JPH0859867A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JPH0859867A JPH0859867A JP19515994A JP19515994A JPH0859867A JP H0859867 A JPH0859867 A JP H0859867A JP 19515994 A JP19515994 A JP 19515994A JP 19515994 A JP19515994 A JP 19515994A JP H0859867 A JPH0859867 A JP H0859867A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明高分子フィルム基材の少くとも片面に金
属および／または金属酸化物の透明導電層が配設されて
いる透明導電性フィルムであって、１０ｍｍ巾×２００
ｍｍ長フィルム切片の１００ｍｍ間の表面抵抗（Ｒ0 ）
と、この切片をスパン１００ｍｍ、引張速度０．５ｍｍ
／分で２％引張り伸ばした後の表面抵抗（Ｒ）との比
（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満であることを特徴とする透明導電
性フィルム。 【効果】 透明導電層の表面抵抗の増加を小さくするこ
とが可能となり、その結果、たとえばエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造工程に発生する透明導電性フィルム
の表面抵抗の増大による輝度低下や不点灯等の発光不良
を防止することが可能となる。
属および／または金属酸化物の透明導電層が配設されて
いる透明導電性フィルムであって、１０ｍｍ巾×２００
ｍｍ長フィルム切片の１００ｍｍ間の表面抵抗（Ｒ0 ）
と、この切片をスパン１００ｍｍ、引張速度０．５ｍｍ
／分で２％引張り伸ばした後の表面抵抗（Ｒ）との比
（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満であることを特徴とする透明導電
性フィルム。 【効果】 透明導電層の表面抵抗の増加を小さくするこ
とが可能となり、その結果、たとえばエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造工程に発生する透明導電性フィルム
の表面抵抗の増大による輝度低下や不点灯等の発光不良
を防止することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、透明導電性フィルム
に関するものである。さらに詳しくは、エレクトロルミ
ネッセンス素子、液晶表示素子、タッチパネルの透明電
極や、電磁波シールド、面状発熱体等に有用な透明導電
性フィルムに関するものである。
に関するものである。さらに詳しくは、エレクトロルミ
ネッセンス素子、液晶表示素子、タッチパネルの透明電
極や、電磁波シールド、面状発熱体等に有用な透明導電
性フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、発光素子、表示素
子等として利用されるエレクトロルミネッセンス素子に
は、例えば、図１に例示したように、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等から成る透明高分子フィルムに
酸化インジウムや酸化スズ、あるいはこれらの混合物か
ら成る透明導電層を積層したもの、もしくは透明高分子
フィルムに、導電性塗料を塗工したもの等からなる透明
導電性フィルム（３）が用いられており、この透明導電
性フィルム（３）は、チタン酸バリウム等と高誘導性ポ
リマーから成る絶縁層（５）、アルミニウム、銀、カー
ボン等からなる背面電極（６）とともに蛍光体の硫化亜
鉛と高誘電性ポリマーから成る発光体層（４）を挾み込
み、そして電極端子（７）を介在させてエレクトロルミ
ネッセンス素子を構成している。
子等として利用されるエレクトロルミネッセンス素子に
は、例えば、図１に例示したように、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等から成る透明高分子フィルムに
酸化インジウムや酸化スズ、あるいはこれらの混合物か
ら成る透明導電層を積層したもの、もしくは透明高分子
フィルムに、導電性塗料を塗工したもの等からなる透明
導電性フィルム（３）が用いられており、この透明導電
性フィルム（３）は、チタン酸バリウム等と高誘導性ポ
リマーから成る絶縁層（５）、アルミニウム、銀、カー
ボン等からなる背面電極（６）とともに蛍光体の硫化亜
鉛と高誘電性ポリマーから成る発光体層（４）を挾み込
み、そして電極端子（７）を介在させてエレクトロルミ
ネッセンス素子を構成している。
【０００３】このエレクトロルミネッセンス素子の製造
では、例えば、透明導電性フィルム（３）の導電膜面に
銀ペースト等で給電層を印刷し、電極端子（７）を引き
出して形成した透明導電性フィルム（３）面と、背面電
極（６）に、絶縁層（５）および発光体層（４）を塗工
により順次積層して形成した発光体層（４）の面とを、
温度１２０℃〜１７０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 〜５０
ｋｇ／ｃｍ2 、および時間５秒〜３０秒の条件で貼り合
わせるラミネート法や、透明導電性フィルム（３）に発
光体層（４）、絶縁層（５）、背面電極（６）を塗工に
より順次積層するバックプリント法等の方法が採用され
ている。これらの方法で作製した積層体は、その外側に
ナイロンフィルム捕水層（２）およびポリ三フッ化−塩
化エチレン等の防湿フィルム（１）をラミネート法と同
様な条件で貼り合わせ、防湿包装している。
では、例えば、透明導電性フィルム（３）の導電膜面に
銀ペースト等で給電層を印刷し、電極端子（７）を引き
出して形成した透明導電性フィルム（３）面と、背面電
