JPH08311002A - ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法 - Google Patents
３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法Info
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- JPH08311002A JPH08311002A JP8055854A JP5585496A JPH08311002A JP H08311002 A JPH08311002 A JP H08311002A JP 8055854 A JP8055854 A JP 8055854A JP 5585496 A JP5585496 A JP 5585496A JP H08311002 A JPH08311002 A JP H08311002A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶嵩の低い流動性の改善された３−アミノ−
２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンまたはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸を作用
させることを特許とする結晶嵩が低く流動性の改善され
た３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の結晶
の取得方法。
２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンまたはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸を作用
させることを特許とする結晶嵩が低く流動性の改善され
た３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の結晶
の取得方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品中間体とし
て有用な３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩
の製造法に関する。
て有用な３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩
の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンまたはその酸付加塩の製造法としては、これまでに
種々の方法が提案されている。例えば、特開平３−９５
１４４号公報には、下記ルートで示される方法が提案さ
れている。 上記ルートに示される３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノンの製造法は、他のルートによる方法に比べア
セチル基、ニトロ基導入時における位置特性に優れるの
で有利な方法である。この方法によって得られる３−ア
ミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンは、上記ルート図
からもわかるとおり接触還元によって発生するハロゲン
化水素によって３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンのハロゲン化水素塩となる。しかしながらこのハロ
ゲン化水素塩の結晶は、濾過、乾燥等の単離操作または
そのための移送操作における効率が悪く、工業的にはこ
の点の改良が求められている。また、このハロゲン化水
素塩を中和後フリーの３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノンとして取り出すことについても特開平３−９
５１４４号公報に提案されているが、フリーの３−アミ
ノ−２−ヒドロキシアセトフェノン自体の安定性に問題
があるのみならず、この方法では溶媒の濃縮という別の
煩雑なまたは非効率的な操作が必要となり工業的には問
題がある。
ノンまたはその酸付加塩の製造法としては、これまでに
種々の方法が提案されている。例えば、特開平３−９５
１４４号公報には、下記ルートで示される方法が提案さ
れている。 上記ルートに示される３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノンの製造法は、他のルートによる方法に比べア
セチル基、ニトロ基導入時における位置特性に優れるの
で有利な方法である。この方法によって得られる３−ア
ミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンは、上記ルート図
からもわかるとおり接触還元によって発生するハロゲン
化水素によって３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンのハロゲン化水素塩となる。しかしながらこのハロ
ゲン化水素塩の結晶は、濾過、乾燥等の単離操作または
そのための移送操作における効率が悪く、工業的にはこ
の点の改良が求められている。また、このハロゲン化水
素塩を中和後フリーの３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノンとして取り出すことについても特開平３−９
５１４４号公報に提案されているが、フリーの３−アミ
ノ−２−ヒドロキシアセトフェノン自体の安定性に問題
があるのみならず、この方法では溶媒の濃縮という別の
煩雑なまたは非効率的な操作が必要となり工業的には問
題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、工業
的に取り扱いの容易な、特に結晶嵩が低くかつ流動性の
