JPH08335597A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明はＢＧＡタイプの半導体装置の製造方法
及び半導体装置製造用金型に関し、突起電極（ボールバ
ンプ）を高精度にかつ効率良く形成することを目的とす
る。 【構成】基板２の上面２ａに搭載された半導体素子３を
封止樹脂４で封止する樹脂封止工程と、上記基板２の下
面２ｂに複数のボールバンプ５を形成する突起電極形成
工程とを有する半導体装置の製造方法において、半導体
素子３を樹脂封止するためのキャビティ１３が形成され
た樹脂封止用金型半体１１と、ボールバンプ５を形成す
る突起電極形成用金型半体１２とを用いることにより、
上記樹脂封止工程と突起電極形成工程とを同時に行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法及
び半導体装置製造用金型に係り、特にＢＧＡ（ボールグ
リッドアレイ）タイプの半導体装置の製造方法及び半導
体装置製造用金型に関する。

【０００２】一般に、リードのファインピッチ化に対応
しうるパッケージ構造としてＱＦＰ(Quad Flat Packag
e) が知られているが、近年の飛躍的な半導体装置の高
密度化及び小型化に伴う更なるファインピッチ化によ
り、ＱＦＰでは対応できなくなってきている。

【０００３】そこで、ＱＦＰの代替品としてＢＧＡ(Bal
l Grid Array) タイプの半導体装置が注目されるように
なってきていきる。このＢＧＡタイプの半導体装置は、
基板の片面に半導体素子を樹脂封止された状態で搭載す
ると共に、基板の他面には多数の突起電極（ボールバン
プ）を配設した構成とされている。

【０００４】上記のようにファインピッチ化により、基
板に配設されるボールバンプもその配設ピッチは小さく
なる傾向にある。よって、ボールバンプの形成を確実か
つ効率良く行う必要がある。

【０００５】

【従来の技術】従来、ＢＧＡタイプの半導体装置を製造
する際、ボールバンプを基板に配設する方法としては次
に述べる方法が一般に行われている。先ず、プリント基
板の上面に半導体素子を搭載すると共に、所定の配線処
理を行った上で半導体素子を樹脂により封止する。続い
て、上記のように半導体素子及び封止樹脂が配設された
基板の下面にフラックスを塗布する。この際、フラック
スの塗布位置は、複数のボールバンプが形成される位置
（この位置には、半導体素子と電気的に接続された電極
が形成されている）に対応するよう選定されている。

【０００６】次に、予め用意しておいたボールバンプと
なる半田ボールをフラックスを接着剤として基板に接着
する。この状態で半田ボールは、フラックスを介して基
板の下面に形成された電極に仮止めされた状態となる。
続いて、半田ボールが仮止めされた基板をリフロー炉に
入れて加熱処理を行う。この加熱処理により半田ボール
は溶融し、基板に形成された電極部に電気的及び機械的
に接合してボールバンプを形成する。このように基板の
所定位置にボールバンプが形成されると、続いてフラッ
クスの洗浄処理が行われ不要なフラックスが除去され
る。

【０００７】従来では、上記した一連の工程を行うこと
により、基板の所定位置にボールバンプを形成する方法
が取られていた。尚、図９は従来におけるＢＧＡタイプ
の半導体装置の製造工程を示す工程図である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記した従
来のボールバンプの形成方法では、リフロー炉において
加熱処理を行う前においては半田ボールは基板に仮止め
され状態であり、完全に基板に接合した状態ではない。
このため、ハンドリングやリフロー時における振動によ
り半田ボールが所定の位置からずれてしまい、ボール抜
けが発生したり、隣接する半田ボール間が短絡してしま
う（ブリッジ状態となる）という問題点があった。

【０００９】また、フラックス洗浄は有機溶剤や洗剤等
を利用しているため、洗浄処理時に基板，封止樹脂，及
びボールバンプ等が有機溶剤等により腐食してしまうお
それがあるという問題点があった。また、リフロー処理
は半導体素子及び封止樹脂が配設された基板全体をリフ
ロー炉に通して加熱処理を行うものであるため、半導体
素子，基板，及び封止樹脂にも熱が印加され、耐熱性等
の信頼性に大きな影響を与えるという問題点がある。

