JPH08330738A - 多層配線基板中のコンデンサの製造方法 - Google Patents
多層配線基板中のコンデンサの製造方法Info
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- JPH08330738A JPH08330738A JP7131897A JP13189795A JPH08330738A JP H08330738 A JPH08330738 A JP H08330738A JP 7131897 A JP7131897 A JP 7131897A JP 13189795 A JP13189795 A JP 13189795A JP H08330738 A JPH08330738 A JP H08330738A
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 誘電体層１１がアルミナで形成され、電極層
１２がＷ金属で形成され、誘電体層１１に誘電率増加剤
としてＭｏ金属が添加された多層配線基板中のコンデン
サ２０の製造方法において、誘電体層用ペーストの形成
に含有塩素量５ｐｐｍ以下の有機バインダを用い、誘電
率増加剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に
設定する多層配線基板３０中のコンデンサ２０の製造方
法。 【効果】 誘電体層１１、電極層１２、絶縁体層１３等
のそれぞれ厚みが多少変化しても、従来に比べて誘電率
の変動量が少なく、しかもショートが発生することのな
い多層配線基板３０中のコンデンサ２０を製造すること
ができる。
１２がＷ金属で形成され、誘電体層１１に誘電率増加剤
としてＭｏ金属が添加された多層配線基板中のコンデン
サ２０の製造方法において、誘電体層用ペーストの形成
に含有塩素量５ｐｐｍ以下の有機バインダを用い、誘電
率増加剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に
設定する多層配線基板３０中のコンデンサ２０の製造方
法。 【効果】 誘電体層１１、電極層１２、絶縁体層１３等
のそれぞれ厚みが多少変化しても、従来に比べて誘電率
の変動量が少なく、しかもショートが発生することのな
い多層配線基板３０中のコンデンサ２０を製造すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線基板中のコンデ
ンサの製造方法に関し、より詳細には内部に金属粉末を
含有し、高い誘電率を有しながらしかも該誘電率の変動
の小さい多層配線基板中のコンデンサの製造方法に関す
る。
ンサの製造方法に関し、より詳細には内部に金属粉末を
含有し、高い誘電率を有しながらしかも該誘電率の変動
の小さい多層配線基板中のコンデンサの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高速化や通信機器の高
周波化に伴い、電子部品に使用される信号も年々、高周
波化が進行している。従って、通信機器や大型コンピュ
ータなどに使用される回路基板やＬＳＩパッケージなど
においても、この高周波化に対応した製品が求められて
いる。
周波化に伴い、電子部品に使用される信号も年々、高周
波化が進行している。従って、通信機器や大型コンピュ
ータなどに使用される回路基板やＬＳＩパッケージなど
においても、この高周波化に対応した製品が求められて
いる。
【０００３】このような高周波化に対応した製品とし
て、例えば動作周波数が高周波化された論理回路として
のＬＳＩにおいて発生するスイッチングノイズなどを効
果的に除去するために、デカップリングコンデンサが装
備されたＬＳＩパッケージや多層配線基板（以下、ＬＳ
Ｉパッケージと多層配線基板の両者を含めて多層配線基
板と記す）などが提案されている。
て、例えば動作周波数が高周波化された論理回路として
のＬＳＩにおいて発生するスイッチングノイズなどを効
果的に除去するために、デカップリングコンデンサが装
備されたＬＳＩパッケージや多層配線基板（以下、ＬＳ
Ｉパッケージと多層配線基板の両者を含めて多層配線基
板と記す）などが提案されている。
【０００４】従来から多層配線基板にデカップリングコ
ンデンサを装備する方法として、多層配線基板の外部に
コンデンサを取り付ける方法と多層配線基板の内部にコ
ンデンサを形成する方法とがあった。
ンデンサを装備する方法として、多層配線基板の外部に
コンデンサを取り付ける方法と多層配線基板の内部にコ
ンデンサを形成する方法とがあった。
【０００５】多層配線基板の外部にコンデンサを取り付
ける場合、コンデンサを取り付けるための配線を多層配
線基板の内部に引き回し、その配線を外部に引き出して
コンデンサを取り付ける方法をとっていた。
ける場合、コンデンサを取り付けるための配線を多層配
線基板の内部に引き回し、その配線を外部に引き出して
コンデンサを取り付ける方法をとっていた。
【０００６】このように外部にコンデンサを取り付ける
方法では、コンデンサの材質などは制限されず、今まで
に用いられている種々の特性を有するセラミックスコン
デンサなどの中から要求特性を満足するものを選んで取
り付ければよいという利点を有する。しかしながらこの
方法においては、外部コンデンサを取り付けるために余
分の配線を引き回して形成しなければならず、そのため
の工程が必要となり、また外部コンデンサを取り付ける
ための余分の空間も必要となるという問題点があった。
方法では、コンデンサの材質などは制限されず、今まで
に用いられている種々の特性を有するセラミックスコン
デンサなどの中から要求特性を満足するものを選んで取
り付ければよいという利点を有する。しかしながらこの
方法においては、外部コンデンサを取り付けるために余
分の配線を引き回して形成しなければならず、そのため
の工程が必要となり、また外部コンデンサを取り付ける
ための余分の空間も必要となるという問題点があった。
【０００７】一方、その内部にコンデンサを有する多層
配線基板を製造する場合には、焼成前のグリーンシート
積層体の内部にコンデンサの原料となるセラミックス等
の粉末を用いて形成され、その両面に電極が印刷された
グリーンシートを挟み、この積層体を焼成することによ
り多層配線基板中にコンデンサを形成していた。この方
法では、多層配線基板を製造する際に同時にコンデンサ
も形成できるため、製造工程を簡略化することができ、
また外部に余分の空間を確保する必要がないので、小型
化することができるという大きな利点を有する。
配線基板を製造する場合には、焼成前のグリーンシート
積層体の内部にコンデンサの原料となるセラミックス等
の粉末を用いて形成され、その両面に電極が印刷された
グリーンシートを挟み、この積層体を焼成することによ
り多層配線基板中にコンデンサを形成していた。この方
法では、多層配線基板を製造する際に同時にコンデンサ
も形成できるため、製造工程を簡略化することができ、
また外部に余分の空間を確保する必要がないので、小型
化することができるという大きな利点を有する。
【０００８】一方、金属をセラミックス中に分散させる
ことにより単位体積当たりの誘電率を向上させることが
できることは古くから知られており、この方法を適用し
て金属粉末を誘電体層中に分散させた内部コンデンサが
提案されている。
ことにより単位体積当たりの誘電率を向上させることが
できることは古くから知られており、この方法を適用し
て金属粉末を誘電体層中に分散させた内部コンデンサが
提案されている。
【０００９】このような内部コンデンサが形成された多
層配線基板の例として、特開平３−８７０９１号公報に
は、アルミナ配線基板の内部に、基材とするアルミナ
と、５〜５０重量％のＭｏ及びＷの内の１種以上とから
主として構成される誘電体層が形成されたアルミナ多層
配線基板が開示されている。
層配線基板の例として、特開平３−８７０９１号公報に
は、アルミナ配線基板の内部に、基材とするアルミナ
と、５〜５０重量％のＭｏ及びＷの内の１種以上とから
主として構成される誘電体層が形成されたアルミナ多層
配線基板が開示されている。
【００１０】上記したアルミナ多層配線基板の製造方法
を説明する。まず、アルミナ粉末、高誘電率付与剤とし
ての５〜５０重量％程度のＭｏなどの金属粉末及び焼結
助剤をボールミルなどに入れて混練した後に乾燥させ、
前記乾燥により固結した粉末を解砕する。次に、この混
合粉末にバインダ及び溶剤などを添加してスラリーを形
成し、このスラリーを用いて、ドクターブレード法など
の方法によりテープ化した後に再び乾燥させる。次に、
前記方法により得られたテープを適当な長さに切断して
誘電体層としての厚みが４０〜５０μｍ程度となるよう
に誘電体層用グリーンシートを作製し、該誘電体層用グ
リーンシートの上下面に各々Ｗ又はＭｏなどの高融点金
属を主成分とする導電ペーストを塗布又は印刷して電極
層を形成する。さらに該電極層を介して前記誘電体層用
グリーンシートの上下に、絶縁体層としての厚みが５０
０〜６００μｍ程度となるようなスルーホールなどが形
成された絶縁体層用グリーンシートを積層し、該スルー
ホールに前記導電ペーストを流し込み、乾燥させた後に
焼成し、アルミナ多層配線基板の製造を完了する。な
お、前記絶縁体層用グリーンシートの所定表面には表面
電極となる層を形成しておく。
を説明する。まず、アルミナ粉末、高誘電率付与剤とし
ての５〜５０重量％程度のＭｏなどの金属粉末及び焼結
助剤をボールミルなどに入れて混練した後に乾燥させ、
前記乾燥により固結した粉末を解砕する。次に、この混
合粉末にバインダ及び溶剤などを添加してスラリーを形
成し、このスラリーを用いて、ドクターブレード法など
の方法によりテープ化した後に再び乾燥させる。次に、
前記方法により得られたテープを適当な長さに切断して
誘電体層としての厚みが４０〜５０μｍ程度となるよう
に誘電体層用グリーンシートを作製し、該誘電体層用グ
リーンシートの上下面に各々Ｗ又はＭｏなどの高融点金
属を主成分とする導電ペーストを塗布又は印刷して電極
層を形成する。さらに該電極層を介して前記誘電体層用
グリーンシートの上下に、絶縁体層としての厚みが５０
０〜６００μｍ程度となるようなスルーホールなどが形
成された絶縁体層用グリーンシートを積層し、該スルー
ホールに前記導電ペーストを流し込み、乾燥させた後に
焼成し、アルミナ多層配線基板の製造を完了する。な
お、前記絶縁体層用グリーンシートの所定表面には表面
電極となる層を形成しておく。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、上記
アルミナ多層配線基板の製造方法においては、多層配線
基板の製造時に内部のコンデンサも同時に形成するた
め、後でコンデンサを取り付ける余分の工程を設ける必
要がなく、またコンデンサ取り付けのための余分の空間
を必要としないという優れた利点を有する。
アルミナ多層配線基板の製造方法においては、多層配線
基板の製造時に内部のコンデンサも同時に形成するた
め、後でコンデンサを取り付ける余分の工程を設ける必
要がなく、またコンデンサ取り付けのための余分の空間
を必要としないという優れた利点を有する。
【００１２】しかしながら、前記従来の方法により製造
された多層配線基板中のコンデンサにおいては、焼成の
途中で電極層を構成するＷが誘電体層中に拡散し、その
拡散量が例えば誘電体層の厚み、電極層の厚み、絶縁体
層の厚み等に依存するため、これらの条件が変動すると
誘電率が変動するという課題があった。
された多層配線基板中のコンデンサにおいては、焼成の
途中で電極層を構成するＷが誘電体層中に拡散し、その
拡散量が例えば誘電体層の厚み、電極層の厚み、絶縁体
層の厚み等に依存するため、これらの条件が変動すると
誘電率が変動するという課題があった。
【００１３】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、誘電体層、電極層、絶縁体層等のそれぞれの
厚みが多少変化しても、従来に比べて誘電率の変動量が
少ない多層配線基板中のコンデンサの製造方法を提供す
ることを目的としている。
のであり、誘電体層、電極層、絶縁体層等のそれぞれの
厚みが多少変化しても、従来に比べて誘電率の変動量が
少ない多層配線基板中のコンデンサの製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る多層配線基板中のコンデンサの製造方法
は、誘電体層がアルミナで形成され、電極層がＷ金属で
形成され、前記誘電体層に誘電率増加剤としてＭｏ金属
が添加された多層配線基板中のコンデンサの製造方法で
あって、誘電体層用ペーストの形成に含有塩素量５ｐｐ
ｍ以下の有機バインダを用い、前記誘電率増加剤として
のＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に設定することを
特徴としている。
に本発明に係る多層配線基板中のコンデンサの製造方法
は、誘電体層がアルミナで形成され、電極層がＷ金属で
形成され、前記誘電体層に誘電率増加剤としてＭｏ金属
が添加された多層配線基板中のコンデンサの製造方法で
あって、誘電体層用ペーストの形成に含有塩素量５ｐｐ
ｍ以下の有機バインダを用い、前記誘電率増加剤として
のＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に設定することを
特徴としている。
【００１５】
【作用】本発明者らは、上記した電極層を構成するＷの
拡散の過程を調査した結果、Ｗの拡散がある特定の物質
の存在によって促進されるものであり、さらにその促進
物質はハロゲン類である可能性が高いという知見を得
た。
拡散の過程を調査した結果、Ｗの拡散がある特定の物質
の存在によって促進されるものであり、さらにその促進
物質はハロゲン類である可能性が高いという知見を得
た。
【００１６】また、多層配線基板を構成しているすべて
の材料について含有ハロゲン量を測定したところ、有機
バインダ中に最も多いことがわかり、ある種の有機バイ
ンダ中には塩素として５７０ｐｐｍ存在していた。
の材料について含有ハロゲン量を測定したところ、有機
バインダ中に最も多いことがわかり、ある種の有機バイ
ンダ中には塩素として５７０ｐｐｍ存在していた。
【００１７】そこで有機バインダを含有塩素量が５７０
ｐｐｍであるものから５ｐｐｍ以下のものへ変更し、同
じく電極層を構成するＷの拡散の過程を調査した結果、
前記Ｗの拡散は低減し、多層配線基板中のコンデンサの
誘電率の変動量が小さくなった。
ｐｐｍであるものから５ｐｐｍ以下のものへ変更し、同
じく電極層を構成するＷの拡散の過程を調査した結果、
前記Ｗの拡散は低減し、多層配線基板中のコンデンサの
誘電率の変動量が小さくなった。
【００１８】以上説明したように、本発明者らは多層配
線基板中の含有塩素量を低下させることによりＷの拡散
が抑制され、誘電率の変動が抑制されることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
線基板中の含有塩素量を低下させることによりＷの拡散
が抑制され、誘電率の変動が抑制されることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
【００１９】すなわち本発明に係る多層配線基板中のコ
ンデンサの製造方法によれば、誘電体層がアルミナで形
成され、電極層がＷ金属で形成され、前記誘電体層に誘
電率増加剤としてＭｏ金属が添加された多層配線基板中
のコンデンサの製造方法において誘電体層用ペーストの
形成に含有塩素量５ｐｐｍ以下の有機バインダを用い、
誘電率増加剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量
％に設定するので、含有塩素量の低減によりＷの拡散が
抑制され、誘電率の変動が抑制される。よって誘電体
層、電極層、絶縁体層等のそれぞれの厚みが多少変化し
ても、従来に比べて誘電率の変動量が少ない多層配線基
板中のコンデンサを製造することが可能となる。
ンデンサの製造方法によれば、誘電体層がアルミナで形
成され、電極層がＷ金属で形成され、前記誘電体層に誘
電率増加剤としてＭｏ金属が添加された多層配線基板中
のコンデンサの製造方法において誘電体層用ペーストの
形成に含有塩素量５ｐｐｍ以下の有機バインダを用い、
誘電率増加剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量
％に設定するので、含有塩素量の低減によりＷの拡散が
抑制され、誘電率の変動が抑制される。よって誘電体
層、電極層、絶縁体層等のそれぞれの厚みが多少変化し
ても、従来に比べて誘電率の変動量が少ない多層配線基
板中のコンデンサを製造することが可能となる。
【００２０】
【実施例及び比較例】以下、本発明の実施例に係る多層
配線基板中のコンデンサの製造方法を図面に基づいて説
明する。
配線基板中のコンデンサの製造方法を図面に基づいて説
明する。
【００２１】図１は本実施例に係る方法により製造され
た多層配線基板及びその中のコンデンサを模式的に示し
た断面図であり、図中１１は誘電体層を示している。
た多層配線基板及びその中のコンデンサを模式的に示し
た断面図であり、図中１１は誘電体層を示している。
【００２２】この誘電体層１１は、Ｍｏなどの金属粉末
が分散した高誘電体層となっており、誘電体層１１の両
面（上下面）には電極層１２が形成され、この誘電体層
１１と電極層１２とでコンデンサ層１４が構成されてい
る。またコンデンサ層１４のさらに両面（上下面）には
アルミナセラミックスからなる絶縁体層１３が形成され
ている。そして誘電体層１１の両面に形成された電極層
１２はスルーホール１５を通じて表面電極１６と接続さ
れている。これら電極層１２、コンデンサ層１４、スル
ーホール１５及び表面電極１６を含んでコンデンサ２０
は構成されており、コンデンサ２０及び絶縁体層１３を
含んで多層配線基板３０は構成されている。従って、こ
の多層配線基板３０にＬＳＩなどの電子部品が実装され
た場合には、内部のコンデンサ２０がデカップリングコ
ンデンサとして機能し、ノイズなどを効果的に除去する
ことができる。
が分散した高誘電体層となっており、誘電体層１１の両
面（上下面）には電極層１２が形成され、この誘電体層
１１と電極層１２とでコンデンサ層１４が構成されてい
る。またコンデンサ層１４のさらに両面（上下面）には
アルミナセラミックスからなる絶縁体層１３が形成され
ている。そして誘電体層１１の両面に形成された電極層
１２はスルーホール１５を通じて表面電極１６と接続さ
れている。これら電極層１２、コンデンサ層１４、スル
ーホール１５及び表面電極１６を含んでコンデンサ２０
は構成されており、コンデンサ２０及び絶縁体層１３を
含んで多層配線基板３０は構成されている。従って、こ
の多層配線基板３０にＬＳＩなどの電子部品が実装され
た場合には、内部のコンデンサ２０がデカップリングコ
ンデンサとして機能し、ノイズなどを効果的に除去する
ことができる。
【００２３】上記多層配線基板３０の作製は以下のよう
に行った。アルミナ粉末（平均粒径２μｍ、純度９９％
以上）１００重量部に、焼結助剤として酸化カルシウム
（平均粒径２μｍ、純度９９％以上）を２重量部、二酸
化ケイ素（平均粒径２μｍ、純度９９％以上）を２重量
部、酸化マグネシウム（平均粒径２μｍ、純度９９％以
上）を２重量部添加し、混合する。この混合後の粉末
に、高誘電率付与剤としてＭｏＯ3 を８〜４５重量部
（添加Ｍｏ量としては５〜３０重量％）添加する。
に行った。アルミナ粉末（平均粒径２μｍ、純度９９％
以上）１００重量部に、焼結助剤として酸化カルシウム
（平均粒径２μｍ、純度９９％以上）を２重量部、二酸
化ケイ素（平均粒径２μｍ、純度９９％以上）を２重量
部、酸化マグネシウム（平均粒径２μｍ、純度９９％以
上）を２重量部添加し、混合する。この混合後の粉末
に、高誘電率付与剤としてＭｏＯ3 を８〜４５重量部
