JPH08339538A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 一層の高ＳＮｍ比化を達成し得る磁気記録媒
体の製造方法の提供。 【構成】 カーボン基板と、該基板上に設けられた下地
層と、該下地層上に設けられた磁性層と、該磁性層上に
設けられた保護層と、該保護層上に設けられた潤滑剤層
とを具備する本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記
下地層及び上記磁性層の形成に際して、上記カーボン基
板上に該カーボン基板を加熱しないで第１の下地層を形
成した後、該第１の下地層が形成されたカーボン基板を
所定温度に加熱した状態で該第１の下地層上に第２の下
地層及び磁性層を順次形成することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の製造方
法に関するものであり、更に詳しくは、高ＳＮｍ比を有
する磁気記録媒体の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
磁気記録媒体用の基板としては、ガラス基板や表面にＮ
ｉ−Ｐメッキを施したＡｌ合金基板等が用いられてい
た。例えば、特開平３−１８３０１５号公報には、ガラ
ス基板を用いた磁気記録媒体の例が記載されており、更
に詳しくは、ガラス基板上にクロム第１層を設けた後
に、該ガラス基板を約１００〜３００℃で２分間加熱し
て該クロム第１層表面を酸化し、その後、該クロム第１
層上にクロム第２層及び磁性層を順次形成することが記
載されている。しかし、このようなガラス基板やＡｌ合
金基板を用いた磁気記録媒体は、耐衝撃性、耐熱性及び
薄板化等に劣るという問題があった。また、上記公報記
載の方法には、クロム第１層を設けた後、その表面を加
熱して酸化させることは記載されているものの、その後
のクロム第２層及び磁性層の形成における加熱の記載は
無い。更に、上記公報記載の方法では保磁力は向上する
が、ＳＮｍ比の向上には改善の余地があった。

【０００３】そこで、近年、上記諸特性に優れるカーボ
ン基板が高密度磁気記録媒体用の基板として注目を集め
ている。カーボン基板を高密度磁気記録媒体用の基板と
して用いた場合の磁気記録媒体の製造方法としては、例
えば、真空装置内にて該カーボン基板を所定の温度に加
熱した後、順次下地層、磁性層及び保護層をスパッタリ
ング法により形成する方法が挙げられる。かかる方法に
よって得られる磁気記録媒体は、ある程度のＳＮｍ比を
達成するものの、近年の磁気記録媒体の一層の高密度化
の要請を考慮すると、更なる高ＳＮｍ比化が必要であ
る。従って、一層の高ＳＮｍ比化（低ノイズ化）を達成
し得る磁気記録媒体の製造プロセスの検討が各種成膜条
件及び各種材料等の観点から種々行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、一層の高ＳＮｍ比化を達成し得る磁気記録媒体の製
造方法を提供することにある。

【０００５】本発明者らは、上記目的を解決すべく鋭意
検討した結果、基板としてカーボン基板を用い、且つ下
地層と磁性層とを特定条件下に形成すると、該下地層の
結晶粒径が微細化し、且つ磁性層の磁性結晶粒間の磁気
的相互作用が低下する結果、磁気記録媒体の高ＳＮｍ比
化が図られることを知見した。

【０００６】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
であり、カーボン基板と、該基板上に設けられた下地層
と、該下地層上に設けられた磁性層と、該磁性層上に設
けられた保護層と、該保護層上に設けられた潤滑剤層と
を具備する磁気記録媒体の製造方法において、上記下地
層及び上記磁性層の形成に際して、上記カーボン基板上
に該カーボン基板を加熱しないで第１の下地層を形成し
た後、該第１の下地層が形成されたカーボン基板を所定
温度に加熱した状態で該第１の下地層上に第２の下地層
及び磁性層を順次形成することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法を提供することにより、上記目的を達成し
たものである。