【００１０】更に、従来のボールバンプ形成方法では、
フラックスの塗布作業，フラックスの除去作業等の多数
の工程を必要とし、ボールバンプの形成が面倒でボール
バンプの形成効率が良くないという問題点もあった。本
発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、突起電極
（ボールバンプ）を高精度にかつ効率良く形成しうる半
導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型を提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、下記の手段を講じたことを特徴とするも
のである。請求項１記載の発明では、基板の一の面に搭
載された半導体素子を樹脂で封止する樹脂封止工程と、
上記基板の他面に複数の突起電極を形成する突起電極形
成工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記
半導体素子を樹脂封止するためのキャビティが形成され
た樹脂封止用金型半体と、上記突起電極を形成する突起
電極形成用金型半体とを用いることにより、上記樹脂封
止工程と上記突起電極形成工程とを同時に行うことを特
徴とするものである。

【００１２】また、請求項２記載の発明では、上記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、上記突起電
極形成用金型半体に、上記突起電極の形成位置に対応し
て形成され上記突起電極となるボール体を装着する複数
の装着部と、上記装着部と連通する連通路とを形成する
と共に、上記突起電極形成用金型半体に、上記連通路に
接続され上記ボール体の吸引処理を行う吸引装置と、上
記連通路に接続され上記ボール体を溶融するための熱媒
体を供給する熱媒体供給装置と、上記連通路に対して上
記吸引装置と熱媒体供給装置とを選択的に接続する接続
装置とを設けたことを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項３記載の発明では、半導体素
子を搭載した基板に複数の突起電極を形成する突起電極
形成工程を有する半導体装置の製造方法において、上記
突起電極形成工程で上記突起電極を形成する際、上記突
起電極の形成位置に対応して形成され上記突起電極とな
るボール体を装着する複数の装着部と上記装着部と連通
する連通路とを形成された突起電極形成用金型と、上記
連通路に接続され上記ボール体の吸引処理を行う吸引装
置とを用い、先ず、上記吸引装置の吸引力により上記突
起電極形成用金型に形成された装着部に上記ボール体を
装着し、次に、上記突起電極形成用金型を上記基板に対
向装着することにより上記ボール体を上記基板の所定位
置に当接させ、この当接状態を維持しつつ加熱処理を行
うことにより上記ボール体を上記基板に接合させること
により上記突起電極を形成することを特徴とするもので
ある。

【００１４】更に、請求項４記載の発明では、基板の一
の面に搭載された半導体素子を樹脂封止するためのキャ
ビティが形成された樹脂封止用金型半体と、上記基板の
他面に複数の突起電極を形成する突起電極形成用金型半
体とにより構成される半導体装置製造用金型であって、
上記突起電極形成用金型半体に、上記突起電極の形成位
置に対応して形成され上記突起電極となるボール体を装
着する複数の装着部と、上記装着部と連通する連通路と
を形成すると共に、上記突起電極形成用金型半体に、上
記連通路に接続され上記ボール体の吸引処理を行う吸引
装置と、上記連通路に接続され上記ボール体を溶融する
ための熱媒体を供給する熱媒体供給装置と、上記連通路
に対して上記吸引装置と熱媒体供給装置とを選択的に接
続する接続装置とを設けたことを特徴とするものであ
る。

【００１５】

【作用】上記の各手段は下記のように作用する。請求項
１記載の発明によれば、半導体素子を樹脂封止するため
のキャビティが形成された樹脂封止用金型半体と、突起
電極を形成する突起電極形成用金型半体とよりなる金型
を用いることにより、樹脂封止工程と突起電極形成工程
とを同時に実施することができるため、半導体装置の製
造工程の簡略化及び効率化を図ることができる。

