JPH08340021A - 電子部品および電子部品モジュール - Google Patents

電子部品および電子部品モジュール

Info

Publication number
JPH08340021A
JPH08340021A JP7144350A JP14435095A JPH08340021A JP H08340021 A JPH08340021 A JP H08340021A JP 7144350 A JP7144350 A JP 7144350A JP 14435095 A JP14435095 A JP 14435095A JP H08340021 A JPH08340021 A JP H08340021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
electrode
wiring film
semiconductor
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7144350A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3688755B2 (ja
Inventor
Masami Echigoya
正見 越後谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Akita Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14435095A priority Critical patent/JP3688755B2/ja
Publication of JPH08340021A publication Critical patent/JPH08340021A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3688755B2 publication Critical patent/JP3688755B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 三次元実装が達成できる電子部品の提供。 【構成】 電極を有する半導体部品と、前記電極に電極
を介して接続され前記半導体部品の上下面に亘って延在
する可撓性の配線フィルムと、前記半導体部品の上下面
側の配線フィルム部分の露出面に設けられた電極とを有
する。前記半導体部品の上下面側の配線フィルム部分の
露出面には接着剤が設けられている。前記半導体部品は
予備電極列の所定電極をチップ選択電極としたメモリ集
積回路となっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品および電子部品
モジュール、特に重ねて実装できる電子部品および半導
体部品(半導体チップ,半導体装置)を積層した構造の
電子部品モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】LSI等のICの実装では、ICの実装
数の増加に伴って二次元的に実装面積が増大する。実装
ボードを複数枚重ねるようにして使用することによって
初めて三次元的になる。ICメモリ(メモリ集積回路)
では、記憶容量増大および実装密度向上のために、半導
体装置を重ねて実装している。
【0003】たとえば、日経BP社発行「日経マイクロ
デバイス」1989年12月号、同年12月1日発行、P48に
は、TAB構造の半導体装置(SRAM)を4個重ね、
チップ選択端子以外の各共通端子をアウターリード部分
で4本ずつ重ねて接続したモジュールが記載されてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ICを配線基板(ボー
ド)に実装する場合、1個部品が増加する毎に部品の占
める面積の2倍以上の実装面積を必要とする。
【0005】また、従来のメモリICでは、前記文献に
も記載されているが、三次元実装を行っているが、ロジ
ックIC等他のICでは、共通ピンが殆どないため、複
数の半導体装置を単純に重ね合わせる手段は採用できな
い。
【0006】本発明の目的は、三次元実装が達成できる
電子部品および電子部品モジュールを提供することにあ
る。
【0007】本発明の他の目的は、メモリIC以外の他
のICの三次元実装が可能な電子部品および電子部品モ
ジュールを提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0010】(1)電極を有する半導体部品と、前記電
極に電極を介して接続され前記半導体部品の上下面に亘
って延在する可撓性の配線フィルムと、前記半導体部品
の上下面側の配線フィルム部分の露出面に設けられた電
