JPS6215566U - - Google Patents

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JPS6215566U
JPS6215566U JP10715985U JP10715985U JPS6215566U JP S6215566 U JPS6215566 U JP S6215566U JP 10715985 U JP10715985 U JP 10715985U JP 10715985 U JP10715985 U JP 10715985U JP S6215566 U JPS6215566 U JP S6215566U
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JP
Japan
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wafer
ion beam
thin film
film forming
ion
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン蒸
着薄膜形成装置を示す概略図である。第2図〜第
6図は、それぞれ、この考案の他の実施例に係る
イオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
7図は、第6図の実施例におけるウエハ駆動機構
を示す概略図である。第8図は、この考案の更に
他の実施例に係るイオン蒸着薄膜形成装置を示す
概略図である。第9図は、従来のイオン蒸着薄膜
形成装置を示す概略図である。第10図は、第9
図のウエハ部分の拡大断面図である。 1……デイスク、2……ウエハ、5……蒸発源
、6……イオン源、7……デイスク駆動機構、8
……蒸発物質、9……イオンビーム、11……デ
イスク回転・並進機構。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空中で回転および並進させられるデイスク上
    のウエハにイオンビーム照射と真空蒸着とを行う
    装置において、ウエハ面に対するイオンビームお
    よび蒸発物質の少なくとも一方の入射角度を振動
    的に変える手段を備えることを特徴とするイオン
    蒸着薄膜形成装置。
JP10715985U 1985-07-12 1985-07-12 Pending JPS6215566U (ja)

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JP10715985U JPS6215566U (ja) 1985-07-12 1985-07-12

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JP10715985U JPS6215566U (ja) 1985-07-12 1985-07-12

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JPS6215566U true JPS6215566U (ja) 1987-01-30

Family

ID=30983181

Family Applications (1)

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JP10715985U Pending JPS6215566U (ja) 1985-07-12 1985-07-12

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JP (1) JPS6215566U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63227769A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 Hitachi Ltd 薄膜生成方法及びその装置
JPS63250454A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Hitachi Ltd イオンミキシング方法及びその装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63227769A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 Hitachi Ltd 薄膜生成方法及びその装置
JPS63250454A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Hitachi Ltd イオンミキシング方法及びその装置

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