極（６）に、絶縁層（５）および発光体層（４）を塗工
により順次積層して形成した発光体層（４）の面とを、
温度１２０℃〜１７０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 〜５０
ｋｇ／ｃｍ2 、および時間５秒〜３０秒の条件で貼り合
わせるラミネート法や、透明導電性フィルム（３）に発
光体層（４）、絶縁層（５）、背面電極（６）を塗工に
より順次積層するバックプリント法等の方法が採用され
ている。これらの方法で作製した積層体は、その外側に
ナイロンフィルム捕水層（２）およびポリ三フッ化−塩
化エチレン等の防湿フィルム（１）をラミネート法と同
様な条件で貼り合わせ、防湿包装している。
【０００４】そして、このような従来のエレクトロルミ
ネッセンス素子の場合、各層の素材やその組み合わせに
ついて様々な工夫が試みられてきているものの、実用的
には依然として解決されるべき大きな課題が残されてい
る。この課題は、エレクトロルミネッセンス素子の長さ
が１ｍ以上の長尺品の場合には、加熱および加圧の負荷
だけでなく、５ｋｇ／ｍ〜２０ｋｇ／ｍの引張テンショ
ンがかかるために、透明導電性フィルムが数％も伸びる
ことになり、この伸びにともなって透明導電層の表面抵
抗が増大し、輝度の低下や、不点灯等の発光不良が発生
するという問題であった。
ネッセンス素子の場合、各層の素材やその組み合わせに
ついて様々な工夫が試みられてきているものの、実用的
には依然として解決されるべき大きな課題が残されてい
る。この課題は、エレクトロルミネッセンス素子の長さ
が１ｍ以上の長尺品の場合には、加熱および加圧の負荷
だけでなく、５ｋｇ／ｍ〜２０ｋｇ／ｍの引張テンショ
ンがかかるために、透明導電性フィルムが数％も伸びる
ことになり、この伸びにともなって透明導電層の表面抵
抗が増大し、輝度の低下や、不点灯等の発光不良が発生
するという問題であった。
【０００５】そこでこの発明は、このような問題につい
てはこれまでにも検討が進められてきているが、抜本的
な解決策が見出されていないのが実情である。以上の通
りの従来技術の欠点を解消し、エレクトロルミネッセン
ス素子の場合はもちろんのこと、それ以外の用途におい
ても加熱、加圧による負荷や引張テンション等がかかる
透明導電性フィルムについて、これらの負荷にともなう
フィルムの伸びに起因する表面抵抗の増大による不都合
を解消することのできる、新しい透明導電性フィルムを
提供することを目的としている。
てはこれまでにも検討が進められてきているが、抜本的
な解決策が見出されていないのが実情である。以上の通
りの従来技術の欠点を解消し、エレクトロルミネッセン
ス素子の場合はもちろんのこと、それ以外の用途におい
ても加熱、加圧による負荷や引張テンション等がかかる
透明導電性フィルムについて、これらの負荷にともなう
フィルムの伸びに起因する表面抵抗の増大による不都合
を解消することのできる、新しい透明導電性フィルムを
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、透明高分子フィルム基材の少く
とも片面に金属および／または金属酸化物の透明導電層
が配設されている透明導電性フィルムであって、１０ｍ
ｍ巾×２００ｍｍ長フィルム切片の１００ｍｍ間の表面
抵抗（Ｒ0 ）と、この切片をスパン１００ｍｍ、引張速
度０．５ｍｍ／分で２％引張り伸ばした後の表面抵抗
（Ｒ）との比（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満であることを特徴と
する透明導電性フィルムを提供する。
を解決するものとして、透明高分子フィルム基材の少く
とも片面に金属および／または金属酸化物の透明導電層
が配設されている透明導電性フィルムであって、１０ｍ
ｍ巾×２００ｍｍ長フィルム切片の１００ｍｍ間の表面
抵抗（Ｒ0 ）と、この切片をスパン１００ｍｍ、引張速
度０．５ｍｍ／分で２％引張り伸ばした後の表面抵抗
（Ｒ）との比（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満であることを特徴と
する透明導電性フィルムを提供する。
【０００７】そしてまた、この発明は、透明高分子フィ
ルム基材の少くとも片面に金属および／または金属酸化
物の透明導電層が配設されている透明導電性フィルムで
あって、１５０℃、３０分加熱後の流れ方向の熱収縮率
が０．３％未満であることを特徴とする透明導電性フィ
ルムをも提供する。このような特徴を持つこの発明の透
明導電性フィルムは、透明高分子フィルムの少くとも片
面に金属または金属酸化物の透明導電層を配設し、次い
でアニール処理することによって好適に製造されるもの
でもある。
ルム基材の少くとも片面に金属および／または金属酸化
物の透明導電層が配設されている透明導電性フィルムで
あって、１５０℃、３０分加熱後の流れ方向の熱収縮率
が０．３％未満であることを特徴とする透明導電性フィ
ルムをも提供する。このような特徴を持つこの発明の透
明導電性フィルムは、透明高分子フィルムの少くとも片
面に金属または金属酸化物の透明導電層を配設し、次い
でアニール処理することによって好適に製造されるもの
でもある。
【０００８】そしてこの場合、より好ましくは、透明導
電層の配設前の透明高分子フィルム基材として、１５０
℃、３０分加熱時の流れ方向の熱収縮率が０．３〜１．
５％の範囲にあるものを使用する。基材としての透明高
分子フィルムの熱収縮率が０．３％より小さいと、たと
えばエレクトロルミネッセンス素子の製造工程の引張テ
ンションにより、透明導電層にクラックを生じやすくな
り、表面抵抗が増大し、また、熱収縮率が１．５％より
も大きいと、アニール処理後のカールが非常に大きくな
り、製造工程中で取り扱いづらくなる。
電層の配設前の透明高分子フィルム基材として、１５０
℃、３０分加熱時の流れ方向の熱収縮率が０．３〜１．
