JPH086179B2 - 薄膜生成方法及びその装置 - Google Patents

薄膜生成方法及びその装置

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JPH086179B2
JPH086179B2 JP62060946A JP6094687A JPH086179B2 JP H086179 B2 JPH086179 B2 JP H086179B2 JP 62060946 A JP62060946 A JP 62060946A JP 6094687 A JP6094687 A JP 6094687A JP H086179 B2 JPH086179 B2 JP H086179B2
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富雄 高橋
弘祥 定村
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜生成方法、及びその装置に係り、特に蒸
着やスパツター等とイオンビームを併用して薄膜の生成
を低温にて、強固、あるいは硬,軟膜の積層膜等を生成
するに好適な薄膜生成方法、及びその装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、スパツターや蒸着とイオン照射を併用して成膜
する例は、例えば特開昭60−56066号公報に記載のよう
成膜基板を回転し、一定角度を持つてイオンビームを入
射させ、成膜していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は生成膜の厚さ方向に対し、均一の膜を
付けるためのものであり、厚さ方向の膜の特性の制御に
は配慮されていなかつた。生成膜にしても硬さと軟らか
さの両方の性質を有するもの、序々に硬く、あるいは軟
らかくなる成膜等いろいろの特性が要求される。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的と
するところは、成膜した厚方向の特性を制御し、各種の
特性を有する膜を得ることのできる薄膜生成方法、及び
その装置を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、スパツターや蒸着とイオンビーム入射を
併用する際に、基板に対するイオンビームの入射角と方
向を時間経過とともにパルス的に、若しくは連続的に増
加するよう変化させる薄膜生成方法、及びビーム入射角
を変える被処理基板の回転、又はイオンビームとの入射
角が変更可能な回転、及び角度可変機構と、イオンビー
ムとの入射角を時間により変化させる入射角設定装置と
より成る制御装置を備えた薄膜生成装置とすることによ
つて達成される。
〔作用〕
一般に、低温成膜においては、成膜時の結晶はイオン
ビームの入射方向に成長する。そのため基板に対しイオ
ンビームの入射方向が一定だと柱状の結晶を有する膜と
なり、軟らかい膜ができる。又、基板に対し、イオンビ
ームの入射方向を数十度に保ち、入射方向を連続的に変
える(基板を回転させる)と強固な膜が出来る。
従つて、本発明のように基板に対するイオンビームの
入射方向を制御することにより、成膜中の厚さ方向の膜
特性が制御可能となる。
〔実施例〕
以下、図面の実施例に基づいて本発明を説明する。
第1図に本発明の薄膜生成装置の一実施例を示す。該
図において、1はイオンビーム6を発生させるイオン
源、2は蒸発物質7を蒸発させる蒸発装置、3はイオン
ビーム6と蒸発物質7の併用によつて生膜される基板、
4は基板3を回転させたり、イオンビーム6との入射角
θを変更する回転、及び角度可変機構、5は角度可変機
構4への入射角設定装置である。
次に動作について説明する。
まず、イオン源1でイオンビームを発生させ、蒸発装
置2よりの蒸着物質7とにより基板3に成膜する。この
際基板3は回転および角度可変機構4により回転し、
又、イオンビーム6との入射角θが変更可能である。こ
の入射角θは入射角設定装置5により、時間により変化
するようになつている。
即ち、成膜中の入射角θを第2図のように、時間の経
過によりパルス的にさせることにより硬い膜と軟らかに
膜の積層したものができる。又、第3図のように入射角
θを時間の経過と共に連続的に増加するよう変ることに
より特性が連続して変つていく膜ができる。
〔発明の効果〕
以上説明した本発明の薄膜生成方法、及びその装置に
よれば、スパツターや蒸着とイオンビーム照射を併用す
る際に、基板に対するイオンビームの入射角と方向を時
間経過とともにパルス的に、若しくは連続的に増加する
よう変化させる薄膜生成方法、及びイオンビーム入射角
を変える被処理基板の回転、又はイオンビームとの入射
角が変更可能な回転、及び角度可変機構と、イオンビー
ムとの入射角を時間により変化させる入射角設定装置と
より成る制御装置を備えた薄膜生成装置としたものであ
るから、膜厚方向の特性の制御が可能であり、各種の性
質を有する成膜が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の薄膜生成装置の一実施例を示す構成
図、第2図は本発明の薄膜生成方法における入射角の変
化を示し特性の異なる膜の積層方法の時間的特性図、第
3図は同じく特性を連続的に変化させるための生膜方法
の時間的特性図である。 1……イオン源、2……蒸発源、3……基板、4……回
転および角度可変機構、5……入射角設定装置、6……
イオンビーム、7……蒸発物質。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スパッター、あるいは蒸着等とイオンビー
    ム照射を併用して基板に成膜する薄膜生成方法におい
    て、 前記成膜基板に対し前記イオンビームの照射角度、及び
    イオンビームの照射方向を、成膜期間中の時間経過と共
    にパルス的に、若しくは連続的に増加するように変える
    ことを特徴とする薄膜生成方法。
  2. 【請求項2】イオンビームを発生させるイオン源と、該
    イオン源より発生したイオンビームと併用されるスパッ
    ター、あるいは蒸着等の発生装置と、これら両装置から
    のイオンビームとスパッター、あるいは蒸着によって成
    膜される被処理基板とを備えている薄膜生成装置におい
    て、 前記被処理基板に対するイオン源からのイオンビームの
    入射角を決められた時間に変える制御装置を備え、該制
    御装置は、前記被処理基板の回転、又はイオンビームと
    の入射角が変更可能な回転、及び角度可変機構と、前記
    イオンビームとの入射角を時間により変化させる入射角
    設定装置とより成ることを特徴とする薄膜生成装置。
JP62060946A 1987-03-18 1987-03-18 薄膜生成方法及びその装置 Expired - Fee Related JPH086179B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6215566B2 (ja) * 1976-10-19 1987-04-08 Kao Corp

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JPS6215566U (ja) * 1985-07-12 1987-01-30

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JPS6215566B2 (ja) * 1976-10-19 1987-04-08 Kao Corp

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