JPH07111107A - 強誘電体薄膜製造方法 - Google Patents
強誘電体薄膜製造方法Info
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- JPH07111107A JPH07111107A JP5280033A JP28003393A JPH07111107A JP H07111107 A JPH07111107 A JP H07111107A JP 5280033 A JP5280033 A JP 5280033A JP 28003393 A JP28003393 A JP 28003393A JP H07111107 A JPH07111107 A JP H07111107A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペロブスカイト相以外の異相部が形成され
ず、結晶粒径が均一な強誘電体薄膜製造方法を得る。 【構成】 ３５０℃〜４５０℃に保持されたシリコン基
板上にチタン酸ジルコン酸鉛の微結晶薄膜を形成し、こ
の微結晶薄膜を７００℃において約１０分間熱処理し、
結晶化する。また、チタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を
微結晶状態で形成するためにスパッタリング法を用い、
その時の基板温度を３５０℃以上４５０℃以下とする。
ず、結晶粒径が均一な強誘電体薄膜製造方法を得る。 【構成】 ３５０℃〜４５０℃に保持されたシリコン基
板上にチタン酸ジルコン酸鉛の微結晶薄膜を形成し、こ
の微結晶薄膜を７００℃において約１０分間熱処理し、
結晶化する。また、チタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を
微結晶状態で形成するためにスパッタリング法を用い、
その時の基板温度を３５０℃以上４５０℃以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線検出器や不揮発
性メモリー等に適用される強誘電体材料薄膜の製造方法
に関する。
性メモリー等に適用される強誘電体材料薄膜の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線検出器あるいは不揮発性メモリに
は自発分極性を有する強誘電体が用いられている。これ
らのうち赤外線検出器は強誘電体の自発分極によって誘
起された表面電荷の温度依存性による焦電効果を利用し
たものであり、不揮発性メモリは強誘電体に印加された
電界により発生した自発分極により記憶動作を行うもの
である。
は自発分極性を有する強誘電体が用いられている。これ
らのうち赤外線検出器は強誘電体の自発分極によって誘
起された表面電荷の温度依存性による焦電効果を利用し
たものであり、不揮発性メモリは強誘電体に印加された
電界により発生した自発分極により記憶動作を行うもの
である。
【０００３】従来、電子デバイス等に応用される強誘電
体薄膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ
1ーx)Ｏ3＝ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）などが
用いられているが、その製造方法として、マグネトロン
スパッタリング法によりチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を成
膜する時に成膜中の基板温度を６６０℃あるいは７２５
℃に保持してペロブスカイト相の強誘電性チタン酸ジル
コン酸鉛薄膜を形成する方法が刊行物「第９回強誘電体
応用会議講演予稿集」第１５９頁−第１６０頁に記載さ
れている。
体薄膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ
1ーx)Ｏ3＝ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）などが
用いられているが、その製造方法として、マグネトロン
スパッタリング法によりチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を成
膜する時に成膜中の基板温度を６６０℃あるいは７２５
℃に保持してペロブスカイト相の強誘電性チタン酸ジル
コン酸鉛薄膜を形成する方法が刊行物「第９回強誘電体
応用会議講演予稿集」第１５９頁−第１６０頁に記載さ
れている。
【０００４】しかし、この方法は基板温度が６００℃以
上と高いため、チタン酸ジルコン酸鉛を成膜している時
に蒸気圧の高い鉛成分が成長中の薄膜から離脱し、膜中
の鉛組成が基板に供給した鉛量に対し著しく減少してし