（添加Ｍｏ量としては５〜３０重量％）添加する。
【００２４】また、このＭｏの添加と同時に塩素含有量
が５ｐｐｍ以下である有機バインダを加え、有機溶剤中
で粉砕混合後スラリーを調整し、該スラリーを用いてド
クターブレード法により誘電体層用グリーンシートを作
製する。
が５ｐｐｍ以下である有機バインダを加え、有機溶剤中
で粉砕混合後スラリーを調整し、該スラリーを用いてド
クターブレード法により誘電体層用グリーンシートを作
製する。
【００２５】次に、上記した誘電体層用グリーンシート
と同様に、前記アルミナ粉末に前記焼結助剤を添加し、
前記有機バインダを加え、前記有機溶剤中で混合後スラ
リーを作製し、絶縁体層用グリーンシートを作製する。
と同様に、前記アルミナ粉末に前記焼結助剤を添加し、
前記有機バインダを加え、前記有機溶剤中で混合後スラ
リーを作製し、絶縁体層用グリーンシートを作製する。
【００２６】前記誘電体層用グリーンシートの両面に電
極層用の導電ペーストを印刷した後、該電極層用の導電
ペーストを介して前記誘電体層用グリーンシートの上下
に、スルーホール１５などを形成した前記絶縁体層用グ
リーンシートを積層し、スルーホール１５に前記導電ペ
ーストを流し込み、乾燥させる。その後この積層体を水
素−窒素雰囲気のもと１６００℃程度の温度で３時間還
元焼成することによりコンデンサ２０を有する多層配線
基板３０の製造を完成する。なお、前記絶縁体層用グリ
ーンシートの所定表面には表面電極１６となる層を形成
しておく。
極層用の導電ペーストを印刷した後、該電極層用の導電
ペーストを介して前記誘電体層用グリーンシートの上下
に、スルーホール１５などを形成した前記絶縁体層用グ
リーンシートを積層し、スルーホール１５に前記導電ペ
ーストを流し込み、乾燥させる。その後この積層体を水
素−窒素雰囲気のもと１６００℃程度の温度で３時間還
元焼成することによりコンデンサ２０を有する多層配線
基板３０の製造を完成する。なお、前記絶縁体層用グリ
ーンシートの所定表面には表面電極１６となる層を形成
しておく。
【００２７】一方、比較例１として高誘電率付与剤とし
てのＭｏＯ3 を８〜４５重量部（添加Ｍｏ量としては５
〜３０重量％）添加し、その他の工程は上記実施例と同
様にして多層配線基板中のコンデンサを製造した。
てのＭｏＯ3 を８〜４５重量部（添加Ｍｏ量としては５
〜３０重量％）添加し、その他の工程は上記実施例と同
様にして多層配線基板中のコンデンサを製造した。
【００２８】また、比較例２として含有塩素量が約５７
０ｐｐｍである有機バインダを用い、その他の工程は上
記実施例と同様にして多層配線基板中のコンデンサを製
造した。
０ｐｐｍである有機バインダを用い、その他の工程は上
記実施例と同様にして多層配線基板中のコンデンサを製
造した。
【００２９】図２は誘電体層用ペーストに添加したＭｏ
量と多層配線基板３０中のコンデンサ２０のショート率
との関係を示したグラフである。該グラフは実施例及び
比較例１において誘電体層１１の厚みが５５μｍ、電極
層１２の厚みが２０μｍ、絶縁体層１３の厚みが３００
μｍである多層配線基板３０について調べた結果をもと
に作成した。
量と多層配線基板３０中のコンデンサ２０のショート率
との関係を示したグラフである。該グラフは実施例及び
比較例１において誘電体層１１の厚みが５５μｍ、電極
層１２の厚みが２０μｍ、絶縁体層１３の厚みが３００
μｍである多層配線基板３０について調べた結果をもと
に作成した。
【００３０】図２から明らかなように、添加したＭｏ量
が３０重量部を超えると、ショート率が急激に高くな
り、５〜３０重量部添加した場合では略０％であったシ
ョート率が４０重量部以上添加した場合では略１００％
となった。
が３０重量部を超えると、ショート率が急激に高くな
り、５〜３０重量部添加した場合では略０％であったシ
ョート率が４０重量部以上添加した場合では略１００％
となった。
【００３１】すなわち、本実施例においては誘電率増加
剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に設定し
たため多層配線基板中のコンデンサにおいてショートが
発生することはなかった。他方、比較例１においては前
記Ｍｏ金属の含有量を３０重量％より多く設定したた
め、多層配線基板中のコンデンサにおいては略１００％
の確率でショートが発生した。
剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に設定し
たため多層配線基板中のコンデンサにおいてショートが
発生することはなかった。他方、比較例１においては前
記Ｍｏ金属の含有量を３０重量％より多く設定したた
め、多層配線基板中のコンデンサにおいては略１００％
の確率でショートが発生した。
【００３２】以下、実施例及び比較例２において誘電体
層用ペーストに添加したＭｏ量を５〜３０重量％、誘電
体層１１の厚さを約３０〜５５μｍ、電極層１２の厚さ