【００１６】また、請求項２及び４記載の発明によれ
ば、突起電極となるボール体を装着する複数の装着部に
連通する連通路に対し、接続装置を用いて吸引装置と熱
媒体供給装置とを選択的に接続することができるため、
ボール体の装着処理とこのボール体を加熱して基板に接
合させる接合処理とを連続的に行うことが可能となり、
更に半導体装置の製造工程の簡略化及び効率化を図るこ
とができる。

【００１７】また、請求項３記載の発明によれば、突起
電極形成工程で上記突起電極を基板に形成する際、ボー
ル体が装着された突起電極形成用金型を基板に対向装着
することによりボール体を基板の所定位置に当接させ、
この当接状態を維持しつつ加熱処理を行いボール体を基
板に接合することができるため、ボール体は突起電極形
成用金型に保持された状態で接合処理されることとな
る。よって、加熱接合時において、ボール体が移動した
り隣接するボール体同士が短絡することを防止でき、高
精度に高い信頼性をもって突起電極の形成を行うことが
可能となる。

【００１８】

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図１は本発明の一実施例である半導体装置製造用
金型を示す構成図であり、図２乃至図６は本発明の一実
施例である半導体装置の製造方法の特徴となる工程を示
す図であり、図７は本発明の一実施例である半導体装置
の製造方法の全体工程を示す工程図であり、更に図８は
本発明の一実施例である製造方法により製造される半導
体装置を示す断面図である。

【００１９】先ず、図８を用いて本発明に係る製造方法
により製造される半導体装置１の構成について説明す
る。半導体装置１はＢＧＡ構造を有しており、大略する
と基板２，半導体素子３，封止樹脂４，及び突起電極で
ある複数のボールバンプ５等により構成されている。

【００２０】基板２はガラス・エポキシ製の基板であ
り、その上面２ａに半導体素子３を搭載すると共に所定
のパターン形状を有する配線６が形成されている。この
配線６の所定位置と半導体素子３とはワイヤ７を用いて
電気的に接続されている。また基板２の上面２ａには、
半導体素子３及びワイヤ７を封止するよう封止樹脂４
（梨地で示す）が形成されており、この封止樹脂４によ
り半導体素子３及びワイヤ７は外部に対して保護される
構成とされている。

【００２１】一方、基板２の下面２ｂには複数のボール
バンプ５が配設されている。このボールバンプ５は半導
体装置１の外部接続端子として機能するものであり、基
板２の下面２ｂに形成された配線（図示せず）及びスル
ーホール８により配線６に接続されている。従って、半
導体素子３はワイヤ７，配線６，及びスルーホール８を
介して外部接続端子となるボールバンプ５に電気的に接
続された構成となっている。

【００２２】上記のように外部接続端子としてボールバ
ンプ５を用いることにより、隣接するボールバンプ間に
おけるピッチを狭ピッチ化することができ、よって高密
度化された半導体素子３に対応することができ、またＱ
ＦＰに外部接続端子として配設されていたリードと異な
りボールバンプ５は変形がないため、精度の高い実装を
行うことが可能となる。

【００２３】続いて、図７を用いて半導体装置１を製造
する全体工程について説明する。半導体装置１を製造す
るには、先ずステップ１で示す基板形成工程において基
板２を形成する。具体的には、基板２の上面２ａ及び下
面２ｂに配線６等を形成すると共に、基板２を貫通する
スルーホール８の形成処理を行う。

【００２４】上記のように基板２が形成されると、続い
てステップ２で示す半導体素子搭載工程が実施される。
この半導体素子搭載工程では、基板２の上面２ａの所定
位置に半導体素子３が搭載される。具体的には、上面２
ａの素子搭載位置にダイ付け材９（図８に示す）を塗布
し、このダイ付け材９により半導体素子３を基板２に固
定する。

【００２５】上記のように半導体素子３が基板２に搭載
されると、続いてステップ３で示すワイヤボンディング
工程が実施される。このワイヤボンディング工程では、
半導体素子３の上面に形成されている電極パッド（図示
せず）と、基板２に形成されている配線６の所定位置と
の間にワイヤ７が配設される。このワイヤボンディング
処理は、ワイヤボンディング装置を用いることにより高
速度に行うことができる。