まう。そのため、正確な化学量論比組成のチタン酸ジル
コン酸鉛薄膜を形成することが難しい。
上と高いため、チタン酸ジルコン酸鉛を成膜している時
に蒸気圧の高い鉛成分が成長中の薄膜から離脱し、膜中
の鉛組成が基板に供給した鉛量に対し著しく減少してし
まう。そのため、正確な化学量論比組成のチタン酸ジル
コン酸鉛薄膜を形成することが難しい。
【０００５】また、このような条件下で膜成長を行う場
合、鉛成分の不足は非強誘電体相であるパイロクロア相
の形成を招き、パイロクロア相の形成を防ぐためには過
剰な鉛を基板に供給しなければならないという問題があ
る。
合、鉛成分の不足は非強誘電体相であるパイロクロア相
の形成を招き、パイロクロア相の形成を防ぐためには過
剰な鉛を基板に供給しなければならないという問題があ
る。
【０００６】一方、同様にマグネトロンスパッタリング
法によりＰＺＴ強誘電体薄膜を製造する方法として、２
００℃に保った白金／酸化シリコン／シリコン基板上に
ＰＺＴの非結晶薄膜を形成し、その薄膜を７００℃の温
度で２分間熱処理することによりペロブスカイト相に結
晶化させ、強誘電体薄膜化する方法が刊行物「第１０回
強誘電体応用会議講演予稿集」第１４６頁−第１４７頁
に記載されている。
法によりＰＺＴ強誘電体薄膜を製造する方法として、２
００℃に保った白金／酸化シリコン／シリコン基板上に
ＰＺＴの非結晶薄膜を形成し、その薄膜を７００℃の温
度で２分間熱処理することによりペロブスカイト相に結
晶化させ、強誘電体薄膜化する方法が刊行物「第１０回
強誘電体応用会議講演予稿集」第１４６頁−第１４７頁
に記載されている。
【０００７】しかし、この方法によって形成されたＰＺ
Ｔ強誘電体薄膜の場合、図４に示した結晶組織電子顕微
鏡写真（２,０００倍）のように、熱処理後の薄膜中に
ぺロブスカイト相以外の非強誘電性異相部が形成されて
しまうことが多く、また、形成されたぺロブスカイト相
の強誘電体薄膜の結晶は粒径にバラつきが多くペロブス
カイト強誘電体相以外の異相を含む均一性に欠けた膜が
形成されやすい。
Ｔ強誘電体薄膜の場合、図４に示した結晶組織電子顕微
鏡写真（２,０００倍）のように、熱処理後の薄膜中に
ぺロブスカイト相以外の非強誘電性異相部が形成されて
しまうことが多く、また、形成されたぺロブスカイト相
の強誘電体薄膜の結晶は粒径にバラつきが多くペロブス
カイト強誘電体相以外の異相を含む均一性に欠けた膜が
形成されやすい。
【０００８】また、チタン酸ジルコン酸鉛組成物の薄膜
を熱処理によって結晶化・強誘電体薄膜化する場合に、
形成されたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜が強誘電体相であ
るペロブスカイト相と非強誘電体相であるパイロクロア
相と推定される異相に分離する。この相分離は、チタン
酸ジルコン酸鉛組成薄膜からペロブスカイト強誘電体相
を形成する結晶の再結晶形成密度が小さいことと、結晶
成長過程において鉛組成のペロブスカイト結晶相への集
中と鉛成分の蒸発が生じ、ペロブスカイト強誘電体相を
形成する結晶の再結晶核近傍以外の領域で鉛成分が不足
する結果、非強誘電体相の異相が形成されてしまうこと
が原因となって生じると考えられる。
を熱処理によって結晶化・強誘電体薄膜化する場合に、
形成されたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜が強誘電体相であ
るペロブスカイト相と非強誘電体相であるパイロクロア
相と推定される異相に分離する。この相分離は、チタン
酸ジルコン酸鉛組成薄膜からペロブスカイト強誘電体相
を形成する結晶の再結晶形成密度が小さいことと、結晶
成長過程において鉛組成のペロブスカイト結晶相への集
中と鉛成分の蒸発が生じ、ペロブスカイト強誘電体相を
形成する結晶の再結晶核近傍以外の領域で鉛成分が不足
する結果、非強誘電体相の異相が形成されてしまうこと
が原因となって生じると考えられる。
【０００９】このような不均一な薄膜は、強誘電体とし
て用いた場合に劣化を引き起こし易く、特に半導体不揮
発性メモリー中のキャパシタの強誘電体として用いた場
合には各記憶セルの特性がバラつき、実用性に欠ける。
て用いた場合に劣化を引き起こし易く、特に半導体不揮
発性メモリー中のキャパシタの強誘電体として用いた場
合には各記憶セルの特性がバラつき、実用性に欠ける。
【００１０】このように、従来の基板温度を６００℃以
上に保持して成膜を行う製造方法によっては正確な化学
量論比組成を有し、非強誘電体相であるパイロクロア相
のないペロブスカイトだけからなるチタン酸ジルコン酸
鉛薄膜を形成することは困難である。また、基板温度を
２００℃程度に保持して成膜を行い、後熱処理結晶化を
