JPH085843B2 - ロイコトリエンｂ▲下４▼又はその誘導体の製造法 - Google Patents
ロイコトリエンｂ▲下４▼又はその誘導体の製造法Info
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- JPH085843B2 JPH085843B2 JP62170300A JP17030087A JPH085843B2 JP H085843 B2 JPH085843 B2 JP H085843B2 JP 62170300 A JP62170300 A JP 62170300A JP 17030087 A JP17030087 A JP 17030087A JP H085843 B2 JPH085843 B2 JP H085843B2
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、下記一般式〔III〕 （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、ｎ−Amはｎ−
アミル基、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子又は水酸基の
保護基を示す。） で表されるロイコトリエンB4(LTB4)又はその誘導体の製
造法に関する。
アミル基、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子又は水酸基の
保護基を示す。） で表されるロイコトリエンB4(LTB4)又はその誘導体の製
造法に関する。
ロイコトリエン類は強い生理活性を有し、例えばロイ
コトリエンB4は強い白血球誘引作用を示すことが知られ
ている。このため、これらロイコトリエン類の合成法が
種々提案されているが、これらの合成法は問題が多い。
コトリエンB4は強い白血球誘引作用を示すことが知られ
ている。このため、これらロイコトリエン類の合成法が
種々提案されているが、これらの合成法は問題が多い。
例えば、ロイコトリエンB4の合成法は各種知られてい
るが、大部分は糖由来の光学活性中間体を使用して煩雑
な工程を経由する合成法である。これに対し、糖由来の
光学活性中間体を用いない方法としては次のものが知ら
れている。
るが、大部分は糖由来の光学活性中間体を使用して煩雑
な工程を経由する合成法である。これに対し、糖由来の
光学活性中間体を用いない方法としては次のものが知ら
れている。
（１）インオン誘導体を光学活性な水素化ホウ素試剤で
不斉水素還元して得られる光学活性なインオール誘導体
を出発原料とする方法（Nicolaou等,J.A.C.S.,106,3548
（1984））。
不斉水素還元して得られる光学活性なインオール誘導体
を出発原料とする方法（Nicolaou等,J.A.C.S.,106,3548
（1984））。
（２）酵素による不斉還元や不斉加水分解を利用して得
られる光学活性なα−オキシアルデヒドを出発原料とす
る方法（C.J.Sih等,J.O.C..,51,1253（1986））。
られる光学活性なα−オキシアルデヒドを出発原料とす
る方法（C.J.Sih等,J.O.C..,51,1253（1986））。
しかし、上述の（１），（２）の方法はいずれも高価
な不斉還元剤を必要としたり、不斉反応の収率及び選択
率が悪かったりして、高純度のロイコトリエンを大量に
製造する方法としては実用的でない。
な不斉還元剤を必要としたり、不斉反応の収率及び選択
率が悪かったりして、高純度のロイコトリエンを大量に
製造する方法としては実用的でない。
本発明は上記従来技術の問題点を解決し、ロイコトリ
エンB4又はその誘導体を有利に合成する方法を提供する
ことを目的とする。
エンB4又はその誘導体を有利に合成する方法を提供する
ことを目的とする。
本発明者は、種々の光学活性アリルアルコール誘導体
につき鋭意検討を行っているうち、後述する反応式に従
うことにより、下記一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｚは水素原子又は水酸基の
保護基、ｎ−Amはｎ−アミル基を示す。）で表わされる
新規な光学活性なハロゲン置換アリルアルコールと、下
記一般式〔II〕 （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、Ｚ′は水素原
子又は水酸基の保護基を示す。） で表わされる新規な光学活性なアセチレン置換アリルア
ルコールが得られることを見い出すと共に、これら
〔Ｉ〕，〔II〕のアリルアルコールを互に反応させるこ
とにより、下記一般式〔III〕、即ち （式中、Z,Z′,R及びｎ−Amは前記と同じ意味を示
す。） で表わされるロイコトリエンB4又はその誘導体が好収率
で工業的有利に合成し得ることを知見し、本発明を完成
するに至ったものである。
につき鋭意検討を行っているうち、後述する反応式に従
うことにより、下記一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｚは水素原子又は水酸基の
保護基、ｎ−Amはｎ−アミル基を示す。）で表わされる
新規な光学活性なハロゲン置換アリルアルコールと、下
記一般式〔II〕 （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、Ｚ′は水素原
子又は水酸基の保護基を示す。） で表わされる新規な光学活性なアセチレン置換アリルア
ルコールが得られることを見い出すと共に、これら
〔Ｉ〕，〔II〕のアリルアルコールを互に反応させるこ
とにより、下記一般式〔III〕、即ち （式中、Z,Z′,R及びｎ−Amは前記と同じ意味を示
す。） で表わされるロイコトリエンB4又はその誘導体が好収率
で工業的有利に合成し得ることを知見し、本発明を完成
するに至ったものである。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係る〔III〕式のロイコトリエンB4又はその
誘導体の製造法は、上記〔Ｉ〕式の光学活性なハロゲン
置換アリルアルコールと〔II〕式の光学活性なアセチレ
ン置換アリルアルコールとを反応させるものである。
誘導体の製造法は、上記〔Ｉ〕式の光学活性なハロゲン
置換アリルアルコールと〔II〕式の光学活性なアセチレ
ン置換アリルアルコールとを反応させるものである。
ここで、〔Ｉ〕，〔II〕式において、Ｘのハロゲン原
子としてはCl,Br,I等が挙げられ、水酸基の保護基とし
ては、トリアルキルシリル基（例えばトリメチルシリル
基,t−ブチルジメチルシリル基，フェニルジメチルシリ
ル基）、アルコキシアルキル基（例えばメトキシメチル