極とを有する。前記半導体部品の下面側の配線フィルム
部分の露出面には接着剤が設けられている。前記半導体
部品は予備電極位置の所定位置にチップ選択電極を有す
るメモリ集積回路となっている。
【0011】(2)電極を有する半導体部品と、前記電
極に電極を介して接続され前記半導体部品の上下面に亘
って延在する可撓性の配線フィルムと、前記半導体部品
の上下面側の配線フィルム部分の露出面に設けられた電
極とを有する電子部品を、相互に電極を介して多段に積
み重ねて接続した構造となっている。前記各電子部品は
チップ選択電極が相互に電気的に独立したメモリ集積回
路となっている。
【0012】(3)前記(2)の手段にあって、一部の
段において複数の電子部品が並んで取り付けられてい
る。
【0013】(4)積層状態の複数の半導体部品と、前
記各半導体部品の電極と電極を介して電気的に接続され
る可撓性の配線フィルムとを有し、前記配線フィルムは
前記最下段の半導体部品の下面側に延在し下面に電極を
有する。前記配線フィルムは積層された複数の半導体部
品を包んで構造となっている。
【0014】(5)前記手段(4)の構成において、前
記配線フィルムは一定長さで交互に折り返えされ、前記
折り返しによって形成された下層および上層の配線フィ
ルム部分間に半導体部品が挟まれている構造となってい
る。
【0015】
【作用】前記(1)の手段によれば、(a)メモリIC
を構成する半導体部品は可撓性の配線フィルムに実装さ
れ、かつ半導体部品の上下面側の配線フィルム部分には
露出した電極が設けられていることから、順次積み重ね
て実装することができ、三次元実装に適した電子部品と
なる。また、メモリIC以外のロジックIC等他のIC
を組み込んだ三次元実装も可能な電子部品となる。
【0016】(b)の手段によれば、前記半導体部品の
下面側の配線フィルム部分の露出面には接着剤が設けら
れているため、電子部品を実装したり順次積み重ねる際
固定が容易となる。
【0017】(c)前記半導体部品は予備電極位置の所
定位置にチップ選択電極を有するメモリ集積回路となっ
ていることから、チップ選択電極の位置が異なる複数の
電子部品を選択して重ねて実装することができ、複数の
電子部品を積み重ねてモジュール化を図った場合、実装
面積を増大させることなくメモリ容量を増大させること
ができる。
【0018】前記(2)の手段によれば、(a)上下面
側に電極を有する電子部品を、相互に電極を介して多段
に積み重ねて接続した構造となっていることから、電子
部品モジュールの三次元実装化が図れるとともに、実装
面積の低減が図れる。
【0019】(b)前記各電子部品はチップ選択電極が
相互に電気的に独立したメモリ集積回路となっているこ
とから、電子部品モジュールの実装面積を増大させるこ
となくメモリ容量の増大を図ることができる。
【0020】(c)配線フィルムの配線パターンを一般
の配線ボードのようにすることによって、メモリIC以
外のロジックIC等他のICを組み込んだ電子部品モジ
ュールともなる。
【0021】前記(3)の手段によれば、(a)電子部
品の大きさが異なるものも組み込むことができモジュー
ル化が容易となる。
【0022】(b)配線フィルムの配線パターンを一般
の配線ボードのようにすることによって、メモリIC以
外のロジックIC等他のICを組み込んだ電子部品モジ
ュールともなる。
【0023】前記(4)の手段によれば、(a)複数の
半導体部品が積層状態となっていることから、実装面積
を低減できる電子部品モジュールとなる。
【0024】(b)前記配線フィルムは積層された複数
の半導体部品を包んだ構造となり、製造が容易となる。
【0025】(c)配線フィルムの配線パターンを一般
の配線ボードのようにすることによって、メモリIC以
外のロジックIC等他のICを組み込んだ電子部品モジ
ュールともなる。
【0026】前記(5)の手段によれば、(a)前記配
線フィルムは一定長さで交互に折り返えされ、前記折り
返しによって形成された下層および上層の配線フィルム
部分間に半導体部品が挟まれる構造となっていることか
ら、製造が容易となる。
【0027】(b)配線フィルムの配線パターンを一般
の配線ボードのようにすることによって、メモリIC以
外のロジックIC等他のICを組み込んだ電子部品モジ
ュールともなる。
【0028】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【0029】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【0030】(実施例1)図1は本発明の一実施例(実
施例1)である電子部品の断面図、図2は同じく斜視