行う製造方法では均一なチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を形
成することは困難である。
上に保持して成膜を行う製造方法によっては正確な化学
量論比組成を有し、非強誘電体相であるパイロクロア相
のないペロブスカイトだけからなるチタン酸ジルコン酸
鉛薄膜を形成することは困難である。また、基板温度を
２００℃程度に保持して成膜を行い、後熱処理結晶化を
行う製造方法では均一なチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を形
成することは困難である。
【００１１】
【発明の概要】本発明は、正確な化学量論比組成を有
し、強誘電体薄膜中にペロブスカイト相以外の異相部が
無く、かつ強誘電体層薄膜の結晶粒径が均一であるＰＺ
Ｔ強誘電体薄膜をえることができる製造方法を提供する
ものである。
し、強誘電体薄膜中にペロブスカイト相以外の異相部が
無く、かつ強誘電体層薄膜の結晶粒径が均一であるＰＺ
Ｔ強誘電体薄膜をえることができる製造方法を提供する
ものである。
【００１２】本発明者は研究を行った結果、熱処理前の
チタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜中におけるペロブスカイ
ト相再結晶核密度が十分に大きいことがチタン酸ジルコ
ン酸鉛をペロブスカイト均一相にするために有効である
ことを見いだした。また、同時にこの再結晶核はチタン
酸ジルコン酸鉛組成薄膜を微結晶状態で形成することに
より得られることも見いだした。
チタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜中におけるペロブスカイ
ト相再結晶核密度が十分に大きいことがチタン酸ジルコ
ン酸鉛をペロブスカイト均一相にするために有効である
ことを見いだした。また、同時にこの再結晶核はチタン
酸ジルコン酸鉛組成薄膜を微結晶状態で形成することに
より得られることも見いだした。
【００１３】本発明の強誘電体薄膜製造方法では、基板
上にチタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を微結晶状態で形
成し、その後７００℃付近の温度において１０分間程度
熱処理を行って結晶成長を行うことにより、ペロブスカ
イト結晶構造のチタン酸ジルコン酸鉛強誘電体薄膜を形
成する。また、チタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を微結
晶状態で形成するためにスパッタリング法を用い、その
時の基板温度を３５０℃以上４５０℃以下とする。
上にチタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を微結晶状態で形
成し、その後７００℃付近の温度において１０分間程度
熱処理を行って結晶成長を行うことにより、ペロブスカ
イト結晶構造のチタン酸ジルコン酸鉛強誘電体薄膜を形
成する。また、チタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を微結
晶状態で形成するためにスパッタリング法を用い、その
時の基板温度を３５０℃以上４５０℃以下とする。
【００１４】
【実施例】図１に本願発明において強誘電体薄膜を形成
するために用いるマグネトロンスパッタリング装置を示
す。このマグネトロンスパッタリング装置は、減圧され
たチャンバ１内にマグネトロンスパッタリングカソード
２を具えており、このマグネトロンスパッタリングカソ
ード２に対向する位置に基板ホルダ４が配置され、マグ
ネトロンスパッタリングカソード２と基板ホルダ４の間
にはシャッタ５が配置されている。マグネトロンスパッ
タリングカソード２には高周波電源６が接続されてお
り、チャンバ１内にスパッタリング用のガスを供給する
ガス供給口が設けられている。
するために用いるマグネトロンスパッタリング装置を示
す。このマグネトロンスパッタリング装置は、減圧され
たチャンバ１内にマグネトロンスパッタリングカソード
２を具えており、このマグネトロンスパッタリングカソ
ード２に対向する位置に基板ホルダ４が配置され、マグ
ネトロンスパッタリングカソード２と基板ホルダ４の間
にはシャッタ５が配置されている。マグネトロンスパッ
タリングカソード２には高周波電源６が接続されてお
り、チャンバ１内にスパッタリング用のガスを供給する
ガス供給口が設けられている。
【００１５】マグネトロンスパッタリングカソード２に
はチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ1ーx)Ｏ3）タ