【０００７】本発明者らは磁気記録媒体の高ＳＮｍ比化
（低ノイズ化）を図るために下地層及び磁性層の構造に
ついて検討したところ、磁気記録媒体の低ノイズ化は
（イ）下地層における結晶粒径の微細化及び（ロ）磁性
層における磁性結晶粒間の磁気的相互作用の低下に大き
く依存することが判明した。上記（イ）の点について詳
述すると、磁性結晶粒の粒径は、下地層における結晶粒
径に強く依存しており、該結晶粒径が小さいほど良好な
結果が得られる。そして、該結晶粒径を微細化するため
には上記下地層の成膜条件をコントロールする必要があ
る。また、上記（ロ）の点について詳述すると、磁性結
晶粒間の磁気的相互作用を低下させるためには、非磁性
物質を磁性結晶粒界へ偏析させることが有効である。上
記結晶粒径の微細化及び非磁性物質の磁性結晶粒界への
偏析を図るべく、本発明者らは種々の検討を行った結
果、上記磁気記録媒体の製造方法の完成に至ったもので
ある。かかる本発明の磁気記録媒体の製造方法につい
て、下記に詳述する。

【０００８】上述の通り、本発明は、カーボン基板と、
該基板上に設けられた下地層と、該下地層上に設けられ
た磁性層と、該磁性層上に設けられた保護層と、該保護
層上に設けられた潤滑剤層とを具備する磁気記録媒体の
製造方法において、上記下地層及び上記磁性層の形成に
際して、ｉ）上記カーボン基板上に該カーボン基板を加
熱しないで第１の下地層を形成する第１工程、及び該第
１工程の後、ii）該第１の下地層が形成されたカーボン
基板を所定温度に加熱した状態で該第１の下地層上に第
２の下地層及び磁性層を順次形成する第２工程を具備す
ることを特徴とするものである。かかる本発明の特徴に
ついて、下記にそれぞれ説明する。

【０００９】まず、上記第１工程について説明すると、
該第１工程においては、カーボン基板上に該カーボン基
板を加熱しないで第１の下地層を形成する。カーボン基
板を加熱しないで該第１の下地層を形成することで、該
第１の下地層中の結晶粒径を最も微細化することができ
る。なお、本発明において「カーボン基板を加熱しない
で」とは、上記第１の下地層の形成に際して、積極的に
該カーボン基板を加熱する操作を除外することを意味す
る。

【００１０】このように、上記第１の下地層の形成に際
しては、上記カーボン基板は加熱されないわけである
が、更に詳しくは、該第１の下地層の形成に際しての該
カーボン基板の温度は、２０〜８０℃であることが好ま
しく、２０〜５０℃であることが更に好ましい。上記カ
ーボン基板の温度がかかる範囲内にあれば、上記第１の
下地層中の結晶粒径を最も微細化できるので好ましい。

【００１１】上記第１の下地層の形成方法に特に制限は
なく、従来公知の薄膜形成手段、例えば、スパッタリン
グ法、真空蒸着法及びイオンプレーティング法等の物理
的気相成長法（ＰＶＤ）等を用いることができる。これ
らの薄膜形成手段のうち、スパッタリング法を用いるこ
とが真空中において連続処理できる点から特に好まし
い。

【００１２】上記スパッタリング法を用いた上記第１の
下地層の形成について説明すると、スパッタリングの条
件として、Ａｒガス圧を１〜３０ｍＴｏｒｒ（更に好ま
しくは１〜１０ｍＴｏｒｒ）とし、上記カーボン基板の
バイアス電圧を−３００〜０Ｖ（更に好ましくは−２０
０〜−１００Ｖ）とすることが結晶粒径の微細化の点か
ら特に好ましいが、かかる条件に限定されるものではな
い。

【００１３】このようにして形成された上記第１の下地
層の膜厚に特に制限はないが、好ましくは５〜５０ｎ
ｍ、更に好ましくは５〜３０ｎｍであることが結晶粒径
の微細化の点から好ましい。

【００１４】上記第１工程における上記カーボン基板及
び第１の下地層の材質について説明すると、まず、該カ
ーボン基板の材質であるカーボンとしては、例えば、平
滑性、導電性及び耐衝撃性等に優れるガラス状炭素（Ｇ
Ｃ）等のアモルファスカーボン等を用いることが好まし
い。

【００１５】上記カーボンについて詳述すると、該カー
ボンとしては、例えば、下記〜のもの等を用いるこ
とができる。 熱硬化性樹脂を炭素化して得られるカーボン。 共重合や共縮合などにより熱硬化するよう変性され
た樹脂を炭素化して得られるカーボン。 硬化又は炭素化の過程での化学処理により、結晶化
を著しく妨げて得られるカーボン。 このようなカーボンの製造方法の詳細は、例えば、特公
昭６３−４６００４号公報、特公平１−２３０４７号公
報及び特公平３−１１００５号公報等に記載されてい
る。

