JPH0853758A - プレート装置を固定するための装置 - Google Patents
プレート装置を固定するための装置Info
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- JPH0853758A JPH0853758A JP7190883A JP19088395A JPH0853758A JP H0853758 A JPH0853758 A JP H0853758A JP 7190883 A JP7190883 A JP 7190883A JP 19088395 A JP19088395 A JP 19088395A JP H0853758 A JPH0853758 A JP H0853758A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングターゲット交換が簡便化され
ると同時にスパッタリングターゲット及びターゲットバ
ッキングプレートのために使用したい材料の選択におけ
る制限が解除されるような装置を提供する。 【解決手段】 プレート装置が、少なくとも２つのセグ
メント体から成っていて、第１の層１２ａ，１２ｂの、
層接触面を制限する周方向線７ａ，７ｂが、完全に第２
の層１０ａ，１０ｂの層接触面の周方向線９ａ，９ｂの
内側に延びており、加熱されていない状態では第２の層
の側面１７ａ，１７ｂが互いに無接触であって、加熱さ
れた状態ではそれぞれ第２の層の側面だけが互いに接触
するように、個々のセグメント体の第２の層の側面が互
いに相対的に配置されている。
ると同時にスパッタリングターゲット及びターゲットバ
ッキングプレートのために使用したい材料の選択におけ
る制限が解除されるような装置を提供する。 【解決手段】 プレート装置が、少なくとも２つのセグ
メント体から成っていて、第１の層１２ａ，１２ｂの、
層接触面を制限する周方向線７ａ，７ｂが、完全に第２
の層１０ａ，１０ｂの層接触面の周方向線９ａ，９ｂの
内側に延びており、加熱されていない状態では第２の層
の側面１７ａ，１７ｂが互いに無接触であって、加熱さ
れた状態ではそれぞれ第２の層の側面だけが互いに接触
するように、個々のセグメント体の第２の層の側面が互
いに相対的に配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、互いに固く結合された
少なくとも２つの加熱可能な層を有しかつ、有利には大
面積の陰極スパッタリングターゲットとして使用される
プレート装置を固定するための装置に関する。
少なくとも２つの加熱可能な層を有しかつ、有利には大
面積の陰極スパッタリングターゲットとして使用される
プレート装置を固定するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】被覆装置に使用される陰極装置は公知で
ある。このような陰極装置は、主として、陰極スパッタ
リングプロセス中に搬出摩耗されるスパッタリングター
ゲットを有しており、このスパッタリングターゲット
は、ターゲットバッキングプレートに固く結合されてい
る。ターゲットバッキングプレートに設けられた固定装
置を用いて、ターゲットバッキングプレートはスパッタ
リングターゲットと共に、陰極体として形成された、冷
却装置を備えた固定プレートにロックされる。陰極スパ
ッタリング技術を用いて被覆したい汎用の基板面は、最
大４００×３００ｍｍ2までの面積を有しており、この
ことは、相応する面積のスパッタリング陰極面を必要と
する。
ある。このような陰極装置は、主として、陰極スパッタ
リングプロセス中に搬出摩耗されるスパッタリングター
ゲットを有しており、このスパッタリングターゲット
は、ターゲットバッキングプレートに固く結合されてい
る。ターゲットバッキングプレートに設けられた固定装
置を用いて、ターゲットバッキングプレートはスパッタ
リングターゲットと共に、陰極体として形成された、冷
却装置を備えた固定プレートにロックされる。陰極スパ
ッタリング技術を用いて被覆したい汎用の基板面は、最
大４００×３００ｍｍ2までの面積を有しており、この
ことは、相応する面積のスパッタリング陰極面を必要と
する。
【０００３】この公知のスパッタリング構造の欠点は、
例えばスパッタリングターゲットの消耗後にターゲット
を交換する際に、特別な工具、例えば持ち上げ装置が必
要であること、若しくはスパッタリングターゲットの交
換が唯一人のオペレータによっては実施不可能であるこ
とにある。さらに所望の大面積のスパッタリングターゲ
ットにも次のような欠点が付随している。すなわち、ス
パッタリングプロセス中にスパッタリングターゲットと
ターゲットバッキングプレートとが、放射によるプラズ
マのエネルギの導入と、ターゲットに向かって加速され
たイオンによって放出される運動エネルギとに基づき加
熱されて、このスパッタリングターゲットが、ターゲッ
トバッキングプレートから陰極体への熱伝達と、陰極体
に設けられた冷却装置の設計とに関連して膨張してしま
う。この加熱によって、スパッタリングターゲット自体
