する基で、Aが水素原子のとき、A1は水
素原子又は水酸基であり、或いはAとA1とでオキソ基
又は=CHCOOR3(R3は低級アルキル基)を形成し
てもよい。………線は二つの二重結合又は飽和された一
重結合を表す。Xはハロゲン原子又はトリフルオロメタ
ンスルホネート基である。)で示される化合物を、次式
の一般式(2)
(R5)3(但し、R5は低級アルキル基を表す)、Zは
保護基である。〕で示される化合物と反応させて、次式
の一般式(3)
R2は低級アルキル基を表す。A、A1はそれぞれ4位又
は8位に存在する基で、Aが水素原子のとき、A1は水
素原子又は水酸基であり、或いはAとA1とでオキソ基
又は=CHCOOR3(R3は低級アルキル基)を形成し
てもよい。………線は二つの二重結合又は飽和された一
重結合を表す。Zは保護基である。)で示される化合物
となし、次いで該化合物を脱保護基処理することを特徴
とする次式の一般式(4)
R2は低級アルキル基を表す。A、A1はそれぞれ4位又
は8位に存在する基で、Aが水素原子のとき、A1は水
素原子又は水酸基であり、或いはAとA1とでオキソ基
又は=CHCOOR3(R3は低級アルキル基)を形成し
てもよい。……線は二つの二重結合又は飽和された一重
結合を表す。)で示されるシクロヘプトイミダゾール誘
導体の製法である。本発明における保護基Zとしては、
ターシャリーブチル基、トリチル基〔−C(P
h)3〕、メトキシメチルエーテル基、ベンジルメチル
エーテル基、p−ニトロフェニル基等が挙げられる。ま
た、R2、R3の低級アルキル基は炭素数1〜4である。
とができる。 (I)一般式(1)でA、A1はそれぞれ4位又は8位
に存在する基で、Aが水素原子のとき、A1は水素原子
又は水酸基である場合、或いはAとA1とでオキソ基を
形成している場合の化合物は、次の化11の方法で合成
できる。
同じ意味である。) すなわち、シクロヘプトイミダゾール(5)とp−ハロ
ゲノベンジルハロゲン化合物(6)とを塩基の存在下で
反応させて化合物(1)を合成する。塩基としてはソジ
ウムヒドリド、水酸化ナトリウム、炭酸カリ等が用いら
れる。反応溶媒としてはジメチルホルムアミド(DM
F)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、テトラヒド
ロフラン(THF)、アセトン、ジオキサン等が用いら
れる。この反応は相間移動触媒を用いて行うこともでき
る。相間移動触媒としてはテトラブチルアンモニウム・
サルフェイト等を用い、反応溶媒としては水、ベンゼン
等を用いる。上記のシクロヘプトイミダゾール(5)は
特開平5−320139号公報に記載の既知の方法で製
造する。すなわち、 (i)AとA1でオキソ基をつくり、二重結合を有する
シクロヘプトイミダゾール化合物については化12で示
す合成法で得ることができる。
R2は低級アルキル基である。) すなわち、トシルトロポロン(7)をアミジン(8)と
アルカリ存在下で反応させケトイミダゾール(9)を合
成する(ケミカル・アブストラト 74,53785
a、日本特許第7031171号)。 (ii)また、AとA1が水素で飽和された一重結合を有
するシクロヘプトイミダゾール化合物については化13
に示す合成法で得ることができる。
る。) すなわち、メチルトロポロン(10)をアミジン(8)
とソジウムエトキサイドの存在下で反応させ化合物(1
1)とした後、酸化白金(PtO2)等を触媒用いて水
素化を行いイミダゾール化合物(12)とする。 (iii)AとA1でオキソ基をつくり、飽和された一重結
合を有するシクロヘプトイミダゾール化合物については
化14で示す合成法で得ることができる。
る。) すなわち、オキソイミダゾール(9)体をパラジウム−
炭素(Pd/C)又は酸化白銀(PtO2)等を触媒に
用いて、水素化を行いイミダゾール化合物(13)を合
成する。 (iv)Aが水素でA1が水酸基であるシクロヘプトイミ
ダゾール化合物については、上記の化合物(13)をN
aBH4やLiAlH4などで還元することにより、オキ
ソ基を水酸基に変換して製造することができる。 (II)一般式(1)で示される化合物でAとA1とで=
CHCOOR3(R3は低級アルキル基)を形成している
化合物の場合は、次の化15により得ることができる。
意味である。) すなわち、化合物(13)をP−ハロゲノベンジルハロ
ゲン化合物(6)と塩基の存在下、相間移動触媒例えば
テトラブチルアンモニウム・サルフェイト等を用いて化