図、図3は同じく電子部品に組み込まれる半導体チップ
の平面図、図4は同じく電子部品の製造で使用する配線
フィルムの平面図、図5は同じく配線フィルムの底面
図、図6は本実施例1の配線フィルムの製造において複
数のフィルムを積み重ねる状態を示す断面図、図7は本
実施例1の配線フィルムの構造を示す断面図、図8は本
実施例1による電子部品モジュールを示す斜視図、図9
は電子部品と電子部品モジュールを実装した状態を示す
模式的斜視図である。
【0031】本実施例1の電子部品1は、図1に示すよ
うに、半導体部品である半導体チップ2を配線フィルム
3で包み、接着剤14,15で一体化した構造となって
いる。半導体チップ2は、下面に電極4を有し、配線フ
ィルム3の内面側に設けられた電極17と電気的に接続
されている。
【0032】また、半導体チップ2の下面側の配線フィ
ルム3部分には、露出する電極21が複数設けられてい
る。これらの電極21は、電子部品1を実装する際に使
用される。また、半導体チップ2の下面側の配線フィル
ム3部分には、接着剤24が塗布されている。この接着
剤24は電子部品1を実装する際の接着剤として使用さ
れる。
【0033】半導体チップ2の上面側の配線フィルム3
部分の上面(露出面)には、電極23が複数設けられて
いる。これら電極23は、電子部品1に重ねられる同一
構造の電子部品の実装用の電極となる。
【0034】本実施例1の電子部品1は、メモリ集積回
路からなる半導体チップ2を組み込んだ構造となってい
る。そして、チップ選択電極は、たとえば、並んだ4個
の予備電極位置の所定位置に位置するチップ選択電極を
有する構造となっている。
【0035】また、本実施例1では、4個の電子部品1
を積み重ねて、図8に示されるような電子部品モジュー
ル40とされる。この場合、各電子部品1におけるチッ
プ選択電極は、相互に独立している。すなわち、これ
は、後述するが、4個の電子部品1において、それぞれ
組み込まれる半導体チップ2のチップ選択電極の位置が
それぞれ異なる位置にある。
【0036】以下、本実施例1の電子部品の構造を、電
子部品の製造および配線フィルム3の製造方法をも参照
しながら説明する。
【0037】配線フィルム3は、展開状態では図4に示
すようになり、裏面は図5に示すようになっている。
【0038】前記配線フィルム3に包み込まれる半導体
チップ2は、特に限定はされないが、図3に示すように
正方形となり、主面(表面)の縁に沿って電極4を有し
ている。
【0039】この半導体チップ2は、たとえば、メモリ
集積回路を構成し、チップ選択電極4aを有している。
前記電極4のうちの一つがチップ選択電極4aとなる。
本実施例1では、たとえば、チップ選択電極の配置位置
が異なる半導体チップ2が4種類用意される。図3の半
導体チップ2において、並んだ4箇所が予備電極位置5
a〜5dとなり、予備電極位置5aにチップ選択電極4
aが設けられている。残りの予備電極位置5b,5c,
5dには電極が設けられていない。
【0040】図示はしないが、残りの3種類の半導体チ
ップ2は、予備電極位置5b,5c,5dにそれぞれチ
ップ選択電極が設けられた構造となる。これは、本実施
例1の場合は、電子部品1を4個積み重ねることを意図
としている。したがって、さらに多くの電子部品1を積
み重ねる場合には、その数以上の予備電極位置を有する
複数種類の半導体チップ2を使用する。
【0041】配線フィルム3は、図4および図5に示す
ように、半導体チップ2の主面に対面する四角形部10
と、四角形部10の各辺に連なる略三角形状となる三角
形部11とからなり、図4に示す四角形部10の表面部
12に半導体チップ2を載置し、各三角形部11を内側
に折り返すことによって、図2に示すように半導体チッ
プ2の側面と裏面を完全に覆うようになる。
【0042】また、前記表面部12および三角形部11
の表面部13には、接着剤14,15が設けられ、四角
形部10の表面部12および三角形部11の表面部13
と、半導体チップ2との接着を図るようになっている。
【0043】配線フィルム3の表面部12には電極17
が設けられている。この電極17は前記半導体チップ2
の電極4に対応している。
【0044】図5に示される配線フィルム3の裏面にお
いて、四角形部10の裏面部20には電子部品1の実装
用の電極21が設けられ、三角形部11の裏面部22に
は積まれる電子部品1を接続するための電極23が設け
られている。また、裏面部20には電子部品1を実装す
るための接着剤24が設けられている。
【0045】一方、配線フィルム3は、特に限定はされ
ないが、図7に示すように、絶縁性の第1フィルム30
と、この第1フィルム30に張り合わされる絶縁性の第
