JPS63175155U - - Google Patents

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JPS63175155U
JPS63175155U JP6402487U JP6402487U JPS63175155U JP S63175155 U JPS63175155 U JP S63175155U JP 6402487 U JP6402487 U JP 6402487U JP 6402487 U JP6402487 U JP 6402487U JP S63175155 U JPS63175155 U JP S63175155U
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JP
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vapor deposition
shutter
electron beam
substrate
vapor
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JP6402487U
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例である蒸着装置の
構成図、第2図はそのシヤツターの斜視図、第3
図はそのシヤツターの動作説明図、第4図はシヤ
ツターの他の構造を示す斜視図、第5図は従来の
蒸着装置の構成図、第6図はそのシヤツターを一
部を切欠して示す斜視図である。 1……容器、2……蒸着物質、3……蒸着源、
4……電子ビーム源、6……子ビーム、20…
…真空装置、23……シヤツター、24……電子
ビーム通過部、……被蒸着基体。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 蒸着物質を保持し、真空容器内に設置され
    た蒸着源、上記蒸着物質に照射する電子ビームを
    放出する電子ビーム源、および上記蒸着源と上記
    真空容器内に配置された被蒸着基体との間に配設
    され、上記電子ビームの照射により蒸発する蒸着
    物質を上記被蒸着基体に対して遮断・開放するシ
    ヤツターを備える蒸着装置において、 上記シヤツターに上記蒸着物質を照射する電子
    ビームの通過をさまたげない電子ビー通過部を設
    けて、このシヤツターを上記蒸着源に近接配置可
    能にしたことを特徴とする蒸着装置。 (2) シヤツターの電子ビーム通過部は被蒸着基
    体方向に突出してこのシヤツターの径方向に形成
    された溝からなることを特徴とする実用新案登録
    請求の範囲第1項記載の蒸着装置。 (3) シヤツターの電子ビーム通過部は径方向に
    切込みが形成された第1シヤツターと、この第1
    シヤツターと離間にて被蒸着がわに配設される第
    2シヤツターとからなることを特徴とする実用新
    案登録請求の範囲第1項記載の蒸着装置。
JP6402487U 1987-04-30 1987-04-30 Pending JPS63175155U (ja)

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JP6402487U JPS63175155U (ja) 1987-04-30 1987-04-30

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JP6402487U JPS63175155U (ja) 1987-04-30 1987-04-30

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JPS63175155U true JPS63175155U (ja) 1988-11-14

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JP6402487U Pending JPS63175155U (ja) 1987-04-30 1987-04-30

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