合物(14)を製造し、該化合物(14)にLiCH2
COOR3を反応させ化合物(15)を得る。化合物
(15)をピリジン中、塩化チオニルを加えることによ
り脱水処理して化合物(16)を得ることができる。ま
た、化合物(14)を塩基存在下ジエチルホスホノ酢酸
エステルと反応させて化合物(16)を直接得ることも
できる。
造。 一般式(2)で示される化合物は、次の方法で製造でき
る。 (I)一般式(2)でボロン酸化合物の場合は、次の化
16により得ることができる。
ある。) すなわち、化合物(17)をn−ブチルリチウム又はグ
リニヤール反応を行い、トリメトキシボロン酸を加え、
希硫酸で加水分解を行い、化合物(2a)のボロン酸に
する(平成4年9月25日丸善株式会社発行「実験化学
講座24、有機合成 VI」第80頁)。 (II)一般式(2)でスズ化合物はの場合は、次の化1
7により得ることができる。
ある。R5は低級アルキル基を表す。) すなわち、化合物(17)をn−ブチルリチウムで反応
させ、次にトリアルキルスズクロライドと反応させ、化
合物(2b)を得る。
の化合物とを反応させて一般式(3)の化合物を合成す
るには次のようにして行う。 (I)一般式(2)の化合物のY基が、−B(OH)2
の場合。一般式(1)の化合物と一般式(2)とを、塩
基性のもとで、触媒の存在下反応させる[Suzuki;Synth
etic Communication,11(7),513(1981)準用]。触媒と
してはテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
(Pd(PPh3)4)、塩化パラジウム(PdCl2)、又
はパラジウム−炭素(Pd/C)等を用いる。塩基として
は炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カルシウム等を用いる。反応溶媒としては
水、エタノール、メタノール、ベンゼン、トルエン等を
用いる。反応は室温又は加熱還流して行う。斯くして一
般式(3)の化合物を得ることができる。
Sn(R5)3(但し、R5nは低級アルキル基を表すの
場合。一般式(1)の化合物と一般式(2)の化合物を
触媒の存在下で反応させる[Shille;Angew.Chem.Int.
Ed.Engl,25,508-524(1986)準用]。触媒としてテトラ
キストリフェニルホスフィンパラジウム(Pd(PPh
3)4)、塩化パラジウム(PdCl2)、パラジウム−
炭素(Pd/C)、ヨウ化銅(CuI)、塩化リチウム
(LiCl)等を用いる。反応溶媒としてTHF、ジメ
トキシエタン(DME)、ジメチルホルムアミド(DM
F)等を用いる。反応は室温又は還流させて行う。斯く
して一般式(3)の化合物を得ることができる。
ンゼン又はトルエン溶液に、HCl又はCH3SO3H等
の酸性の液を加え加熱還流することにより行う。一般式
(3)の保護基が離脱し、本発明の目的物質である一般
式(4)の化合物を得ることができる。以下に、実施例
及び参考例を示す。
5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプト
イミダゾリル)メチルビフェニリル)]テトラゾールの
製造例。 (a) 1−(4−ヨウドベンジル)−2−プロピル−
8−オキソ−4、5、6、7−テトラヒドロ−1(4
H)−シクロヘプトイミダゾールの製造。 反応容器中に、30%NaOH60mlとトルエン15
0mlを入れ、更に2−プロピル−8−オキソ−4、
5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプト
イミダゾール5.0g、4−ヨウドベンジルブロミド
9.2g及びテトラブチルアンモニウムハイドロジエン
サルフェートを2.0g添加し、室温で8時間攪拌し
た。反応終了後濾過し、瀘液を酢酸エチルで抽出し、酢
酸エチル層を芒硝で脱水後、濃縮した。シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(SiO2120g)で精製を行
った。溶出液はn−ヘキサン:酢酸エチル(1:1)を
用いた。8.69gの淡黄色の結晶の目的物を得た。こ
の目的物の融点は64〜65℃であった。 Mass(m/e):M+=408、217(BP) IR(cm-1):2926、1632、1464、14281 H-NMR(CDCl3):0.95(3H,t,-CH2CH2 CH 3),1.70(2H,m,-CH