を約５〜４５μｍ、絶縁体層１３の厚さを約２００〜１
２００μｍの範囲内で変化させ、単位厚さ当たりの比誘
電率を求めた結果を図３〜図５に基づいて説明する。図
中Ａは実施例を、Ｂは比較例２をそれぞれ示す。
層用ペーストに添加したＭｏ量を５〜３０重量％、誘電
体層１１の厚さを約３０〜５５μｍ、電極層１２の厚さ
を約５〜４５μｍ、絶縁体層１３の厚さを約２００〜１
２００μｍの範囲内で変化させ、単位厚さ当たりの比誘
電率を求めた結果を図３〜図５に基づいて説明する。図
中Ａは実施例を、Ｂは比較例２をそれぞれ示す。
【００３３】図３は電極層１２の厚みと多層配線基板３
０中のコンデンサ２０の比誘電率との関係を示したグラ
フである。該グラフはＭｏ金属の含有量が２０重量％で
ある誘電体層１１を用い、誘電体層１１の厚みが５５μ
ｍ、絶縁体層１３の厚みが３００μｍである多層配線基
板３０について調べた結果をもとに作成した。
０中のコンデンサ２０の比誘電率との関係を示したグラ
フである。該グラフはＭｏ金属の含有量が２０重量％で
ある誘電体層１１を用い、誘電体層１１の厚みが５５μ
ｍ、絶縁体層１３の厚みが３００μｍである多層配線基
板３０について調べた結果をもとに作成した。
【００３４】図３から明らかなように実施例に係る多層
配線基板３０中のコンデンサ２０においては電極層１２
の厚みが５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．０７
程度増加する。これに対し、比較例２に係る多層配線基
板３０中のコンデンサ２０においては電極層１２の厚み
が５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．２０程度増
加する。このように実施例に係る方法により製造された
多層配線基板中のコンデンサは比較例２に係る方法によ
り製造された多層配線基板中のコンデンサと比べてその
電極層１２の厚みの変化に対する比誘電率の変化が３
６．８％程度の変化量であった。すなわち本実施例によ
れば電極層１２の厚さの変化に対する比誘電率の変動量
がすくない多層配線基板３０中のコンデンサ２０を製造
することができる。
配線基板３０中のコンデンサ２０においては電極層１２
の厚みが５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．０７
程度増加する。これに対し、比較例２に係る多層配線基
板３０中のコンデンサ２０においては電極層１２の厚み
が５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．２０程度増
加する。このように実施例に係る方法により製造された
多層配線基板中のコンデンサは比較例２に係る方法によ
り製造された多層配線基板中のコンデンサと比べてその
電極層１２の厚みの変化に対する比誘電率の変化が３
６．８％程度の変化量であった。すなわち本実施例によ
れば電極層１２の厚さの変化に対する比誘電率の変動量
がすくない多層配線基板３０中のコンデンサ２０を製造
することができる。
【００３５】図４は誘電体層１１の厚みと多層配線基板
３０中のコンデンサ２０の比誘電率との関係を示したグ
ラフである。該グラフはＭｏ金属の含有量が２０重量％
である誘電体層１１を用い、電極層１２の厚みが２０μ
ｍ、絶縁体層１３の厚みが３００μｍである多層配線基
板３０について調べた結果をもとに作成した。
３０中のコンデンサ２０の比誘電率との関係を示したグ
ラフである。該グラフはＭｏ金属の含有量が２０重量％
である誘電体層１１を用い、電極層１２の厚みが２０μ
ｍ、絶縁体層１３の厚みが３００μｍである多層配線基
板３０について調べた結果をもとに作成した。
【００３６】図４から明らかなように実施例に係る多層
配線基板３０中のコンデンサ２０においては誘電体層１
１の厚みが５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．１
７程度減少する。これに対し、比較例２に係る多層配線
基板中のコンデンサにおいては電極層の厚みが５μｍ増
加する毎にその比誘電率は約０．９３程度減少する。こ
のように実施例に係る方法により製造された多層配線基
板３０中のコンデンサ２０は比較例２に係る方法により
製造された多層配線基板中のコンデンサと比べてその誘
電体層１１の厚さの変化に対する比誘電率の変化が１
７．４６％程度の変化量であった。すなわち本実施例に
よれば誘電体層１１の厚さの変化に対して比誘電率の変
動量がすくない多層配線基板中のコンデンサ２０を製造
することができる。
配線基板３０中のコンデンサ２０においては誘電体層１
１の厚みが５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．１
７程度減少する。これに対し、比較例２に係る多層配線
基板中のコンデンサにおいては電極層の厚みが５μｍ増
加する毎にその比誘電率は約０．９３程度減少する。こ
のように実施例に係る方法により製造された多層配線基