改善された３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン
塩の製造法を提供することにある。
的に取り扱いの容易な、特に結晶嵩が低くかつ流動性の
改善された３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン
塩の製造法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、２−ヒド
ロキシ−３−ニトロアセトフェノンを経由する接触還元
による３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンの製
造法について研究を続けてきた。その結果、３−アミノ
−２−ヒドロキシアセトフェノンまたはそのハロゲン化
水素塩に硫酸を作用させると、得られる３−アミノ−２
−ヒドロキシアセトフェノン塩の結晶の結晶嵩が低く流
動性が極めて良好となり、これにより従来技術の問題が
解決されることを見いだし本発明に至った。すなわち、
本発明は、３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン
またはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸を作用させ
ることからなる結晶嵩が低く流動性の改善された３−ア
ミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法を提供
するものである。
ロキシ−３−ニトロアセトフェノンを経由する接触還元
による３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンの製
造法について研究を続けてきた。その結果、３−アミノ
−２−ヒドロキシアセトフェノンまたはそのハロゲン化
水素塩に硫酸を作用させると、得られる３−アミノ−２
−ヒドロキシアセトフェノン塩の結晶の結晶嵩が低く流
動性が極めて良好となり、これにより従来技術の問題が
解決されることを見いだし本発明に至った。すなわち、
本発明は、３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン
またはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸を作用させ
ることからなる結晶嵩が低く流動性の改善された３−ア
ミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法を提供
するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。３
−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン（１）または
そのハロゲン化水素塩は一般式（１） （式中、Ｘはハロゲン原子または水素原子を示す。）で
示されるニトロ化合物を接触還元することにより得るこ
とができる。
−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン（１）または
そのハロゲン化水素塩は一般式（１） （式中、Ｘはハロゲン原子または水素原子を示す。）で
示されるニトロ化合物を接触還元することにより得るこ
とができる。
【０００６】この接触還元反応は、通常、溶媒の存在下
に行われる。反応に用いられる溶媒として代表的なもの
を例示すれば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、酢
酸、無水酢酸、水、またはそれら２種類以上の混合溶媒
などが挙げられるが、好ましくは、アルコール類、芳香
族炭化水素類、水、またはそれら２種類以上の混合溶媒
である。溶媒の使用量は通常、ニトロ化合物（１）に対
し２〜１０重量倍、好ましくは３〜６重量倍である。
に行われる。反応に用いられる溶媒として代表的なもの
を例示すれば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、酢
酸、無水酢酸、水、またはそれら２種類以上の混合溶媒
などが挙げられるが、好ましくは、アルコール類、芳香
族炭化水素類、水、またはそれら２種類以上の混合溶媒
である。溶媒の使用量は通常、ニトロ化合物（１）に対
し２〜１０重量倍、好ましくは３〜６重量倍である。
【０００７】用いられる接触還元触媒としては、例え
ば、パラジウム炭素、パラジウム黒、パラジウムアルミ
ナ、パラジウムシリカ、パラジウム、二酸化白金、白金
炭素、ニッケル、ラネーニッケル等が挙げられる。接触
還元触媒の使用量は通常、ニトロ化合物（１）に対し
０．００１〜１重量％、好ましくは、０．０１〜０．２
５重量％である。水素圧は通常、常圧以上で行われ、特
には限定されないが、０〜２０Kg／ｃｍ 2 Ｇが好まし
い。反応温度は、通常、−２０℃〜１００℃であり、好
ましくは１０℃〜６０℃である。
ば、パラジウム炭素、パラジウム黒、パラジウムアルミ
ナ、パラジウムシリカ、パラジウム、二酸化白金、白金
炭素、ニッケル、ラネーニッケル等が挙げられる。接触
還元触媒の使用量は通常、ニトロ化合物（１）に対し
０．００１〜１重量％、好ましくは、０．０１〜０．２
５重量％である。水素圧は通常、常圧以上で行われ、特
には限定されないが、０〜２０Kg／ｃｍ 2 Ｇが好まし
い。反応温度は、通常、−２０℃〜１００℃であり、好
ましくは１０℃〜６０℃である。
【０００８】上記反応により３−アミノ−２−ヒドロキ
シアセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩が生成す
る。 反応終了後、通常は反応において用いた上記接触
還元触媒が濾過により除去される。この触媒除去は通
常、反応に用いた溶媒が水を主成分とするものの場合に
は混合物をそのまま濾過することによりなされる。ニト