2 CH 2CH3),1.87(2H,m,Cyclo環),1.92(2H,m,Cyclo環),2.
58(2H,m,Cyclo環),2.65(2H,m,Cyclo環),2.96(2H,t,-CH 2
CH2CH3),5.47(2H,s,-CH 2-C6H5),6.71(2H,d,芳香環),7.6
2(2H,d,芳香環)
[2−(4−(2−プロピル−8−オキソ−4、5、
6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプトイミ
ダゾリル)メチルビフェニリル)]テトラゾールの製
造。 上記(a)で得た化合物150mgに[2−(2−ター
シャリーブチル−2H−テトラゾール−5−イル)フェ
ニル]−ボロン酸(実施例3参照)96mg、テトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウム35mg、2M炭
酸ナトリウム0.7ml、エタノール1ml及びトルエ
ン10ml添加し、3時間加熱還流した。濃縮し、その
後クロロホルム30mlで3回抽出した。クロロホルム
層を水洗し、芒硝で脱水した。その後濾過し、濃縮し、
シリカゲルカラムで精製した。溶出液は酢酸エチル:n
−ヘキサン(10:1)を用いた。175mgの淡黄色
で油状の目的物を得た。 IR(cm-1):2926、1632、1464、1428 Mass(m/e):M+=482、426、178(BP)1 H-NMR(CDCl3):0.96(3H,t,-CH2CH2 CH 3),1.55(9H,s,-(C
H 3)3),1.75(2H,m,-CH2 CH 2CH3),1.80〜2.00(4H,m,Cyclo
環),2.59(2H,t,Cyclo環),2.68(2H,m,Cyclo環),3.01(2H,
q,-CH 2CH2CH3),5.57(2H,s,-CH 2C6H5),6.90(2H,d,芳香
環),7.09(2H,d,芳香環),7.35〜7.60(3H,m,芳香環),7.89
(2H,d,芳香環).
−8−オキソ−4、5、6、7−テトラヒドロ−1(4
H)−シクロヘプトイミダゾリル)メチルビフェニリ
ル)]テトラゾールの製造。 上記(b)で得た化合物100mgをメタンスルホン酸
200mg及びトルエン10mlに加え、3時間加熱還
流して保護基のターシャリーブチル基を離脱させた。次
いで濃縮し、氷水にあけ10%NaOHでpH8にし
た。白色結晶が析出した。濾過し、エチルアルコール
1.5mlで再結晶を行なった。白色結晶の目的物を7
7.4mg得た。融点214〜216℃であった。 Mass(m/e):M+=426、383、355、178(BP).1521 H-NMR(CDCl3):0.90(3H,t,-CH2CH2 CH 3),1.58(2H,m,-CH
2 CH 2CH3),1.68(2H,m,Cyclo環),1.75(2H,m,Cyclo環),2.3
0(2H,m,Cyclo環),2.47(2H,m,Cyclo環),2.53(2H,t,-CH 2C
H2CH3),5.45(2H,s,-CH 2C6H5),6.75(2H,d,芳香環),7.00
(2H,d,芳香環),7.42(2H,d,芳香環),7.52(2H,d,芳香環),
7.60(2H,d,芳香環),7.85(2H,d,芳香環).
5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプト
イミダゾリル)メチルビフェニリル)]テトラゾールの
製造例。 実施例1と同様にして1−(4−ヨウドベンジル)−2
−プロピル−8−オキソ−5、6、7、8−テトラヒド
ロ−1(4H)−シクロヘプトイミダゾールを合成し
た。反応容器に、この1−(4−ヨウドベンジル)−2
−プロピル−8−オキソ−5、6、7、8−テトラヒド
ロ−1(4H)−シクロヘプトイミダゾール100mg
と2−(2−(2−ターシャリーブチル−2H−テトラ
ゾール−5−イル)フェニル]トリ−n−ブチルスタナ
ン(実施例4参照)120mgと塩化リチウム31.1
5mgとテトラキストリフェニルフォスフィンパラジウ
ム1.4mgとテトラヒドロフラン8mlを入れ、48
時間加熱還流を行う。濾過し、濃縮し酢酸エチル30m
lで抽出した。酢酸エチル層を水洗し、芒硝で脱水し
た。次いで濾過し、濃縮した。シリカゲルカラムで精製
した。溶出液は酢酸エチルとn−ヘキサン(1:1)を
用いた。淡黄色で油状の2−ターシャリーブチル−5−
[2−(4−(2−プロピル−8−オキソ−4、5、
6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプトイミ
ダゾリル)メチルビフェニリル)]テトラゾール45m
gを得た。その物性、分析結果は次のとおりであった。 Mass(m/e):M+=482、426、369、178(BP) IR(cm-1):2926、1632、1464、1428、13891 H-NMR(CDCl3):0.96(3H,t,-CH2CH2 CH 3),1.55(9H,s,-(C