ーゲット３が装着されており、基板ホルダ４には、約
２,０００Åの厚さの白金膜が下部電極として形成され
たシリコン基板７が装着されている。下部電極膜として
は、この他にもパラジウムやニッケル等の高融点金属膜
あるいは窒化チタン膜、酸化物導電膜等が使用可能であ
る。チャンバ１内は１０-4Ｐａ程度に減圧された後、高
純度アルゴンガスあるいはアルゴンガスに酸素を混合し
たスパッタリングガスが０.５Ｐａの圧力となるように
導入されている。また、高周波電源６からは周波数１
３.５６ＭHzの高周波が供給される。
はチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ1ーx)Ｏ3）タ
ーゲット３が装着されており、基板ホルダ４には、約
２,０００Åの厚さの白金膜が下部電極として形成され
たシリコン基板７が装着されている。下部電極膜として
は、この他にもパラジウムやニッケル等の高融点金属膜
あるいは窒化チタン膜、酸化物導電膜等が使用可能であ
る。チャンバ１内は１０-4Ｐａ程度に減圧された後、高
純度アルゴンガスあるいはアルゴンガスに酸素を混合し
たスパッタリングガスが０.５Ｐａの圧力となるように
導入されている。また、高周波電源６からは周波数１
３.５６ＭHzの高周波が供給される。
【００１６】基板７は基板ホルダー内に内蔵されたヒー
ターにより３５０℃〜４５０℃の温度に保持されてお
り、マグネトロンスパッタリングカソード２に２００Ｗ
の高周波電力を供給すると、高周波電磁界により生成さ
れ、磁界によって拘束されたＡｒイオンがＰｂ（Ｚｒx
Ｔｉ1ーx）Ｏ3ターゲット３を衝撃し、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ
1ー x）Ｏ3がはじきだされて蒸発する。シャッタ５を閉じ
て所定時間のプリスパッタリングを行った後にシャッタ
５を開いて膜厚が２,０００Åになるまでシリコン基板
７上にＰｂ（ＺｒxＴｉ1ーx）Ｏ3薄膜を形成する。
ターにより３５０℃〜４５０℃の温度に保持されてお
り、マグネトロンスパッタリングカソード２に２００Ｗ
の高周波電力を供給すると、高周波電磁界により生成さ
れ、磁界によって拘束されたＡｒイオンがＰｂ（Ｚｒx
Ｔｉ1ーx）Ｏ3ターゲット３を衝撃し、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ
1ー x）Ｏ3がはじきだされて蒸発する。シャッタ５を閉じ
て所定時間のプリスパッタリングを行った後にシャッタ
５を開いて膜厚が２,０００Åになるまでシリコン基板
７上にＰｂ（ＺｒxＴｉ1ーx）Ｏ3薄膜を形成する。
【００１７】このようにして形成されたＰｂ（ＺｒxＴ
ｉ1ーx）Ｏ3薄膜をＸ線回折装置で観察した回折パターン
を図２に（１）で示す。この回折パターンは、全体がブ
ロードなピークで構成されており、形成された膜は同定
不明相の微結晶体で構成されていると考えられる。な
お、回折角３３゜に現れた低いピークＡはシリコンの基
板によるものであり、４０゜に現れたピークＢはシリコ
ン基板上に電極として形成された白金膜によるピークで
ある。白金膜による実際のピークはここに示したものよ
りも高いが、図面記載の都合上その部分は省略してあ
る。
ｉ1ーx）Ｏ3薄膜をＸ線回折装置で観察した回折パターン
を図２に（１）で示す。この回折パターンは、全体がブ
ロードなピークで構成されており、形成された膜は同定
不明相の微結晶体で構成されていると考えられる。な
お、回折角３３゜に現れた低いピークＡはシリコンの基
板によるものであり、４０゜に現れたピークＢはシリコ
ン基板上に電極として形成された白金膜によるピークで
ある。白金膜による実際のピークはここに示したものよ
りも高いが、図面記載の都合上その部分は省略してあ
る。
【００１８】このようにして得られた積層膜を、赤外線
加熱装置を用いて７００℃前後の温度で約１０分間熱処
理を行った。
加熱装置を用いて７００℃前後の温度で約１０分間熱処
理を行った。
【００１９】この結晶化積層膜を高分解能電子顕微鏡を
用いて観察した写真（５０,０００倍）を図３に示す
が、形成されたペロブスカイト結晶の結晶粒径は小さく
揃っており、きわめて均一性が良好である。
用いて観察した写真（５０,０００倍）を図３に示す
が、形成されたペロブスカイト結晶の結晶粒径は小さく
揃っており、きわめて均一性が良好である。
【００２０】成膜中の基板温度が、３５０℃以下の場合
にはＸ線回折パターンには全くピークが認められず完全
なアモルファス状態であり、このような薄膜を熱処理に
より結晶化しても図４に示した従来のものと同様な不均
一な薄膜しか形成することができない。
にはＸ線回折パターンには全くピークが認められず完全