【００１６】次に、上記第１の下地層の材質について説
明すると、該第１の下地層は、上記カーボン基板と磁性
層との密着性の向上を目的として設けられるものであ
り、この目的のために、その材質としては両者の密着性
を向上せしめるものが用いられる。特に、上記第１の下
地層が、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ
及びＶ等のカーバイド形成金属からなるか、又は該カー
バイド形成金属を含む合金（即ち、カーバイド形成金属
を成分の一つとする合金）からなることが密着性の向上
と共にノイズの低減化の点から好ましい。上記第１の下
地層の形成に際しては、上記カーバイト形成金属又は該
カーバイト形成金属を含有する合金を単独で又は２種以
上組み合わせて用いることができる。

【００１７】以上、上記第１工程について詳述したが、
本発明においては、該第１工程を行う前に、上記カーボ
ン基板に、必要に応じて、各種のテクスチャ処理を施し
てもよい。かかるテクスチャ処理としては、例えば、研
磨テープや研磨砥粒を用いての処理、酸によるエッチン
グ処理、熱酸化や陽極酸化処理、シリケート化合物をス
ピンコートにより表面析出させる処理、プラズマアッシ
ングあるいは金属をスパッタリングして表面に凹凸を形
成するスパッタテクスチャー等による粗面化処理等を挙
げることができる。

【００１８】次に、上記第２工程について説明する。該
第２工程においては、該第１の下地層が形成されたカー
ボン基板を所定温度に加熱した状態で該第１の下地層上
に第２の下地層及び磁性層を順次形成する。

【００１９】上記第１工程における成膜条件で形成され
た上記第１の下地層は、その結晶粒径が微細化されたも
のであり、高ＳＮｍ比化の点から好ましいが、上記カー
ボン基板との密着性に劣る場合がある。この場合、上記
第１工程完了後、上記第１の下地層が形成されたカーボ
ン基板を所定温度に加熱することで、上記結晶粒径の増
大化を抑えつつ、該第１の下地層とカーボン基板との密
着性が向上することを本発明者らは見い出した。

【００２０】上記加熱について更に詳述すると、該加熱
は、真空下、具体的には１×１０^-3〜１×１０^-7Ｔｏｒ
ｒの真空度の下で行うことが好ましい。また、上記第１
の下地層が形成されたカーボン基板の加熱温度は、十分
な密着性を達成する観点から１２０〜７００℃であるこ
とが好ましく、２００〜７００℃であることが更に好ま
しく、３００〜７００℃であることが特に好ましい。特
に、上記カーバイド形成金属又は該カーバイド形成金属
を含む合金から成る第１の下地層の加熱に上記温度範囲
を用いると、上記カーボン基板と第１の下地層との密着
性が極めて向上する。また、加熱時間は加熱温度の効果
の方が支配的であるため、特に制限はないが、一般に５
秒〜３分であることが、生産性の向上の点から好まし
い。

【００２１】次いで、上記第１の下地層が形成されたカ
ーボン基板の加熱に引き続き、上記第２の下地層及び磁
性層を順次形成する。該第２の下地層及び磁性層の形成
方法としては、上記第１の下地層の形成方法と同様に、
従来公知の薄膜形成手段を特に制限なく用いることがで
き、好ましくは、スパッタリング法を用いる。

【００２２】上記第２の下地層の形成と磁性層の形成は
連続して加熱下で行い、その加熱温度は、１２０〜７０
０℃であることが好ましく、２００〜７００℃であるこ
とが更に好ましく、３００〜７００℃であることが特に
好ましい。該加熱温度が、かかる範囲内であれば、上記
第１の下地層とカーボン基板との密着性を向上させつつ
該第２の下地層を形成することができるので好ましい。
しかも、磁性層結晶粒界への非磁性物質の偏析が促進さ
れ、磁気的相互作用が低下し、低ノイズ化が図られる。
上記非磁性物質の偏析は、約３００℃より活発となる。
一方、加熱温度が約７００℃以上では、磁性層を構成す
る物質の拡散が活発になるため上記非磁性物質の偏析構
造がくずれてしまうため好ましくない。なお、該第２の
下地層の形成における加熱温度と、上記第１の下地層が
形成されたカーボン基板の加熱温度とは、同一でもよく
又は異なっていてもよいが、好ましくは両者の加熱温度
は同一である。