５％の範囲にあるものを使用する。基材としての透明高
分子フィルムの熱収縮率が０．３％より小さいと、たと
えばエレクトロルミネッセンス素子の製造工程の引張テ
ンションにより、透明導電層にクラックを生じやすくな
り、表面抵抗が増大し、また、熱収縮率が１．５％より
も大きいと、アニール処理後のカールが非常に大きくな
り、製造工程中で取り扱いづらくなる。
【０００９】またさらに、透明導電層を配設した後に
は、１２０℃〜２００℃程度の温度で、１分から３０分
程度のアニール処理を行うのが望ましい。このアニール
処理については、その後の透明導電性フィルムの熱収縮
率は上記の通り０．３％未満とすることが望ましい。こ
のアニール処理後の熱収縮率が０．３％よりも大きい
と、加工工程の途中である乾燥工程や、ヒートプレス工
程等における加熱により収縮が大きくなり、透明導電性
フィルムの寸法安定性が悪くなる。このアニール処理を
行なうことにより、透明導電層および透明導電性フィル
ムに圧縮力が働くため、加熱、加圧、および、引張テン
ションによる、表面抵抗の変化が非常に小さくなる。
は、１２０℃〜２００℃程度の温度で、１分から３０分
程度のアニール処理を行うのが望ましい。このアニール
処理については、その後の透明導電性フィルムの熱収縮
率は上記の通り０．３％未満とすることが望ましい。こ
のアニール処理後の熱収縮率が０．３％よりも大きい
と、加工工程の途中である乾燥工程や、ヒートプレス工
程等における加熱により収縮が大きくなり、透明導電性
フィルムの寸法安定性が悪くなる。このアニール処理を
行なうことにより、透明導電層および透明導電性フィル
ムに圧縮力が働くため、加熱、加圧、および、引張テン
ションによる、表面抵抗の変化が非常に小さくなる。
【００１０】この発明の透明導電性フィルムにおいて、
用いることのできる透明高分子フィルムは、透明性を有
し、かつ、耐熱性に優れたものが望ましい。例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリブチレンテレフタート、ポリサルホン、ポリエ
ーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエ
ーテルイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、およ
び、ポリイミド等を、その透明高分子フィルムとして例
示することができる。
用いることのできる透明高分子フィルムは、透明性を有
し、かつ、耐熱性に優れたものが望ましい。例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリブチレンテレフタート、ポリサルホン、ポリエ
ーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエ
ーテルイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、およ
び、ポリイミド等を、その透明高分子フィルムとして例
示することができる。
【００１１】また、この発明において、透明高分子フィ
ルム表面に形成する金属および／または金属酸化物の透
明導電層には、金、銀、銅、酸化インジウム、酸化ス
ズ、酸化インジウム−酸化スズ混合物等を用いることが
できる。この中でも、透明導電層として酸化インジウム
−酸化スズ混合物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide) が一般
的に用いられている。この透明導電層の成膜方法は、真
空蒸着法、スパッタリング法、および、イオンプレーテ
ィング法等の種々の方法を用いることができる。
ルム表面に形成する金属および／または金属酸化物の透
明導電層には、金、銀、銅、酸化インジウム、酸化ス
ズ、酸化インジウム−酸化スズ混合物等を用いることが
できる。この中でも、透明導電層として酸化インジウム
−酸化スズ混合物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide) が一般
的に用いられている。この透明導電層の成膜方法は、真
空蒸着法、スパッタリング法、および、イオンプレーテ
ィング法等の種々の方法を用いることができる。
【００１２】透明導電性フィルムにおける透明導電層
は、基材との密着性も重要であり、導電薄膜層と基材と
の付着力がきわめて強い気相成膜法としてのイオンプレ
ーティング法により形成することが好ましい。なお、こ
の発明の透明導電性フィルムについては、各種用途への
使用に際し、その少くとも片面に易接着性のアンダーコ
ート層を設け、透明高分子フィルム基材と透明導電層と
の層間密着性を確保し、加熱、加圧時等における負荷を
このアンダーコート層の緩衝作用によって軽減し、表面
抵抗の増大をさらに効果的に抑止することも可能であ
る。
は、基材との密着性も重要であり、導電薄膜層と基材と
の付着力がきわめて強い気相成膜法としてのイオンプレ
ーティング法により形成することが好ましい。なお、こ
の発明の透明導電性フィルムについては、各種用途への
使用に際し、その少くとも片面に易接着性のアンダーコ
ート層を設け、透明高分子フィルム基材と透明導電層と
の層間密着性を確保し、加熱、加圧時等における負荷を
このアンダーコート層の緩衝作用によって軽減し、表面
抵抗の増大をさらに効果的に抑止することも可能であ
る。
【００１３】このようなアンダーコート層には、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタンアクリル樹脂、シ
リコンアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂等が利用可能
でもある。
ステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタンアクリル樹脂、シ
リコンアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂等が利用可能
でもある。
【００１４】
【作用】この発明は上記の通り、これまでの透明導電性
フィルムでは実現されてこなかった、２％引張伸ばした
前後の表面抵抗比（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満という極めて優
れた透明導電性フィルムを提供する。そして、熱収縮率
についても０．３％未満と優れたものである。
フィルムでは実現されてこなかった、２％引張伸ばした
前後の表面抵抗比（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満という極めて優
れた透明導電性フィルムを提供する。そして、熱収縮率
についても０．３％未満と優れたものである。
【００１５】このようなこの発明の透明導電性フィルム
によって、引張テンションの負荷による表面抵抗の増大
はほとんどなく、エレクトロルミネッセンス素子等の特
性は大きく向上することになる。以下、実施例を示し、
さらに詳しくこの発明について説明する。
によって、引張テンションの負荷による表面抵抗の増大
はほとんどなく、エレクトロルミネッセンス素子等の特
性は大きく向上することになる。以下、実施例を示し、
さらに詳しくこの発明について説明する。
【００１６】
【実施例】実施例１ 流れ方向の熱収縮率（１５０℃、３０分加熱）が０．３
０％である、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムを基材と
し、その表面に１×１０-5Ｔｏｒｒに排気後、アルゴン
分圧６×１０-4Ｔｏｒｒ、酸素分圧２×１０-4Ｔｏｒｒ
において、ＩＴＯ蒸発源を用いて高周波励起イオンプレ
ーティング法により膜厚が４００ＡのＩＴＯ膜を成膜し
た。この透明導電性フィルムを、熱風循環式乾燥機中
で、１５０℃、５分間アニール処理し、透明導電性フィ
ルムの熱収縮率を０．０２６％とした。
０％である、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムを基材と
し、その表面に１×１０-5Ｔｏｒｒに排気後、アルゴン
分圧６×１０-4Ｔｏｒｒ、酸素分圧２×１０-4Ｔｏｒｒ
において、ＩＴＯ蒸発源を用いて高周波励起イオンプレ
ーティング法により膜厚が４００ＡのＩＴＯ膜を成膜し
た。この透明導電性フィルムを、熱風循環式乾燥機中
で、１５０℃、５分間アニール処理し、透明導電性フィ
ルムの熱収縮率を０．０２６％とした。
【００１７】そして、このようにして得られた透明導電
性フィルムを引っ張り伸ばし、表面抵抗の変化を調べ
た。流れ方向より、１０ｍｍ巾×２００ｍｍ長でサンプ
リングし、１００ｍｍ間の表面抵抗（Ｒ0 ）をテスター
にて測定した。この試料をスパン１００ｍｍ、引張速度
０．５ｍｍ／分で２％引っ張り伸ばし、伸びを解放後、
表面抵抗を測定して、Ｒ／Ｒ0 を算出した。その結果は
表１に示した通りわずかに１．１であった。
性フィルムを引っ張り伸ばし、表面抵抗の変化を調べ
た。流れ方向より、１０ｍｍ巾×２００ｍｍ長でサンプ
リングし、１００ｍｍ間の表面抵抗（Ｒ0 ）をテスター
にて測定した。この試料をスパン１００ｍｍ、引張速度
０．５ｍｍ／分で２％引っ張り伸ばし、伸びを解放後、
表面抵抗を測定して、Ｒ／Ｒ0 を算出した。その結果は
表１に示した通りわずかに１．１であった。
【００１８】実施例２ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．４７％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１．４であった。
０．４７％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１．４であった。
【００１９】実施例３ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．８８％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０３０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１．３であった。
０．８８％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０３０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１．３であった。
【００２０】実施例４ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
１．２３％のものに代え、ＩＴＯ膜を成膜した後、熱風
循環式乾燥機中で、１５０℃、１分間アニール処理し、
透明導電性フィルムの熱収縮率を０．２７％とした。そ
して、この透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法
で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ
／Ｒ0 ＝１．２であった。
１．２３％のものに代え、ＩＴＯ膜を成膜した後、熱風
循環式乾燥機中で、１５０℃、１分間アニール処理し、
透明導電性フィルムの熱収縮率を０．２７％とした。そ
して、この透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法
で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ
／Ｒ0 ＝１．２であった。
【００２１】比較例１ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．０４％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