ロ化合物（１）のＸがハロゲン原子であり、かつ溶媒が
アルコール類、芳香族炭化水素類等の非水性溶媒等のよ
うに３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンのハロ
ゲン化水素塩が析出するものである場合には、通常は予
め反応液に塩基を作用させて３−アミノ−２−ヒドロキ
シアセトフェノンをフリー体として溶媒に溶解させた後
濾過することによりなされる。この場合３−アミノ−２
−ヒドロキシアセトフェノンに代わって塩化ナトリウ
ム、塩化アンモニウム、臭化カリウム等の無機ハロゲン
化物が反応液中に析出するので触媒と無機ハロゲン化物
の除去が同時に行われる。
シアセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩が生成す
る。 反応終了後、通常は反応において用いた上記接触
還元触媒が濾過により除去される。この触媒除去は通
常、反応に用いた溶媒が水を主成分とするものの場合に
は混合物をそのまま濾過することによりなされる。ニト
ロ化合物（１）のＸがハロゲン原子であり、かつ溶媒が
アルコール類、芳香族炭化水素類等の非水性溶媒等のよ
うに３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンのハロ
ゲン化水素塩が析出するものである場合には、通常は予
め反応液に塩基を作用させて３−アミノ−２−ヒドロキ
シアセトフェノンをフリー体として溶媒に溶解させた後
濾過することによりなされる。この場合３−アミノ−２
−ヒドロキシアセトフェノンに代わって塩化ナトリウ
ム、塩化アンモニウム、臭化カリウム等の無機ハロゲン
化物が反応液中に析出するので触媒と無機ハロゲン化物
の除去が同時に行われる。
【０００９】塩基を作用させる場合に用いられる塩基と
しては、例えば、アルキル金属の炭酸塩、炭酸水素塩、
水酸化物；アルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水
酸化物；有機脂肪酸塩、有機塩基類が挙げられる。具体
的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化
物等、また有機塩基類としては、トリエチルアミン、ピ
リジン、ピコリン、アンモニア等が挙げられる。添加す
る塩基の量は、３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンが溶解するのに必要な量以上であればよいが、通常
０．１〜３当量であり、好ましくは０．５〜１．２当量
である。塩基を作用させる場合の温度は、通常−２０℃
〜１００℃または溶媒の沸点までであり、好ましくは１
０℃〜６０℃である。触媒濾過における温度は、通常−
２０℃〜１００℃または溶媒の沸点までであり、好まし
くは１０℃〜６０℃である。かくして得られる３−アミ
ノ−２−ヒドロキシアセトフェノンまたはそのハロゲン
化水素塩は溶媒留去、再結晶等の処理を施すことにより
単離することもできるが、通常は触媒を除去した溶液を
本発明の製造法の原料として使用することができる。ニ
トロ化合物（１）は例えば、前記特開平３−９５１４４
号公報に記載の方法に準じて製造することができる。
しては、例えば、アルキル金属の炭酸塩、炭酸水素塩、
水酸化物；アルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水
酸化物；有機脂肪酸塩、有機塩基類が挙げられる。具体
的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化
物等、また有機塩基類としては、トリエチルアミン、ピ
リジン、ピコリン、アンモニア等が挙げられる。添加す
る塩基の量は、３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェ
ノンが溶解するのに必要な量以上であればよいが、通常
０．１〜３当量であり、好ましくは０．５〜１．２当量
である。塩基を作用させる場合の温度は、通常−２０℃
〜１００℃または溶媒の沸点までであり、好ましくは１
０℃〜６０℃である。触媒濾過における温度は、通常−
２０℃〜１００℃または溶媒の沸点までであり、好まし
くは１０℃〜６０℃である。かくして得られる３−アミ
ノ−２−ヒドロキシアセトフェノンまたはそのハロゲン
化水素塩は溶媒留去、再結晶等の処理を施すことにより
単離することもできるが、通常は触媒を除去した溶液を
本発明の製造法の原料として使用することができる。ニ
トロ化合物（１）は例えば、前記特開平３−９５１４４
号公報に記載の方法に準じて製造することができる。
【００１０】本発明の３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸
を作用させることにより結晶嵩の低い流動性の改善され
た３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造
法に於いて、使用される硫酸としては、通常３０％から
９８％までの硫酸水溶液あるいは発煙硫酸が挙げられ、
好ましくは７０％から９８％の硫酸水溶液が好適であ
る。３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンまたは
そのハロゲン化水素塩に硫酸を作用させる方法として
は、３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンまたは
そのハロゲン化水素塩の懸濁液または溶液に硫酸を添加
する方法が挙げられる。 用いられる溶媒としては、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコー
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン
等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類、
N,N −ジメチルホルムアミド、酢酸、無水酢酸、水、ま
たはそれら２種類以上の混合溶媒などが挙げられ、前記
した接触還元反応後、触媒除去処理を行った３−アミノ
−２−ヒドロキシアセトフェノンまたはそのハロゲン化
水素塩の溶液をそのまま用いることもできる。
トフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸
を作用させることにより結晶嵩の低い流動性の改善され
た３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造
法に於いて、使用される硫酸としては、通常３０％から
９８％までの硫酸水溶液あるいは発煙硫酸が挙げられ、
好ましくは７０％から９８％の硫酸水溶液が好適であ
る。３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンまたは
そのハロゲン化水素塩に硫酸を作用させる方法として
は、３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンまたは
そのハロゲン化水素塩の懸濁液または溶液に硫酸を添加
する方法が挙げられる。 用いられる溶媒としては、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコー
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン
等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類、
N,N −ジメチルホルムアミド、酢酸、無水酢酸、水、ま
たはそれら２種類以上の混合溶媒などが挙げられ、前記
した接触還元反応後、触媒除去処理を行った３−アミノ
−２−ヒドロキシアセトフェノンまたはそのハロゲン化
水素塩の溶液をそのまま用いることもできる。
【００１１】硫酸の使用量は、３−アミノ−２−ヒドロ
キシアセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に対し
通常、１モル比〜１０モル比の範囲であり、好ましくは
２モル比〜４モル比である。 溶媒の量は使用される溶
媒によって異なり、通常は３−アミノ−２−ヒドロキシ
アセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に対し２〜
１０重量倍の範囲で適宜選択される。硫酸を作用させる
温度は通常、−２０℃〜１００℃または溶媒の沸点迄で
あり、好ましくは１０℃〜６０℃である。硫酸を添加し
た後、必要により１〜３時間程度熟成することもでき
る。
キシアセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に対し
通常、１モル比〜１０モル比の範囲であり、好ましくは
２モル比〜４モル比である。 溶媒の量は使用される溶
媒によって異なり、通常は３−アミノ−２−ヒドロキシ
アセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に対し２〜
１０重量倍の範囲で適宜選択される。硫酸を作用させる
温度は通常、−２０℃〜１００℃または溶媒の沸点迄で
あり、好ましくは１０℃〜６０℃である。硫酸を添加し
た後、必要により１〜３時間程度熟成することもでき
る。
【００１２】溶媒として水または水を主成分とするもの
を用いて硫酸を作用させたときにそのままでは結晶の析
出が不十分な場合には、硫酸を作用させるまえ、その途
中または作用させた後に例えばアルコール類、ＴＨＦ等
の３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩に対す
る溶解性の低い溶媒を添加して結晶化を促進させること
もできる。結晶化の収率の点からは実質的にアルコール
類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類等からなる溶媒
またはこれらを主成分とする（通常は７０重量％以上含
む）溶媒を用いるのが好ましい。
を用いて硫酸を作用させたときにそのままでは結晶の析
出が不十分な場合には、硫酸を作用させるまえ、その途
中または作用させた後に例えばアルコール類、ＴＨＦ等
の３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩に対す
る溶解性の低い溶媒を添加して結晶化を促進させること
もできる。結晶化の収率の点からは実質的にアルコール
類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類等からなる溶媒
またはこれらを主成分とする（通常は７０重量％以上含
む）溶媒を用いるのが好ましい。
【００１３】硫酸処理された結晶は濾過により溶媒から
分離されるが、この溶媒分離は低い温度の方が結晶の収
量を高めるためには有利であり、工業的には通常、−２
０℃〜２０℃程度で行われる。結晶の濾過方法として
は、減圧濾過法、加圧濾過法、遠心濾過、自然濾過法等
が挙げられるが、工業的には加圧濾過法、遠心濾過（セ
ントル）法等が好ましい。 濾過により溶媒から分離さ
れた結晶は、減圧乾燥、通風乾燥等による通常の乾燥処
理により乾燥品とすることができる。得られる３−アミ
ノ−２−ヒドロキシアセトフェノンの結晶は結晶嵩が低
く、一定容量の結晶の重量を測定することによって測定
したときの値が通常は０．５〜１０ml/g、好ましくは
０．５〜６ml/g、さらに好ましくは、０．５〜４ml/gで
ある。またその塩酸塩等における流動性の悪さも改善さ
れ、公知の安息角測定装置によって測定したときの安息
角が通常は５５°以下、好ましくは５０°以下である。
本発明で用いた安息角測定方法は、注入法であり、測定
装置としては、細川ミクロ（株）ＰＴ−Ｎや筒井理化学