2フィルム31と、前記第1フィルム30と第2フィル
ム31との間に延在する配線32と、前記配線32に電
気的に接続されて配線フィルム3の表面および裏面に露
出する電極17,21,23とからなっている。なお、
図7においては、接着剤は省略してある。
【0046】配線フィルム3の製造においては、最初に
2枚の絶縁性フィルムが用意される。この絶縁性フィル
ムは、たとえば、厚さ0.1mm程度のポリイミドフィ
ルムからなり、図6に示すように、第1フィルム30お
よび第2フィルム31とされる。これらの第1・第2フ
ィルム30,31は、パンチングによってスルーホール
33が開けられる。最終的には前記スルーホール33が
設けられた部分に前記電極17,21,23が設けられ
る。
【0047】つぎに、前記第1フィルム30上には配線
を形成するため、たとえば、Alが蒸着で形成され、エ
ッチングによってパターニングされる。
【0048】つぎに、前記第1フィルム30と第2フィ
ルム31は重ね合わされて熱圧着等によって積層され
る。
【0049】つぎに、配線フィルム3の表裏面のスルー
ホール33部分に、ハンダ等からなる電極17,21,
23が形成される(図7参照)。また、配線フィルム3
の表裏面の所定箇所に接着剤14,15,24が形成さ
れ、図4および図5に示される配線フィルム3が形成さ
れる。
【0050】このような配線フィルム3を用いて本実施
例1の電子部品1を製造する場合は、図4に示す配線フ
ィルム3の四角形部10の表面部12上に、半導体チッ
プ2をフェイスダウンボンディングによって位置決め
し、接着剤14で接着する。この際、半導体チップ2の
電極4と表面部12の電極17は相互に重なる。
【0051】つぎに、四角形部10の4辺に連なる三角
形部11を折り返し、接着剤15によって電子部品1の
裏面に接着する。その後、加熱処理が施される。これに
よって、ハンダからなる各電極は相互に接着され、図1
および図2に示す電子部品1が製造される。
【0052】本実施例1の電子部品1は、図9に示され
るように、配線ボード35に実装される。この実装の
際、電子部品1の下面の接着剤24によって電子部品1
を配線ボード35に固定し、リフローによって、電子部
品1の下面の電極21を配線ボード35の図示しない電
極に接続して実装を終了する。
【0053】図8は本実施例1の電子部品モジュール4
0を示すものである。この電子部品モジュール40は、
配線フィルム3によって半導体チップ2を包んだ状態に
おいて、半導体チップ2のチップ選択電極の位置がそれ
ぞれ異なる4種類の電子部品1を順次位置決めして重
ね、その後リフローして各電極を一時的に溶かして各電
極の接合を図った末に製造されたものである。すなわ
ち、図示はしないが、最下段から上段に向かう各電子部
品1のチップ選択電極は、4a〜4dと順次変わる。こ
れによって、実装面積を単一の電子部品1の実装面積と
したままで、メモリ容量を4倍にすることができる。
【0054】図9に配線ボード35に電子部品モジュー
ル40を実装した状態を示してある。また、図9におい
て、電子部品1および電子部品モジュール40の上面の
電極は省略してある。
【0055】なお、前記接着剤としては、たとえば、エ
ポキシ樹脂系接着材を使用しているが、一定温度で溶融
するフィルムを使用してもよい。また、電子部品1の下
面の接着剤は設けず、実装時に用意するようにしても良
い。
【0056】また、電極としてハンダバンプを使用しな
いで、異方性導電膜を使用してもよい。
【0057】前記電子部品1において、半導体チップ2
が外気と接触しないように、配線フィルム3の切れ目を
接着剤で覆うようにしても良い。
【0058】前記電子部品1において信頼性向上のため
に複数枚のフィルムで多重に包み込む構造としても良
い。
【0059】前記配線フィルム3において、配線32を
多層構造としても良い。この場合、配線の引回し余裕度
が向上する。
【0060】本実施例1の電子部品において、半導体チ
ップとしてロジックIC等他のICを組み込んでもよ
い。この場合、配線フィルム3の配線パターンは通常の
平坦な配線基板の構造と同様な配線となる。このため、
一部の電子部品1においては、電子部品1の上下面の電
極に連なる配線は、電子部品1の上下面の電子部品の電
極に接続されるもの、または上下面側の電子部品の一方
の電極に接続されるもの等の配線構造となる。
【0061】本実施例1の電子部品においては、以下の
効果を奏する。
【0062】(1)メモリICを構成する半導体部品で
ある半導体チップ2は可撓性の配線フィルム3に実装さ
れ、かつ半導体チップ2の上下面側の配線フィルム3部
分には露出した電極23,21が設けられていることか
ら、順次積み重ねて実装することができ、三次元実装に