基，エトキシエチル基，テトラヒドロピラニル基）、ア
ラルキルオキシアルキル基（例えばベンジルオキシメチ
ル基）、トリチル基更にはアシル基（例えばアセチル
基,p−ニトロベンゾイル基）が挙げられる。
子としてはCl,Br,I等が挙げられ、水酸基の保護基とし
ては、トリアルキルシリル基（例えばトリメチルシリル
基,t−ブチルジメチルシリル基，フェニルジメチルシリ
ル基）、アルコキシアルキル基（例えばメトキシメチル
基，エトキシエチル基，テトラヒドロピラニル基）、ア
ラルキルオキシアルキル基（例えばベンジルオキシメチ
ル基）、トリチル基更にはアシル基（例えばアセチル
基,p−ニトロベンゾイル基）が挙げられる。
上記〔Ｉ〕，〔II〕式の化合物は新規物質であり、こ
れらの化合物は下記方法によって製造することができ
る。
れらの化合物は下記方法によって製造することができ
る。
一般式〔Ｉ〕の化合物の合成 （式中、R1，R2，R3，R1，R2，R3はそれぞれ炭素数１〜
５のアルキル基、Z,Xは前記に同じ。） ここで、（ａ）式の化合物にR1R2R3SnLiを反応させる
にあたり、R1R2R3SnLiが（ａ）の化合物に対し小過剰モ
ルになるように用いることが好ましい。反応温度は特に
制限されないが、−40℃〜80℃で反応させることが好適
であり、通常室温で１〜５時間で反応は完了する。反応
溶媒は、反応に直接関与しない溶媒、例えばジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエ
ーテル系溶媒に、必要に応じヘキサンやヘキサメチルホ
スホトリアミドやジメチルスルホキシドを添加した溶媒
を用いることができる。
５のアルキル基、Z,Xは前記に同じ。） ここで、（ａ）式の化合物にR1R2R3SnLiを反応させる
にあたり、R1R2R3SnLiが（ａ）の化合物に対し小過剰モ
ルになるように用いることが好ましい。反応温度は特に
制限されないが、−40℃〜80℃で反応させることが好適
であり、通常室温で１〜５時間で反応は完了する。反応
溶媒は、反応に直接関与しない溶媒、例えばジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエ
ーテル系溶媒に、必要に応じヘキサンやヘキサメチルホ
スホトリアミドやジメチルスルホキシドを添加した溶媒
を用いることができる。
なお、得られた化合物が水酸基の保護基を有する場
合、保護基を上記の反応の後、常法に従い、脱保護或い
は加水分解処理によって水素原子に変換することもでき
る。また逆に、水酸基を保護或いはエステル化すること
もできる。
合、保護基を上記の反応の後、常法に従い、脱保護或い
は加水分解処理によって水素原子に変換することもでき
る。また逆に、水酸基を保護或いはエステル化すること
もできる。
また、（ｂ）式の化合物とハロゲン分子（X2）とを反
応させて本発明の出発原料である〔Ｉ〕式の化合物を製
造するにあたり、ハロゲン分子が小過剰モルになるよう
に用いることが好ましく、反応温度は−80℃〜40℃とし
て反応させることが好適であり、通常−20℃〜20℃にお
いて0.1〜２時間で反応は完了する。反応溶媒は、反応
に直接関与しない溶媒で後処理の容易さなどからなるべ
く低沸点の溶媒が好ましく用いられ、例えばジエチルエ
ーテル、ジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、塩化
メチレン，ジクロロエタンなどのハロゲン系溶媒、ベン
ゼン等の芳香族溶媒などが挙げられる。
応させて本発明の出発原料である〔Ｉ〕式の化合物を製
造するにあたり、ハロゲン分子が小過剰モルになるよう
に用いることが好ましく、反応温度は−80℃〜40℃とし
て反応させることが好適であり、通常−20℃〜20℃にお
いて0.1〜２時間で反応は完了する。反応溶媒は、反応
に直接関与しない溶媒で後処理の容易さなどからなるべ
く低沸点の溶媒が好ましく用いられ、例えばジエチルエ
ーテル、ジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、塩化
メチレン，ジクロロエタンなどのハロゲン系溶媒、ベン
ゼン等の芳香族溶媒などが挙げられる。
なお、水酸基の保護基を有する化合物の場合、上記の
反応の後、上述したように脱保護或いは加水分解処理に
よってＨに変換することもできる。また逆に水酸基を保
護或いはエステル化することもできる。
反応の後、上述したように脱保護或いは加水分解処理に
よってＨに変換することもできる。また逆に水酸基を保
護或いはエステル化することもできる。
更に、上記〔Ｉ〕式の化合物は下記方法によっても合
成できる。
成できる。
この合成法において、反応条件としては（ｃ）の化合
物とハロゲン分子（X2）とを反応させるにあたり、ハロ
ゲン分子が小過剰モルになるように用いることが好まし
い。反応温度は−80℃〜40℃が好適で、通常−20℃〜20
℃において0.1〜２時間で反応は完了する。反応溶媒
は、反応に直接関与しない溶媒で後処理の容易さなどか
らなるべく低沸点の溶媒が好ましく用いられ、例えばジ
エチルエーテル，ジメチルエーテルなどのエーテル系溶
媒、塩化メチレン，ジクロロエタンなどのハロゲン系溶
媒、ベンゼン等の芳香族溶媒などが挙げられる。
物とハロゲン分子（X2）とを反応させるにあたり、ハロ
ゲン分子が小過剰モルになるように用いることが好まし
い。反応温度は−80℃〜40℃が好適で、通常−20℃〜20
℃において0.1〜２時間で反応は完了する。反応溶媒
は、反応に直接関与しない溶媒で後処理の容易さなどか
らなるべく低沸点の溶媒が好ましく用いられ、例えばジ
エチルエーテル，ジメチルエーテルなどのエーテル系溶
媒、塩化メチレン，ジクロロエタンなどのハロゲン系溶
媒、ベンゼン等の芳香族溶媒などが挙げられる。
なお、上述した（ｂ）の化合物は新規物質である。
一般式〔II〕の化合物の合成 上記合成法において、〔Ｉ′〕の化合物とトリアルキ
ルシリルアセチレン（R1R2R3SiC≡CH）とを反応させる
にあたり、トリアルキルシリルアセチレンが小過剰にな
るように用いることが好ましく、反応温度は−80℃〜40
℃とすることが好適で、通常−20℃〜20℃において0.1
〜100時間で反応は完了する。反応溶媒はベンゼン等の
芳香族溶媒を使用することができる。
ルシリルアセチレン（R1R2R3SiC≡CH）とを反応させる
にあたり、トリアルキルシリルアセチレンが小過剰にな
るように用いることが好ましく、反応温度は−80℃〜40
℃とすることが好適で、通常−20℃〜20℃において0.1
〜100時間で反応は完了する。反応溶媒はベンゼン等の
芳香族溶媒を使用することができる。
