JPS6215566U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6215566U JPS6215566U JP10715985U JP10715985U JPS6215566U JP S6215566 U JPS6215566 U JP S6215566U JP 10715985 U JP10715985 U JP 10715985U JP 10715985 U JP10715985 U JP 10715985U JP S6215566 U JPS6215566 U JP S6215566U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ion beam
- thin film
- film forming
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン蒸
着薄膜形成装置を示す概略図である。第2図〜第
6図は、それぞれ、この考案の他の実施例に係る
イオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
7図は、第6図の実施例におけるウエハ駆動機構
を示す概略図である。第8図は、この考案の更に
他の実施例に係るイオン蒸着薄膜形成装置を示す
概略図である。第9図は、従来のイオン蒸着薄膜
形成装置を示す概略図である。第10図は、第9
図のウエハ部分の拡大断面図である。 1……デイスク、2……ウエハ、5……蒸発源
、6……イオン源、7……デイスク駆動機構、8
……蒸発物質、9……イオンビーム、11……デ
イスク回転・並進機構。
着薄膜形成装置を示す概略図である。第2図〜第
6図は、それぞれ、この考案の他の実施例に係る
イオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
7図は、第6図の実施例におけるウエハ駆動機構
を示す概略図である。第8図は、この考案の更に
他の実施例に係るイオン蒸着薄膜形成装置を示す
概略図である。第9図は、従来のイオン蒸着薄膜
形成装置を示す概略図である。第10図は、第9
図のウエハ部分の拡大断面図である。 1……デイスク、2……ウエハ、5……蒸発源
、6……イオン源、7……デイスク駆動機構、8
……蒸発物質、9……イオンビーム、11……デ
イスク回転・並進機構。
Claims (1)
- 真空中で回転および並進させられるデイスク上
のウエハにイオンビーム照射と真空蒸着とを行う
装置において、ウエハ面に対するイオンビームお
よび蒸発物質の少なくとも一方の入射角度を振動
的に変える手段を備えることを特徴とするイオン
蒸着薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10715985U JPS6215566U (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10715985U JPS6215566U (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6215566U true JPS6215566U (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=30983181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10715985U Pending JPS6215566U (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6215566U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63227769A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Hitachi Ltd | 薄膜生成方法及びその装置 |
JPS63250454A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | イオンミキシング方法及びその装置 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP10715985U patent/JPS6215566U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63227769A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Hitachi Ltd | 薄膜生成方法及びその装置 |
JPS63250454A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | イオンミキシング方法及びその装置 |