も、ターゲットバッキングプレート（陰極体）も膨張す
る。通常ではスパッタリングターゲットが、陰極体にボ
ンディングされているので、バイメタルストリップと同
様の、長さ変化差もしくは、面積変化差を回避するため
には、スパッタリングターゲットとターゲットバッキン
グプレートとが、同じ熱膨張率又はほぼ同じ熱膨張率を
有する材料から成る必要がある。このことは材料の選択
を著しく制限してしまう。
例えばスパッタリングターゲットの消耗後にターゲット
を交換する際に、特別な工具、例えば持ち上げ装置が必
要であること、若しくはスパッタリングターゲットの交
換が唯一人のオペレータによっては実施不可能であるこ
とにある。さらに所望の大面積のスパッタリングターゲ
ットにも次のような欠点が付随している。すなわち、ス
パッタリングプロセス中にスパッタリングターゲットと
ターゲットバッキングプレートとが、放射によるプラズ
マのエネルギの導入と、ターゲットに向かって加速され
たイオンによって放出される運動エネルギとに基づき加
熱されて、このスパッタリングターゲットが、ターゲッ
トバッキングプレートから陰極体への熱伝達と、陰極体
に設けられた冷却装置の設計とに関連して膨張してしま
う。この加熱によって、スパッタリングターゲット自体
も、ターゲットバッキングプレート（陰極体）も膨張す
る。通常ではスパッタリングターゲットが、陰極体にボ
ンディングされているので、バイメタルストリップと同
様の、長さ変化差もしくは、面積変化差を回避するため
には、スパッタリングターゲットとターゲットバッキン
グプレートとが、同じ熱膨張率又はほぼ同じ熱膨張率を
有する材料から成る必要がある。このことは材料の選択
を著しく制限してしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の装置を改良して、スパッタリングターゲ
ット交換が簡便化されると同時にスパッタリングターゲ
ット及びターゲットバッキングプレートのために使用し
たい材料の選択における制限が解除されるような装置を
提供することである。
で述べた形式の装置を改良して、スパッタリングターゲ
ット交換が簡便化されると同時にスパッタリングターゲ
ット及びターゲットバッキングプレートのために使用し
たい材料の選択における制限が解除されるような装置を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、プレート装置が、少なくとも２つ
のセグメント体から成っていて、第１の層の、層接触面
を制限する周方向線が、完全に第２の層の層接触面の周
方向線の内側に延びており、加熱されていない状態では
第２の層の側面が互いに無接触であって、加熱された状
態ではそれぞれ第２の層の側面だけが互いに接触するよ
うに、有利には互いに面接触するように個々のセグメン
ト体の第２の層の側面が互いに相対的に配置されている
ようにした。
に本発明の構成では、プレート装置が、少なくとも２つ
のセグメント体から成っていて、第１の層の、層接触面
を制限する周方向線が、完全に第２の層の層接触面の周
方向線の内側に延びており、加熱されていない状態では
第２の層の側面が互いに無接触であって、加熱された状
態ではそれぞれ第２の層の側面だけが互いに接触するよ
うに、有利には互いに面接触するように個々のセグメン
ト体の第２の層の側面が互いに相対的に配置されている
ようにした。
【０００６】
【発明の効果】本発明によれば、設定された課題は、ス
パッタリングターゲットが、個々のセグメント体から形
成されていることにより解決される。この個々のセグメ
ント体は、スパッタリング陰極（スパッタリングターゲ
ット）を形成する第１の層と、このスパッタリング陰極
にボンディングされている第２の層（ターゲットバッキ
ングプレート）とから成っている。加熱されていない状
態においては、個々のセグメント体はまとめられて、陰
極全体を形成する１つのプレート装置を形成している。
加熱されてない状態では、個々のセグメント体は、互い
に規定の接触間隔をおいて位置しており、これに対して
スパッタリングプロセス中では、個々のセグメント体
は、面膨張を受けてその側面領域で互いに接触する。本
発明によればターゲットバッキングプレート層の外周
は、スパッタリングターゲットの外周よりも大きく形成
されているので、加熱されたセグメント体は、ターゲッ
トバッキングプレートの側面でのみ互いに接触する。熱
膨張によって生ぜしめられる接触個所におけるスパッタ
リングターゲットの損傷が回避されるので有利である。
さらにプレート装置全体が、個々のセグメントに分割さ
れた個々のプレート体から成っているので、ターゲット
交換のために必要となる特別な工具は不要となる。従っ
て、ターゲット交換は唯１人のオペレータによっても実
施することができるので有利である。
パッタリングターゲットが、個々のセグメント体から形
成されていることにより解決される。この個々のセグメ
ント体は、スパッタリング陰極（スパッタリングターゲ
ット）を形成する第１の層と、このスパッタリング陰極
にボンディングされている第２の層（ターゲットバッキ
ングプレート）とから成っている。加熱されていない状