【００２３】このようにして形成された上記第２の下地
層の膜厚は、５〜５０ｎｍ（特に、１０〜３０ｎｍ）で
あることが結晶粒径の微細化を維持しつつ、高い結晶
性、結晶配向性の保持の点から好ましい。

【００２４】また、上記磁性層の膜厚は、５〜３５ｎｍ
（特に、１０〜３０ｎｍ）であることが磁化容易軸であ
るＣ軸の面内配向の促進、及び記録再生時のオーバーラ
イト特性等の点から好ましい。

【００２５】上記第２の下地層及び磁性層の材質につい
て説明すると、該第２の下地層は、上記磁性層の静磁気
特性の向上を目的として設けられるものであり、この目
的のために、その材質としては両者の格子定数を近づけ
たものが用いられる。特に、上記第２の下地層が、Ｃｒ
又はＣｒを含む二元合金からなることが静磁気特性の向
上と共にノイズの低減化の点から好ましい。該Ｃｒを含
む二元合金の例としては、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、Ｃｒ
Ｗ、ＣｒＮｂ、ＣｒＳｉ、ＣｒＣｏ、ＣｒＴａ等を挙げ
ることができるが、これらに限定されない。上記第２の
下地層の形成に際しては、Ｃｒ又はＣｒを含む二元合金
を単独で又は２種以上組み合わせて用いることができ
る。

【００２６】また、上記磁性層の材質としては、金属薄
膜型磁性層を形成し得るものを使用することができ、例
えば、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒＸ、ＣｏＣｒＰｔ
Ｘ、ＣｏＳｍ、ＣｏＳｍＸ、ＣｏＮｉＸ及びＣｏＷＸ
（ここで、Ｘは、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ及びＨｆ等からなる群より
選ばれる１種又は２種以上の金属を示し、組成中同一元
素の組合せは除く）等で表されるＣｏを主成分とするＣ
ｏ系の磁性合金等を好ましく挙げることができる。上記
磁性層の形成に際しては、これらを単独で又は２種以上
の混合物として用いることができる。これらの磁性合金
のうち、特に、ＣｏＣｒＰｔ含有合金（即ち、ＣｏＣｒ
Ｐｔ合金及び、ＣｏＣｒＰｔを含有する四元系以上の合
金）を、Ｃｒ又はＣｒを含む二元合金からなる第２の下
地層と共に用いると、高ＳＮｍ比化が一層図られるので
好ましい。該ＣｏＣｒＰｔ含有合金の例としては、Ｃｏ
ＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣ
ｒＮｉＰｔ、ＣｏＣｒＮｉＰｔＴａ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ
Ｂ、ＣｏＣｒＰｔＢＴａなどが挙げられるが、これらに
限定されない。

【００２７】以上、上記第１工程及び第２工程について
詳述したが、本発明の方法においては、これらの工程に
加えて、上記磁性層上に保護層を形成する工程及び該保
護層上に潤滑剤層を形成する工程を行う。これら保護層
及び潤滑剤層の形成方法に特に制限はなく、従来公知の
方法を用いることができる。即ち、上記保護層の形成に
は、例えば、ＰＶＤやスピンコーティング等を用いるこ
とができる。該保護層は、耐摩耗性の観点から力学的強
度の高い材料で形成されていることが好ましく、具体的
な材質としては、例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属の酸化物（酸化ケイ
素、酸化ジルコニウム等）；該金属の窒化物（窒化ホウ
素等）；該金属の炭化物（炭化ケイ素、炭化タングステ
ン等）；ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン（炭
素）及びボロンナイトライド等からなる群より選択され
る一種以上が用いられることが好ましい。また、上記材
料の中でも、カーボン、炭化ケイ素、炭化タングステ
ン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素又はこ
れらの複合材料が好ましく、更に好ましくはカーボンで
あり、中でも特にダイヤモンドライクカーボン及びガラ
ス状カーボンが好ましい。上記保護層の厚さは、５〜２
５ｎｍであることが好ましいが、かかる範囲に限定され
ない。