適したものとなる。
【0063】(2)前記半導体チップ2の下面側の配線
フィルム3部分の露出面には接着剤24が設けられてい
るため、電子部品1を実装したり順次積み重ねる際固定
が容易となる。
【0064】(3)前記半導体チップ2は予備電極位置
の所定位置にチップ選択電極を有するメモリ集積回路と
なっていることから、チップ選択電極の位置が異なる複
数の電子部品1を選択して重ねて実装することができ、
複数の電子部品1を積み重ねてモジュール化を図った場
合、実装面積を増大させることなくメモリ容量を増大さ
せることができる。
【0065】(4)配線フィルム3の配線パターンを選
択すれば、メモリIC以外のロジックIC等他のICを
組み込んだ電子部品モジュール製造用の電子部品とな
る。
【0066】本実施例1の電子部品モジュールにおいて
は、以下の効果を奏する。
【0067】(1)上下面側に電極23,21を有する
電子部品1を、相互に電極23,11を介して多段に積
み重ねて接続した構造となっていることから、三次元実
装化が図れるとともに、実装面積の低減が図れる。
【0068】(2)前記各電子部品1はチップ選択電極
が相互に電気的に独立したメモリ集積回路となっている
ことから、実装面積を増大させることなくメモリ容量の
増大を図ることができる。
【0069】(3)配線フィルム3の配線パターンを選
択すれば、メモリIC以外のロジックIC等他のICを
組み込んだ電子部品モジュールも提供できる。
【0070】(実施例2)図10は本発明の他の実施例
(実施例2)である電子部品の断面図、図11は同じく
斜視図である。
【0071】本実施例2の電子部品1は、半導体部品と
してリード(電極)50がJ−ベント型となる半導体装
置51を配線フィルム3で包む構造となっている。した
がって、前記実施例1と同様な効果が得られる。
【0072】また、本実施例2の電子部品1の場合に
は、半導体装置51のパッケージ52内に図示しない半
導体チップが封止されているため、半導体チップの耐湿
性が高い。したがって、図11に示すように、半導体装
置51を包む配線フィルム3は、半導体装置51のパッ
ケージ52の隅部が露出しても問題がない。本実施例2
の構造では、配線フィルム3による包み込みの余裕度が
高くなり、配線フィルム3による封止作業が容易になる
効果がある。
【0073】本実施例2の他の構成としては、前記半導
体装置としては、リードが真っ直ぐ下方に延在するバッ
トリード型半導体装置やBGA(ball grid array)を組
み込んでも同様の効果を得ることができる。
【0074】(実施例3)図12は本発明の他の実施例
(実施例3)である電子部品モジュールを示す斜視図、
図13は電子部品モジュールの配線接続状態を示す模式
図である。
【0075】本実施例3の電子部品モジュール55は4
段に本実施例1による電子部品1を積み重ねた構造で、
電子部品モジュール55の下面には実装用の電極が設け
られている。この実施例の場合は、一部の段において複
数、たとえば、2個の電子部品1を並べて実装し、電子
部品モジュールとしてさらに多機能化を図ったものであ
る。図12において、最上段の電子部品1の上の面の電
極は省略してある。
【0076】図13は、配線32と配線32に設けられ
た電極17,21,23と、半導体チップ2と半導体チ
ップ2に設けられた電極4を示した模式図であり、配線
フィルム3の絶縁性フィルムは省略してある。また、図
面を明瞭にするために配線32は二点鎖線で描き、かつ
配線32に設けられた電極17,21,23と、半導体
チップ2の電極4との間は隙間をもたせてある。また、
一部の配線32は、配線フィルム3が配線構造となるた
め、上と下の半導体チップ2の電極を接続するための配
線ともなっている。
【0077】本実施例3の電子部品モジュール55は、
電子部品1の大きさが異なるものも組み込むことができ
モジュール化が容易となる。また、メモリIC以外のロ
ジックIC等他のICをも組み込むことができる。
【0078】(実施例4)図14は本発明の他の実施例
(実施例4)である電子部品モジュールを示す斜視図、
図15は電子部品モジュールの配線接続状態を示す一部
の断面図である。本実施例4および次の本実施例5は、
積層状態の複数の半導体部品(半導体装置や半導体チッ
プ)と、前記各半導体部品の電極と電極を介して電気的
に接続される可撓性の配線フィルムとを有し、前記配線
フィルムは前記最下段の半導体部品の下面側に延在し下
面に電極を有する構造となっている。
【0079】本実施例4の電子部品モジュール60は、
図15に示すように、積み重ねられた複数の半導体装置
51(J−ベント型)を配線フィルム3で包む構造とな
っている。したがって、配線32との電気的接続は、半