また、（ｃ）式の化合物から〔II〕の化合物を得る場
合は、（ｃ）式の化合物の−Ｃ−SiR1R2R3基の脱シリル
条件が一般的に用いられるが、Ｚ′の保護基の種類によ
っては、それらに影響を与えない方法や逆に場合によっ
てはそれらを同時に脱保護させる方法が選ばれる。一例
としては（ｃ）の化合物のテトラヒドロフラン：エタノ
ール：水＝1:1:1溶液を調製し、０℃で硝酸銀、次いで
シアン化カリを加え、攪拌する方法により、Ｚ′に影響
を与えないで〔II〕式の化合物を得ることができる。
合は、（ｃ）式の化合物の−Ｃ−SiR1R2R3基の脱シリル
条件が一般的に用いられるが、Ｚ′の保護基の種類によ
っては、それらに影響を与えない方法や逆に場合によっ
てはそれらを同時に脱保護させる方法が選ばれる。一例
としては（ｃ）の化合物のテトラヒドロフラン：エタノ
ール：水＝1:1:1溶液を調製し、０℃で硝酸銀、次いで
シアン化カリを加え、攪拌する方法により、Ｚ′に影響
を与えないで〔II〕式の化合物を得ることができる。
なお、上記（ｃ）式の化合物も新規物質である。
而して、本発明に係るロイコトリエンB4又はその誘導
体の製造法、即ち一般式〔Ｉ〕の化合物と一般式〔II〕
の化合物の反応は、化合物〔II〕にハイドロボランを作
用させておき、これと化合物〔Ｉ〕を２当量以上の塩基
及びパラジウム触媒の存在下で反応させる条件が好適で
ある。
体の製造法、即ち一般式〔Ｉ〕の化合物と一般式〔II〕
の化合物の反応は、化合物〔II〕にハイドロボランを作
用させておき、これと化合物〔Ｉ〕を２当量以上の塩基
及びパラジウム触媒の存在下で反応させる条件が好適で
ある。
ここで、ハイドロホランとしては、例えばジサイアミ
ルボラン 1,3,2−ベンゾジオキサボロオール が挙げられる。パラジウム触媒としては、例えばテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、パラジ
ウムジアセテートが挙げられる。塩基としては、水酸化
ナトリウム水溶液、ナトリウムアルコキシドのアルコー
ル溶液、酢酸カリウム等が挙げられる。溶媒としては、
テトラヒドロフランのようなエーテル系溶媒、ベンゼン
のような芳香族系溶媒が好適に用いられる。
ルボラン 1,3,2−ベンゾジオキサボロオール が挙げられる。パラジウム触媒としては、例えばテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、パラジ
ウムジアセテートが挙げられる。塩基としては、水酸化
ナトリウム水溶液、ナトリウムアルコキシドのアルコー
ル溶液、酢酸カリウム等が挙げられる。溶媒としては、
テトラヒドロフランのようなエーテル系溶媒、ベンゼン
のような芳香族系溶媒が好適に用いられる。
この場合、反応温度は−80℃〜40℃とすることが好ま
しい。また、反応時間は通常0.1〜10時間である。
しい。また、反応時間は通常0.1〜10時間である。
なお、上記方法に従って得られる一般式〔III〕 の化合物において、水酸基の保護基の脱保護や水酸基の
保護は常法によって行なうことができる。また、精製法
等も公知の方法を採用し得る。
保護は常法によって行なうことができる。また、精製法
等も公知の方法を採用し得る。
一般式〔Ｉ〕の化合物と一般式〔II〕の化合物との反
応により、従来法に比し高純度のロイコトリエンB4を好
収率で製造することができる。
応により、従来法に比し高純度のロイコトリエンB4を好
収率で製造することができる。
以下、実施例と参考例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではな
い。
なお、下記の例において、Meはメチル基、Etはエチル
基、Prはプロピル基、Buはブチル基、Amはアミル基、Ph
はフェニル基を示す。
基、Prはプロピル基、Buはブチル基、Amはアミル基、Ph
はフェニル基を示す。
実施例１ BH3のTHF溶液（1M）並びに２−メチル−２−ブデンの
THF溶液（2M）より調製したジサイアミンボランのTHF溶
液（8.7ml,0.5M,4.38mmol）を０℃に冷却した化合物〔I
Ia〕（863mg,2.92mmol）のTHF溶液（25ml）に滴下し
た。０℃で１時間かきまぜ、薄層クロマトグラフィーで
化合物〔IIa〕が消失したことを確認した後、2N−NaOH
水溶液（8.75ml,17.5mmol）をゆっくり加えた。10分
後、化合物〔Ia〕（1.67g,4.09mmol）並びにPd(PPh3)4
（168mg,0.15mmol）を加えた。この混合物を約50℃に加
熱しながら16時間激しくかきまぜた後、飽和NH4Cl水溶
液に注ぎ、生成物をエーテルで３回抽出した。エーテル
層を集め、MgSO4上で乾燥した。エーテルを留去し、残
液を脱酸素したシリカゲルカラムで精製すると、化合物
〔IIIa〕が1.16g（収率70.4％）得られた。
THF溶液（2M）より調製したジサイアミンボランのTHF溶
液（8.7ml,0.5M,4.38mmol）を０℃に冷却した化合物〔I
Ia〕（863mg,2.92mmol）のTHF溶液（25ml）に滴下し
た。０℃で１時間かきまぜ、薄層クロマトグラフィーで
化合物〔IIa〕が消失したことを確認した後、2N−NaOH
水溶液（8.75ml,17.5mmol）をゆっくり加えた。10分
後、化合物〔Ia〕（1.67g,4.09mmol）並びにPd(PPh3)4
（168mg,0.15mmol）を加えた。この混合物を約50℃に加
熱しながら16時間激しくかきまぜた後、飽和NH4Cl水溶
液に注ぎ、生成物をエーテルで３回抽出した。エーテル
層を集め、MgSO4上で乾燥した。エーテルを留去し、残
液を脱酸素したシリカゲルカラムで精製すると、化合物
〔IIIa〕が1.16g（収率70.4％）得られた。
〔化合物〔IIIa〕の特性値〕 IR（neat）:3000,1706,1252,1080,836,774cm-1 1H−NMR（90MHz,CDCl3）δ:0.02（S,3H）,0.04（S,9
H）,0.85（S,12H）,0.88（S,9H）,1.1−2.5（m,16H）,
3.16（q,J＝6.5Hz,1H）,4.36−4.67（m,1H）,5.2−6.7
（m,8H）， 1H−NMR（500MHz,CDCl3）δ:0.02（S,3H）,0.05（S,6
H）,0.07（S,3H）,0.88（t,3H）,0.88（S,9H）,0.91
（S,9H）,1.23−1.78（m,10H）,2.01（q,J＝7Hz,2H）,
2.22−2.38（m,4H）,4.18（q,J＝7Hz,1H）,4.57（q,J＝
7Hz,1H）,5.38（m,2H）,5.44（dt,J＝12,7Hz,1H）,5.72
（dd,J＝7,14Hz,1H）,5.96（t,J＝12Hz,1H）,6.19（m,2
H）,6.36（dd,J＝12,14Hz,1H） 13C−NMR（22.5MHz,CDCl3）δ:179.8,137.8,134.9,13
3.8,132.0,129.3,128.1,127.1,125.2,73.3,68.8,37.8,3
6.5,34.1,31.6,29.4,27.5,26.0,22.6,20.7,18.3,18.2,1
4.1,−4.1,−4.3,−4.7 〔α〕▲25 D▼：＋4.33°（C 0.60,CHCl3） 実施例２ アルゴン雰囲気下、化合物〔IIIa〕（648mg,1.15mmo
l）のTHF溶液（15ml）中に、ｎ−Bu4NF（11.5ml,11.5mm
ol,THF中１モル）を加え、室温下で18時間かきまぜた。
反応溶液をMcIlvaineの緩衝液（pH〜４）中に注ぎ、エ
ーテルで抽出した。この有機層をもう一度緩衝液で洗
い、最後に飽和食塩水で洗った。新たにエーテルを用意
し、上で使用した緩衝液、飽和食塩水を逆抽出した。こ
の操作を３回行い、エーテル溶液を無水硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した。減圧下エーテルを留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、化合物
〔IIIb〕（ロイコトリエンB4）が310mg得られた（80.2
％）。
H）,0.85（S,12H）,0.88（S,9H）,1.1−2.5（m,16H）,
3.16（q,J＝6.5Hz,1H）,4.36−4.67（m,1H）,5.2−6.7
（m,8H）， 1H−NMR（500MHz,CDCl3）δ:0.02（S,3H）,0.05（S,6
H）,0.07（S,3H）,0.88（t,3H）,0.88（S,9H）,0.91
（S,9H）,1.23−1.78（m,10H）,2.01（q,J＝7Hz,2H）,
2.22−2.38（m,4H）,4.18（q,J＝7Hz,1H）,4.57（q,J＝
7Hz,1H）,5.38（m,2H）,5.44（dt,J＝12,7Hz,1H）,5.72
（dd,J＝7,14Hz,1H）,5.96（t,J＝12Hz,1H）,6.19（m,2
H）,6.36（dd,J＝12,14Hz,1H） 13C−NMR（22.5MHz,CDCl3）δ:179.8,137.8,134.9,13
3.8,132.0,129.3,128.1,127.1,125.2,73.3,68.8,37.8,3
6.5,34.1,31.6,29.4,27.5,26.0,22.6,20.7,18.3,18.2,1
4.1,−4.1,−4.3,−4.7 〔α〕▲25 D▼：＋4.33°（C 0.60,CHCl3） 実施例２ アルゴン雰囲気下、化合物〔IIIa〕（648mg,1.15mmo
l）のTHF溶液（15ml）中に、ｎ−Bu4NF（11.5ml,11.5mm
ol,THF中１モル）を加え、室温下で18時間かきまぜた。
反応溶液をMcIlvaineの緩衝液（pH〜４）中に注ぎ、エ
ーテルで抽出した。この有機層をもう一度緩衝液で洗
い、最後に飽和食塩水で洗った。新たにエーテルを用意
し、上で使用した緩衝液、飽和食塩水を逆抽出した。こ
の操作を３回行い、エーテル溶液を無水硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した。減圧下エーテルを留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、化合物
〔IIIb〕（ロイコトリエンB4）が310mg得られた（80.2
％）。
〔ロイコトリエンB4の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：＋13.1°（C 0.26,CDCl3）lit〔α〕▲
25 D▼＋12.6°（C 0.46,CDCl3）:JOC,51,1253（1986） 参考例１（化合物〔Ia〕の合成） アルゴン雰囲気下、（Ｅ）−１−トリ−ｎ−ブチル錫
−２−トリメチルシリルエテン6.2g（16mmol）のTHF溶
液（25ml）を−78℃に冷却後、ｎ−BuLi（10ml,15.3mmo
l）を滴下し、１時間攪拌した。この溶液に化合物
（１）（1.2g,8.2mmol）を加え、１時間攪拌後、飽和NH
4Cl水溶液（10ml）を加えた。有機層をｎ−ヘキサン（5
0ml×２）で抽出した。集めた混合溶液をMgSO4上で乾燥
し、減圧下に濃縮した。粗生成物をシリカゲルクロマト
グラフィー（ｎ−ヘキサン／Et2O＝20/1→3/1）で精製
すると化合物（２）が1.69g（7.0mmol,86％）得られ
た。
25 D▼＋12.6°（C 0.46,CDCl3）:JOC,51,1253（1986） 参考例１（化合物〔Ia〕の合成） アルゴン雰囲気下、（Ｅ）−１−トリ−ｎ−ブチル錫
−２−トリメチルシリルエテン6.2g（16mmol）のTHF溶
液（25ml）を−78℃に冷却後、ｎ−BuLi（10ml,15.3mmo
l）を滴下し、１時間攪拌した。この溶液に化合物
（１）（1.2g,8.2mmol）を加え、１時間攪拌後、飽和NH
4Cl水溶液（10ml）を加えた。有機層をｎ−ヘキサン（5
0ml×２）で抽出した。集めた混合溶液をMgSO4上で乾燥
し、減圧下に濃縮した。粗生成物をシリカゲルクロマト
グラフィー（ｎ−ヘキサン／Et2O＝20/1→3/1）で精製
すると化合物（２）が1.69g（7.0mmol,86％）得られ
た。
〔化合物（２）の特性値〕 1H−NMR（CCl4,PhH）δ:0.10（S,9H）,0.90（t,J＝6.
6Hz,3H）,1.1−1.6（m,6H）,1.86−2.14（m,2H）,2.22
（t,2H,J＝6Hz）,3.98（dt,J＝4Hz,6Hz,1H）,5.14−5.6
0（m,2H）,5.74（d,J＝18.6Hz,1H）,6.02（dd,J＝18.6H
z,3.8Hz,1H） IR（neat）:3340,1610,1240,830cm-1 13C−NMR（CDCl3）δ:148.0,133.3,129.2,124.5,73.
8,35.1,31.5,29.3,27.4,22.4,14.0,−1.4 アルゴン雰囲気下、Ti（OPrι）４（0.65ml,2.18mmo
l）のCH2Cl2（15ml）溶液を−21℃に冷却後、Ｌ−
（＋）−酒石酸ジイソプロピル（0.55ml,2.61mmol）を
加えた。更に10分攪拌した後、化合物（２）（522mg,3.
3ml）のCH2Cl2（4ml）を加えた。10分攪拌後、TBHP（3.
397M/CH2Cl2）を0.95ml（3.26mmol）を加え、−21℃で
3.5時間攪拌した。反応混合液にMe2S（0.5ml）を加え、
−21℃で30分攪拌した後、10％酒石酸を0.5ml加えた反
応液をセライト過して減圧下濃縮した。得られた粗生
成物をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、化
合物（３）（230mg,44％）及び化合物（４）（243mg,44
％）を得た。
6Hz,3H）,1.1−1.6（m,6H）,1.86−2.14（m,2H）,2.22
（t,2H,J＝6Hz）,3.98（dt,J＝4Hz,6Hz,1H）,5.14−5.6
0（m,2H）,5.74（d,J＝18.6Hz,1H）,6.02（dd,J＝18.6H
z,3.8Hz,1H） IR（neat）:3340,1610,1240,830cm-1 13C−NMR（CDCl3）δ:148.0,133.3,129.2,124.5,73.
8,35.1,31.5,29.3,27.4,22.4,14.0,−1.4 アルゴン雰囲気下、Ti（OPrι）４（0.65ml,2.18mmo
l）のCH2Cl2（15ml）溶液を−21℃に冷却後、Ｌ−
（＋）−酒石酸ジイソプロピル（0.55ml,2.61mmol）を
加えた。更に10分攪拌した後、化合物（２）（522mg,3.
3ml）のCH2Cl2（4ml）を加えた。10分攪拌後、TBHP（3.
397M/CH2Cl2）を0.95ml（3.26mmol）を加え、−21℃で
3.5時間攪拌した。反応混合液にMe2S（0.5ml）を加え、
−21℃で30分攪拌した後、10％酒石酸を0.5ml加えた反
応液をセライト過して減圧下濃縮した。得られた粗生
成物をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、化
合物（３）（230mg,44％）及び化合物（４）（243mg,44
％）を得た。
〔化合物（３）の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：＋7.59°（C 1.37,CHCl3） 1H−NMR,IR,13C−NMRは化合物（２）と同じ。
〔化合物（４）の特性値〕 1H−NMR（CCl4,PhH）δ:0.05（S,9H）,0.90（t,J＝6H
z,3H）,1.1−1.7（m,6H）,1.87−2.18（m,2H）,2.15−
2.38（m,3H）,2.62（brs 1H）,2.73（t,J＝3Hz,1H）,2.
65（dt,J＝4Hz,6Hz,1H）,5.20−5.70（m,2H） IR（neat）:3420,1243,840cm-1 〔α〕▲25 D▼:4.23°（C 1.13,CHCl3） アルゴン雰囲気下、3Aモレキュラーシーブ（1g）、CH
2Cl2（15ml）、Ti（OPrι）４（1.4ml,4.7mmol）を−20
℃に冷却した。Ｄ（−）−酒石酸ジイソプロピル（1.2m
l、5.7mmol）を加え、10分間攪拌後、化合物（３）（3.
65g,15mmol）のCH2Cl2溶液（8ml）を加えた。混合液を
−40℃に冷却後、TBHP（4.09M/CH2Cl2）（7.5ml,30.6mm
ol）を滴下した。混合液を−21℃で４時間攪拌後、Me2S
（4ml）,10％酒石酸水溶液（4ml）を加え、セライト
過した。溶媒を減圧下留去し、粗生成物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／Et2O＝10/1→3/1,0.
5％Et3N）により精製し、化合物（５）（3.3g,85％）を
得た。
z,3H）,1.1−1.7（m,6H）,1.87−2.18（m,2H）,2.15−
2.38（m,3H）,2.62（brs 1H）,2.73（t,J＝3Hz,1H）,2.
65（dt,J＝4Hz,6Hz,1H）,5.20−5.70（m,2H） IR（neat）:3420,1243,840cm-1 〔α〕▲25 D▼:4.23°（C 1.13,CHCl3） アルゴン雰囲気下、3Aモレキュラーシーブ（1g）、CH
2Cl2（15ml）、Ti（OPrι）４（1.4ml,4.7mmol）を−20
℃に冷却した。Ｄ（−）−酒石酸ジイソプロピル（1.2m
l、5.7mmol）を加え、10分間攪拌後、化合物（３）（3.
65g,15mmol）のCH2Cl2溶液（8ml）を加えた。混合液を
−40℃に冷却後、TBHP（4.09M/CH2Cl2）（7.5ml,30.6mm
ol）を滴下した。混合液を−21℃で４時間攪拌後、Me2S
（4ml）,10％酒石酸水溶液（4ml）を加え、セライト
過した。溶媒を減圧下留去し、粗生成物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／Et2O＝10/1→3/1,0.
5％Et3N）により精製し、化合物（５）（3.3g,85％）を
得た。
〔化合物（５）の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：−4.25°（C 1.15,CHCl3） ′H−NMR,IRは化合物（４）と同じ。
化合物（５）（2.78g,10.8mmol）、イミダゾール（1.