【００２８】また、上記潤滑剤層の形成について説明す
ると、該潤滑剤層は磁気記録媒体の走行性及び耐久性を
向上させるために用いられるものであり、例えば厚さが
５〜１００Å程度になるように潤滑剤をスピンコーティ
ングやディップコーティング等の塗布手段で塗布するこ
とにより形成することができる。該潤滑剤としては、フ
ッ素系高分子を好適に用いることができる。該フッ素系
高分子としては、分子中に極性基を有するもの及び極性
基を有しないものの双方を単独で又は組み合わせて用い
ることができる。分子中に極性基を有する上記フッ素系
高分子としては、分子量が２０００〜４０００のパーフ
ロロポリエーテル系の高分子であって、末端に芳香族環
又はＯＨ基を有するものが好ましく用いられる。より詳
細には、−（ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｏ）ｎ−（ＣＦ₂ Ｏ）ｍ−骨
格を有し、末端に芳香族環又はＯＨ基を有し、且つ分子
量が２０００〜４０００であるものが好ましい。具体例
としては、フォンブリンＡＭ２００１、フォンブリンＺ
ＤＯＬ（アオジモント社）等が挙げられる。一方、分子
中に極性基を有しない上記フッ素系高分子としては、分
子量が２０００〜１００００のパーフロロポリエーテル
系の高分子であって、末端にパーフルオロアルキル基を
有するものが好ましく用いられる。より詳細には、ＣＦ
₃ −（ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｏ）ｎ−（ＣＦ₂ Ｏ）ｍ−ＣＦ₃ で
表わされ、分子量が２０００〜１００００であるものが
好ましい。具体例としては、フォンブリンＺ０３（アオ
ジモント社）等が挙げられる。

【００２９】以上、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
ついて詳述したが、上記の他に特に詳述しなかった点に
ついては、従来公知の磁気記録媒体の製造方法に関する
説明が適宜適用される。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の方法を実施例により更に具体
的に説明する。

【００３１】〔実施例１〕密度１．５ｇ／ｃｍ³ のアモ
ルファスカーボン基板（サイズ２．５インチ）を研磨
し、中心線平均粗さＲａを１．０ｎｍにした。該カーボ
ン基板を精密洗浄した後、これを静止対向型スパッタ装
置を用い、Ａｒガス圧３ｍＴｏｒｒ、基板バイアス電圧
０Ｖ、基板温度 ２５ ℃の条件下でスパッタリング
し、上記カーボン基板上に厚さ３０ｎｍのＣｒからなる
第１の下地層を設けた。

【００３２】次いで、上記第１の下地層が設けられたカ
ーボン基板を、上記静止対向型スパッタ装置内で、真空
度５×１０^-7Ｔｏｒｒにて２００℃に加熱した。

【００３３】引き続き、上記第１の下地層が設けられた
カーボン基板を２００℃に保ったままで、上記静止対向
型スパッタ装置を用い、Ａｒガス圧３ｍＴｏｒｒ、基板
バイアス電圧−３００Ｖの条件下でスパッタリングし、
該第１の下地層上に厚さ５０ｎｍのＣｒからなるの第２
の下地層を設けた。

【００３４】次いで、上記第２の下地層が設けられたカ
ーボン基板を２００℃に保ったまま、上記静止対向型ス
パッタ装置を用い、Ａｒガス圧３ｍＴｏｒｒ、基板バイ
アス電圧−３００Ｖの条件下でスパッタリングし、該第
２の下地層上に厚さ１７ｎｍのＣｏＣｒ₁₂Ｐｔ₈ Ｔａ₂
（ａｔ％）からなる磁性層を設けた。

【００３５】更に、上記磁性層が設けられたカーボン基
板を、上記静止対向型スパッタ装置を用い、Ａｒガス圧
３ｍＴｏｒｒ、基板バイアス電圧０Ｖの条件下でスパッ
タリングし、該磁性層上にアルモファスカーボンからな
る厚さ１５ｎｍの保護層を設けた。

【００３６】最後に、バーニッシュ後、上記保護層上
に、潤滑剤（アオジモント社製フォンブリンＡＭ２００
１）を厚さ２ｎｍになるようにスピンコーティングし潤
滑剤層を設け、本発明の製造方法による磁気記録媒体で
ある磁気ディスクを得た。