板３０中のコンデンサ２０は比較例２に係る方法により
製造された多層配線基板中のコンデンサと比べてその誘
電体層１１の厚さの変化に対する比誘電率の変化が１
７．４６％程度の変化量であった。すなわち本実施例に
よれば誘電体層１１の厚さの変化に対して比誘電率の変
動量がすくない多層配線基板中のコンデンサ２０を製造
することができる。
【００３７】図５は絶縁体層１３の厚みと多層配線基板
３０中のコンデンサ２０の比誘電率との関係を示したグ
ラフである。該グラフはＭｏ金属の含有量が２０重量％
である誘電体層１１を用い、電極層１２の厚みが２０μ
ｍ、誘電体層１１の厚みが５５μｍである多層配線基板
について調べた結果をもとに作成した。
３０中のコンデンサ２０の比誘電率との関係を示したグ
ラフである。該グラフはＭｏ金属の含有量が２０重量％
である誘電体層１１を用い、電極層１２の厚みが２０μ
ｍ、誘電体層１１の厚みが５５μｍである多層配線基板
について調べた結果をもとに作成した。
【００３８】図５から明らかなように実施例に係る多層
配線基板３０中のコンデンサ２０においては絶縁体層１
３の厚みが５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．１
程度減少する。これに対し、比較例２に係る多層配線基
板中のコンデンサにおいては絶縁体層１３の厚みが５μ
ｍ増加する毎にその比誘電率は約０．３４程度減少す
る。このように実施例に係る方法により製造された多層
配線基板３０中のコンデンサ２０は比較例２に係る方法
により製造された多層配線基板中のコンデンサと比べて
その絶縁体層１３の厚さの変化に対する比誘電率の変化
が２９．４６％程度の変化量であった。すなわち本実施
例によれば絶縁体層１３の厚さの変化に対して比誘電率
の変動量がすくない多層配線基板中のコンデンサ２０を
製造することができる。
配線基板３０中のコンデンサ２０においては絶縁体層１
３の厚みが５μｍ増加する毎にその比誘電率は約０．１
程度減少する。これに対し、比較例２に係る多層配線基
板中のコンデンサにおいては絶縁体層１３の厚みが５μ
ｍ増加する毎にその比誘電率は約０．３４程度減少す
る。このように実施例に係る方法により製造された多層
配線基板３０中のコンデンサ２０は比較例２に係る方法
により製造された多層配線基板中のコンデンサと比べて
その絶縁体層１３の厚さの変化に対する比誘電率の変化
が２９．４６％程度の変化量であった。すなわち本実施
例によれば絶縁体層１３の厚さの変化に対して比誘電率
の変動量がすくない多層配線基板中のコンデンサ２０を
製造することができる。
【００３９】以上説明したように、実施例に係る多層配
線基板３０中のコンデンサ２０の製造方法においては、
誘電体層用ペーストの形成に含有塩素量５ｐｐｍ以下の
有機バインダを用い、前記誘電率増加剤としてのＭｏ金
属の含有量を５〜３０重量％に設定するので、ショート
を発生させることがなく、誘電体層１１の厚み、電極層
１２の厚み、絶縁体層１３の厚み等の変化に対する誘電
率の変動量が少ない多層配線基板３０中のコンデンサ２
０を製造することができる。
線基板３０中のコンデンサ２０の製造方法においては、
誘電体層用ペーストの形成に含有塩素量５ｐｐｍ以下の
有機バインダを用い、前記誘電率増加剤としてのＭｏ金
属の含有量を５〜３０重量％に設定するので、ショート
を発生させることがなく、誘電体層１１の厚み、電極層
１２の厚み、絶縁体層１３の厚み等の変化に対する誘電
率の変動量が少ない多層配線基板３０中のコンデンサ２
０を製造することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る多層配
線基板中のコンデンサの製造方法においては、誘電体層
がアルミナで形成され、電極層がＷ金属で形成され、前
記誘電体層に誘電率増加剤としてＭｏ金属が添加された
多層配線基板中のコンデンサの製造方法において、誘電
体層用ペーストの形成に含有塩素量５ｐｐｍ以下の有機
バインダを用い、前記誘電率増加剤としてのＭｏ金属の
含有量を５〜３０重量％に設定するので、誘電体層用ペ
ースト中の含有塩素量が低下することによりＷの拡散が
抑制され、誘電率の変動が抑制される。よって誘電体
層、電極層、絶縁体層等のそれぞれ厚みが多少変化して
も、従来に比べて誘電率の変動量が少なく、しかもショ
ートが発生することのない多層配線基板中のコンデンサ
を製造することができる。
線基板中のコンデンサの製造方法においては、誘電体層
がアルミナで形成され、電極層がＷ金属で形成され、前
記誘電体層に誘電率増加剤としてＭｏ金属が添加された
多層配線基板中のコンデンサの製造方法において、誘電
体層用ペーストの形成に含有塩素量５ｐｐｍ以下の有機
バインダを用い、前記誘電率増加剤としてのＭｏ金属の
含有量を５〜３０重量％に設定するので、誘電体層用ペ
ースト中の含有塩素量が低下することによりＷの拡散が
抑制され、誘電率の変動が抑制される。よって誘電体
層、電極層、絶縁体層等のそれぞれ厚みが多少変化して