5g,22mmol）、DMF（20ml）を０℃に冷却し、ｔ−ブチル
ジメチルクロロシラン（2.5g,16.5ml）を加えた。混合
液を室温で３時間攪拌後、飽和NaHCO3水溶液（30ml）を
加えた。ｎ−ヘキサン（50ml×２）で抽出した後、生成
物をMgSO4上で乾燥した。濃縮後、得られた粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／
Et2O＝50/1→10/1,0.5％，Et3N）により精製し、化合物
（６）（4.04g,〜100％）を得た。
5g,22mmol）、DMF（20ml）を０℃に冷却し、ｔ−ブチル
ジメチルクロロシラン（2.5g,16.5ml）を加えた。混合
液を室温で３時間攪拌後、飽和NaHCO3水溶液（30ml）を
加えた。ｎ−ヘキサン（50ml×２）で抽出した後、生成
物をMgSO4上で乾燥した。濃縮後、得られた粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／
Et2O＝50/1→10/1,0.5％，Et3N）により精製し、化合物
（６）（4.04g,〜100％）を得た。
〔化合物（６）の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：−0.18°（C 1.11,CHCl3） 1H−NMR（CCl4,PhH）δ:0.03（S,6H）,0.06（S,9H）,
0.88（m,12H）,1.1−1.7（m,6H）,1.90−2.16（m,2H）,
2.02（d,J＝3Hz,1H）,2.26（t,J＝5Hz,2H）,2.59（dd,J
＝4Hz,5Hz,1H）,3.46（q,J＝5Hz,1H）,5.18−5.70（m,2
H） IR（neat）:1250,1090,840cm-1 ιPr2NH（4.2ml,30mmol）とnBuLi（11.0ml,20mmol）よ
り調製したリチウムジイソプロピルアミドのTHF（20m
l）溶液に０℃でBu3SnH（3.5ml,13.0mmol）を加え、30
分攪拌した。混合液に化合物（６）（4.04g,10.8mmol）
を加え、有機層をｎ−ヘキサン（40ml）で抽出した。溶
媒を減圧下留去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロ
マトグラフィーにより精製し、化合物（７）（5.68g,92
％）を得た。
0.88（m,12H）,1.1−1.7（m,6H）,1.90−2.16（m,2H）,
2.02（d,J＝3Hz,1H）,2.26（t,J＝5Hz,2H）,2.59（dd,J
＝4Hz,5Hz,1H）,3.46（q,J＝5Hz,1H）,5.18−5.70（m,2
H） IR（neat）:1250,1090,840cm-1 ιPr2NH（4.2ml,30mmol）とnBuLi（11.0ml,20mmol）よ
り調製したリチウムジイソプロピルアミドのTHF（20m
l）溶液に０℃でBu3SnH（3.5ml,13.0mmol）を加え、30
分攪拌した。混合液に化合物（６）（4.04g,10.8mmol）
を加え、有機層をｎ−ヘキサン（40ml）で抽出した。溶
媒を減圧下留去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロ
マトグラフィーにより精製し、化合物（７）（5.68g,92
％）を得た。
〔化合物（７）の特性値〕 1H−NMR（CCl4,PhH）δ:0.07（S,9H）,0.92（m,24
H）,1.10−2.3（ｍ）,3.89−4.13（m,1H）,5.27−5.47
（m,2H）,5.95（m,2H） IR（neat）:1605,1070,840cm-1 化合物（７）（2.21g,3.88mmol）のEt2O（20ml）溶液
を０℃に冷却し、沃素（1.04g,4.09mmol）を加えて30分
攪拌した混合液に飽和Na2S2O3水溶液（20ml）を加え、
生成物をｎ−ヘキサン（30ml）で抽出し、3N−NaOH水溶
液（10ml）で洗浄し、MgSO4上で乾燥した。溶媒を減圧
下留去し、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ
ー（ｎ−ヘキサン→ｎ−ヘキサン／Et2O＝10/1）により
精製し、化合物〔Ia〕（1.52g,96％）を得た。
H）,1.10−2.3（ｍ）,3.89−4.13（m,1H）,5.27−5.47
（m,2H）,5.95（m,2H） IR（neat）:1605,1070,840cm-1 化合物（７）（2.21g,3.88mmol）のEt2O（20ml）溶液
を０℃に冷却し、沃素（1.04g,4.09mmol）を加えて30分
攪拌した混合液に飽和Na2S2O3水溶液（20ml）を加え、
生成物をｎ−ヘキサン（30ml）で抽出し、3N−NaOH水溶
液（10ml）で洗浄し、MgSO4上で乾燥した。溶媒を減圧
下留去し、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ
ー（ｎ−ヘキサン→ｎ−ヘキサン／Et2O＝10/1）により
精製し、化合物〔Ia〕（1.52g,96％）を得た。
〔化合物〔Ia〕の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：＋7.15°（C 2.06,CHCl3） 1H−NMR（CCl4,PhH）δ:0.06（S,9H）,0.88（m,12
H）,1.10−1.7（m,6H）,1.88−2.12（m,2H）,2.22（t.J
＝6Hz,2H）,4.07（q,J＝6Hz,1H）,5.12−5.63（m,2H）,
6.16（d,J＝15Hz,1H）,6.47（dd,J＝6Hz,15Hz,1H） IR（neat）:1605,1250,1080cm-1 13 C−NMR（CDCl3）δ:148.8,132.6,124.2,75.6,75.1,3
5.8,31.6,29.3,27.5,25.8,22.6,18.2,14.0,−4.6,−4.8 参考例２（化合物〔IIa〕の合成） 化合物（８）（7.0g,54mmol）のTHF溶液（30ml）を−
78℃に冷却した。この溶液に化合物（９）のTHF−ｎ−
ヘキサン溶液を滴下した。−78℃で30分間かきまぜた
後、水層をベンゼンで抽出した。集めたベンゼン溶液を
MgSO4上で乾燥し、減圧下濃縮した。粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン：Et2O＝
30:1→3:1）で精製すると化合物（10）が6.92g（収率5
5.9％）得られた。
H）,1.10−1.7（m,6H）,1.88−2.12（m,2H）,2.22（t.J
＝6Hz,2H）,4.07（q,J＝6Hz,1H）,5.12−5.63（m,2H）,
6.16（d,J＝15Hz,1H）,6.47（dd,J＝6Hz,15Hz,1H） IR（neat）:1605,1250,1080cm-1 13 C−NMR（CDCl3）δ:148.8,132.6,124.2,75.6,75.1,3
5.8,31.6,29.3,27.5,25.8,22.6,18.2,14.0,−4.6,−4.8 参考例２（化合物〔IIa〕の合成） 化合物（８）（7.0g,54mmol）のTHF溶液（30ml）を−
78℃に冷却した。この溶液に化合物（９）のTHF−ｎ−
ヘキサン溶液を滴下した。−78℃で30分間かきまぜた
後、水層をベンゼンで抽出した。集めたベンゼン溶液を
MgSO4上で乾燥し、減圧下濃縮した。粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン：Et2O＝
30:1→3:1）で精製すると化合物（10）が6.92g（収率5
5.9％）得られた。
〔化合物（10）の特性値〕 IR（neat）:3400,1727,842cm-1 1 H−NMR（CCl4）δ:5.97（dd,J＝18.3,3.6Hz,1H）,5.77
（d,J＝18.3Hz,1H）,4.08−3.86（m,1H）,3.58（S,3
H）,3.02（brs,1H）,2.26（t,J＝7Hz,2H）2.05−1.25
（m,4H）,0.07（S,9H）13 C−NMR（CDCl3）δ:174.0,148.3,129.4,74.0,51.4,3
6.2,33.8,20.8,−1.4 化合物（10）（4.0g,17.4mmol）,Ti（ＯιPr）４（5.
18ml,17.4mmol）,D（−）−酒石酸ジイソプロピル（4.4
3ml,20.9mmol）,t−ブチルハイドロパーオキサイド（6.
9ml,CH2Cl2中3.78モル,26.1mmol），CH2Cl2（120ml）を
用い、不斉エポキシ化反応と同じ操作を行い（−21℃,2
0h;ワークアップ：Me2S（2.6ml,34.8mmol）,10％酒石酸
（〜8ml），Et2O（120ml）,NaF（30g））、化合物（1
1）を1.71g（42.8％）並びにエポキシド（12）を1.93g
（45.1％）を得た。
（d,J＝18.3Hz,1H）,4.08−3.86（m,1H）,3.58（S,3
H）,3.02（brs,1H）,2.26（t,J＝7Hz,2H）2.05−1.25
（m,4H）,0.07（S,9H）13 C−NMR（CDCl3）δ:174.0,148.3,129.4,74.0,51.4,3
6.2,33.8,20.8,−1.4 化合物（10）（4.0g,17.4mmol）,Ti（ＯιPr）４（5.