【００２６】上記のようにワイヤ７が配設されると、続
いてステップ４において、本発明の要部となるバンプ形
成工程と樹脂封止工程が実施される。バンプ形成工程で
は、基板２の下面２ｂに複数のボールバンプ５が形成さ
れ、また樹脂封止工程では基板２に配設された半導体素
子３及びワイヤ７を覆うように封止樹脂４がモールド成
形される。本発明においては、このバンプ形成工程と樹
脂封止工程とを同時に実施することを特徴とするもので
ある。

【００２７】続いて、本発明の要部となるバンプ形成工
程及び樹脂封止工程について詳述する。まず、図２乃至
図６に示すバンプ形成工程及び樹脂封止工程で実施する
具体的処理の説明に先立ち、説明の便宜上、各工程にお
いて用いる半導体装置製造用金型１０（以下、単に金型
という）について図１を用いて説明する。

【００２８】金型１０は、大略すると半導体素子３を樹
脂封止する機能を奏する樹脂封止用金型半体１１と、突
起電極となるボールバンプ５を形成する突起電極形成用
金型半体１２とにより構成されている。樹脂封止用金型
半体１１は、形成する封止樹脂４の形状に対応したキャ
ビティ１３が形成されると共に樹脂が充填される樹脂充
填孔１４が形成されている。この樹脂充填孔１４は、樹
脂をキャビティ１３内に充填する樹脂充填装置１５が接
続されている。

【００２９】一方、突起電極形成用金型半体１２は、上
記した樹脂封止用金型半体１１と対向する面に後述する
ボール体１６を装着する複数の装着凹部１７（装着部）
が形成されている。この装着凹部１７は、基板２に配設
されるボールバンプ５の形成位置に対応した位置に形成
位置が選定されており、その形状はボールバンプ５を保
持しうるよう略半球形状とされている。

【００３０】また、突起電極形成用金型半体１２には連
通路１８が形成されている。この連通路１８は、図中左
右方向に延在する主通路１８ａと、一端が主通路１８ａ
に接続されとると共に他端が上記した各装着凹部１７に
連通した細管通路１８ｂとにより構成されている。

【００３１】また、主通路１８ａの一端部１９（図中、
右端部）には、後述するようにボール体１６の吸引処理
を行う吸引装置２１が接続されると共に、主通路１８ａ
の他端部２０（図中、左端部）には、上記ボール体１６
を溶融するための熱風（熱媒体）を供給する熱風供給装
置２２（熱媒体供給装置）が接続されている。

【００３２】更に、端部１９と吸引装置２１とを接続す
る配管２３には吸引制御弁２５が配設されており、また
端部２０と熱風供給装置２２とを接続する配管２４には
熱風供給制御弁２６が配設されている。この吸引制御弁
２５と熱風供給制御弁２６は、連通路１８に対して上記
吸引装置２１と熱風供給装置２２とを選択的に接続する
接続装置を構成する。

【００３３】続いて、上記構成を有する金型１０を用い
たバンプ形成工程及び樹脂封止工程を図２乃至図６を用
いて説明する。基板２にボールバンプ５及び封止樹脂４
を設けるには、先ず吸引装置２１を駆動させ、かつ図２
に示されるように吸引制御弁２５を開弁（図中、開弁状
態を白抜きの弁記号で示す）すると共に熱風供給制御弁
２６を閉弁（図中、閉弁状態を黒塗りの弁記号で示す）
する。上記状態とすることにより、突起電極形成用金型
半体１２に形成された各装着凹部１７には連通路１８を
介して吸引装置２１による吸引力が作用し、よって各装
着凹部１７はボール体１６を吸引しうる状態となる。

【００３４】続いて、図示されるような多数のボール体
１６を収納した収納容器２７を用意し、この収納容器２
７内に上記のように吸引力が作用している突起電極形成
用金型半体１２を挿入する。収納容器２７に収納された
ボール体１６は半田ボールであり、予め所定の径寸法の
球体に形成されている。