も、従来に比べて誘電率の変動量が少なく、しかもショ
ートが発生することのない多層配線基板中のコンデンサ
を製造することができる。
【図１】本発明の実施例に係る多層配線基板及びその中
のコンデンサを示した模式的断面図である。
のコンデンサを示した模式的断面図である。
【図２】誘電体層用ペーストに添加したＭｏ量と多層配
線基板中のコンデンサのショート率との関係を示したグ
ラフである。
線基板中のコンデンサのショート率との関係を示したグ
ラフである。
【図３】電極層の厚みと多層配線基板中のコンデンサの
比誘電率との関係を示したグラフである。
比誘電率との関係を示したグラフである。
【図４】誘電体層の厚みと多層配線基板中のコンデンサ
の比誘電率との関係を示したグラフである。
の比誘電率との関係を示したグラフである。
【図５】絶縁体層の厚みと多層配線基板中のコンデンサ
の比誘電率との関係を示したグラフである。
の比誘電率との関係を示したグラフである。
１１ 誘電体層 １２ 電極層 ２０ コンデンサ ３０ 多層配線基板
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体層がアルミナで形成され、電極層
がＷ金属で形成され、前記誘電体層に誘電率増加剤とし
てＭｏ金属が添加された多層配線基板中のコンデンサの
製造方法において、誘電体層用ペーストの形成に含有塩
素量５ｐｐｍ以下の有機バインダを用い、前記誘電率増
加剤としてのＭｏ金属の含有量を５〜３０重量％に設定
することを特徴とする多層配線基板中のコンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7131897A JPH08330738A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 多層配線基板中のコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7131897A JPH08330738A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 多層配線基板中のコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330738A true JPH08330738A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15068721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7131897A Pending JPH08330738A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 多層配線基板中のコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300187B2 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-09 | Micron Technology, Inc. | Capacitor and method of forming a capacitor |
| WO2003107445A1 (ja) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、半導体回路及び半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP7131897A patent/JPH08330738A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300187B2 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-09 | Micron Technology, Inc. | Capacitor and method of forming a capacitor |
| US6313496B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Capacitor and method of forming a capacitor |
| WO2003107445A1 (ja) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、半導体回路及び半導体装置の製造方法 |
| US7288844B2 (en) | 2002-06-12 | 2007-10-30 | Nec Corporation | Semiconductor device, semiconductor circuit and method for producing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010116 |