導体装置51のパッケージ52の側面に突出するリード
50に配線32に接続される電極17を電気的に接続さ
せる構造となっている。したがって、配線フィルム3の
配線パターンを一般のマザーボードのように形成するこ
とによって、メモリIC以外のロジックIC等他のIC
の組み込みも達成できる。
【0080】本実施例4の電子部品モジュール60は、
複数の半導体装置51が積層状態となっていることか
ら、実装面積を低減できる電子部品モジュールとなる。
【0081】また、配線フィルム3は積層された複数の
半導体装置51を包んだ構造となり、製造が容易とな
る。
【0082】(実施例5)図16は本発明の他の実施例
(実施例5)である電子部品モジュールを示す模式図、
図17は電子部品モジュールの配線接続状態を示す一部
断面図である。
【0083】本実施例5の電子部品モジュール65は、
一定長さで交互に折り返えされた配線フィルム3の間に
半導体チップ2を挟む構造となっている。すなわち、配
線フィルム3を一定長さで交互に折り返えし、折り返し
によって形成された下層および上層の配線フィルム部分
間に半導体チップ2を挟み、半導体チップ2の電極4と
配線フィルム3の電極17とを電気的に接続した構造と
なっている。
【0084】図17は、半導体チップ2と半導体チップ
2に設けられた電極4と、配線32と配線32に設けら
れた電極17,21を示した模式図であり、配線フィル
ム3の絶縁性フィルムは省略してある。また、図面を明
瞭にするために配線32は二点鎖線で描き、かつ配線3
2に設けられた電極17,21と、半導体チップ2の電
極4との間は隙間をもたせてある。また、一部の配線3
2は、配線フィルム3が配線構造となるため、上と下の
半導体チップ2の電極を接続するための配線ともなって
いる。
【0085】本実施例5の電子部品モジュール65は、
半導体チップ2を配線フィルム3を一定長さで交互に折
り返えし、折り返しによって形成された下層および上層
の配線フィルム部分間に挟む構造となっていることか
ら、製造が容易となる。
【0086】本実施例5においては、半導体チップ2の
代わりにバットリード型半導体装置を折り返しによって
形成された下層および上層の配線フィルム部分間に挟む
構造としても前記実施例同様な効果が得られる。
【0087】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0088】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0089】(1)メモリICを構成する半導体部品は
可撓性の配線フィルムに実装され、かつ半導体部品の上
下面側の配線フィルム部分には露出した電極が設けられ
ていることから、順次積み重ねて実装することができ、
三次元実装に適した電子部品となる。
【0090】(2)また、メモリIC以外のロジックI
C等他のICを組み込んだ三次元実装も可能な電子部品
となる。
【0091】(3)前記半導体部品の下面側の配線フィ
ルム部分の露出面には接着剤が設けられているため、電
子部品を実装したり順次積み重ねる際固定が容易とな
る。
【0092】(4)前記半導体部品は予備電極位置の所
定位置にチップ選択電極を有するメモリ集積回路となっ
ていることから、チップ選択電極の位置が異なる複数の
電子部品を選択して重ねて実装することができ、複数の
電子部品を積み重ねてモジュール化を図った場合、実装
面積を増大させることなくメモリ容量を増大させること
ができる。
【0093】(5)上下面側に電極を有する電子部品
を、相互に電極を介して多段に積み重ねて接続した構造
となっていることから、電子部品モジュールの三次元実
装化が図れるとともに、実装面積の低減が図れる。ま
た、配線フィルムの配線パターンをの選択によって、メ
モリIC以外のロジックIC等他のICの組み込みも達
成できる。
【0094】(6)前記各電子部品はチップ選択電極が
相互に電気的に独立したメモリ集積回路となっているこ
とから、電子部品モジュールの実装面積を増大させるこ
となくメモリ容量の増大を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例(実施例1)である電子部品
の断面図である。
【図2】本実施例1の電子部品の斜視図である。
【図3】本実施例1の電子部品に組み込まれる半導体チ
ップを示す平面図である。
【図4】本実施例1の電子部品の製造で使用する配線フ
ィルムの平面図である。
【図5】本実施例1の電子部品の製造で使用する配線フ
ィルムの底面図である。
【図6】本実施例1の配線フィルムの製造において複数
のフィルムを積み重ねる状態を示す断面図である。
