JPH0830227A - 気体放電型表示装置の駆動装置 - Google Patents
気体放電型表示装置の駆動装置Info
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- JPH0830227A JPH0830227A JP6165463A JP16546394A JPH0830227A JP H0830227 A JPH0830227 A JP H0830227A JP 6165463 A JP6165463 A JP 6165463A JP 16546394 A JP16546394 A JP 16546394A JP H0830227 A JPH0830227 A JP H0830227A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ化が容易で低コスト化が可能で、走査電
極間をショートしても走査電極駆動回路が破壊しないプ
ラズマディスプレイパネルの駆動装置を提供する。 【構成】 複数の走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN にそれぞ
れ独立してドレイン電極が接続された高耐圧Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２１群と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
２１群のゲート電極に接続された走査用論理回路２３
と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群のソース電極
が出力ＳＣＣＯＭに接続されるとともに走査用論理回路
２３における信号レベルの基準となる共通ラインが出力
ＳＣＣＯＭに接続された高耐圧プッシュプル回路２２と
を有する走査電極駆動回路を備えている。
極間をショートしても走査電極駆動回路が破壊しないプ
ラズマディスプレイパネルの駆動装置を提供する。 【構成】 複数の走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN にそれぞ
れ独立してドレイン電極が接続された高耐圧Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２１群と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
２１群のゲート電極に接続された走査用論理回路２３
と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群のソース電極
が出力ＳＣＣＯＭに接続されるとともに走査用論理回路
２３における信号レベルの基準となる共通ラインが出力
ＳＣＣＯＭに接続された高耐圧プッシュプル回路２２と
を有する走査電極駆動回路を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はテレビおよび広告表示
盤などの各種表示に用いるプラズマディスプレイパネル
などの気体放電型表示装置を駆動するための気体放電型
表示装置の駆動装置に関するものである。
盤などの各種表示に用いるプラズマディスプレイパネル
などの気体放電型表示装置を駆動するための気体放電型
表示装置の駆動装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガス放電を利用した気体放電型表示装置
は、カラー表示が可能で奥行きが小さく大型の画面を実
現できる表示デバイスであるため、その利用範囲を急速
に拡大しつつある。これに伴い、気体放電型表示装置の
駆動装置においても、一層の低コスト化および小型化が
要望されている。このような気体放電型表示装置の駆動
装置における従来の技術としては、例えば特開平４−１
７０５８１号公報にドットマトリクス表示パネルの駆動
回路として示されているものがある。
は、カラー表示が可能で奥行きが小さく大型の画面を実
現できる表示デバイスであるため、その利用範囲を急速
に拡大しつつある。これに伴い、気体放電型表示装置の
駆動装置においても、一層の低コスト化および小型化が
要望されている。このような気体放電型表示装置の駆動
装置における従来の技術としては、例えば特開平４−１
７０５８１号公報にドットマトリクス表示パネルの駆動
回路として示されているものがある。
【０００３】以下、図面を参照しながら、気体放電型表
示装置の駆動装置の従来例について、面放電形ＡＣプラ
ズマディスプレイパネルの駆動装置を一例に取り上げて
説明する。駆動装置の説明に先立ち、まず面放電形ＡＣ
プラズマディスプレイパネルについて説明する。
示装置の駆動装置の従来例について、面放電形ＡＣプラ
ズマディスプレイパネルの駆動装置を一例に取り上げて
説明する。駆動装置の説明に先立ち、まず面放電形ＡＣ
プラズマディスプレイパネルについて説明する。
【０００４】従来の面放電形ＡＣプラズマディスプレイ
パネルの一例としては、例えば特開昭６１−３９３４１
号公報に、ガス放電表示パネルとその駆動方法として示
されている。図４（ａ）は面放電形ＡＣプラズマディス
プレイパネルの一部平面図を示し、同図（ｂ）はそのＢ
−Ｂ’線断面図を示したものである。図４において、一
方のガラス基板１上に走査電極２群と維持電極３群とが
平行に設けられ、これらの走査電極２群と維持電極３群
は誘電体層４と保護膜層５で覆われている。そして、放
電空間６を挟んでデータ電極７群が他方のガラス基板８
上に、走査電極２群と維持電極３群とに直交対向して設
けられ、マトリクスを構成している。