なアモルファス状態であり、このような薄膜を熱処理に
より結晶化しても図４に示した従来のものと同様な不均
一な薄膜しか形成することができない。
【００２１】成膜中の基板温度を４５０℃以上とすると
得られたＰｂ（ＺｒxＴｉ1ーx）Ｏ3組成薄膜は、非強誘
電体相であるパイロクロア相に結晶化してしまい、成膜
後の熱処理によってペロブスカイト相強誘電体層とする
ことが著しく困難となる。この時の正膜後熱処理前の薄
膜のＸ線回折パターンを図２の（２）に示す。この回折
パターンにおいて３０゜付近に現れた強いピーク及び３
４゜に現れたピークはパイロクロア相によるピークであ
る。このようにパイロクロア相に完全に結晶化した薄膜
は成膜後の熱処理でペロブスカイト相にすることは困難
となる。また、成膜中の基板温度が４５０℃を越える
と、基板上に成形されたチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜
から鉛成分が選択的に再蒸発してしまい、基板に供給し
た膜組成物と実際に基板上に成長される薄膜組成物の組
成ズレが著しく、膜組成の制御が困難で、良好な強誘電
体薄膜化が不可能である。
得られたＰｂ（ＺｒxＴｉ1ーx）Ｏ3組成薄膜は、非強誘
電体相であるパイロクロア相に結晶化してしまい、成膜
後の熱処理によってペロブスカイト相強誘電体層とする
ことが著しく困難となる。この時の正膜後熱処理前の薄
膜のＸ線回折パターンを図２の（２）に示す。この回折
パターンにおいて３０゜付近に現れた強いピーク及び３
４゜に現れたピークはパイロクロア相によるピークであ
る。このようにパイロクロア相に完全に結晶化した薄膜
は成膜後の熱処理でペロブスカイト相にすることは困難
となる。また、成膜中の基板温度が４５０℃を越える
と、基板上に成形されたチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜
から鉛成分が選択的に再蒸発してしまい、基板に供給し
た膜組成物と実際に基板上に成長される薄膜組成物の組
成ズレが著しく、膜組成の制御が困難で、良好な強誘電
体薄膜化が不可能である。
【００２２】以上のことから、チタン酸ジルコン酸鉛組
成薄膜を微結晶化するには、その組成薄膜を形成すると
きの成膜時基板温度を３５０℃以上４５０℃以上とする
ことが必要であるということができる。
成薄膜を微結晶化するには、その組成薄膜を形成すると
きの成膜時基板温度を３５０℃以上４５０℃以上とする
ことが必要であるということができる。
【００２３】本発明はチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を微
結晶状態の薄膜として形成し、その後熱処理して結晶化
するから、成膜法としては図１に示したマグネトロンス
パッタリング法以外にＣＶＤ法、ゾルゲル法あるいは蒸
着法等の他の気相成長法を採用することができる。
結晶状態の薄膜として形成し、その後熱処理して結晶化
するから、成膜法としては図１に示したマグネトロンス
パッタリング法以外にＣＶＤ法、ゾルゲル法あるいは蒸
着法等の他の気相成長法を採用することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の強誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、均一性良好で、再現性、量産性が極めて優れた強誘
電体薄膜を容易に製造することができる。この強誘電体
薄膜を強誘電体不揮発性メモリーやセンサーに利用した
場合には、極めて信頼性が高くかつ微細加工性が良く、
特に不揮発性メモリーの強誘電体キャパシタとして用い
た場合にはメモリセル素子間のバラツキが少なく理想的
な特性を持つことができる。
ば、均一性良好で、再現性、量産性が極めて優れた強誘
電体薄膜を容易に製造することができる。この強誘電体
薄膜を強誘電体不揮発性メモリーやセンサーに利用した
場合には、極めて信頼性が高くかつ微細加工性が良く、
特に不揮発性メモリーの強誘電体キャパシタとして用い
た場合にはメモリセル素子間のバラツキが少なく理想的
な特性を持つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明実施例で用いるマグネトロンスパッタ
リング装置の説明図。
リング装置の説明図。
【図２】熱処理前及び熱処理後の本発明強誘電体薄膜の
Ｘ線回折パターン。
Ｘ線回折パターン。
【図３】本発明の強誘電体セラミックの組織電子顕微鏡
写真。
写真。
【図４】従来例の強誘電体セラミックの組織電子顕微鏡
写真。
写真。