【００３５】上記のように突起電極形成用金型半体１２
を収納容器２７内に挿入することにより、各装着凹部１
７には上記吸引装置２１の吸引力によりボール体１６が
吸引される。この吸引処理の際、装着凹部１７に対する
ボール体１６の吸引を確実に行うために、収納容器２７
を左右に振動させることによりボール体１６を整列させ
る処理を加えてもよい。

【００３６】また、収納容器２７の開口を突起電極形成
用金型半体１２の外径と対応する大きさとし、突起電極
形成用金型半体１２を収納容器２７内に挿入した状態
で、突起電極形成用金型半体１２と収納容器２７とを図
２に示す状態に対し上下半体となるよう回転させ、この
状態において装着凹部１７にボール体１６を吸引させる
構成としてもよい。

【００３７】このように、図２に示す状態に対し突起電
極形成用金型半体１２と収納容器２７とを上下逆にした
状態とすることにより、ボール体１６は収納容器２７の
底面から突起電極形成用金型半体１２の装着凹部１７が
形成された面に移るため、小さな吸引力で各装着凹部１
７にボール体１６を吸引させることが可能となる。

【００３８】突起電極形成用金型半体１２に形成された
複数の装着凹部１７にボール体１６が吸着されると、突
起電極形成用金型半体１２は図３に召されるように収納
容器２７から引き上げられる。この状態において、吸引
装置２１は駆動状態を、吸引制御弁２５は開弁した状態
を共に維持しているため、装着凹部１７に吸着されたボ
ール体１６は突起電極形成用金型半体１２に吸着された
状態を維持する。

【００３９】続いて、図４に示されるように、ボール体
１６が吸着されている突起電極形成用金型半体１２の下
部に、離間した状態で樹脂封止用金型半体１１を装着す
ると共に、突起電極形成用金型半体１２と樹脂封止用金
型半体１１との間に図７で説明したステップ１〜ステッ
プ３の処理を実施した基板２を配設する。このステップ
１〜ステップ３の処理を実施することにより、基板２に
は半導体素子３，配線６，ワイヤ７等が配設されてい
る。

【００４０】また、各金型半体１１，１２の間に基板２
を配設した状態で、基板２の下面２ｂ（基板２は、上下
逆にした状態で各金型半体１１，１２の間に装着される
ため、図では下面２ｂが上側に位置している）のボール
バンプ形成位置は、突起電極形成用金型半体１２に形成
された装着凹部１７と（即ち、吸着されたボール体１６
と）対向するよう位置決めがされている。

【００４１】続いて、図５に示されるように、突起電極
形成用金型半体１２と樹脂封止用金型半体１１とにより
基板２をクランプし、金型１０内に基板２を固定する。
この状態において、樹脂充填装置１５を駆動して封止樹
脂を樹脂充填孔１４より樹脂封止用金型半体１１に形成
されているキャビティ１３内に充填する。また、これと
同時に吸引制御弁２５を閉弁処理すると共に吸引装置２
１を停止し、更に熱風供給装置２２を起動すると共に熱
風供給制御弁２６を開弁する。

【００４２】樹脂充填装置１５により封止樹脂をキャビ
ティ１３内に充填することにより封止樹脂４が形成さ
れ、よって基板２の上面２ａに配設されている半導体素
子３及びワイヤ７はこの封止樹脂４により封止される。
また、熱風供給装置２２を起動すると共に熱風供給制御
弁２６を開弁することにより、熱風供給装置２２で生成
される熱風は連通路１８を通り各装着凹部１７に送ら
れ、各装着凹部１７に装着されているボール体１６（半
田により構成される）を溶融する。これにより、ボール
体１６は基板２に接合されボールバンプ５が形成され
る。

【００４３】尚、図５に示す状態では、吸引制御弁２５
を閉弁する共に吸引装置２１を停止することにより吸引
処理を止めても、各金型半体１２，１１が基板２をクラ
ンプすることによりボール体１６は基板２に押圧されて
おり、よってボール体１６が突起電極形成用金型半体１
２から脱落するようなことはない。

【００４４】上記のように、基板２に対して封止樹脂４
及びボールバンプ５が形成されると、図６に示されるよ
うに金型１０は離型され、図８に示した半導体装置１が
形成される。上記説明から明らかなように、本実施例に
係る製造方法では、封止樹脂４を形成する樹脂封止工程
と、基板２にボールバンプ５を形成するバンプ形成工程
（突起電極形成工程）とを同時に実施している。このた
め、従来のように樹脂封止工程とバンプ形成工程を別個
に実施する製造方法（図９参照）に比べて半導体装置１
の製造工程の簡略化及び効率化を図ることができる。

【００４５】また、ボール体６を装着する複数の装着凹
部１７と連通した連通路１８に対し、各制御弁２５，２
６を操作することにより吸引装置２１と熱風供給装置２
２を選択的に接続することができるため、ボール体６の
装着（吸着）処理とこのボール体６を加熱して基板２に
ボールバンプ５を形成する処理とを連続的に行うことが
可能となる。よって、これによっても半導体装置１の製
造工程の簡略化及び効率化を図ることができる。

【００４６】また、本実施例によれば、ボールバンプ５
を形成する際、ボール体６が装着された突起電極形成用
金型１２を基板２に対向状態でクランプすることによ
り、ボール体６は基板２の所定位置に当接した状態とな
る。そして、この当接状態を維持しつつ加熱処理を行い
ボール体６を溶融して基板２にボールバンプ５を形成す
るため、ボール体６は突起電極形成用金型１２（即ち、
装着凹部１７）に保持された状態で基板２に接合処理さ
れることとなる。

【００４７】よって、上記加熱接合時においてボール体
６が移動したり隣接するボール体６同士がブリッジ状態
となり短絡することを防止できる。これにより、ボール
バンプ５の形成を高精度に行うことが可能となり、製造
される半導体装置１の信頼性を向上させることができ
る。

【００４８】また、上記のようにボールバンプ５の形成
処理時において、ボール体６は突起電極形成用金型１２
（即ち、装着凹部１７）に保持されるため、従来仮止め
を行うために必要とされたフラックスを不要とすること
ができる。これにより、従来の製造工程で必要とされた
フラックス塗布工程及びフラックス除去工程（図９参
照）を不要とすることができ、半導体装置１の製造工程
を簡略化することができると共に、フラックスを用いる
ことに起因して発生していた基板２，封止樹脂４，及び
ボールバンプ５の腐食を防止することができ、これによ
っても半導体装置１の信頼性を向上させることができ
る。

【００４９】更に、本実施例に係る製造方法では、バン
プ形成工程においてリフロー処理を行っていないため、
基板２，封止樹脂４，及びボールバンプ５等に発生する
熱により影響を最小限に止めることができる。尚、上記
した実施例では、ＢＧＡタイプの半導体装置１を例に挙
げて説明したが、本発明に係る製造方法及び半導体製造
用金型はボールバンプ５を有した半導体装置の製造に広
く応用できるものである。

【００５０】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１記載の発明に
よれば、樹脂封止工程と突起電極形成工程とを同時に実
施することができるため、半導体装置の製造工程の簡略
化及び効率化を図ることができる。

【００５１】また、請求項２及び４記載の発明によれ
ば、ボール体の装着処理とこのボール体を加熱して基板
に接合させる接合処理とを連続的に行うことが可能とな
り、更に半導体装置の製造工程の簡略化及び効率化を図
ることができる。また、請求項３記載の発明によれば、
ボール体は突起電極形成用金型に保持された状態で接合
処理されることとなり、よって加熱接合時において、ボ
ール体が移動したり隣接するボール体同士が短絡するこ
とを防止でき、高精度に高い信頼性をもって突起電極の
形成を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体装置製造用金型
を示す構成図である。

