JPH0837276A - 半導体装置用複合リ−ドフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 インナーリードに絶縁性接着テ−プを位置ズ
レなくきっちり貼着し、またリ−ドに片寄りなどの変形
が生ぜず短絡等の不都合がない絶縁性接着テ−プ付き
の、また放熱板を設けた複合リードフレームを得る。 【構成】 半導体チップ設置領域の周りにインナーリー
ドに続いてアウターリードが形成され、前記インナーリ
ードの片面に絶縁性接着テ−プを貼着したリードフレー
ムの製造方法において、前記半導体チップ設置領域外周
に接続して形成したインナーリードから半導体チップ設
置領域を含んで絶縁性接着テ−プを貼着し、前記インナ
ーリードの先端と絶縁性接着テ−プを同時に打抜きする
複合リードフレームの製造方法にある。さらに、インナ
ーリードに枠状に抜き残し貼着した絶縁性接着テ−プを
介して放熱板が前記半導体チップ設置領域を含んで設け
られる半導体装置用複合リードフレームの製造方法であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はインナーリードの位置精
度の優れた半導体装置用複合リードフレームの製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、一般にリードフレームの
パッドに半導体チップ（以下 チップという）を接着搭
載し、チップ端子とインナーリードをボンディングワイ
ヤ−で接続し、樹脂等でインナーリード以内の部分をパ
ッケージし、当該パッケージから突出しているアウター
リードを所定形状に成形して製造される。また、前記パ
ッドに代えてリードフレームと別体に形成された半導体
チップ設置板を、絶縁性接着テ−プ等で接合したものが
ある。

【０００３】半導体装置はメモリの高集積化、ロジック
の多機能化が図られ、また小型にすることを要請されて
いる。斯かることから入出力信号ピン数は多数となり、
且つ、その間隔（ピッチ）は狭くなっている。

【０００４】一方、半導体装置は信号処理速度の高速化
を強く望まれ、高周波化した信号を処理することになり
使用時において温度が上昇する。温度が高くなると半導
体装置は機能性に悪影響を受けるので温度上昇を抑制す
る必要がある。

【０００５】半導体装置の温度上昇を抑制する技術とし
て、例えば特開昭６２−８４５４１号公報のように熱伝
導度の高い銅や銅合金からなる放熱板をパッドの下方に
設けるものがある。また、パッド部をリードフレームと
は別体の放熱板から作り、これをインナーリード部に絶
縁性接着テ−プ等を介して接合するものがある。

【０００６】リードフレームに放熱板あるいは別体のパ
ッドを接合する際には、前述のように接着テ−プや接着
剤が用いられるが、作業性や生産性の点から接着テ−プ
が多用される傾向にある。

【０００７】前記接着テ−プは両面接着タイプで、リー
ドパターンが完成されたリードフレームのインナーリー
ド部に、当該インナーリード先端から後端を被うように
枠状に打抜かれて貼着される。その後、該接着テ−プを
介して放熱板を接合している。

【０００８】

【この発明が解決しようとする課題】前記インナーリー
ドへの接着テ−プの貼着では、リードフレームや接着テ
−プの送りムラ、カット刃物の切れ味変動等から、位置
ズレが生じ、例えば一方側はインナーリード先端より接
着テ−プが出て、対向側は接着テ−プが引っ込むことが
ある。また、インナーリードの先端が片寄り状態で接着
されることがあり、酷いときには短絡する。さらに前記
位置ズレでは前述のように接着テ−プがインナーリード
先端より出るから、半導体チップ搭載平面広さが狭ま
り、可及的に大きなチップを搭載したい要求に適切に対
応できない。

【０００９】本発明は、インナーリードに絶縁性接着テ
−プを位置ズレなくきっちり貼着し、半導体チップ搭載
平面広さを狭めず、またインナーリードに片寄りなどの
変形が生ぜず短絡等の不都合がない絶縁性接着テ−プ付
き複合リードフレームを得ることを目的とする。さら
に、絶縁性接着テ−プの他面に放熱板あるいはパッドを
兼ねた放熱板を寸法精度よく設けた複合リードフレーム
を得ることを他の目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
チップ設置領域の周りにインナーリードに続いてアウタ
ーリードが形成され、前記インナーリードの片面に絶縁
性接着テ−プを貼着したリードフレームの製造方法にお
いて、半導体チップ設置領域外周に接続して形成した前
記インナーリードから半導体チップ設置領域を含む片面
に絶縁性接着テ−プを貼着し、インナーリードの先端と
絶縁性接着テ−プを同時に打抜き、半導体チップ設置領
域を空所にする半導体装置用複合リードフレームの製造
方法にある。他の要旨は、前記インナーリードに貼着し
た絶縁性接着テ−プを介して放熱板が半導体チップ設置
領域を含んで設けられる半導体装置用複合リードフレー
ムの製造方法にある。

【００１１】

【作用】本発明は、半導体チップ搭載領域外周に接続し
てインナーリードを形成し、該インナーリードから半導
体チップ搭載領域を含んで片面に絶縁性接着テ−プを貼
着して、リードの位置及びピッチを所望状態にてインナ
ーリードを固定し、その後、インナーリード先端を絶縁
性接着テ−プと同時に打抜きするので、両者はともに直
載的に抜かれ位置ズレやリ−ドの短絡は生ぜず寸法精度
がすぐれる。また前記接着テ−プがインナーリード先端
より出ることがないので半導体チップ搭載平面広さが狭
まらず、限度ギリギリまで活用でき大きなサイズのチッ
プを搭載できる。