H3)3),1.74(2H,m,-CH2 CH 2CH3),1.80〜2.00(4H,m,Cyclo
環),2.59(2H,t,Cyclo環),2.68(2H,m,Cyclo環),3.01(2H,
q,-CH 2CH2CH3),5.57(2H,s,-CH 2C6H5),6.90(2H,d,芳香
環),7.09(2H,d,芳香環),7.35〜7.60(3H,m,芳香環),7.89
(2H,d,芳香環). 上記の2−ターシャリーブチル−5−[2−(4−(2
−プロピル−8−オキソ−4、5、6、7−テトラヒド
ロ−1(4H)−シクロヘプトイミダゾリル)メチルビ
フェニリル)]テトラゾールを実施例1と同様にして、
保護基であるターシャリーブチル基を離脱して、目的物
質5−[2−(4−(2−プロピル−8−オキソ−4、
5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプト
イミダゾリル)メチルビフェニリル)]テトラゾールを
得た。
−5−イル)フェニル]−ボロン酸の製造。 5−(2−ブロモフェニル)−2−(1.1−ジメチル
エチル)−2H−テトラゾール体3.3gをテトラヒド
ロフラン20mlに溶解し、−78℃に冷却した。この
溶液に1.6Mのn−ブチルリチウム/n−ヘキサン
7.8mlを添加し、次にトリイソプロピルボロン酸
2.3gを加え、室温で1時間攪拌した。次いで0.5
N塩酸40mlを添加し、30分間攪拌した。反応液を
氷水50mlにあけ、エーテル30mlで2回抽出し
た。エーテル層を1NのKOH10mlで3回抽出し
た。アルカリ液を2NのHClで酸性にした。白色結晶
の目的物を1.87g得た。融点は117〜122℃で
あった。1 H-NMR(CDCl3):1.72(9H,s,-C(CH3)3),7.46(2H,m,芳香
環),7.90(2H,m,芳香環)
ゾール−5−イル)フェニル]トリ−n−ブチルスタナ
ンの製造。 5−(2−ブロモフェニル)−2−(1.1−ジメチル
エチル)−2H−テトラゾール体1.23gをテトラヒ
ドロフラン8mlに溶解し、−78℃に冷却した。この
溶液に1.6Mのn−ブチルリチウム/n−ヘキサン
3.27mlを加え1時間攪拌した。更に、トリ−n−
ブチルスズクロライド1.71gを加え、−78℃で3
時間撹拌し、その後室温で18時間攪拌した。反応液を
水20mlにあけ、エーテル30mlで2回抽出した。
エーテル層を水洗いし、芒硝で脱水した。次いで濾過
し、濃縮した。シリカゲルカラムで精製した(溶出液は
n−ヘキサン)。淡黄色で油状の目的物を1.0g得
た。1 H-NMR(CDCl3):0.78(9H,t,-(-CH3)3),0.93(6H,t,-(CH2
-)3),1.21(6H,m,-(CH2-)3),1.43(6H,m,-(CH2-)3),1.80
(9H,s,(CH3)3),7.43(1H,d,芳香環),7.45(1H,d,芳香環),
7.60(1H,m,芳香環),8.00(1H,m,芳香環).
−(1H−テトラゾール−5−イル)ビフェニル−4−
イル)メチル〕−4、5、6、7−テトラヒドロ−シク
ロヘプトイミダゾールの製造。 (a) 1−(4−ブロモベンジル)−2−エチル−8
−オキソ−4、5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)
−シクロヘプトイミダゾールの製造。 反応容器に、30%NaOH30mlとトルエン50m
lを入れ、その中に2−エチル−8−オキソ−4、5、
6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプトイミ
ダゾール2.5gと4−ブロモベンジルブロミド3.6
gとテトラブチルアンモニウムハイドロジエンサルフェ
ート0.5gを入れ、室温で8時間攪拌した。反応終了
後濾過し、濾液を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を
水洗し、芒硝で脱水後、濃縮した。シリカゲルクロマト
グラフィー(SiO2100g)で精製を行った。溶出
液はn−ヘキサンと酢酸エチル(1:1)を用いた。淡
黄色で油状の目的物4.0gを得た。 Mass(m/e):M+=347、319、169(BP) IR(cm-1):2950、1640、1480、1400、13301 H-NMR(CDCl3):1.27(3H,t,CH2 CH 3),1.85〜1.87(2H,m,C
yclo環),1.91〜1.94(2H,m,Cyclo環),2.60〜2.65(4H,m,C
yclo環),3.01(2H,q,CH 2CH3),5.48(2H,s,-CH 2-C6H5),6.8
6(2H,d,芳香環),7.41(2H,d,芳香環).