態においては、個々のセグメント体はまとめられて、陰
極全体を形成する１つのプレート装置を形成している。
加熱されてない状態では、個々のセグメント体は、互い
に規定の接触間隔をおいて位置しており、これに対して
スパッタリングプロセス中では、個々のセグメント体
は、面膨張を受けてその側面領域で互いに接触する。本
発明によればターゲットバッキングプレート層の外周
は、スパッタリングターゲットの外周よりも大きく形成
されているので、加熱されたセグメント体は、ターゲッ
トバッキングプレートの側面でのみ互いに接触する。熱
膨張によって生ぜしめられる接触個所におけるスパッタ
リングターゲットの損傷が回避されるので有利である。
さらにプレート装置全体が、個々のセグメントに分割さ
れた個々のプレート体から成っているので、ターゲット
交換のために必要となる特別な工具は不要となる。従っ
て、ターゲット交換は唯１人のオペレータによっても実
施することができるので有利である。
【０００７】セグメント体を固定するためには、陰極体
が種々異なる開口横断面の貫通孔を有している。陰極体
面の対称線の交点領域に配置された固定孔は、使用した
い受容ピンの外径に適合された円形の直径を有してい
て、これにより、この開口部によって固定されたセグメ
ント体は、この位置固定孔に関してほぼ半径方向にしか
膨張することができなくなる。互いに直角に延びる対称
線に沿って配置された固定孔は、長孔横断面を有してい
て、この場合、長孔の長手方向軸線は、対称線の交点に
関して半径方向に配向されている。このような配向によ
って、セグメント体の長さ熱膨張は、個々の長孔横断面
を介して完全に補償される。その他の半径方向（対角線
方向）で生じる長さ変化は、陰極体に設けられたその他
の貫通孔によって補償される。この場合これらの貫通孔
は、長孔の長手方向延びに相当する円直径を有する円横
断面を有している。
が種々異なる開口横断面の貫通孔を有している。陰極体
面の対称線の交点領域に配置された固定孔は、使用した
い受容ピンの外径に適合された円形の直径を有してい
て、これにより、この開口部によって固定されたセグメ
ント体は、この位置固定孔に関してほぼ半径方向にしか
膨張することができなくなる。互いに直角に延びる対称
線に沿って配置された固定孔は、長孔横断面を有してい
て、この場合、長孔の長手方向軸線は、対称線の交点に
関して半径方向に配向されている。このような配向によ
って、セグメント体の長さ熱膨張は、個々の長孔横断面
を介して完全に補償される。その他の半径方向（対角線
方向）で生じる長さ変化は、陰極体に設けられたその他
の貫通孔によって補償される。この場合これらの貫通孔
は、長孔の長手方向延びに相当する円直径を有する円横
断面を有している。
【０００８】個々のセグメント体の固定は、これらのセ
グメント体に固く結合された、有利には溶接された、雌
ねじ山を有する受容ピンを用いて行われる。この受容ピ
ンは、陰極体に設けられた貫通孔に係合して、陰極体の
背面で、位置決めされた受容ピンにねじ込み可能なねじ
を用いてロックされる。真空遮断装置としては、ねじ頭
に設けられた載設面に、環状に設けられた溝にシールリ
ングが嵌め込まれている。このシールリングは、陰極体
の、スパッタリング陰極に面した面と、陰極体の背面と
の間でそれぞれ真空密な遮断を生ぜしめる。受容ピン
が、対応する貫通孔よりも小さい外径を有しているの
で、スパッタリングターゲットは、ターゲットバッキン
グプレートと共に陰極体上を「浮動する」ように、すな
わちスパッタリングターゲット面に対して平行に摺動可
能に支承されている。従って、熱膨張に基づき互いにず
れ合うセグメント体は、ほとんど熱応力なしに保持され
るので有利である。
グメント体に固く結合された、有利には溶接された、雌
ねじ山を有する受容ピンを用いて行われる。この受容ピ
ンは、陰極体に設けられた貫通孔に係合して、陰極体の
背面で、位置決めされた受容ピンにねじ込み可能なねじ
を用いてロックされる。真空遮断装置としては、ねじ頭
に設けられた載設面に、環状に設けられた溝にシールリ
ングが嵌め込まれている。このシールリングは、陰極体
の、スパッタリング陰極に面した面と、陰極体の背面と
の間でそれぞれ真空密な遮断を生ぜしめる。受容ピン
が、対応する貫通孔よりも小さい外径を有しているの
で、スパッタリングターゲットは、ターゲットバッキン
グプレートと共に陰極体上を「浮動する」ように、すな
わちスパッタリングターゲット面に対して平行に摺動可
能に支承されている。従って、熱膨張に基づき互いにず
れ合うセグメント体は、ほとんど熱応力なしに保持され
るので有利である。
【０００９】請求項５に記載の構成では、スパッタリン
グ陰極が、インジウム−錫合金から成っていて、ターゲ
ットバッキングプレートが、モリブデン及び／又はチタ
ンから成っている。スパッタリングターゲットからのタ
ーゲットバッキングプレートの突出量は有利には０．０
５ｍｍ〜０．２ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍである。こ
れ以上大きい突出量はあまり有利ではない。何故なら