４８２であった。
０．０４％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
４８２であった。
【００２２】比較例２ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．０４％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。そして、この透明導
電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵抗を測定
した。アニール後の熱収縮率は０．０１３％であったが
表面抵抗比は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝２２であっ
た。
０．０４％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。そして、この透明導
電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵抗を測定
した。アニール後の熱収縮率は０．０１３％であったが
表面抵抗比は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝２２であっ
た。
【００２３】比較例３ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．１５％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０７０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝２５３であった。
０．１５％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０７０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝２５３であった。
【００２４】比較例４ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．２７％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２３％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１４８であった。
０．２７％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２３％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１４８であった。
【００２５】比較例５ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．３０％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
１８であった。
０．３０％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
１８であった。
【００２６】比較例６ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．４７％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
７であった。
０．４７％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
７であった。
【００２７】比較例７ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
０．８８％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
２５であった。
０．８８％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
２５であった。
【００２８】比較例８ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
１．２３％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
２６であった。
１．２３％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
２６であった。
【００２９】比較例９ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
１．２３％のものに代え、ＩＴＯ膜を成膜した後、熱風
循環式乾燥機中で、１２０℃、１分間アニール処理し、
透明導電性フィルムの熱収縮率を０．４０％とした。そ
して、この透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法
で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ
／Ｒ0 ＝９であった。
１．２３％のものに代え、ＩＴＯ膜を成膜した後、熱風
循環式乾燥機中で、１２０℃、１分間アニール処理し、
透明導電性フィルムの熱収縮率を０．４０％とした。そ
して、この透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法
で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ
／Ｒ0 ＝９であった。
【００３０】比較例１０ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
１．５９％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