【図7】本実施例1の配線フィルムの構造を示す断面図
である。
【図8】本実施例1による電子部品モジュールを示す斜
視図である。
【図9】本実施例1の電子部品と電子部品モジュールを
実装した状態を示す模式的斜視図である。
【図10】本発明の他の実施例(実施例2)である電子
部品の断面図である。
【図11】本実施例2の電子部品の斜視図である。
【図12】本発明の他の実施例(実施例3)である電子
部品モジュールを示す斜視図である。
【図13】本実施例3の電子部品モジュールの配線接続
状態を示す模式図である。
【図14】本発明の他の実施例(実施例4)である電子
部品モジュールを示す斜視図である。
【図15】本実施例4の電子部品モジュールの配線接続
状態を示す一部の断面図である。
【図16】本発明の他の実施例(実施例5)である電子
部品モジュールを示す模式図である。
【図17】本実施例5である電子部品モジュールの配線
接続状態を示す一部断面図である。
【符号の説明】
1…電子部品、2…半導体チップ、2a…チップ選択電
極、3…配線フィルム、4a…チップ選択電極、5a〜
5d…予備電極位置、10…四角形部、11…三角形
部、12,13…表面部、14,15…接着剤、17…
電極、20…裏面部、21…電極、22…裏面部、23
…電極、24…接着剤、30…第1フィルム、31…第
2フィルム、32…配線、33…スルーホール、35…
配線ボード、40…電子部品モジュール、50…リー
ド、51…半導体装置、52…パッケージ、55,6
0,65…電子部品モジュール。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電極を有する半導体部品と、前記電極に
    電極を介して接続され前記半導体部品の上下面に亘って
    延在する可撓性の配線フィルムと、前記半導体部品の上
    下面側の配線フィルム部分の露出面に設けられた電極と
    を有することを特徴とする電子部品。
  2. 【請求項2】 前記半導体部品の下面側の配線フィルム
    部分の露出面には接着剤が設けられていることを特徴と
    する請求項1記載の電子部品。
  3. 【請求項3】 前記半導体部品は予備電極位置の所定位
    置にチップ選択電極を有するメモリ集積回路となってい
    ることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
  4. 【請求項4】 電極を有する半導体部品と、前記電極に
    電極を介して接続され前記半導体部品の上下面に亘って
    延在する可撓性の配線フィルムと、前記半導体部品の上
    下面側の配線フィルム部分の露出面に設けられた電極と
    を有する電子部品を、相互に電極を介して多段に積み重
    ねて接続してなることを特徴とする電子部品モジュー
    ル。
  5. 【請求項5】 前記各電子部品はチップ選択電極が相互
    に電気的に独立したメモリ集積回路となっていることを
    特徴とする請求項4記載の電子部品モジュール。
  6. 【請求項6】 一部の段において複数の電子部品が並ん
    で取り付けられていることを特徴とする請求項4記載の
    電子部品モジュール。
  7. 【請求項7】 積層状態の複数の半導体部品と、前記各
    半導体部品の電極と電極を介して電気的に接続される可
    撓性の配線フィルムとを有し、前記配線フィルムは前記
    最下段の半導体部品の下面側に延在し下面に電極を有す
    ることを特徴とする電子部品モジュール。
  8. 【請求項8】 前記配線フィルムは積層された複数の半
    導体部品を包んでいることを特徴とする請求項7記載の
    電子部品モジュール。
  9. 【請求項9】 前記配線フィルムは一定長さで交互に折
    り返えされ、前記折り返しによって形成された下層およ
    び上層の配線フィルム部分間に半導体部品が挟まれてい
    ることを特徴とする請求項7記載の電子部品モジュー
    ル。
JP14435095A 1995-06-12 1995-06-12 電子部品および電子部品モジュール Expired - Fee Related JP3688755B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14435095A JP3688755B2 (ja) 1995-06-12 1995-06-12 電子部品および電子部品モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14435095A JP3688755B2 (ja) 1995-06-12 1995-06-12 電子部品および電子部品モジュール