ば、ターゲットバッキングプレートのスパッタリングに
よって、スパッタリング陰極により誘導される被覆時に
不純物が生じる恐れがあるからである。
グ陰極が、インジウム−錫合金から成っていて、ターゲ
ットバッキングプレートが、モリブデン及び／又はチタ
ンから成っている。スパッタリングターゲットからのタ
ーゲットバッキングプレートの突出量は有利には０．０
５ｍｍ〜０．２ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍである。こ
れ以上大きい突出量はあまり有利ではない。何故なら
ば、ターゲットバッキングプレートのスパッタリングに
よって、スパッタリング陰極により誘導される被覆時に
不純物が生じる恐れがあるからである。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を詳しく説明する。
【００１１】図１には、陰極体８として形成された本発
明による固定プレートが示されている。ほぼ正方形の陰
極体８の、全周にわたって延びる外縁部領域には、陰極
体８を固定するために働く貫通孔１９，１９′，１
９′′が設けられている。図１に示されたその他の貫通
孔、例えば貫通孔１５′，１５′′，１５′′′，２４
ａ，２４ｂ，２８ａ，２８ｂ，３８，３８′，３
８′′，３８′′′を用いて、陰極面全体を形成する個
々のセグメント体Ａ〜Ｆが陰極体８に固定されている。
この場合、個々のセグメント体Ａ〜Ｆは、これらのセグ
メント体Ａ〜Ｆが、ほぼ正方形の陰極面全体を形成する
ように、互いに並設されている。個々のセグメント体、
特に中央に設置されたセグメント体Ｂ，Ｅを固定するた
めに、固定孔としての貫通孔２４ａ，２４ｂ，２８ａ，
２８ｂ，３８，３８′′′は、それぞれ異なる開口横断
面を有している。陰極スパッタリングターゲット全面
の、比較的狭い中央領域に設置された貫通孔２８ａ，２
８ｂは、円形の開口横断面を有していて（図３参照）、
これらの貫通孔には受容ピン２０を（図５参照）ぴたり
と嵌め込むことができる。これらの貫通孔２８ａ，２８
ｂは位置固定孔として働く。何故ならば、セグメント体
Ａ〜Ｆが加熱されても、セグメント体Ｂ，Ｅの、陰極体
８に対する相対的な位置は、固定孔である貫通孔２８
ａ，２８ｂの周囲の領域内では極めて僅かしか変化しな
いからである。対称線ｈ，ｖの交点からの半径方向の間
隔が増大するにつれて、セグメント体Ａ〜Ｆの面膨張も
連続的に増大する。この長さ増大と、この長さ増大によ
って生ぜしめられる、陰極体８に対するセグメント体Ａ
〜Ｆの相対的な位置変化を補償するためには、対称線
ｈ，ｖに対してほぼ平行に配置された貫通孔２４ａ；２
４ｂが、それぞれ長孔として形成されている。この場合
これらの長孔である貫通孔２４ａ，２４ｂの長手方向軸
線は、セグメント体Ａ〜Ｆの膨張方向に対して平行に配
置されている。対称線ｈ，ｖに対して対角線方向に沿っ
て配置された固定孔としての貫通孔３８，３８′，３
８′′，３８′′′は、円形の開口横断面ｄ（図３参
照）を有していて、この場合、開口直径は、長孔である
貫通孔２４ａ，２４ｂの長手方向軸線延びにほぼ相応す
る。
明による固定プレートが示されている。ほぼ正方形の陰
極体８の、全周にわたって延びる外縁部領域には、陰極
体８を固定するために働く貫通孔１９，１９′，１
９′′が設けられている。図１に示されたその他の貫通
孔、例えば貫通孔１５′，１５′′，１５′′′，２４
ａ，２４ｂ，２８ａ，２８ｂ，３８，３８′，３
８′′，３８′′′を用いて、陰極面全体を形成する個
々のセグメント体Ａ〜Ｆが陰極体８に固定されている。
この場合、個々のセグメント体Ａ〜Ｆは、これらのセグ
メント体Ａ〜Ｆが、ほぼ正方形の陰極面全体を形成する
ように、互いに並設されている。個々のセグメント体、
特に中央に設置されたセグメント体Ｂ，Ｅを固定するた
めに、固定孔としての貫通孔２４ａ，２４ｂ，２８ａ，
２８ｂ，３８，３８′′′は、それぞれ異なる開口横断
面を有している。陰極スパッタリングターゲット全面
の、比較的狭い中央領域に設置された貫通孔２８ａ，２
８ｂは、円形の開口横断面を有していて（図３参照）、
これらの貫通孔には受容ピン２０を（図５参照）ぴたり
と嵌め込むことができる。これらの貫通孔２８ａ，２８
ｂは位置固定孔として働く。何故ならば、セグメント体
Ａ〜Ｆが加熱されても、セグメント体Ｂ，Ｅの、陰極体
８に対する相対的な位置は、固定孔である貫通孔２８
ａ，２８ｂの周囲の領域内では極めて僅かしか変化しな
いからである。対称線ｈ，ｖの交点からの半径方向の間
隔が増大するにつれて、セグメント体Ａ〜Ｆの面膨張も
連続的に増大する。この長さ増大と、この長さ増大によ
って生ぜしめられる、陰極体８に対するセグメント体Ａ
〜Ｆの相対的な位置変化を補償するためには、対称線
ｈ，ｖに対してほぼ平行に配置された貫通孔２４ａ；２
４ｂが、それぞれ長孔として形成されている。この場合
これらの長孔である貫通孔２４ａ，２４ｂの長手方向軸
線は、セグメント体Ａ〜Ｆの膨張方向に対して平行に配
置されている。対称線ｈ，ｖに対して対角線方向に沿っ