−エチル−8−エトキシカルボニル−8−ヒドロ−4、
5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプト
イミダゾールの製造。 テトラヒドロフラン5ml中にリチウムビス(トリメチ
ルシリル)アミド2.88mlを加え−78℃に冷却
し、そこへ酢酸エチル0.25mlを滴下し、15分間
そのまま攪拌し、更にTHF3mlに溶解した上記
(a)で得た化合物0.5gを滴下した。滴下終了後1
時間攪拌した。反応終了後、反応液に6NのHClを加
え攪拌し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を水洗
し、飽和NaClで洗い、芒硝で脱水した。濾過し、濃
縮した。次いでシリカゲルカラムで精製した。溶出液は
クロロホルムとメタノール(20:1)を用いた。淡黄
色で油状の目的物388mgを得た。 Mass(m/e):M+=435、348、169(BP)、90 IR(cm-1):3300、2900、1720、1170、10001 H-NMR(CDCl3):1.28(3H,t,-CH2 CH 3),1.33(3H,t,-CH2 CH
3),1.80〜2.20(6H,m,Cyclo環),2.71(2H,m,-CH 2COOEt),
2.78(2H,q-CH 2CH3),2.97(2H,m,Cyclo環),4.57(2H,q,-CH
2CH3),5.81(2H,s,-CH 2C6H5),7.20〜7.40(4H,m,芳香
環).
−エチル−8−エトキシカルボニルメチリデン−4、
5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロヘプト
イミダゾールの製造。 (1)上記(b)で得た1−(4−ブロモベンジル)−
2−エチル−8−エトキシカルボニル−8−ヒドロキシ
−4、5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)−シクロ
ヘプトイミダゾール0.38gをピリジン2mlに溶解
し、この溶液に室温で塩化チオニル0.32gを加え、
そのまま1時間攪拌した。この反応液を10%HCl2
0mlに注ぎ込み、次いで酢酸エチルで抽出した。酢酸
エチル層を水洗し、芒硝で脱水した。濾過し、濃縮し
た。その後シリカゲルカラムで精製した。溶出液はクロ
ロホルムとメタノール(20:1)を用いた。淡黄色で
油状の目的物280mgを得た。
テトラヒドロフラン5mlに懸濁させ、この懸濁液にジ
エチルホスホノ酢酸エステル0.37gを0〜5℃で滴
下した。更に、上記(a)で得た1−(4−ブロモベン
ジル)−2−エチル−8−オキソ−4、5、6、7−テ
トラヒドロ−1(4H)−シクロヘプトイミダゾール
0.5gのテトラヒドロフラン溶液1mlを加えた。そ
の後40℃で5時間加温した。反応液を氷水20mlに
あけ、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和Na
Clで洗い、芒硝で脱水した。濾過し、濃縮した。次い
でシリカゲルカラムで精製した。溶出液はクロロホルム
とメタノール(20:1)を用いた。淡黄色で油状の目
的物60mgを得た。 Mass(m/e):M++1=418、371、343、171(BP)、90 IR(cm-1):2900、1710、1230、1170、10001 H-NMR(CDCl3):1.26(3H,t,-CH2 CH 3),1.26(3H,t,-CH2 CH
3),1.85(2H,m,Cyclo環),1.90(2H,m,Cyclo環),2.91(2H,
q,CH 2CH3),2.92(2H,q,CH 2CH3),4.05〜4.20(4H,m,Cyclo
環),5.28(2H,s,-CH 2C6H3),5.68(1H,s,=CHCOOC2H5),6.80
(d,2H,芳香環),7.55(2H,d,芳香環)
[2−(4−(2−エチル−8−エトキシカルボニルメ
チリデン−4、5、6、7−テトラヒドロ−1(4H)
−シクロヘプトイミダゾリル)メチルビフェニリル)]
テトラゾールの製造。 上記(c)で得た化合物280mgに[2−(2−ター
シャリーブチル−2H−テトラゾール−5−イル)フェ
ニル)]−ボロン酸175.5mg、2M炭酸ナトリウ
ム1.6ml、エタノール0.1ml、テトラキストリ
フェニルホスフィンパラジウム26.8mg及びトルエ
ン5mlを添加し、4.5時間加熱還流した。反応液を
水30mlに注ぎ込み、トルエン20mlで3回抽出し
た。トルエン層を水洗し、芒硝で脱水した。濾過し、濃
縮した。その後シリカゲルカラムで精製した。溶出液は
酢酸エチルとn−ヘキサン(1:1)を用いた。淡黄色
で油状の目的物230mgを得た。 Mass(m/e):M++1=539、451、253、178(BP) IR(cm-1):3420、3000、1230、2950、17201 H-NMR(CDCl3):1.25(3H,s,t-Bu),1.82(2H,m,Cyclo環),
2.55(2H,q,-CH 2CH3),2.80〜2.83(2H,m,Cyclo環),3.04〜
3.07(2H,m,Cyclo環),4.12(2H,q,-CH 2CH3),5.17(2H,s,-C
H 2C6H5),5.56(1H,s,=CHCOOC2H5),6.82(2H,d,芳香環),7.
