JPS63111748U - - Google Patents

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JPS63111748U
JPS63111748U JP257987U JP257987U JPS63111748U JP S63111748 U JPS63111748 U JP S63111748U JP 257987 U JP257987 U JP 257987U JP 257987 U JP257987 U JP 257987U JP S63111748 U JPS63111748 U JP S63111748U
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thin film
metal thin
analytical
opening
irradiation hole
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の実施例に係る金属薄膜マス
クの斜視図、第２図と第３図は試料ホルダの斜視
図、第４図は従来の金属薄膜マスクの斜視図であ
る。 １：金属薄膜の補強材、２：金属薄膜、３：分
析用照射孔、４：金属薄膜マスク、５：一次イオ
ンビーム、６：測定試料。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) (イ) 一次イオンビームの照射される少な
    くとも１つの分析用照射孔を有する金属薄膜と、 (ロ) 該分析用照射孔を一次イオンビームに照
    射させるための開孔を有すると共に、該分析用照
    射孔が前記開孔内に位置するようにして該金属薄
    膜の一方の面を前記開孔の周縁部において一様に
    接合させた金属薄膜の補強材、とを備えることを
    特徴とする二次イオン質量分析用金属薄膜マスク
    。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の金属
    薄膜マスクにおいて、金属薄膜の補強材は金属メ
    ツシユであることを特徴とする二次イオン質量分
    析用金属薄膜マスク。
JP257987U 1987-01-12 1987-01-12 Pending JPS63111748U (ja)

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JP257987U JPS63111748U (ja) 1987-01-12 1987-01-12

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JP257987U JPS63111748U (ja) 1987-01-12 1987-01-12

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JPS63111748U true JPS63111748U (ja) 1988-07-18

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ID=30781551

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JP257987U Pending JPS63111748U (ja) 1987-01-12 1987-01-12

Country Status (1)

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JP (1) JPS63111748U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450351A (en) * 1987-08-20 1989-02-27 Hitachi Ltd Electrification preventive method
CN112624036A (zh) * 2020-12-07 2021-04-09 浙江大学 电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微纳加工的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450351A (en) * 1987-08-20 1989-02-27 Hitachi Ltd Electrification preventive method
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