１ チャンバ ２ マグネトロンスパッタリングカソード ３ チタン酸ジルコン酸鉛ターゲット ４ 基板ホルダ ５ シャッタ ６ 高周波電源 ７ シリコン基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に微結晶状態のチタン酸ジルコン
酸鉛組成薄膜を形成し、前記微結晶状態のチタン酸ジル
コン酸鉛組成薄膜を６５０℃〜８００℃の温度で熱処理
して結晶成長を行うことにより、ペロブスカイト結晶構
造のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を形成する強誘電体薄膜
製造方法。 - 【請求項２】 基板上へのチタン酸ジルコン酸鉛組成薄
膜形成をスパッタリングにより行う請求項１記載の強誘
電体薄膜製造方法。 - 【請求項３】 基板温度を３５０℃〜４５０℃として微
結晶状態のチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜形成を行う請
求項２記載の強誘電体薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280033A JPH07111107A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 強誘電体薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280033A JPH07111107A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 強誘電体薄膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111107A true JPH07111107A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17619364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5280033A Withdrawn JPH07111107A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 強誘電体薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111107A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258389A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 圧電膜とその製造方法、及び圧電素子 |
| JP2008042192A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Canon Inc | 圧電体素子、圧電体の製造方法及び液体噴射ヘッド |
| JP2008042190A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Canon Inc | 圧電体の製造方法、圧電体素子及び液体吐出ヘッド |
| US8227893B2 (en) | 2004-06-23 | 2012-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor device with capacitor element |
-
1993
- 1993-10-13 JP JP5280033A patent/JPH07111107A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8227893B2 (en) | 2004-06-23 | 2012-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor device with capacitor element |
| JP2007258389A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 圧電膜とその製造方法、及び圧電素子 |
| JP2008042192A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Canon Inc | 圧電体素子、圧電体の製造方法及び液体噴射ヘッド |
| JP2008042190A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Canon Inc | 圧電体の製造方法、圧電体素子及び液体吐出ヘッド |
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