５２であった。
１．５９％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
５２であった。
【００３１】比較例１１ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
１．５９％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２６％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１０であった。
１．５９％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２６％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。その結果は表１に示し
た通りＲ／Ｒ0 ＝１０であった。
【００３２】比較例１２ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
４．５１％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
６９４であった。
４．５１％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明導電
層成膜後のアニール処理を行なわなかった。そして、こ
の透明導電性フィルムを実施例１と同様の方法で表面抵
抗を測定した。その結果は表１に示した通りＲ／Ｒ0 ＝
６９４であった。
【００３３】比較例１３ 実施例１のＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮率が
４．５１％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０６０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。カールが大きく測定不
能であった。
４．５１％のものに代え、実施例１と同様の製造方法に
て透明導電性フィルム（熱収縮率０．０６０％）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムを実施例１と同
様の方法で表面抵抗を測定した。カールが大きく測定不
能であった。
【００３４】
【表１】この表１から明らかなように、実施例は比較例
と比べ、引張試験による透明導電性フィルムの表面抵抗
変化が２倍以下と非常に小さいことが確認された。比較
例１、２、３、４は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が０．
３％よりも小さいため、引張試験による透明導電性フィ
ルムの表面抵抗変化が、大きく増大した。
と比べ、引張試験による透明導電性フィルムの表面抵抗
変化が２倍以下と非常に小さいことが確認された。比較
例１、２、３、４は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が０．
３％よりも小さいため、引張試験による透明導電性フィ
ルムの表面抵抗変化が、大きく増大した。
【００３５】比較例５、６、７、および８は、ＰＥＴフ
ィルムの熱収縮率が０．３〜１．５％の範囲内である
が、アニール処理を行っていないため、引張試験による
透明導電性フィルムの表面抵抗が増大した。さらに、比
較例１０、１１、１２は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が
大きいため、引張試験による透明導電性フィルムの表面
抵抗が大きく増大した。比較例１３は、アニールのカー
ルが非常に大きく、使用不可能であった。比較例９は、
アニール後のＰＥＴフィルムの熱収縮率が大きいため、
引張試験による表面抵抗変化が大きかった。
ィルムの熱収縮率が０．３〜１．５％の範囲内である
が、アニール処理を行っていないため、引張試験による
透明導電性フィルムの表面抵抗が増大した。さらに、比
較例１０、１１、１２は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が
大きいため、引張試験による透明導電性フィルムの表面
抵抗が大きく増大した。比較例１３は、アニールのカー
ルが非常に大きく、使用不可能であった。比較例９は、
アニール後のＰＥＴフィルムの熱収縮率が大きいため、
引張試験による表面抵抗変化が大きかった。
【００３６】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、引張テンションによる透明導電層の表面抵抗の増
加を小さくすることが可能となり、その結果、たとえば
エレクトロルミネッセンス素子の製造工程に発生する透
明導電性フィルムの表面抵抗の増大による輝度低下や不
点灯等の発光不良を防止することが可能となる。
って、引張テンションによる透明導電層の表面抵抗の増
加を小さくすることが可能となり、その結果、たとえば
エレクトロルミネッセンス素子の製造工程に発生する透
明導電性フィルムの表面抵抗の増大による輝度低下や不
点灯等の発光不良を防止することが可能となる。
【図１】透明導電性フィルムを用いたエレクトロルミネ
ッセンス素子を示した構成図である。
ッセンス素子を示した構成図である。
１ 防湿フィルム ２ ナイロンフィルム捕水層 ３ 透明導電性フィルム ４ 発光体層 ５ 絶縁層 ６ 背面電極 ７ 電極端子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】
【表１】 この表１から明らかなように、実施例は比較例と比べ、
引張試験による透明導電性フィルムの表面抵抗変化が２
倍以下と非常に小さいことが確認された。比較例１、
２、３、４は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が０．３％よ