【００３７】〔実施例２〕上記第１の下地層がＴｉから
なる層である以外は実施例１と同様に操作を行い、磁気
ディスクを得た。

【００３８】〔実施例３〕上記第１の下地層がＷからな
る層である以外は実施例１と同様に操作を行い、磁気デ
ィスクを得た。

【００３９】〔実施例４〕上記第２の下地層がＣｒＴｉ
₅ （ａｔ％）からなる層である以外は実施例１と同様に
操作を行い、磁気ディスクを得た。

【００４０】〔実施例５〕上記磁性層がＣｏＣｒ₁₂Ｐｔ
₆ Ｂ₄ （ａｔ％）からなる層である以外は実施例１と同
様に操作を行い、磁気ディスクを得た。

【００４１】〔実施例６〕上記第１の下地層の形成後の
加熱温度並びに上記第２の下地層及び磁性層を形成する
際の加熱温度を４００℃とした以外は実施例１と同様に
操作を行い、磁気ディスクを得た。

【００４２】〔実施例７〕上記第１の下地層の形成後の
加熱温度並びに上記第２の下地層及び磁性層を形成する
際の加熱温度を３５０℃とした以外は実施例１と同様に
操作を行い、磁気ディスクを得た。

【００４３】〔比較例１〕上記第１の下地層を形成しな
かった以外は実施例１と同様に操作を行い、磁気ディス
クを得た。

【００４４】〔比較例２〕上記第１の下地層を形成しな
かった以外は実施例６と同様に操作を行い、磁気ディス
クを得た。

【００４５】〔比較例３〕上記アモルファスカーボン基
板に代えてガラス基板を用いた以外は実施例１と同様に
操作を行い、磁気ディスクを得た。

【００４６】〔比較例４〕第１の下地層形成時、カーボ
ン基板に２００℃の温度をかけた以外は実施例１と同様
に操作を行い、磁気ディスクを得た。

【００４７】＜性能評価＞上記実施例及び比較例で得ら
れた磁気記録媒体について、その性能を評価するため、
ＩＮＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生特性（線記録
密度７０ｋｆｃｉでのＳＮｍ比）の評価を行った。その
結果を成膜条件と共に表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】表１に示す結果から明らかなように、本発
明の方法（実施例１〜７）により製造された磁気ディス
クは、ＳＮｍ比が３５．５〜３７．５であり高ＳＮｍ比
が達成されることが判る。これに対して、比較例１〜４
の方法により製造された磁気ディスクではＳＮｍ比が３
３．０〜３４．５であり高ＳＮｍ比は達成されない。

【００５０】

【発明の効果】以上、詳述した通り、基板としてカーボ
ン基板を用い、且つ下地層と磁性層とを特定条件下に形
成する本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、高Ｓ
Ｎｍ比化を達成し得る磁気記録媒体が得られる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カーボン基板と、該基板上に設けられた
   下地層と、該下地層上に設けられた磁性層と、該磁性層
   上に設けられた保護層と、該保護層上に設けられた潤滑
   剤層とを具備する磁気記録媒体の製造方法において、 上記下地層及び上記磁性層の形成に際して、上記カーボ
   ン基板上に該カーボン基板を加熱しないで第１の下地層
   を形成した後、該第１の下地層が形成されたカーボン基
   板を所定温度に加熱した状態で該第１の下地層上に第２
   の下地層及び磁性層を順次形成することを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 上記加熱温度が１２０〜７００℃であ
   る、請求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】 上記第１の下地層がカーバイト形成金属
   又はカーバイト形成金属を含有する合金からなる、請求
   項１又は２記載の製造方法。
4. 【請求項４】 上記第２の下地層がＣｒ又はＣｒを含有
   する二元合金からなり、且つ上記磁性層がＣｏＣｒＰｔ
   含有合金からなる請求項１〜３の何れかに記載の製造方
   法。
5. 【請求項５】 上記第１の下地層の膜厚が５〜５０ｎｍ
   であり、上記第２の下地層の膜厚が５〜５０ｎｍであ
   り、且つ上記磁性層の膜厚が５〜３５ｎｍである、請求
   項１〜４の何れかに記載の製造方法。
6. 【請求項６】 上記第１の下地層の形成を、１〜３０ｍ
   ＴｏｒｒのＡｒガス圧、及び−３００〜０Ｖの基板バイ
   アス電圧条件下におけるスパッタリングにより行う、請
   求項１〜５の何れかに記載の製造方法。