て配置された固定孔としての貫通孔３８，３８′，３
８′′，３８′′′は、円形の開口横断面ｄ（図３参
照）を有していて、この場合、開口直径は、長孔である
貫通孔２４ａ，２４ｂの長手方向軸線延びにほぼ相応す
る。
【００１２】陰極体８に固定したいセグメント体Ａ〜Ｆ
は、主として２つの層から成っている。すなわち、図２
に示したように、セグメント体Ａ−Ｆはターゲットバッ
キングプレート１０ａ，１０ｂ，と、このターゲットバ
ッキングプレート１０ａ，１０ｂ上にボンディングされ
たスパッタリング陰極１２ａ，１２ｂとから成ってお
り、この場合スパッタリング陰極は、例えばインジウム
−錫合金から製造されていて、ターゲットバッキングプ
レートは、チタン又はモリブデンから製造されている。
スパッタリング陰極１２ａ；１２ｂを保持するターゲッ
トバッキングプレート１０ａ；１０ｂは、側方でスパッ
タリング陰極１２ａ；１２ｂよりも幅ａの領域だけ突出
している。これにより、セグメント体Ａ〜Ｆの長さ熱膨
張時には、側面１７ａ，１７ｂだけが互いに押圧接触す
るようになる。
は、主として２つの層から成っている。すなわち、図２
に示したように、セグメント体Ａ−Ｆはターゲットバッ
キングプレート１０ａ，１０ｂ，と、このターゲットバ
ッキングプレート１０ａ，１０ｂ上にボンディングされ
たスパッタリング陰極１２ａ，１２ｂとから成ってお
り、この場合スパッタリング陰極は、例えばインジウム
−錫合金から製造されていて、ターゲットバッキングプ
レートは、チタン又はモリブデンから製造されている。
スパッタリング陰極１２ａ；１２ｂを保持するターゲッ
トバッキングプレート１０ａ；１０ｂは、側方でスパッ
タリング陰極１２ａ；１２ｂよりも幅ａの領域だけ突出
している。これにより、セグメント体Ａ〜Ｆの長さ熱膨
張時には、側面１７ａ，１７ｂだけが互いに押圧接触す
るようになる。
【００１３】セグメント体Ａ〜Ｆを固定するためには、
ターゲットバッキングプレート１０，１０ａ，１０ｂ
（図５参照）に受容ピン２０が溶接結合部３１で不動に
取り付けられている。バッキングプレート１０は受容ピ
ン２０が対応する固定孔（図４参照）に突入するよう
に、陰極体８に位置決めされていて、受容ピン２０内に
ねじ込み可能なねじ２２を用いて陰極体８に着脱可能に
結合されている。スパッタリング陰極面の側で形成され
る真空圧を、陰極体の背面に形成される大気圧に対して
シールするために、ねじ頭２３には環状の溝３０が設け
られていて、この溝３０内にはシールリング１８が支承
されており、このシールリング１８は、ねじ２２が締め
付けられた状態で、陰極体８に真空密に載置されてい
る。固定孔３２の有効開口直径は、ねじ頭２３の領域及
び受容ピン２０の領域で、ターゲットバッキングプレー
ト１０が、このターゲットバッキングプレート１０に固
定されたスパッタリングターゲットであるスパッタリン
グ陰極１２と一緒に間隔ｃだけそれぞれ一方の方向で摺
動可能となるか又はたとえば貫通孔３８，３８′，３
８′′の場合と同様に所定の面領域内で、摺動可能とな
るように形成されている。
ターゲットバッキングプレート１０，１０ａ，１０ｂ
（図５参照）に受容ピン２０が溶接結合部３１で不動に
取り付けられている。バッキングプレート１０は受容ピ
ン２０が対応する固定孔（図４参照）に突入するよう
に、陰極体８に位置決めされていて、受容ピン２０内に
ねじ込み可能なねじ２２を用いて陰極体８に着脱可能に
結合されている。スパッタリング陰極面の側で形成され
る真空圧を、陰極体の背面に形成される大気圧に対して
シールするために、ねじ頭２３には環状の溝３０が設け
られていて、この溝３０内にはシールリング１８が支承
されており、このシールリング１８は、ねじ２２が締め
付けられた状態で、陰極体８に真空密に載置されてい
る。固定孔３２の有効開口直径は、ねじ頭２３の領域及
び受容ピン２０の領域で、ターゲットバッキングプレー
ト１０が、このターゲットバッキングプレート１０に固
定されたスパッタリングターゲットであるスパッタリン
グ陰極１２と一緒に間隔ｃだけそれぞれ一方の方向で摺
動可能となるか又はたとえば貫通孔３８，３８′，３
８′′の場合と同様に所定の面領域内で、摺動可能とな
るように形成されている。
【図１】セグメント体Ａ〜Ｆを備えた、本発明による固
定プレートの平面図である。
定プレートの平面図である。
【図２】互いに隣接して位置する２つのセグメント体の
断面図である。
断面図である。
【図３】図１に示した固定プレートの中央領域を拡大し
て示した図である。
て示した図である。
【図４】図３のＪ−Ｋ線に沿った陰極体の断面図であ
る。
る。
【図５】固定プレート上にバッキングプレートと共にね
じ締結されたスパッタリングターゲットのねじ締結領域
を示した断面図である。
じ締結されたスパッタリングターゲットのねじ締結領域
を示した断面図である。
６ プレート装置、 ７ａ，７ｂ 周方向線、 ８ 陰
極体、 ９，９ａ，９ｂ 周方向線、 １０，１０ａ，
１０ｂ ターゲットバッキングプレート、 １２，１２
ａ，１２ｂ スパッタリング陰極、 １３ ターゲット
セグメント、１５，１５′，１５′′ 貫通孔、 １７
ａ，１７ｂ 側面、 １８ シールリング、 １９，１
９′，１９′′ 貫通孔、 ２０ 受容ピン、 ２２
ねじ、２３ ねじ頭、 ２４ａ，２４ｂ 貫通孔、 ２
５，２５ａ，２５ｂ 面、２８ａ，２８ｂ 貫通孔、
３０ 溝、 ３１ 溶接結合部、 ３２ 固定孔、３３
ａ，３３ｂ 周縁領域、 ３８，３８′，３８′′ 貫
通孔、 Ａ〜Ｆセグメント体、 ｖ，ｈ 対称線、 ａ
幅、 ｃ 間隔、 ｄ 開口横断面
極体、 ９，９ａ，９ｂ 周方向線、 １０，１０ａ，
１０ｂ ターゲットバッキングプレート、 １２，１２
ａ，１２ｂ スパッタリング陰極、 １３ ターゲット
セグメント、１５，１５′，１５′′ 貫通孔、 １７
ａ，１７ｂ 側面、 １８ シールリング、 １９，１
９′，１９′′ 貫通孔、 ２０ 受容ピン、 ２２
ねじ、２３ ねじ頭、 ２４ａ，２４ｂ 貫通孔、 ２
５，２５ａ，２５ｂ 面、２８ａ，２８ｂ 貫通孔、
３０ 溝、 ３１ 溶接結合部、 ３２ 固定孔、３３
ａ，３３ｂ 周縁領域、 ３８，３８′，３８′′ 貫
通孔、 Ａ〜Ｆセグメント体、 ｖ，ｈ 対称線、 ａ
幅、 ｃ 間隔、 ｄ 開口横断面
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに固く結合された少なくとも２つの
加熱可能な層を有するプレート装置を固定するための装
置において、プレート装置（６）が、少なくとも２つの
セグメント体（Ａ〜Ｆ）から成っていて、第１の層（１
２ａ，１２ｂ）の、層接触面を制限する周方向線（７
ａ，７ｂ）が、完全に第２の層（１０ａ，１０ｂ）の層
接触面の周方向線（９ａ，９ｂ）の内側に延びており、
加熱されていない状態では第２の層（１０ａ，１０ｂ）
の側面（１７ａ，１７ｂ）が互いに無接触であって、加
熱された状態ではそれぞれ第２の層（１０ａ，１０ｂ）
の側面（１７ａ，１７ｂ）だけが互いに接触するよう
に、個々のセグメント体（Ａ〜Ｆ）の第２の層（１０
ａ，１０ｂ）の側面が互いに相対的に配置されているこ
とを特徴とする、プレート装置を固定するための装置。 - 【請求項２】 個々のセグメント体(Ａ〜Ｆ)が、固定プ
レート（８）上に着脱可能に組付けられており、該固定
プレート（８）が、互いに異なる大きさ（２８ａ，１
５′）の円形横断面を有する複数の貫通孔（１５，２８
ａ，３８）若しくは異なる配向を有する複数の長孔（２
４ａ，２４ｂ）を有していて、プレート装置（６）の面
中央に隣接して配置された貫通孔（２８ａ，２８ｂ）の
開口横断面が、該貫通孔（２８ａ，２８ｂ）に嵌め込み
たい受容ピン（２０）にぴたりと嵌合するように形成さ
れており、長孔として形成された貫通孔（２４ａ，２４
ｂ）が、位置固定孔として働く、プレート装置(６)の面
中央に隣接して配置された前記貫通孔（２８ａ，２８
ｂ）を互いに結んでかつ互いにほぼ直角に延びる対称線
（ｖ，ｈ）に対して平行に、若しくは該対称線（ｈ，
ｖ）上に、長孔長手方向軸線が半径方向を向くように配
置されており、その他の貫通孔（３８，３８′，３
８′′）が、前記長孔（２４ａ，２４ｂ）の最大横断面
直径にほぼ相当する有効開口直径を有しており、これに
よって、加熱された状態で互いに側方面接触する各セグ
メント体（Ａ〜Ｆ）の熱膨張が、前記位置固定孔（２８
ａ，２８ｂ）の位置に対して半径方向で行われるように
なっている、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 セグメント体（Ａ〜Ｆ）がそれぞれ２つ
の層（１０，１２；１０ａ，１２ａ；１０ｂ，１２ｂ）
から成っており、固定プレート（８）に面する層（１
０，１０ａ，１０ｂ）がそれぞれターゲットバッキング
プレート（１０ａ，１０ｂ）を形成していて、他方の層
（１２，１２ａ，１２ｂ）が、スパッタリング陰極（１
２，１２ａ，１２ｂ）を形成しており、該スパッタリン
グ陰極（１２，１２ａ，１２ｂ）がターゲットバッキン
グプレート（１０，１０ａ，１０ｂ）に固く結合されて
いる、請求項１または２記載の装置。 - 【請求項４】 ターゲットバッキングプレート（１０
ａ，１０ｂ）の周縁領域（３３ａ，３３ｂ）がスパッタ
リング陰極（１２ａ，１２ｂ）を越えて０．０５ｍｍ〜
０．２ｍｍだけ突出している、請求項１から３までのい
ずれか１項記載の装置。 - 【請求項５】 スパッタリング陰極（１２，１２ａ，１
２ｂ）がインジウム−錫合金から成っていて、ターゲッ
トバッキングプレート（１０，１０ａ，１０ｂ）がモリ
ブデン若しくはチタンから成っている、請求項１から４
までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項６】 ターゲットバッキングプレート（１０，
１０ａ，１０ｂ）の、スパッタリング陰極（１２，１２
ａ，１２ｂ）とは反対の面（２５，２５ａ，２５ｂ）
に、雌ねじ山を有する受容ピン（２０）が配置されてお
り、該受容ピン（２０）がターゲットバッキングプレー
ト（１０，１０ａ，１０ｂ）に固く結合されている、請
求項１から５までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項７】 ターゲットバッキングプレート（１０）