機械（株）の装置が一般的である。
分離されるが、この溶媒分離は低い温度の方が結晶の収
量を高めるためには有利であり、工業的には通常、−２
０℃〜２０℃程度で行われる。結晶の濾過方法として
は、減圧濾過法、加圧濾過法、遠心濾過、自然濾過法等
が挙げられるが、工業的には加圧濾過法、遠心濾過（セ
ントル）法等が好ましい。 濾過により溶媒から分離さ
れた結晶は、減圧乾燥、通風乾燥等による通常の乾燥処
理により乾燥品とすることができる。得られる３−アミ
ノ−２−ヒドロキシアセトフェノンの結晶は結晶嵩が低
く、一定容量の結晶の重量を測定することによって測定
したときの値が通常は０．５〜１０ml/g、好ましくは
０．５〜６ml/g、さらに好ましくは、０．５〜４ml/gで
ある。またその塩酸塩等における流動性の悪さも改善さ
れ、公知の安息角測定装置によって測定したときの安息
角が通常は５５°以下、好ましくは５０°以下である。
本発明で用いた安息角測定方法は、注入法であり、測定
装置としては、細川ミクロ（株）ＰＴ−Ｎや筒井理化学
機械（株）の装置が一般的である。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、極めて簡便な処理によ
って医薬品中間体として有用な３−アミノ−２−ヒドロ
キシアセトフェノンの結晶嵩が小さく流動性が良好な
塩、即ち生産性および操作性が格段に向上する工業的に
有利な３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンの塩
を得ることができる。
って医薬品中間体として有用な３−アミノ−２−ヒドロ
キシアセトフェノンの結晶嵩が小さく流動性が良好な
塩、即ち生産性および操作性が格段に向上する工業的に
有利な３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンの塩
を得ることができる。
【００１５】
(1) 表１に示した反応溶媒２００ｇ中に、５−クロロ−
２−ヒドロキシ−３−ニトロアセトフェノン４０ｇ、５
％パラジウム炭素（含水率５５％）１．７５ｇを加え、
常圧の水素雰囲気下２５℃〜５０℃で接触還元を行っ
た。還元反応の終了を確認した。このとき反応液は３−
アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩酸塩のスラリ
ー溶液となる。この反応溶液に表１に示した塩基を５−
クロロ−２−ヒドロキシ−３−ニトロアセトフェノンに
対し０．９当量加え、５０℃で３０分撹拌し、析出する
触媒及び無機ハロゲン化物を濾過により除去した。 (2) 上記濾液に９８％硫酸５６．１ｇを５０℃、１時間
で滴下したあと、５０℃で１時間保温し、その後徐々に
０℃まで冷却し、析出した結晶を０℃で濾取した。得ら
れた結晶を減圧下乾燥し、定量容器により結晶の嵩を流
動性の指標としての安息角を筒井理化学機械（株）製の
安息角測定器を用いて測定した。結果を表１に示す。
２−ヒドロキシ−３−ニトロアセトフェノン４０ｇ、５
％パラジウム炭素（含水率５５％）１．７５ｇを加え、
常圧の水素雰囲気下２５℃〜５０℃で接触還元を行っ
た。還元反応の終了を確認した。このとき反応液は３−
アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩酸塩のスラリ
ー溶液となる。この反応溶液に表１に示した塩基を５−
クロロ−２−ヒドロキシ−３−ニトロアセトフェノンに
対し０．９当量加え、５０℃で３０分撹拌し、析出する
触媒及び無機ハロゲン化物を濾過により除去した。 (2) 上記濾液に９８％硫酸５６．１ｇを５０℃、１時間
で滴下したあと、５０℃で１時間保温し、その後徐々に
０℃まで冷却し、析出した結晶を０℃で濾取した。得ら
れた結晶を減圧下乾燥し、定量容器により結晶の嵩を流
動性の指標としての安息角を筒井理化学機械（株）製の
安息角測定器を用いて測定した。結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】（実施例９）エタノール２００ｇ中に、２
−ヒドロキシ−３−ニトロアセトフェノン３４ｇ、５％
パラジウム炭素（含水率５５％）１．７５ｇを加え、常
圧の水素雰囲気下２５℃で接触還元を行った。還元反応
の終了後、４０℃で触媒を濾別した。濾液に９８％硫酸
５６．１ｇを４０℃、１時間で滴下したあと、５０℃で
１時間保温し、その後徐々に０℃まで冷却し、析出した
結晶を０℃で濾取した。得られた結晶を減圧下乾燥し
た。得量：３８．４ｇ、結晶の嵩：２．１ml/g、安息
角：４０°であった。
−ヒドロキシ−３−ニトロアセトフェノン３４ｇ、５％
パラジウム炭素（含水率５５％）１．７５ｇを加え、常
圧の水素雰囲気下２５℃で接触還元を行った。還元反応
の終了後、４０℃で触媒を濾別した。濾液に９８％硫酸
５６．１ｇを４０℃、１時間で滴下したあと、５０℃で
１時間保温し、その後徐々に０℃まで冷却し、析出した
結晶を０℃で濾取した。得られた結晶を減圧下乾燥し
た。得量：３８．４ｇ、結晶の嵩：２．１ml/g、安息
角：４０°であった。
【００１８】（比較例１〜３） 〔３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩酸塩の
製造〕表２に示す塩基を３−アミノ−２−ヒドロキシア
セトフェノンに対し、０．９当量加える以外は実施例１
(1) と同様の処理を行い得られた濾液に３５％塩酸２
８．９ｇを５０℃、１時間で滴下したあと、５０℃で１
時間保温し、その後徐々に０℃まで冷却し、析出した結
晶を０℃で濾取した。得られた結晶を減圧下乾燥し、結
晶の嵩および、流動性の指標として安息角を実施例１と
同様にして測定した。結果を表２に示す。
製造〕表２に示す塩基を３−アミノ−２−ヒドロキシア
セトフェノンに対し、０．９当量加える以外は実施例１
(1) と同様の処理を行い得られた濾液に３５％塩酸２