【００１２】

【実施例】次に本発明について１実施例に基づき図面を
参照して詳細に説明する。図面において、１は半導体チ
ップ設置領域で、その外周に接続してインナーリード２
が形成されている。３は前記インナーリード２に続けて
形成されたアウターリード、４はダムバ−である。これ
らのリードパターンはプレス法あるいはエッチング法の
いずれでも形成できる。

【００１３】５は前記インナーリード２の先端部の幅を
拡げたコイニング箇所である。コイニングによりインナ
ーリード２は微小ではあるが伸びるので、その変位を吸
収するように図２に示す如く半導体チップ設置領域１の
周縁になる部分とインナーリード２の先端接続部１０間
に抜き孔６を形成してコイニングするとよい。

【００１４】７はサイドレ−ルでガイドホ−ル８が抜か
れている。

【００１５】９は絶縁性接着テ−プで、前記インナーリ
ード２と半導体チップ設置領域１の片面を被って貼着さ
れる。この際、インナーリード２の先端は半導体チップ
設置領域１の外周に、あるいは前記図２のように抜き孔
６を設けたものでは先端接続部１０に接続されているの
で、ねじれや片寄りなど変位することがない。

【００１６】リードフレーム１１の半導体チップ設置領
域１に、チップを設置し半導体装置として機能させるに
は、インナーリード２同士は接続せずにそれぞれ電気的
に独立して、チップとボンディングワイヤ−等で接続す
る必要がある。また、半導体装置は前述のように信号処
理の高速化により温度が高まるので、放熱し温度上昇を
抑制する必要がある。

【００１７】そこで、インナーリード２先端と半導体チ
ップ設置領域１の切り離し、及び貼着している絶縁性接
着テ−プ９の切断を同時に行う。これより図３に示すよ
うにインナーリード２は先端が形成され、半導体チップ
設置領域１は抜き落とされ空所となる。また、絶縁性接
着テ−プ９はインナーリード２先端の並びと同一に切ら
れ、インナーリード２との間で位置ズレがなく、前記空
所になった半導体チップ設置領域１に絶縁性接着テ−プ
９のはみ出しがない。

【００１８】而して、インナーリード２は位置精度がす
ぐれ、絶縁性接着テ−プ９との位置ズレのない複合半導
体装置用リードフレームが得られる。

【００１９】また、図４に示すように前記インナーリー
ド２に貼着した絶縁性接着テ−プ９を介して空所の半導
体チップ設置領域１を含んで放熱板１２が接合される。
該放熱板１２は半導体チップ設置板としても機能する。
このようにして放熱板１２を接合した位置精度のすぐれ
た複合リードフレームが得られる。

【００２０】

【発明の効果】本発明は前述のようであるから、インナ
ーリードは位置ズレや変位がなくて寸法精度がすぐれ、
もとより短絡することのない絶縁性接着テ−プを貼着し
た複合リードフレームが製造される。また、絶縁性接着
テ−プとインナーリードは互いに位置ズレせず、半導体
チップ設置領域が最大限広く使用できる等の効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例におけるリードフレームを示
す図。

【図２】本発明の１実施例において変わったリードフレ
ームを示す図。

【図３】本発明の１実施例におけるリードフレームの側
断面図。

【図４】本発明の他の実施例におけるリードフレームの
側断面図。

【符号の説明】

１ 半導体チップ設置領域 ２ インナーリード ３ アウターリード ４ ダムバ− ５ コイニング箇所 ６ 抜き孔 ７ サイドレ−ル ８ ガイドホ−ル ９ 絶縁性接着テ−プ １０ 先端接続部 １１ リードフレーム １２放熱板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップ設置領域の周りにインナー
   リードに続いてアウターリードが形成され、前記インナ
   ーリードの片面に絶縁性接着テ−プを貼着したリードフ
   レームの製造方法において、前記半導体チップ設置領域
   外周に接続して形成したインナーリードから半導体チッ
   プ設置領域を含む片面に絶縁性接着テ−プを貼着し、前
   記インナーリードの先端と絶縁性接着テ−プを同時に打
   抜き、半導体チップ設置領域を空所としていることを特
   徴とする半導体装置用複合リードフレームの製造方法。
2. 【請求項２】 半導体チップ設置領域の周りに形成され
   たインナーリードに続いてアウターリードが形成され、
   前記インナーリードの片面に絶縁性接着テ−プを貼着し
   たリードフレームの製造方法において、前記半導体チッ
   プ設置領域外周に接続して形成したインナーリードから
   半導体チップ設置領域を含む片面に絶縁性接着テ−プを
   貼着し、前記インナーリードの先端と絶縁性接着テ−プ
   を同時に打抜き、半導体チップ設置領域を空所にし、イ
   ンナーリードに枠状に抜き残した絶縁性接着テ−プを介
   して放熱板が前記半導体チップ設置領域を含んで設けら
   れることを特徴とする半導体装置用複合リードフレーム
   の製造方法。