【図２】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、装着凹部にボール体を装着
する直前の状態を示す図である。

【図３】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、装着凹部にボール体を装着
した状態を示す図である。

【図４】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、基板を金型内に装着した状
態を示す図である。

【図５】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、樹脂封止工程と突起電極形
成工程とを同時に実施している状態を示す図である。

【図６】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、製造された半導体装置を金
型から離型した状態を示す図である。

【図７】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を示す製造工程図である。

【図８】本発明の一実施例である製造方法により製造さ
れる半導体装置の断面図である。

【図９】従来の半導体装置の製造方法の一例を示す製造
工程図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ 基板 ３ 半導体素子 ４ 封止樹脂 ５ ボールバンプ ７ ワイヤ １０ 金型（半導体装置製造用金型） １１ 樹脂封止用金型半体 １２ 突起電極形成用金型 １３ キャビティ １４ 樹脂充填孔 １５ 樹脂充填装置 １６ ボール体 １７ 装着凹部 １８ 連通路 ２１ 吸引装置 ２２ 熱風供給装置 ２５ 吸引制御弁 ２６ 熱風供給制御弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 (72)発明者 佐久本 功也 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一の面に搭載された半導体素子を
   樹脂で封止する樹脂封止工程と、上記基板の他面に複数
   の突起電極を形成する突起電極形成工程とを有する半導
   体装置の製造方法において、 上記半導体素子を樹脂封止するためのキャビティが形成
   された樹脂封止用金型半体と、 上記突起電極を形成する突起電極形成用金型半体とを用
   いることにより、 上記樹脂封止工程と上記突起電極形成工程とを同時に行
   うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 上記突起電極形成用金型半体に、上記突起電極の形成位
   置に対応して形成され上記突起電極となるボール体を装
   着する複数の装着部と、上記装着部と連通する連通路と
   を形成すると共に、 上記突起電極形成用金型半体に、上記連通路に接続され
   上記ボール体の吸引処理を行う吸引装置と、上記連通路
   に接続され上記ボール体を溶融するための熱媒体を供給
   する熱媒体供給装置と、上記連通路に対して上記吸引装
   置と上記熱媒体供給装置とを選択的に接続する接続装置
   とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体素子を搭載した基板に複数の突起
   電極を形成する突起電極形成工程を有する半導体装置の
   製造方法において、 上記突起電極形成工程で上記突起電極を形成する際、 上記突起電極の形成位置に対応して形成され上記突起電
   極となるボール体を装着する複数の装着部と上記装着部
   と連通する連通路とを形成された突起電極形成用金型
   と、上記連通路に接続され上記ボール体の吸引処理を行
   う吸引装置とを用い、 先ず、上記吸引装置の吸引力により上記突起電極形成用
   金型に形成された装着部に上記ボール体を装着し、 次に、上記突起電極形成用金型を上記基板に対向装着す
   ることにより上記ボール体を上記基板の所定位置に当接
   させ、この当接状態を維持しつつ加熱処理を行うことに
   より上記ボール体を上記基板に接合させることにより上
   記突起電極を形成することを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
4. 【請求項４】 基板の一の面に搭載された半導体素子を
   樹脂封止するためのキャビティが形成された樹脂封止用
   金型半体と、上記基板の他面に複数の突起電極を形成す
   る突起電極形成用金型半体とにより構成される半導体装
   置製造用金型であって、 上記突起電極形成用金型半体に、上記突起電極の形成位
   置に対応して形成され上記突起電極となるボール体を装
   着する複数の装着部と、上記装着部と連通する連通路と
   を形成すると共に、 上記突起電極形成用金型半体に、上記連通路に接続され
   上記ボール体の吸引処理を行う吸引装置と、上記連通路
   に接続され上記ボール体を溶融するための熱媒体を供給
   する熱媒体供給装置と、上記連通路に対して上記吸引装
   置と上記熱媒体供給装置とを選択的に接続する接続装置
   とを設けたことを特徴とする半導体装置製造用金型。