が、陰極体（８）として形成された固定プレート（８）
上に位置決めされていて、前記受容ピン（２０）が前記
各貫通孔（１５，２４ａ，２４ｂ，２８ａ，２８ｂ，３
８，３８′，３８′′）に係合して、ターゲットバッキ
ングプレート（１０，１０ａ、１０ｂ）が陰極体（８）
上に面接触しており、前記受容ピン（２０）にねじ（２
２）がねじ込まれており、該ねじ（２２）のねじ頭に設
けられた環状の溝（３０）に支承されたシールリング
（１８）が陰極体（８）に接触しており、前記ねじ（２
２）を介してターゲットバッキングプレート（１０，１
０ａ，１０ｂ）が陰極面延びに対して摺動可能に保持さ
れるようになっており、前記ターゲットバッキングプレ
ート（１０，１０ａ，１０ｂ）の最大摺動距離が、前記
受容ピンの最大外径と、前記貫通孔（１５，２８ａ，２
８ｂ，２４ａ，２４ｂ，）の最小内径との間で規定され
された間隔（ｃ）に相当している、請求項１から６まで
のいずれか１項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4426751A DE4426751A1 (de) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | Schwimmende Zentralbefestigung, insbesondere für großflächige Sputterkatoden |
| DE4426751.7 | 1994-07-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0853758A true JPH0853758A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=6524365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190883A Pending JPH0853758A (ja) | 1994-07-28 | 1995-07-26 | プレート装置を固定するための装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5536380A (ja) |
| JP (1) | JPH0853758A (ja) |
| KR (1) | KR960005742A (ja) |
| DE (1) | DE4426751A1 (ja) |
| NL (1) | NL9500630A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016003388A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状部材の固定機構、ｐｖｄ処理装置及び板状部材の固定方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5873989A (en) * | 1997-02-06 | 1999-02-23 | Intevac, Inc. | Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering |
| DE19738815A1 (de) * | 1997-09-05 | 1999-03-11 | Leybold Ag | Verfahren zur Montage von Targetsegmenten und Justierbolzen zur Durchführung des Verfahrens |
| DE19920304A1 (de) * | 1999-05-03 | 2000-11-09 | Leybold Materials Gmbh | Target |
| US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
| US7550066B2 (en) * | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
| US20060006064A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Avi Tepman | Target tiles in a staggered array |
| US20060289305A1 (en) * | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Applied Materials, Inc. | Centering mechanism for aligning sputtering target tiles |
| CA2577757A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-16 | Sulzer Metco Ag | Target holding apparatus |
| EP1849887A1 (de) * | 2006-04-26 | 2007-10-31 | Sulzer Metco AG | Target für eine Sputterquelle |
| US20090255808A1 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Seagate Technology Llc | Target for efficient use of precious deposition material |
| DE102013216303A1 (de) | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Sputtertarget, Vorrichtung zum Befestigen eines Sputtertargets, Verfahren zum Erkennen des Lösens eines Sputtermaterials sowie Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4515675A (en) * | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
| CH665057A5 (de) * | 1984-07-20 | 1988-04-15 | Balzers Hochvakuum | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. |
| CH669242A5 (de) * | 1985-07-10 | 1989-02-28 | Balzers Hochvakuum | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. |
| JPH01290765A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| EP0401622B1 (de) * | 1989-06-05 | 1995-08-23 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum Kühlen von Targets sowie Kühleinrichtung für Targets |
| DE9014857U1 (ja) * | 1990-10-26 | 1992-02-20 | Multi-Arc Oberflaechentechnik Gmbh, 5060 Bergisch Gladbach, De | |
| DE4242079A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Leybold Ag | Target für eine in einer evakuierbaren mit einem Prozeßgas flutbaren Prozeßkammer angeordneten Kathode |
| DE4301516C2 (de) * | 1993-01-21 | 2003-02-13 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Targetkühlung mit Wanne |
-
1994
- 1994-07-28 DE DE4426751A patent/DE4426751A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-03-31 NL NL9500630A patent/NL9500630A/nl not_active Application Discontinuation
- 1995-04-19 KR KR1019950009249A patent/KR960005742A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-05-23 US US08/448,129 patent/US5536380A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-26 JP JP7190883A patent/JPH0853758A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016003388A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状部材の固定機構、ｐｖｄ処理装置及び板状部材の固定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4426751A1 (de) | 1996-02-01 |
| NL9500630A (nl) | 1996-03-01 |
| KR960005742A (ko) | 1996-02-23 |
| US5536380A (en) | 1996-07-16 |
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