８．９ｇを５０℃、１時間で滴下したあと、５０℃で１
時間保温し、その後徐々に０℃まで冷却し、析出した結
晶を０℃で濾取した。得られた結晶を減圧下乾燥し、結
晶の嵩および、流動性の指標として安息角を実施例１と
同様にして測定した。結果を表２に示す。
【００１９】
【表２】
【００２０】（実施例１０） (1) ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩酸塩
２０ｇ及びエタノール１００ｇからなるスラリー溶液を
反応器に仕込み５０℃に昇温後９８％硫酸を同温度で１
時間をかけて滴下した。滴下後同温度で１時間保温し、
その後２℃まで冷却し、結晶を同温度で濾取した。得ら
れた結晶を減圧下乾燥し、結晶の嵩および、流動性の指
標として安息角を実施例１と同様にして測定した。結晶
の嵩：３．１ ml/g 、安息角：５１°、収率：８５％で
あった。
２０ｇ及びエタノール１００ｇからなるスラリー溶液を
反応器に仕込み５０℃に昇温後９８％硫酸を同温度で１
時間をかけて滴下した。滴下後同温度で１時間保温し、
その後２℃まで冷却し、結晶を同温度で濾取した。得ら
れた結晶を減圧下乾燥し、結晶の嵩および、流動性の指
標として安息角を実施例１と同様にして測定した。結晶
の嵩：３．１ ml/g 、安息角：５１°、収率：８５％で
あった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日比野 裕明 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 福田 悦子 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノ
ンまたはそのハロゲン化水素塩に溶媒中で硫酸を作用さ
せることを特許とする３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノン塩の製造法。 - 【請求項２】３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノ
ンまたはそのハロゲン化水素塩が、３−アミノ−２−ヒ
ドロキシアセトフェノンまたはその塩酸塩である請求項
１記載の製造法。 - 【請求項３】硫酸の量が、３−アミノ−２−ヒドロキシ
アセトフェノンまたはそのハロゲン化水素塩に対し１〜
１０モルである請求項１記載の製造法。 - 【請求項４】溶媒が、実質的にアルコール類または芳香
族炭化水素類からなるものまたはこれを主成分とするも
のである請求項１記載の製造法。 - 【請求項５】得られる３−アミノ−２−ヒドロキシアセ
トフェノン塩の結晶の結晶嵩が、０．５〜６ml/gである
請求項１記載の製造法。 - 【請求項６】３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノ
ン及び／またはそのハロゲン化水素塩が、一般式（１） （式中、Ｘはハロゲン原子または水素原子を示す。）で
示されるニトロ化合物を接触還元することにより得られ
たものである請求項１記載の製造法。 - 【請求項７】３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノ
ン及び／またはそのハロゲン化水素塩が、前記一般式
（１）で示されるニトロ化合物を接触還元後、使用した
触媒を除去した後に得られたものである請求項６記載の
製造法。 - 【請求項８】触媒の除去が、接触還元後塩基を作用させ
た後に行われる請求項７記載の製造法。 - 【請求項９】塩基が、アルキル金属の炭酸塩、炭酸水素
塩、水酸化物；アルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素
塩、水酸化物；有機脂肪酸塩、有機塩基類である請求項
８記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05585496A JP3487067B2 (ja) | 1995-03-14 | 1996-03-13 | ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-54386 | 1995-03-14 | ||
| JP5438695 | 1995-03-14 | ||
| JP05585496A JP3487067B2 (ja) | 1995-03-14 | 1996-03-13 | ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311002A true JPH08311002A (ja) | 1996-11-26 |
| JP3487067B2 JP3487067B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=26395146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05585496A Expired - Fee Related JP3487067B2 (ja) | 1995-03-14 | 1996-03-13 | ３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン塩の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3487067B2 (ja) |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP05585496A patent/JP3487067B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3487067B2 (ja) | 2004-01-13 |
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