18ml,17.4mmol）,D（−）−酒石酸ジイソプロピル（4.4
3ml,20.9mmol）,t−ブチルハイドロパーオキサイド（6.
9ml,CH2Cl2中3.78モル,26.1mmol），CH2Cl2（120ml）を
用い、不斉エポキシ化反応と同じ操作を行い（−21℃,2
0h;ワークアップ：Me2S（2.6ml,34.8mmol）,10％酒石酸
（〜8ml），Et2O（120ml）,NaF（30g））、化合物（1
1）を1.71g（42.8％）並びにエポキシド（12）を1.93g
（45.1％）を得た。
〔化合物（11）の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：＋6.78°（C 1.75,CHCl3） 〔化合物（12）の特性値〕 IR（neat）:3410,1726,1248,843cm-1 1H−NMR（CDCl3）δ：−0.08（S,9H）,1.2−1.8（m,4
H）,2.08−2.29（m,3H）,2.62（t,J＝5.1Hz,1H）,2.82
（br d,J＝2.4Hz,1H）,3.46（S,3H）,3.40−3.62（m,1
H） 13C−NMR（CDCl3）δ:173.4,69.5,58.1,50.9,47.5,3
3.6,33.0,20.5,−4.1 〔α〕▲25 D▼：＋6.74°（C 1.75,CHCl3） ０℃に冷却した化合物（11）（1.71g,7.43mmol）のCH
2Cl2溶液（30ml）に臭素（0.39ml,7.5mmol）を滴下し
た。10分後TLCで化合物（11）が消失したことを確認し
た。この溶液をNa2S2O3水溶液及び飽和NaHCO3水溶液の
混合水溶液に注いだ。生成物をｎ−ヘキサンで２回抽出
した。ヘキサン層をMgSO4上で乾燥し、濃縮すると臭素
の付加物が得られた。
H）,2.08−2.29（m,3H）,2.62（t,J＝5.1Hz,1H）,2.82
（br d,J＝2.4Hz,1H）,3.46（S,3H）,3.40−3.62（m,1
H） 13C−NMR（CDCl3）δ:173.4,69.5,58.1,50.9,47.5,3
3.6,33.0,20.5,−4.1 〔α〕▲25 D▼：＋6.74°（C 1.75,CHCl3） ０℃に冷却した化合物（11）（1.71g,7.43mmol）のCH
2Cl2溶液（30ml）に臭素（0.39ml,7.5mmol）を滴下し
た。10分後TLCで化合物（11）が消失したことを確認し
た。この溶液をNa2S2O3水溶液及び飽和NaHCO3水溶液の
混合水溶液に注いだ。生成物をｎ−ヘキサンで２回抽出
した。ヘキサン層をMgSO4上で乾燥し、濃縮すると臭素
の付加物が得られた。
上で得た粗生成物をTHF（15ml）に溶かし、０℃に冷
却した。この溶液にｎ−Bu4NF（14ml,8.8mmol,THF中0.6
3mol）を滴下し、10分間かきまぜた。原料の消失を確認
した後、飽和NaCl水溶液に注いだ。生成物はエーテルで
３回抽出した。集めた有機層をMgSO4上で乾燥し、濃縮
すると化合物（13）が1.7g得られた（収率100％）。こ
のものは精製することなしに次の反応に供した。なお、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する
と、次のようなデーターを得られた。
却した。この溶液にｎ−Bu4NF（14ml,8.8mmol,THF中0.6
3mol）を滴下し、10分間かきまぜた。原料の消失を確認
した後、飽和NaCl水溶液に注いだ。生成物はエーテルで
３回抽出した。集めた有機層をMgSO4上で乾燥し、濃縮
すると化合物（13）が1.7g得られた（収率100％）。こ
のものは精製することなしに次の反応に供した。なお、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する
と、次のようなデーターを得られた。
〔化合物（13）の特性値〕 1H−NMR（CCl4）δ:1.23−1.88（m,7H）,2.17−2.38
（m,2H）,3.56（S.3H）,4.37−4.61（m,1H）,5.82−6.3
8（m,2H） 化合物（13）（1.7g）をDMF（20ml）に溶かし、０℃
に冷却した。この溶液にイミダゾール（1.52g,22.3mmo
l）並びにｔ−ブチルジメチルクロルシラン（1.68g,11.
1mmol）を加え、室温で一夜かきまぜた。DMF溶液を飽和
NaHCO3水溶液に注ぎ、生成物をｎ−ヘキサンで３回抽出
した。ヘキサン層をMgSO4上で乾燥し、濃縮すると化合
物（14）の粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製すると化合物（14）が1.92g
（化合物（11）からの収率73.6％）得られた。
（m,2H）,3.56（S.3H）,4.37−4.61（m,1H）,5.82−6.3
8（m,2H） 化合物（13）（1.7g）をDMF（20ml）に溶かし、０℃
に冷却した。この溶液にイミダゾール（1.52g,22.3mmo
l）並びにｔ−ブチルジメチルクロルシラン（1.68g,11.
1mmol）を加え、室温で一夜かきまぜた。DMF溶液を飽和
NaHCO3水溶液に注ぎ、生成物をｎ−ヘキサンで３回抽出
した。ヘキサン層をMgSO4上で乾燥し、濃縮すると化合
物（14）の粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製すると化合物（14）が1.92g
（化合物（11）からの収率73.6％）得られた。
〔化合物（14）の特性値〕 IR（neat）:1737,1249,1088,836,779cm-1 1H−NMR（CCl4）δ:0.02（S,3H）,0.07（S,3H）,0.88
（S,9H）,1.18−1.84（m,4H）,2.11−2.38（m,2H）,3.5
8（S,3H）,4.36−4.69（m,1H）,5.93−6.18（m,2H） 13C−NMR（CDCl3）δ:173.4,138.5,106.1,70.6,51.1,
36.4,33.9,25.8,20.5,18.0,−4.5,−4.9 アルゴン雰囲気下、化合物（14）（1.54g,4.39mmo
l）、Me3SiC≡CH（1.24ml,8.78mmol）、ｎ−PrNH2（1.0
8ml,13.2mmol）のベンゼン溶液（20ml）にCuI（58mg,0.