りも小さいため、引張試験による透明導電性フィルムの
表面抵抗変化が、大きく増大した。
引張試験による透明導電性フィルムの表面抵抗変化が２
倍以下と非常に小さいことが確認された。比較例１、
２、３、４は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が０．３％よ
りも小さいため、引張試験による透明導電性フィルムの
表面抵抗変化が、大きく増大した。
Claims (4)
- 【請求項１】 透明高分子フィルム基材の少くとも片面
に金属および／または金属酸化物の透明導電層が配設さ
れている透明導電性フィルムであって、１０ｍｍ巾×２
００ｍｍ長フィルム切片の１００ｍｍ間の表面抵抗（Ｒ
0 ）と、この切片をスパン１００ｍｍ、引張速度０．５
ｍｍ／分で２％引張り伸ばした後の表面抵抗（Ｒ）との
比（Ｒ／Ｒ0 ）が２未満であることを特徴とする透明導
電性フィルム。 - 【請求項２】 表面抵抗比（Ｒ／Ｒ0 ）が１．５未満で
ある請求項１の透明導電性フィルム。 - 【請求項３】 透明高分子フィルム基材の少くとも片面
に金属および／または金属酸化物の透明導電層が配設さ
れている透明導電性フィルムであって、１５０℃、３０
分加熱後の流れ方向の熱収縮率が０．３％未満であるこ
とを特徴とする透明導電性フィルム。 - 【請求項４】 透明導電層配設前の透明高分子フィルム
基材の１５０℃、３０分加熱時の流れ方向の熱収縮率が
０．３〜１．５％である請求項１ないし３のいずれかの
透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19515994A JPH0859867A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19515994A JPH0859867A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859867A true JPH0859867A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16336417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19515994A Pending JPH0859867A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0859867A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188353A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Gunze Ltd | 電磁波シールド材およびそれを装着してなるプラズマディスプレイパネル |
| JP2012150779A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-08-09 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| WO2013002276A1 (ja) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Kagawa Seiji | 近傍界ノイズ抑制フィルム |
| JP2015207299A (ja) * | 2010-12-27 | 2015-11-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP19515994A patent/JPH0859867A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188353A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Gunze Ltd | 電磁波シールド材およびそれを装着してなるプラズマディスプレイパネル |
| JP2012150779A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-08-09 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| JP2015207299A (ja) * | 2010-12-27 | 2015-11-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| JP2016179686A (ja) * | 2010-12-27 | 2016-10-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| JP2017228534A (ja) * | 2010-12-27 | 2017-12-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| WO2013002276A1 (ja) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Kagawa Seiji | 近傍界ノイズ抑制フィルム |
| JP2013016543A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Seiji Kagawa | 近傍界ノイズ抑制フィルム |
| US9907218B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-02-27 | Seiji Kagawa | Near-field noise suppression film |
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