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002155784A Division JP3643570B2 (ja) 2002-05-29 2002-05-29 電子部品および電子部品モジュール
JP2002155783A Division JP2003037246A (ja) 2002-05-29 2002-05-29 電子部品および電子部品モジュール
JP2005085870A Division JP2005184036A (ja) 2005-03-24 2005-03-24 電子部品および電子部品モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08340021A true JPH08340021A (ja) 1996-12-24
JP3688755B2 JP3688755B2 (ja) 2005-08-31

Family

ID=15360067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14435095A Expired - Fee Related JP3688755B2 (ja) 1995-06-12 1995-06-12 電子部品および電子部品モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3688755B2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172418B1 (en) 1998-06-24 2001-01-09 Nec Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
WO2004047173A1 (ja) * 2002-11-20 2004-06-03 Nec Corporation 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ
KR100514558B1 (ko) * 1998-09-09 2005-09-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조방법, 회로기판 및 전자기기
EP1447845A3 (en) * 2003-02-12 2005-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of electronic components and method for producing the same
US7141874B2 (en) 2003-05-14 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component packaging structure and method for producing the same
JP2007067245A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム状配線テープ及びその製造方法、並びにフィルム状配線テープを用いた半導体装置の製造方法
JP2007201616A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Epson Toyocom Corp 表面実装型圧電発振器、及びその製造方法
JP2008016528A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008211264A (ja) * 2008-06-09 2008-09-11 Nec Corp 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ
JP2009016882A (ja) * 2008-10-20 2009-01-22 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009540592A (ja) * 2006-06-16 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 上部及び下部の相互接続部を備える積み重ね可能icパッケージ
JP2011171411A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Nec Tohoku Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172418B1 (en) 1998-06-24 2001-01-09 Nec Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
KR100514558B1 (ko) * 1998-09-09 2005-09-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조방법, 회로기판 및 전자기기
CN100438024C (zh) * 2002-11-20 2008-11-26 日本电气株式会社 半导体封装及层叠型半导体封装
WO2004047173A1 (ja) * 2002-11-20 2004-06-03 Nec Corporation 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ
US7230328B2 (en) 2002-11-20 2007-06-12 Nec Corporation Semiconductor package and laminated semiconductor package
EP1447845A3 (en) * 2003-02-12 2005-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of electronic components and method for producing the same
US7141874B2 (en) 2003-05-14 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component packaging structure and method for producing the same
US7443021B2 (en) 2003-05-14 2008-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component packaging structure and method for producing the same
JP2007067245A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム状配線テープ及びその製造方法、並びにフィルム状配線テープを用いた半導体装置の製造方法
JP2007201616A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Epson Toyocom Corp 表面実装型圧電発振器、及びその製造方法
JP2009540592A (ja) * 2006-06-16 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 上部及び下部の相互接続部を備える積み重ね可能icパッケージ
JP2008016528A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008211264A (ja) * 2008-06-09 2008-09-11 Nec Corp 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ
JP4715870B2 (ja) * 2008-06-09 2011-07-06 日本電気株式会社 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ
JP2009016882A (ja) * 2008-10-20 2009-01-22 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2011171411A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Nec Tohoku Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3688755B2 (ja) 2005-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE39628E1 (en) Stackable flex circuit IC package and method of making same
US6462412B2 (en) Foldable, flexible laminate type semiconductor apparatus with reinforcing and heat-radiating plates
US6617196B2 (en) Semiconductor device
JP3655242B2 (ja) 半導体パッケージ及び半導体実装装置
TWI327358B (en) Integrated multi-chip chip scale package
JP2816028B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6611434B1 (en) Stacked multi-chip package structure with on-chip integration of passive component
JP2004172323A (ja) 半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ
JP2004172157A (ja) 半導体パッケージおよびパッケージスタック半導体装置
JP2004235606A (ja) キャノピー型キャリアを有する電子モジュール
JP3688755B2 (ja) 電子部品および電子部品モジュール
JPS6347259B2 (ja)
JPH1168026A (ja) 配線用補助パッケージおよび印刷回路配線板構造
WO2003005445A1 (fr) Dispositif a semiconducteur et module a semiconducteur
US6717250B1 (en) Stacked semiconductor apparatus and electronic device including stacked semiconductor apparatus
JP2005286126A (ja) 半導体装置
JP3643570B2 (ja) 電子部品および電子部品モジュール
JP3834052B2 (ja) 実装体
JP2003347503A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体実装方法
JP2009231383A (ja) 半導体装置及び半導体装置接続手段
TWI261300B (en) Semiconductor device
JP2003037246A (ja) 電子部品および電子部品モジュール
JP2005184036A (ja) 電子部品および電子部品モジュール
JPH09107067A (ja) 半導体装置
JPH10242379A (ja) 半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050324

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080617

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090617

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090617

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100617

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100617

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110617

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120617

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120617

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130617

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees