JPH0846190A

JPH0846190A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0846190A
Application number: JP17801594A
Authority: JP
Inventors: Takashi Toida; 孝志戸井田
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1994-07-29
Filing date: 1994-07-29
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【構成】ゲート電極１７の整合する領域に設ける低濃
度領域１９と、ゲート電極側壁の第１の絶縁膜の整合す
る領域に設ける中濃度領域２１と、ゲート電極とサイド
ウォール３１との整合する領域に設ける高濃度領域２３
と、コンタクトホール３９を有する層間絶縁膜３７と、
配線４１とを備える半導体装置およびその製造方法。【効果】従来のように熱拡散処理工程を必要としな
い。そして第１の実施例では第１の絶縁膜の膜厚、第２
と第３の実施例では第１のサイドウォールで中濃度領域
の不純物濃度分布を制御している。このため三重拡散構
造を制御性よく形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の構造とこの
構造を形成するための製造方法とに関し、とくにＭＯＳ
（金属―酸化―半導体）型電界効果トランジスタのソー
スドレイン領域が低濃度領域と中濃度領域と高濃度領域
との三重拡散構造を有する半導体装置およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレイ
ン領域の電界を緩和する手段として、ソースドレイン領
域を低濃度領域と高濃度領域との二重拡散構造とするこ
とが知られている。

【０００３】しかしながらこの二重拡散構造では、低濃
度領域が直列抵抗として機能して、ＭＯＳ型電界効果ト
ランジスタ特性の相互コンダクタンスが劣化するという
問題点が発生する。

【０００４】そこで、ソースドレイン領域として、低濃
度領域と中濃度領域と高濃度領域との三重拡散構造を採
用することにより、直列抵抗を低くして、ＭＯＳ型電界
効果トランジスタ特性の劣化を抑えることが、たとえば
特開昭６１―１３９０７０号公報にて提案されている。

【０００５】この上記公報に記載の三重拡散構造を有す
るＭＯＳ型電界効果トランジスタの製造方法を、図１５
から図１８の断面図を使用して説明する。

【０００６】まずはじめに図１５に示すように、導電型
がｐ型の半導体基板１１の素子分離領域に素子分離絶縁
膜１３を形成し、ゲート絶縁膜１５とゲート電極１７と
を順次形成する。

【０００７】その後、ゲート電極１７の整合する領域の
半導体基板１１に、ｎ型の不純物であるリンを導入し
て、低濃度領域１９を形成する。

【０００８】つぎに図１６に示すように、全面に絶縁膜
を形成し、さらにこの絶縁膜を異方性エッチングして、
ゲート電極１７の側壁にサイドウォール３１を形成す
る。

【０００９】その後、ゲート電極１７とサイドウォール
３１との整合する領域の半導体基板１１に、ｎ型の不純
物である砒素を導入して中濃度領域２１を形成する。

【００１０】つぎに図１７に示すように、熱処理を行
い、中濃度領域２１の不純物である砒素をサイドウォー
ル３１の下面領域にまで拡散させる。

【００１１】つぎに図１８に示すように、ゲート電極１
７とサイドウォール３１との整合する領域の半導体基板
１１に、ｎ型の不純物である砒素を導入して高濃度領域
２３を形成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１５から図１８を用
いて説明したＭＯＳ型電界効果トランジスタの製造方法
においては、高濃度領域２３と低濃度領域１９とのあい
だに中濃度領域２１を設けている。

【００１３】このため低濃度領域１９の長さを相対的に
短くすることができる。この結果、低濃度領域１９の直
列抵抗の増大がなく、ＭＯＳ型電界効果トランジスタの
素子特性の劣化を抑えることができる。

【００１４】しかしながら中濃度領域２１の形成は、ゲ
ート電極１７とサイドウォール３１との整合する領域の
半導体基板１１に不純物を導入し、そしてその後、加熱
処理を行い、この加熱処理によって、不純物を横方向に
拡散させ、中濃度領域２１を形成している。

【００１５】このため不純物は横方向拡散と同時に深さ
方向にも拡散してしまい、所定の不純物濃度分布を精度
よく得ることは難しい。

【００１６】本発明の目的は、上記課題を解決して、三
重拡散構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタの不
純物濃度分布を精度よく制御することが可能な半導体装
置の構造とその製造方法とを提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体装置の構成とその製造方法は、下記記
載の手段を採用する。

【００１８】本発明の半導体装置は、第１の導電型の半
導体基板のゲート絶縁膜を介して設けるゲート電極と、
このゲート電極の整合する領域に設ける第２の導電型の
低濃度領域と、ゲート電極とこのゲート電極側壁の第１
の絶縁膜との整合する領域に設ける第２の導電型の中濃
度領域と、ゲート電極の側壁に設ける第１の絶縁膜と第
２の絶縁膜とからなるサイドウォールと、ゲート電極と
サイドウォールとの整合する領域に設ける第２の導電型
の高濃度領域と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜
と、コンタクトホールを介して高濃度領域と接続する配
線とを備えることを特徴とする。

【００１９】本発明の半導体装置は、第１の導電型の半
導体基板のゲート絶縁膜を介して設けるゲート電極と、
ゲート電極の整合する領域に設ける第２の導電型の低濃
度領域と、ゲート電極とこのゲート電極側壁の第１の絶
縁膜からなる第１のサイドウォールとの整合する領域に
設ける第２の導電型の中濃度領域と、ゲート電極の側壁
に設ける第１のサイドウォールと第２のサイドウォール
とからなるサイドウォールと、ゲート電極とサイドウォ
ールとの整合する領域に設ける第２の導電型の高濃度領
域と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、コンタ
クトホールを介して高濃度領域と接続する配線とを備え
ることを特徴とする。

【００２０】本発明の半導体装置は、第１の導電型の半
導体基板のゲート絶縁膜を介して設けるゲート電極と、
ゲート電極の整合する領域に設ける第２の導電型の低濃
度領域と、ゲート電極とこのゲート電極側壁の第１の絶
縁膜からなるサイドウォールとの整合する領域に設ける
第２の導電型の中濃度領域と、ゲート電極の側壁に設け
るサイドウォールと第２の絶縁膜との整合する領域に設
ける第２の導電型の高濃度領域と、コンタクトホールを
有する層間絶縁膜と、コンタクトホールを介して高濃度
領域と接続する配線とを備えることを特徴とする。

【００２１】本発明の半導体装置の製造方法は、第１の
導電型の半導体基板に素子分離絶縁膜を形成し、ゲート
絶縁膜を形成し、ゲート電極を形成し、ゲート電極の整
合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入
して低濃度領域を形成する工程と、全面に第１の絶縁膜
を形成し、ゲート電極とこのゲート電極側壁の第１の絶
縁膜との整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不
純物を導入して中濃度領域を形成する工程と、全面に第
２の絶縁膜を形成し、異方性エッチングを行って、第１
の絶縁膜と第２の絶縁膜とからなるサイドウォールをゲ
ート電極側壁に形成し、ゲート電極とサイドウォールと
の整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を
導入して高濃度領域を形成する工程と、層間絶縁膜を形
成し、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、配線を
形成する工程とを有することを特徴とする。

【００２２】本発明の半導体装置の製造方法は、第１の
導電型の半導体基板に素子分離絶縁膜を形成し、ゲート
絶縁膜を形成し、ゲート電極を形成し、このゲート電極
の整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を
導入して低濃度領域を形成する工程と、全面に第１の絶
縁膜を形成し、異方性エッチングを行い第１の絶縁膜か
らなる第１のサイドウォールをゲート電極の側壁に形成
し、ゲート電極と第１のサイドウォールとの整合する領
域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入して中濃
度領域を形成する工程と、全面に第２の絶縁膜を形成
し、異方性エッチングを行い第２の絶縁膜からなる第２
のサイドウォールを第１のサイドウォール側壁に形成し
て第１のサイドウォールと第２のサイドウォールからな
るサイドウォールを形成する工程と、ゲート電極とサイ
ドウォールとの整合する領域の半導体基板に第２の導電
型の不純物を導入して高濃度領域を形成する工程と、層
間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜にコンタクトホール
を形成し、配線を形成する工程とを有することを特徴と
する。

【００２３】本発明の半導体装置の製造方法は、第１の
導電型の半導体基板に素子分離絶縁膜を形成し、ゲート
絶縁膜を形成し、ゲート電極を形成し、ゲート電極の整
合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入
して低濃度領域を形成する工程と、全面に第１の絶縁膜
を形成し、異方性エッチングを行い第１の絶縁膜からな
るサイドウォールをゲート電極の側壁に形成し、ゲート
電極とサイドウォールとの整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して中濃度領域を形成する
工程と、全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、ゲート
電極と第１のサイドウォールと第１のサイドウォールの
側壁の第２の絶縁膜との整合する領域の半導体基板に第
２の導電型の不純物を導入して高濃度領域を形成する工
程と、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜にコンタク
トホールを形成し、配線を形成する工程とを有すること
を特徴とする。

【００２４】

【作用】本発明の半導体装置の構造とその製造方法で
は、ゲート電極と、このゲート電極側壁の第１の絶縁膜
あるいはサイドウォールとの整合する領域に不純物を導
入して、中濃度領域を形成している。

【００２５】このため従来技術にように、熱拡散工程を
行うことなしに中濃度領域を形成しており、さらに第１
の絶縁膜の膜厚によって、中濃度領域の不純物濃度分布
を制御することができる。

【００２６】この結果、三重拡散構造を有するＭＯＳ型
電界効果トランジスタの不純物濃度分布を精度よく制御
することが可能となる。

【００２７】

【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例における半
導体装置の構造とその製造方法とを説明する。

【００２８】まずはじめに本発明の第１の実施例におけ
る三重拡散構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタ
の構造を、図６の断面図を用いて説明する。

【００２９】図６に示すように、半導体基板１１の素子
領域の周囲の素子分離領域に素子分離絶縁膜１３を設け
る。

【００３０】さらに半導体基板１１上のゲート絶縁膜１
５を介して設けるゲート電極１７を有する。そしてこの
ゲート電極１７に整合する領域の半導体基板１１に低濃
度領域１９を設ける。

【００３１】そして中濃度領域２１は、ゲート電極１７
とこのゲート電極１７側壁の第１の絶縁膜との整合する
領域の半導体基板１１に設ける。

【００３２】さらにゲート電極１７の側壁部に、第１の
絶縁膜と第２の絶縁膜とからなるサイドウォール３１を
設ける。そして好ましくは、第１の絶縁膜と第２の絶縁
膜とは、酸化シリコン膜で構成する。

【００３３】そしてこのサイドウォール３１とゲート電
極１７との整合する領域の半導体基板１１に高濃度領域
２３を設ける。

【００３４】さらに全面に層間絶縁膜３７を設け、さら
にこの層間絶縁膜３７にコンタクトホール３９を設け
る。そしてこのコンタクトホール３９を介して高濃度領
域２３と接続する配線４１を設ける。

【００３５】つぎにこの図６の断面図に示す三重拡散構
造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタの構造を形成
するための製造方法を、図１から図６の断面図を用いて
説明する。

【００３６】まずはじめに図１に示すように、導電型が
ｐ型の半導体基板１１にパッド酸化膜（図示せず）を３
０ｎｍ程度の膜厚で形成する。このパッド酸化膜の形成
は、酸素と窒素との混合気体中で、温度１０００℃、時
間４０分の酸化処理条件で行う。

【００３７】その後、化学気相成長法により、耐酸化膜
（図示せず）として窒化シリコン膜を１５０ｎｍ程度の
膜厚で形成する。この窒化シリコン膜は、反応ガスとし
てジクロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）とアンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）との混合ガスを用いる化学気相成長法により形成
する。

【００３８】その後、この窒化シリコン膜上の全面に回
転塗布法によって、感光性樹脂（図示せず）を形成す
る。その後、所定のフォトマスクを用いて露光処理と、
現像処理とを行い、この感光性樹脂を素子領域上に形成
するようにパターニングする。

【００３９】その後、このパターニングした感光性樹脂
をエッチングマスクとして用いて、耐酸化膜をエッチン
グする。この窒化シリコン膜からなる耐酸化膜のエッチ
ングは、反応性イオンエッチング装置を用い、エッチン
グガスとして六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）とヘリウム（Ｈ
e ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）との混合ガスを用い
て行う。

【００４０】その後、耐酸化膜を酸化防止膜として用
い、この耐酸化膜を形成していない領域の半導体基板１
１に酸化シリコン膜を形成する選択酸化処理を行うこと
によって、素子分離領域に素子分離絶縁膜１３を形成す
る。この素子分離絶縁膜１３は７００ｎｍの膜厚で形成
する。

【００４１】この素子分離絶縁膜１３は、酸素と水素と
の混合ガス雰囲気中で、１０００℃の温度で、時間１６
０分の酸化処理条件により形成する。

【００４２】その後、耐酸化膜上の酸化シリコン膜をフ
ッ酸系のエッチング液を用いて除去し、さらに窒化シリ
コン膜からなる耐酸化膜を加熱したリン酸を使用して除
去する。さらにパッド酸化膜をフッ酸系のエッチング液
を用いて除去する。

【００４３】その後、ゲート絶縁膜１５を２５ｎｍ程度
の膜厚で半導体基板１１の素子領域上に形成する。この
ゲート絶縁膜１５は、酸素雰囲気中で、温度９５０℃、
時間４５分の酸化処理条件で形成する。

【００４４】その後、反応ガスとしてモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）を用いる化学気相成長法によって、全面に多結晶
シリコン膜からなるゲート電極材料を４００ｎｍ程度の
膜厚で形成する。

【００４５】その後、この多結晶シリコン膜上の全面に
感光性樹脂を、回転塗布法により形成する。その後所定
のフォトマスクを用いて露光処理と、現像処理とを行
い、この感光性樹脂をゲート電極の形状に形成するよう
にパターニングする。

【００４６】その後、このパターニングした感光性樹脂
をエッチングマスクとして用いて、ゲート電極材料であ
る多結晶シリコン膜をエッチングしてゲート電極１７を
形成する。

【００４７】このゲート電極１７のエッチング処理は、
反応性イオンエッチング装置を使用して、エッチングガ
スとして六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸素（Ｏ2 ）との
混合ガスを用いて行う。

【００４８】その後、ゲート電極１７に整合する領域の
半導体基板１１にｎ型の不純物として、リンを導入して
低濃度領域１９を形成する。

【００４９】この低濃度領域１９はイオン注入法によっ
て形成し、そのイオン注入量としては１０¹³ｃｍ^{- 2} 程
度の条件で行う。

【００５０】つぎに図２に示すように、全面に酸化シリ
コン膜からなる第１の絶縁膜２５を２００ｎｍ程度の膜
厚で形成する。この第１の絶縁膜２５は、モノシランと
酸素とを反応ガスとする化学気相成長法により形成す
る。

【００５１】この第１の絶縁膜２５は、前述のように化
学気相成長法により形成している。このために、ゲート
電極１７の上面と側壁部とに形成する第１の絶縁膜２５
は、ほとんど同じ膜厚になる。

【００５２】つぎに図３に示すように、ゲート電極１７
と、このゲート電極１７側壁の第１の絶縁膜２５との整
合する領域の半導体基板１１に、導電型がｎ型の不純物
として、砒素を導入して中濃度領域２１を形成する。

【００５３】この中濃度領域２１はイオン注入法によっ
て形成し、そのイオン注入量としては１０¹⁴ｃｍ^{- 2} 程
度の条件で行う。そして不純物の砒素が、ゲート電極１
７側壁領域以外の平坦部の第１の絶縁膜２５を貫通し、
半導体基板１１に導入されるイオン注入条件により形成
する。

【００５４】つぎに図４に示すように、第１の絶縁膜２
５上の全面に酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜２７
を２００ｎｍ程度の膜厚で形成する。この第１の絶縁膜
２７は、モノシランと酸素とを反応ガスとする化学気相
成長法により形成する。

【００５５】この第２の絶縁膜２７も化学気相成長法に
より形成しているために、ゲート電極１７の上面と側壁
部とに形成する第２の絶縁膜２７は、ほとんど同じ膜厚
になる。

【００５６】つぎに図５に示すように、異方性エッチン
グを行って、ゲート電極１７の側壁領域に第１の絶縁膜
２５と第２の絶縁膜２７とからなるサイドウォール３１
を形成する。

【００５７】サイドウォール３１を形成するための第１
の絶縁膜２５と第２の絶縁膜２７との異方性エッチング
は、反応性イオンエッチング装置を用い、反応ガスとし
て二フッ化メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）と三フッ化メタン（Ｃ
ＨＦ3 ）との混合ガスを使用して行う。

【００５８】反応性イオンエッチング装置を用いる異方
性エッチングにおいては、エッチングガスが半導体基板
１１表面に対してほぼ垂直に入射する。したがって、ゲ
ート電極１７の側壁領域では単位面積当たりのエッチン
グガスの入射量が少なく、エッチング速度が極端に遅く
なる。

【００５９】このためエッチング前の絶縁膜の形状がほ
ぼ保たれたまま下方に平行移動し、ゲート電極１７側壁
に形成した絶縁膜の膜厚とほとんど同じ長さ寸法を有す
るサイドウォール３１を形成することができる。すなわ
ち形成する絶縁膜の膜厚によって、サイドウォール３１
の長さ寸法を制御することができる。なお、ここでサイ
ドウォール３１の長さとは、ＭＯＳ型電界効果トランジ
スタのチャネル長方向での寸法をいう。

【００６０】その後、サイドウォール３１とゲート電極
１７との整合した領域の半導体基板１１に、導電型がｎ
型の不純物として、砒素を導入して高濃度領域２３を形
成する。

【００６１】この高濃度領域２３はイオン注入法により
形成し、そのイオン注入量は１０¹⁵ｃｍ^{- 2} 程度の条件
で行う。

【００６２】つぎに図６に示すように、全面にボロンと
リンとを含む酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜３７を
４００ｎｍ程度の膜厚で形成する。この層間絶縁膜３７
は、反応ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ
2 ）とホスフィン（ＰＨ3 ）とジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）と
を用いる化学気相成長法により形成する。

【００６３】その後、ソースドレイン領域に導入した低
濃度領域１９と中濃度領域２１と高濃度領域２３との不
純物の活性化と、層間絶縁膜３７の表面平坦化と、この
層間絶縁膜３７の膜質の改善とを図るために熱処理を行
う。

【００６４】この不純物の活性化と層間絶縁膜３７の熱
処理条件は、窒素ガス雰囲気中で、温度９００℃、時間
３０分の条件で行う。

【００６５】その後、層間絶縁膜３７上の全面に回転塗
布法によって、感光性樹脂（図示せず）を形成する。そ
の後、所定のフォトマスクを用いて露光処理と、現像処
理を行い、コンタクトホール３９に対応する開口部を有
する感光性樹脂を形成するようにパターニングする。

【００６６】そしてこのパターニングした感光性樹脂を
エッチングマスクとして用い、層間絶縁膜３７にコンタ
クトホール３９を形成する。

【００６７】コンタクトホール３９のエッチングは、反
応性イオンエッチング装置を用い、反応ガスとして二フ
ッ化メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3
）とを用いて行う。

【００６８】その後、配線材料としてシリコンと銅とを
添加したアルミニウムを、スパッタリング装置を用い
て、８００ｎｍ程度の膜厚で全面に形成する。

【００６９】その後、配線材料上の全面に回転塗布法に
より感光性樹脂（図示せず）を形成する。そして所定の
フォトマスクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、
感光性樹脂を配線形状に形成するようにパターニングす
る。

【００７０】その後、パターニングした感光性樹脂をエ
ッチングマスクに用いて、配線４１をパターニングす
る。この配線４１のエッチングは、反応性イオンエッチ
ング装置を用い、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ2 ）
と三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）との混合ガスを用いて行
う。

【００７１】この結果、ソースドレイン領域が低濃度領
域１９と中濃度領域２１と高濃度領域２３との三重拡散
構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタを形成する
ことができる。

【００７２】以上説明したように、本発明の第１の実施
例では、低濃度領域１９はゲート電極１７に整合した領
域に形成し、中濃度領域２１はゲート電極１７とこのゲ
ート電極１７側壁の第１の絶縁膜２５との整合した領域
に形成し、さらに高濃度領域２３はゲート電極１７とサ
イドウォール３１との整合した領域に形成している。

【００７３】したがって、絶縁膜の膜厚によって中濃度
領域２１と高濃度領域２３との不純物濃度分布を制御す
ることが可能となる。この結果、不純物濃度分布の制御
性が向上し、三重拡散構造を有するＭＯＳ型電界効果ト
ランジスタを精度よく形成することができる。

【００７４】つぎに本発明の第２の実施例における半導
体装置の構造と、この構造を形成するための製造方法を
説明する。

【００７５】まず本発明の第２の実施例における三重拡
散構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタの構造
を、図１１の断面図を用いて説明する。

【００７６】図１１に示すように、半導体基板１１の素
子分離領域に素子分離絶縁膜１３を設ける。

【００７７】さらに半導体基板１１上のゲート絶縁膜１
５を介して設けるゲート電極１７を有する。そしてこの
ゲート電極１７に整合する領域の半導体基板１１に低濃
度領域１９を設ける。

【００７８】そして中濃度領域２１は、ゲート電極１７
とこのゲート電極１７側壁の第１のサイドウォール３３
との整合する領域の半導体基板１１に設ける。

【００７９】さらにゲート電極１７の側壁部に、第１の
サイドウォール３３と第２のサイドウォール３５とから
なるサイドウォール３１を設ける。そして好ましくは、
第１のサイドウォール３３と第２のサイドウォール３５
とは、酸化シリコン膜で構成する。

【００８０】そしてこのサイドウォール３１とゲート電
極１７との整合する領域の半導体基板１１に高濃度領域
２３を設ける。

【００８１】さらに全面に層間絶縁膜３７を設け、さら
にこの層間絶縁膜３７にコンタクトホール３９を設け
る。そしてこのコンタクトホール３９を介して高濃度領
域２３と接続する配線４１を設ける。

【００８２】つぎにこの図１１の断面図に示す三重拡散
構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタの構造を形
成するための製造方法を、図７から図１１の断面図を用
いて説明する。

【００８３】まずはじめに図７に示すように、導電型が
ｐ型の半導体基板１１の素子分離領域に、耐酸化膜を酸
化防止膜として用い、この耐酸化膜を形成していない領
域の半導体基板１１に酸化シリコン膜を形成する選択酸
化処理を行うことによって、素子分離領域に素子分離絶
縁膜１３を形成する。なお、この素子分離絶縁膜１３は
７００ｎｍ程度の膜厚で形成する。

【００８４】その後、ゲート絶縁膜１５を２５ｎｍ程度
の膜厚で半導体基板１１の素子領域上に形成する。その
後、反応ガスとしてモノシランを用いる化学気相成長法
により、全面に多結晶シリコン膜からなるゲート電極材
料を形成する。なお、この多結晶シリコン膜は、４００
ｎｍ程度の膜厚で形成する。

【００８５】その後、感光性樹脂をエッチングマスクに
用いて、多結晶シリコン膜をエッチングしてゲート電極
１７を形成する。

【００８６】その後、ゲート電極１７に整合する領域の
半導体基板１１に、ｎ型の不純物としてリンを導入し
て、低濃度領域１９を形成する。この低濃度領域１９の
イオン注入量としては、１０¹³ｃｍ^{- 2} 程度の条件で行
う。

【００８７】その後、化学気相成長法により、全面に酸
化シリコン膜からなる第１の絶縁膜２５を２００ｎｍ程
度の膜厚で形成する。

【００８８】その後、異方性エッチングを行って、ゲー
ト電極１７の側壁領域に第１の絶縁膜２５からなる第１
のサイドウォール３３を形成する。

【００８９】この第１のサイドウォール３３を形成する
ための第１の絶縁膜２５の異方性エッチングは、反応性
イオンエッチング装置を用い、反応ガスとして二フッ化
メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）と
の混合ガスを使用して行う。

【００９０】つぎに図８に示すように、ゲート電極１７
と、このゲート電極１７側壁の第１のサイドウォール３
３との整合する領域の半導体基板１１に、導電型がｎ型
の不純物として砒素を導入して中濃度領域２１を形成す
る。

【００９１】この中濃度領域２１はイオン注入法によっ
て形成し、そのイオン注入量としては１０¹⁴ｃｍ^{- 2} 程
度の条件で行う。

【００９２】つぎに図９に示すように、全面に酸化シリ
コン膜からなる第２の絶縁膜２７を２００ｎｍ程度の膜
厚で形成する。この第１の絶縁膜２７は、モノシランと
酸素とを反応ガスとする化学気相成長法により形成す
る。

【００９３】つぎに図１０に示すように、異方性エッチ
ングを行って、ゲート電極１７の側壁の第１のサイドウ
ォール３３の側面に第２の絶縁膜２７からなる第２のサ
イドウォール３５を形成する。

【００９４】この結果、第１のサイドウォール３３と第
２のサイドウォール３５とからなるサイドウォール３１
をゲート電極１７の側壁領域に形成することができる。

【００９５】その後、サイドウォール３１とゲート電極
１７との整合した領域の半導体基板１１に、導電型がｎ
型の不純物として、砒素を導入して高濃度領域２３を形
成する。

【００９６】この高濃度領域２３はイオン注入法により
形成し、そのイオン注入量は１０¹⁵ｃｍ^{- 2} 程度の条件
で行う。

【００９７】つぎに図１１に示すように、全面にボロン
とリンとを含む酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜３７
を形成する。

【００９８】その後、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行
い、ソースドレイン領域に導入した低濃度領域１９と中
濃度領域２１と高濃度領域２３との不純物の活性化と、
層間絶縁膜３７の表面平坦化と、この層間絶縁膜３７の
膜質の改善とを図る。

【００９９】さらにその後、パターニングした感光性樹
脂をエッチングマスクとして用い、層間絶縁膜３７をエ
ッチングして、コンタクトホール３９を形成する。

【０１００】その後、配線材料としてシリコンと銅とを
添加したアルミニウムを、スパッタリング装置を用い
て、８００ｎｍ程度の膜厚で形成する。

【０１０１】さらにその後、パターニングした感光性樹
脂をエッチングマスクに用いて、配線材料をエッチング
して配線４１を形成する。

【０１０２】この結果、ソースドレイン領域が低濃度領
域１９と中濃度領域２１と高濃度領域２３との三重拡散
構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタを形成する
ことができる。

【０１０３】以上説明したように、本発明の第２の実施
例では、低濃度領域１９はゲート電極１７に整合した領
域に形成し、中濃度領域２１はゲート電極１７とこのゲ
ート電極１７側壁の第１のサイドウォール３３との整合
した領域に形成し、さらに高濃度領域２３はゲート電極
１７とサイドウォール３１との整合した領域に形成して
いる。

【０１０４】したがって、絶縁膜の膜厚によって中濃度
領域２１と高濃度領域２３との不純物濃度分布を制御す
ることが可能となる。この結果、不純物濃度分布の制御
性が向上し、三重拡散構造を有するＭＯＳ型電界効果ト
ランジスタを精度よく形成することができる。

【０１０５】つぎに本発明の第３の実施例における半導
体装置の構造と、この構造を形成するための製造方法を
説明する。

【０１０６】まず本発明の第３の実施例における三重拡
散構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタの構造
を、図１４の断面図を用いて説明する。

【０１０７】図１４に示すように、半導体基板１１の素
子分離領域に素子分離絶縁膜１３を設ける。

【０１０８】さらに半導体基板１１上にゲート絶縁膜１
５を介して設けるゲート電極１７を有する。そしてこの
ゲート電極１７に整合する領域の半導体基板１１に低濃
度領域１９を設ける。

【０１０９】そして中濃度領域２１は、第１の絶縁膜か
らなるサイドウォール３１とゲート電極１５との整合す
る領域の半導体基板１１に設ける。

【０１１０】そして高濃度領域２３は、ゲート電極１５
と、サイドウォール３１と、このサイドウォール３１側
壁の第２の絶縁膜２７との整合する領域の半導体基板１
１に設ける。

【０１１１】さらに、第２の絶縁膜２７と第３の絶縁膜
２９とからなる層間絶縁膜３７を設ける。

【０１１２】そしてこの層間絶縁膜３７にコンタクトホ
ール３９を設ける。そしてこのコンタクトホール３９を
介して高濃度領域２３と接続する配線４１を設ける。

【０１１３】そして好ましくは、第１の絶縁膜２５と第
２の絶縁膜２７とは、酸化シリコン膜で構成し、第３の
絶縁膜２９はボロンとリンとを添加する酸化シリコン膜
で構成する。

【０１１４】つぎに図１４の断面図に示す三重拡散構造
を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタの構造を形成す
るための製造方法を、図１２から図１４の断面図を用い
て説明する。

【０１１５】まずはじめに図１２に示すように、導電型
がｐ型の半導体基板１１の素子分離領域に、耐酸化膜を
酸化防止膜として用い、この耐酸化膜を形成していない
領域の半導体基板１１に酸化シリコン膜を形成する選択
酸化処理を行うことにより、素子分離領域に素子分離絶
縁膜１３を形成する、なお、この素子分離絶縁膜１３は
７００ｎｍ程度の膜厚で形成する。

【０１１６】その後、ゲート絶縁膜１５を２５ｎｍ程度
の膜厚で、半導体基板１１の素子領域上に形成する。そ
の後、反応ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を用いる
化学気相成長法によって、全面に多結晶シリコン膜から
なるゲート電極材料を形成する。なお、この多結晶シリ
コン膜は４００ｎｍ程度の膜厚で形成する。

【０１１７】その後、感光性樹脂をエッチングマスクに
用いて、多結晶シリコン膜をエッチングしてゲート電極
１７を形成する。

【０１１８】その後、ゲート電極１７の整合した領域の
半導体基板１１にｎ型の不純物として、リンを導入して
低濃度領域１９を形成する。この低濃度領域１９のイオ
ン注入量としては、１０¹³ｃｍ^{- 2} 程度の条件で行う。

【０１１９】その後、化学気相成長法により、全面に酸
化シリコン膜からなる第１の絶縁膜２５を２００ｎｍ程
度の膜厚で形成する。

【０１２０】その後、異方性エッチングを行って、ゲー
ト電極１７の側壁領域に第１の絶縁膜２５からなるサイ
ドウォール３１を、異方性エッチングにより形成する。

【０１２１】その後、ゲート電極１７と、このゲート電
極１７側壁のサイドウォール３１との整合する領域の半
導体基板１１に、導電型がｎ型の不純物として砒素を導
入して中濃度領域２１を形成する。

【０１２２】この中濃度領域２１はイオン注入法によっ
て形成し、そのイオン注入量としては１０¹⁴ｃｍ^{- 2} 程
度の条件で行う。

【０１２３】その後、全面に酸化シリコン膜からなる第
２の絶縁膜２７を２００ｎｍ程度の膜厚で形成する。こ
の第２の絶縁膜２７は、モノシランと酸素とを反応ガス
とする化学気相成長法により形成する。

【０１２４】この第２の絶縁膜２７は化学気相成長法に
より形成しているために、ゲート電極１７の上面と側壁
部とに形成する第２の絶縁膜２７は、ほとんど同じ膜厚
になる。

【０１２５】つぎに図１３に示すように、ゲート電極１
７と、このゲート電極１７側壁のサイドウォール３１
と、サイドウォール３１側壁の第２の絶縁膜２７との整
合する領域の半導体基板１１に、導電型がｎ型の不純物
として砒素を導入して高濃度領域２３を形成する。

【０１２６】この高濃度領域２３はイオン注入法によっ
て形成し、そのイオン注入量としては１０¹⁵ｃｍ^{- 2} 程
度の条件で行う。そして不純物の砒素が平坦部の第２の
絶縁膜２７を貫通して、半導体基板１１に導入されるイ
オン注入条件により高濃度領域２３を形成する。

【０１２７】つぎに図１４に示すように、第２の絶縁膜
２７上の全面にボロンとリンとを含む酸化シリコン膜か
らなる第３の絶縁膜２９を形成する。

【０１２８】この第３の絶縁膜２９の形成は、反応ガス
としてモノシラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2 ）とホスフ
ィン（ＰＨ3 ）とジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）とを用いる化学
気相成長法によって行う。

【０１２９】この結果、酸化シリコン膜からなる第２の
絶縁膜２７と、リンとボロンとの不純物を含む酸化シリ
コン膜からなる第３の絶縁膜２９との２層膜からなる層
間絶縁膜３７を形成する。

【０１３０】その後、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行
い、ソースドレイン領域に導入した低濃度領域１９と中
濃度領域２１と高濃度領域２３との不純物の活性化と、
層間絶縁膜３７の表面平坦化と、この層間絶縁膜３７の
膜質の改善とを図る。

【０１３１】さらにその後、パターニングした感光性樹
脂をエッチングマスクとして用い、層間絶縁膜３７をエ
ッチングして、コンタクトホール３９を形成する。

【０１３２】その後、配線材料としてシリコンと銅とを
添加したアルミニウムを、スパッタリング装置を用い
て、８００ｎｍ程度の膜厚で全面に形成する。

【０１３３】さらにその後、パターニングした感光性樹
脂をエッチングマスクに用いて、配線材料をエッチング
して配線４１を形成する。

【０１３４】この結果、ソースドレイン領域が低濃度領
域１９と中濃度領域２１と高濃度領域２３との三重拡散
構造を有するＭＯＳ型電界効果トランジスタを形成する
ことができる。

【０１３５】以上説明したように、本発明の第３の実施
例では、低濃度領域１９はゲート電極１７に整合した領
域に形成し、中濃度領域２１はゲート電極１７とこのゲ
ート電極１７側壁のサイドウォール３１との整合した領
域に形成し、さらに高濃度領域２３はゲート電極１７と
サイドウォール３１と第２の絶縁膜２７との整合した領
域の半導体基板１１に形成している。

【０１３６】したがって、絶縁膜の膜厚によって中濃度
領域２１と高濃度領域２３との不純物濃度分布を制御す
ることができる。この結果、不純物濃度分布の制御性が
向上し、三重拡散構造を有するＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタを精度よく形成することができる。

【０１３７】以上の第１から第３の実施例の説明におい
て、第１の絶縁膜２５と第２の絶縁膜２７とは酸化シリ
コン膜を適用する実施例で説明したが、酸化シリコン膜
以外にリンやボロンの不純物を含む酸化シリコン膜や窒
化シリコン膜でも適用可能である。

【０１３８】さらに第１の絶縁膜２５と第２の絶縁膜２
７とは、異なる被膜で構成してもよい。

【０１３９】さらにまた以上の実施例における説明で
は、ｎチャネルのＭＯＳ型電界効果トランジスタに三重
拡散構造を形成する実施例で説明したが、本発明はｐチ
ャネルのＭＯＳ型電界効果トランジスタにも適用可能で
ある。

【０１４０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
における三重拡散構造を有するＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタは、従来のように中濃度領域を形成するために熱
拡散処理工程を必要としない。

【０１４１】そして、第１の実施例においてはゲート電
極側壁の第１の絶縁膜の膜厚で中濃度領域の不純物濃度
分布を制御し、第２と第３の実施例においてはゲート電
極側壁の第１のサイドウォールで中濃度領域の不純物濃
度分布を制御している。このために、三重拡散構造を有
するＭＯＳ型電界効果トランジスタを制御性よく形成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図６】本発明の第１の実施例における半導体装置の構
造とこの構造を形成するための製造方法とを示す断面図
である。

【図７】本発明の第２の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図８】本発明の第２の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図９】本発明の第２の実施例における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施例における半導体装置の
製造方法を示す断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施例における半導体装置の
構造とこの構造を形成するための製造方法とを示す断面
図である。

【図１２】本発明の第３の実施例における半導体装置の
製造方法を示す断面図である。

【図１３】本発明の第３の実施例における半導体装置の
製造方法を示す断面図である。

【図１４】本発明の第３の実施例における半導体装置の
構造とこの構造を形成するための製造方法とを示す断面
図である。

【図１５】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。

【図１６】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。

【図１７】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。

【図１８】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。

【符号の説明】

１７ゲート電極１９低濃度領域２１中濃度領域２３高濃度領域２５第１の絶縁膜２７第２の絶縁膜２９第３の絶縁膜３１サイドウォール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、このゲート電極の整合
する領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート
電極とこのゲート電極側壁の第１の絶縁膜との整合する
領域に設ける第２の導電型の中濃度領域と、ゲート電極
の側壁に設ける第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とからなる
サイドウォールと、ゲート電極とサイドウォールとの整
合する領域に設ける第２の導電型の高濃度領域と、コン
タクトホールを有する層間絶縁膜と、コンタクトホール
を介して高濃度領域と接続する配線とを備えることを特
徴とする半導体装置。
【請求項２】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、ゲート電極の整合する
領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート電極
とこのゲート電極側壁の酸化シリコン膜からなる第１の
絶縁膜との整合する領域に設ける第２の導電型の中濃度
領域と、ゲート電極の側壁に設ける第１の絶縁膜と酸化
シリコン膜からなる第２の絶縁膜からなるサイドウォー
ルと、ゲート電極とサイドウォールとの整合する領域に
設ける第２の導電型の高濃度領域と、コンタクトホール
を有する層間絶縁膜と、コンタクトホールを介して高濃
度領域と接続する配線とを備えることを特徴とする半導
体装置。
【請求項３】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、ゲート電極の整合する
領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート電極
とこのゲート電極側壁の第１の絶縁膜からなる第１のサ
イドウォールとの整合する領域に設ける第２の導電型の
中濃度領域と、ゲート電極の側壁に設ける第１のサイド
ウォールと第２のサイドウォールからなるサイドウォー
ルと、ゲート電極とサイドウォールとの整合する領域に
設ける第２の導電型の高濃度領域と、コンタクトホール
を有する層間絶縁膜と、コンタクトホールを介して高濃
度領域と接続する配線とを備えることを特徴とする半導
体装置。
【請求項４】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、ゲート電極の整合する
領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート電極
とこのゲート電極側壁の酸化シリコン膜からなる第１の
サイドウォールとの整合する領域に設ける第２の導電型
の中濃度領域と、ゲート電極の側壁に設ける第１のサイ
ドウォールと酸化シリコン膜からなる第２のサイドウォ
ールとからなるサイドウォールと、ゲート電極とサイド
ウォールとの整合する領域に設ける第２の導電型の高濃
度領域と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、コ
ンタクトホールを介して高濃度領域と接続する配線とを
備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、ゲート電極の整合する
領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート電極
とこのゲート電極側壁の第１の絶縁膜からなるサイドウ
ォールとの整合する領域に設ける第２の導電型の中濃度
領域と、ゲート電極の側壁に設けるサイドウォールと第
２の絶縁膜との整合する領域に設ける第２の導電型の高
濃度領域と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、
コンタクトホールを介して高濃度領域と接続する配線と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、ゲート電極の整合する
領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート電極
とこのゲート電極側壁の第１の絶縁膜からなるサイドウ
ォールとの整合する領域に設ける第２の導電型の中濃度
領域と、ゲート電極の側壁に設けるサイドウォールと第
２の絶縁膜との整合する領域に設ける第２の導電型の高
濃度領域と、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜とからなる層
間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けるコンタクトホールを介
して高濃度領域と接続する配線とを備えることを特徴と
する半導体装置。
【請求項７】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、このゲート電極の整合
する領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート
電極とこのゲート電極側壁の酸化シリコン膜からなる第
１の絶縁膜のサイドウォールとの整合する領域に設ける
第２の導電型の中濃度領域と、ゲート電極の側壁に設け
るサイドウォールと酸化シリコン膜からなる第２の絶縁
膜との整合する領域に設ける第２の導電型の高濃度領域
と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、コンタク
トホールを介して高濃度領域と接続する配線とを備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】第１の導電型の半導体基板のゲート絶縁
膜を介して設けるゲート電極と、ゲート電極の整合する
領域に設ける第２の導電型の低濃度領域と、ゲート電極
とこのゲート電極側壁の酸化シリコン膜からなる第１の
絶縁膜のサイドウォールとの整合する領域に設ける第２
の導電型の中濃度領域と、ゲート電極の側壁に設けるサ
イドウォールと酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と
の整合する領域に設ける第２の導電型の高濃度領域と、
第２の絶縁膜と不純物を含む酸化シリコン膜からなる第
３の絶縁膜とからなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜のコン
タクトホールを介して高濃度領域と接続する配線とを備
えることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】第１の導電型の半導体基板に素子分離絶
縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を形
成し、ゲート電極の整合する領域の半導体基板に第２の
導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する工程
と、全面に第１の絶縁膜を形成し、ゲート電極とこのゲ
ート電極側壁の第１の絶縁膜との整合する領域の半導体
基板にを介して第２の導電型の不純物を導入して中濃度
領域を形成する工程と、全面に第２の絶縁膜を形成し、
異方性エッチングを行い、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜
とからなるサイドウォールをゲート電極側壁に形成し、
ゲート電極とサイドウォールとの整合する領域の半導体
基板に第２の導電型の不純物を導入して高濃度領域を形
成する工程と、層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にコン
タクトホールを形成し、配線を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、ゲート電極の整合する領域の半導体基板に第２
の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する工程
と、全面に酸化シリコン膜からなる第１の絶縁膜を形成
し、ゲート電極とこのゲート電極側壁の第１の絶縁膜と
の整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を
導入して中濃度領域を形成する工程と、全面に酸化シリ
コン膜からなる第２の絶縁膜を形成し、異方性エッチン
グを行い第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とからなるサイド
ウォールをゲート電極の側壁に形成し、ゲート電極とサ
イドウォールとの整合する領域の半導体基板に第２の導
電型の不純物を導入して高濃度領域を形成する工程と、
層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にコンタクトホールを
形成し、配線を形成する工程とを有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項１１】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、このゲート電極の整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する
工程と、全面に第１の絶縁膜を形成し、異方性エッチン
グを行い第１の絶縁膜からなる第１のサイドウォールを
ゲート電極の側壁に形成し、ゲート電極と第１のサイド
ウォールとの整合する領域の半導体基板に第２の導電型
の不純物を導入して中濃度領域を形成する工程と、全面
に第２の絶縁膜を形成し、異方性エッチングを行い第２
の絶縁膜からなる第２のサイドウォールを第１のサイド
ウォール側壁に形成して第１のサイドウォールと第２の
サイドウォールからなるサイドウォールを形成する工程
と、ゲート電極とサイドウォールとの整合する領域の半
導体基板に第２の導電型の不純物を導入して高濃度領域
を形成する工程と、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁
膜にコンタクトホールを形成し、配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、このゲート電極の整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する
工程と、全面に酸化シリコン膜からなる第１の絶縁膜を
形成し、異方性エッチングを行い第１の絶縁膜からなる
第１のサイドウォールをゲート電極の側壁に形成し、ゲ
ート電極と第１のサイドウォールとの整合する領域の半
導体基板に第２の導電型の不純物を導入して中濃度領域
を形成する工程と、全面に酸化シリコン膜からなる第２
の絶縁膜を形成し、異方性エッチングを行い第２の絶縁
膜からなる第２のサイドウォールを第１のサイドウォー
ル側壁に形成して第１のサイドウォールと第２のサイド
ウォールとからなるサイドウォールを形成する工程と、
ゲート電極とサイドウォールとの整合する領域の半導体
基板に第２の導電型の不純物を導入して高濃度領域を形
成する工程と、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜に
コンタクトホールを形成し、配線を形成する工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、このゲート電極の整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する
工程と、全面に第１の絶縁膜を形成し、異方性エッチン
グを行い第１の絶縁膜からなるサイドウォールをゲート
電極の側壁に形成し、ゲート電極とサイドウォールとの
整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導
入して中濃度領域を形成する工程と、全面に第２の絶縁
膜を形成する工程と、ゲート電極と第１のサイドウォー
ルと第１のサイドウォールの側壁の第２の絶縁膜との整
合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入
して高濃度領域を形成する工程と、層間絶縁膜を形成
し、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、配線
を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【請求項１４】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、このゲート電極の整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する
工程と、全面に第１の絶縁膜を形成し、異方性エッチン
グを行い第１の絶縁膜からなるサイドウォールをゲート
電極の側壁に形成し、ゲート電極とサイドウォールとの
整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導
入して中濃度領域を形成する工程と、全面に第２の絶縁
膜を形成する工程と、ゲート電極と第１のサイドウォー
ルと第１のサイドウォールの側壁の第２の絶縁膜との整
合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入
して高濃度領域を形成する工程と、第３の絶縁膜を形成
して第２の絶縁膜と第３の絶縁膜とからなる層間絶縁膜
を形成し、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成
し、配線を形成する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
【請求項１５】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、このゲート電極の整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する
工程と、全面に酸化シリコン膜からなる第１の絶縁膜を
形成し、異方性エッチングを行い第１の絶縁膜からなる
サイドウォールをゲート電極の側壁に形成し、ゲート電
極とサイドウォールとの整合する領域の半導体基板に第
２の導電型の不純物を導入して中濃度領域を形成する工
程と、全面に酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜を形
成する工程と、ゲート電極と第１のサイドウォールと第
１のサイドウォールの側壁の第２の絶縁膜との整合する
領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入して高
濃度領域を形成する工程と、層間絶縁膜を形成し、この
層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、配線を形成す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１６】第１の導電型の半導体基板に素子分離
絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を
形成し、このゲート電極の整合する領域の半導体基板に
第２の導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する
工程と、全面に第１の絶縁膜を形成し、異方性エッチン
グを行い第１の絶縁膜からなるサイドウォールをゲート
電極の側壁に形成し、ゲート電極とサイドウォールとの
整合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導
入して中濃度領域を形成する工程と、全面に第２の絶縁
膜を形成する工程と、ゲート電極と第１のサイドウォー
ルと第１のサイドウォールの側壁の第２の絶縁膜との整
合する領域の半導体基板に第２の導電型の不純物を導入
して高濃度領域を形成する工程と、不純物を含む酸化シ
リコン膜からなる第３の絶縁膜を形成して第２の絶縁膜
と第３の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を形成し、この層
間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、配線を形成する
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。