14(2H,d,芳香環),7.39〜7.88(4H,m,芳香環).
リデン−1−[(2’−(1H−テトラゾール−5−イ
ル)ビフェニル−4−イル)メチル]−4、5、6、7
−テトラヒドロ−シクロヘプトイミダゾールの製造。 上記(d)で得た化合物200mgをメタンスルホン酸
400mg及びトルエン20ml入れ3時間加熱還流
し、保護基のターシャリーブチル基を離脱させた。次い
で、濃縮し、氷水にあけ、10%NaOHでpH4にし
た。白色結晶が析出した。ろ過し、MeOH2mlで再
結晶を行なって、目的の化合物を白色結晶120mgで
得た。 融点191〜193℃ Mass(m/e):M+=408(M+-COOH)、367、192(BP)、134 IR(cm-1):2914、1692、1611、1452、1362、11971 H-NMR(CD3OD):1.30(3H,t,-CH2 CH 3),1.94(4H,bs,Cyclo
環),2.65〜3.03(6H,m,-CH 2CH3+Cyclo環),5.43(2H,s,-CH
2C6H5),5.92(1H,s,=CHCOOH,6.80〜7.70(8H,m,芳香
環),7.96(1H,s,-NH).
収率良く、安価にシクロヘプトイミダゾール誘導体を合
成することが出来る。
Claims (3)
- 【請求項1】次式の一般式(1) 【化1】 (式中、R1は水素又はイソプロピル基、R2は低級アル
キル基を表す。A、A1はそれぞれ4位又は8位に存在
する基で、Aが水素原子のとき、A1は水素原子又は水
酸基であり、或いはAとA1とでオキソ基又は=CHC
OOR3(R3は低級アルキル基)を形成してもよい。…
……線は二つの二重結合又は飽和された一重結合を表
す。Xはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホネ
ート基である。)で示される化合物を、次式の一般式
(2) 【化2】 〔式中、Yは−B(OH)2又は−Sn(R5)3(但
し、R5は低級アルキル基を表す)、Zは保護基であ
る。〕で示される化合物と反応させて、次式の一般式
(3) 【化3】 (式中、R1は水素又はイソプロピル基、R2は低級アル
キル基を表す。A、A1はそれぞれ4位又は8位に存在
する基で、Aが水素原子のとき、A1は水素原子又は水
酸基であり、或いはAとA1とでオキソ基又は=CHC
OOR3(R3は低級アルキル基)を形成してもよい。…
……線は二つの二重結合又は飽和された一重結合を表
す。Zは保護基である。)で示される化合物となし、次
いで該化合物を脱保護基処理することを特徴とする次式
の一般式(4) 【化4】 (式中、R1は水素又はイソプロピル基、R2は低級アル
キル基を表す。A、A1はそれぞれ4位又は8位に存在
する基で、Aが水素原子のとき、A1は水素原子又は水
酸基であり、或いはAとA1とでオキソ基又は=CHC
OOR3(R3は低級アルキル基)を形成してもよい。…
…線は二つの二重結合又は飽和された一重結合を表
す。)で示されるシクロヘプトイミダゾール誘導体の製
法。 - 【請求項2】請求項1記載の一般式(1)で示される化
合物。 - 【請求項3】請求項1記載の一般式(2)で示される化
合物。
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