31mmol）、Pd(PPh3)4（152mg,0.13mmol）を加えた。室
温下、暗所で20時間かきまぜた後、飽和NH4Cl水溶液中
に注いだ。ヘキサンで３回抽出し、MgSO4上で乾燥した
後、濃縮すると化合物（15）が得られた。このものは精
製することなしに次の反応に供した。なお、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製すると次のようなデー
タが得られた。
（S,9H）,1.18−1.84（m,4H）,2.11−2.38（m,2H）,3.5
8（S,3H）,4.36−4.69（m,1H）,5.93−6.18（m,2H） 13C−NMR（CDCl3）δ:173.4,138.5,106.1,70.6,51.1,
36.4,33.9,25.8,20.5,18.0,−4.5,−4.9 アルゴン雰囲気下、化合物（14）（1.54g,4.39mmo
l）、Me3SiC≡CH（1.24ml,8.78mmol）、ｎ−PrNH2（1.0
8ml,13.2mmol）のベンゼン溶液（20ml）にCuI（58mg,0.
31mmol）、Pd(PPh3)4（152mg,0.13mmol）を加えた。室
温下、暗所で20時間かきまぜた後、飽和NH4Cl水溶液中
に注いだ。ヘキサンで３回抽出し、MgSO4上で乾燥した
後、濃縮すると化合物（15）が得られた。このものは精
製することなしに次の反応に供した。なお、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製すると次のようなデー
タが得られた。
〔化合物（15）の特性値〕 1H−NMR（CCl4）δ:0.01（S,3H）,0.06（S,3H）,0.18
（S,9H）,0.88（S,3H）,1.30−1.82（m,4H）,2.11−2.3
8（m,2H）,3.58（S,3H）,4.48−4.76（m,1H）,5.39（d,
J＝11.1Hz,1H）,5.80（dd,J＝8.4,11.1Hz,1H） 化合物（15）をTHF（15ml）、EtOH（15ml）、H2O（15
ml）に溶かし、０℃に冷却した。この中にAgNO3（2.98
g,17.6mmol）を加えた。約15分後、KCN（2.0g,30.7mmo
l）を少しつづ加えていった。０℃で約３時間かきまぜ
た後、飽和NaCl水溶液に注いだ。生成物はヘキサンで３
回抽出した。ヘキサン層を１つに集め、MgSO4上で乾燥
した。溶媒を留去し、得られた残液をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで生成すると化合物〔IIa〕が1.24g
（化合物（14）からの収率95.4％）得られた。
（S,9H）,0.88（S,3H）,1.30−1.82（m,4H）,2.11−2.3
8（m,2H）,3.58（S,3H）,4.48−4.76（m,1H）,5.39（d,
J＝11.1Hz,1H）,5.80（dd,J＝8.4,11.1Hz,1H） 化合物（15）をTHF（15ml）、EtOH（15ml）、H2O（15
ml）に溶かし、０℃に冷却した。この中にAgNO3（2.98
g,17.6mmol）を加えた。約15分後、KCN（2.0g,30.7mmo
l）を少しつづ加えていった。０℃で約３時間かきまぜ
た後、飽和NaCl水溶液に注いだ。生成物はヘキサンで３
回抽出した。ヘキサン層を１つに集め、MgSO4上で乾燥
した。溶媒を留去し、得られた残液をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで生成すると化合物〔IIa〕が1.24g
（化合物（14）からの収率95.4％）得られた。
〔化合物〔IIa〕の特性値〕 〔α〕▲25 D▼：＋49.6°（C 1.15,CHCl3） IR（neat）:3290,1737,1249,1083,838,774cm-1 1H−NMR（CCl4）δ:0.01（S,3H）,0.04（S,3H）,0.88
（S,9H）,1.37−1.83（m,4H）,2.08−2.34（m,2H）,2.9
9（d,J＝3.0Hz,1H）,3.57（S,3H）,4.47−4.73（m,1
H）,5.38（dd,J＝3.0,11.1Hz,1H）,5.87（dd,J＝8.4,1
1.1Hz,1H） 13C−NMR（CDCl3）δ:173.0,148.0,107.4,82.5,79.5,
70.2,50.8,36.8,33.6,25.7,20.4,17.9,−4.6,−5.1
（S,9H）,1.37−1.83（m,4H）,2.08−2.34（m,2H）,2.9
9（d,J＝3.0Hz,1H）,3.57（S,3H）,4.47−4.73（m,1
H）,5.38（dd,J＝3.0,11.1Hz,1H）,5.87（dd,J＝8.4,1
1.1Hz,1H） 13C−NMR（CDCl3）δ:173.0,148.0,107.4,82.5,79.5,
70.2,50.8,36.8,33.6,25.7,20.4,17.9,−4.6,−5.1
Claims (1)
- 【請求項１】一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｚは水素原子又は水酸基の
保護基、ｎ−Amはｎ−アミル基を示す。）で表わされる
光学活性なハロゲン置換アリルアルコールと、一般式
〔II〕 （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、Ｚ′は水素原
子又は水酸基の保護基を示す。） で表わされる光学活性なアセチレン置換アリルアルコー
ルとを反応させることを特徴とする一般式〔III〕 （式中、Z,Z′,R及びｎ−Amは前記と同じ意味を示
す。） で表わされるロイコトリエンB4又はその誘導体の製造
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62170300A JPH085843B2 (ja) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | ロイコトリエンｂ▲下４▼又はその誘導体の製造法 |
| CA000571379A CA1329809C (en) | 1987-07-08 | 1988-07-07 | Optically active allyl alcohol and process for producing leucotriene b_ using thereof |
| EP88306244A EP0298756B1 (en) | 1987-07-08 | 1988-07-08 | Optically active allyl alcohol and process for producing leucotriene B4 using thereof |
| US07/216,336 US5049681A (en) | 1987-07-08 | 1988-07-08 | Optically active allyl alcohol and process for producing leucotriene B.sub.4 |
| DE3856074T DE3856074T2 (de) | 1987-07-08 | 1988-07-08 | Optisch aktive Allylalkohol und Verfahren zur Herstellung von Leucotrien-B4, das sie verwendet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62170300A JPH085843B2 (ja) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | ロイコトリエンｂ▲下４▼又はその誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6416749A JPS6416749A (en) | 1989-01-20 |
| JPH085843B2 true JPH085843B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=15902410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62170300A Expired - Lifetime JPH085843B2 (ja) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | ロイコトリエンｂ▲下４▼又はその誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085843B2 (ja) |
-
1987
- 1987-07-08 JP JP62170300A patent/JPH085843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6416749A (en) | 1989-01-20 |
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|---|---|---|---|
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