パネルの一例としては、例えば特開昭６１−３９３４１
号公報に、ガス放電表示パネルとその駆動方法として示
されている。図４（ａ）は面放電形ＡＣプラズマディス
プレイパネルの一部平面図を示し、同図（ｂ）はそのＢ
−Ｂ’線断面図を示したものである。図４において、一
方のガラス基板１上に走査電極２群と維持電極３群とが
平行に設けられ、これらの走査電極２群と維持電極３群
は誘電体層４と保護膜層５で覆われている。そして、放
電空間６を挟んでデータ電極７群が他方のガラス基板８
上に、走査電極２群と維持電極３群とに直交対向して設
けられ、マトリクスを構成している。
【０００５】このような面放電形ＡＣプラズマディスプ
レイパネルの駆動方法は、所定のデータ電極７と走査電
極２にパルスを印加すると、所定のデータ電極７と走査
電極２の交点Ｗで放電が起こり、この部分の保護膜層５
の表面に電荷が蓄積され、つぎに走査電極２と維持電極
３に交互にパルスが印加されることにより、保護膜層５
表面に蓄積された電荷により起動されてＳ部において放
電が開始し、その後Ｓ部の放電が継続するというもので
ある。
レイパネルの駆動方法は、所定のデータ電極７と走査電
極２にパルスを印加すると、所定のデータ電極７と走査
電極２の交点Ｗで放電が起こり、この部分の保護膜層５
の表面に電荷が蓄積され、つぎに走査電極２と維持電極
３に交互にパルスが印加されることにより、保護膜層５
表面に蓄積された電荷により起動されてＳ部において放
電が開始し、その後Ｓ部の放電が継続するというもので
ある。
【０００６】つぎに、面放電形ＡＣプラズマディスプレ
イパネルの駆動装置について説明する。図５は、上記の
面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネルにおける従来
の駆動装置の構成例を示したものである。図５に示した
面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネル９におけるＭ
列のデータ電極７にはデータ電極駆動回路１０が、Ｎ行
の走査電極２には走査電極駆動回路１１が、Ｎ行の維持
電極３には維持電極駆動回路１２が、それぞれ接続され
て構成されている。
イパネルの駆動装置について説明する。図５は、上記の
面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネルにおける従来
の駆動装置の構成例を示したものである。図５に示した
面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネル９におけるＭ
列のデータ電極７にはデータ電極駆動回路１０が、Ｎ行
の走査電極２には走査電極駆動回路１１が、Ｎ行の維持
電極３には維持電極駆動回路１２が、それぞれ接続され
て構成されている。
【０００７】このような駆動装置における動作タイミン
グの一例を図６に示し、その動作について説明する。な
お、説明の中にあるパルス振幅の値は代表例であり、こ
の限りではない。図６の書き込み期間において、所定の
データ電極ＤＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM に振幅が１００Ｖで
ある正の書き込みパルス、第１番目の走査電極ＳＣＮ 1
に振幅が２００Ｖである負の走査パルスが印加される
と、所定のデータ電極ＤＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM と第１番
目の走査電極ＳＣＮ1 の交点部の保護膜層表面に電荷が
蓄積される。
グの一例を図６に示し、その動作について説明する。な
お、説明の中にあるパルス振幅の値は代表例であり、こ
の限りではない。図６の書き込み期間において、所定の
データ電極ＤＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM に振幅が１００Ｖで
ある正の書き込みパルス、第１番目の走査電極ＳＣＮ 1
に振幅が２００Ｖである負の走査パルスが印加される
と、所定のデータ電極ＤＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM と第１番
目の走査電極ＳＣＮ1 の交点部の保護膜層表面に電荷が
蓄積される。
【０００８】つぎに、所定のデータ電極ＤＡＴＡ1 〜Ｄ
ＡＴＡM に振幅が１００Ｖである正の書き込みパルス、
第２番目の走査電極ＳＣＮ2 に振幅が２００Ｖである負
の走査パルスが印加されると、前記所定のデータ電極Ｄ
ＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM と第２番目の走査電極ＳＣＮ2 の
交点部の保護膜層表面に電荷が蓄積される。同様な動作
が続いて行われ、最後に所定のデータ電極ＤＡＴＡ1 〜
ＤＡＴＡMに振幅が１００Ｖである正の書き込みパル
ス、第Ｎ番目の走査電極ＳＣＮN に振幅が２００Ｖであ
る負の走査パルスが印加されると、前記所定のデータ電
極ＤＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM と第Ｎ番目の走査電極ＳＣＮ
N の交点部の保護膜層表面に電荷が蓄積される。
ＡＴＡM に振幅が１００Ｖである正の書き込みパルス、
第２番目の走査電極ＳＣＮ2 に振幅が２００Ｖである負
の走査パルスが印加されると、前記所定のデータ電極Ｄ
ＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM と第２番目の走査電極ＳＣＮ2 の
交点部の保護膜層表面に電荷が蓄積される。同様な動作
が続いて行われ、最後に所定のデータ電極ＤＡＴＡ1 〜
ＤＡＴＡMに振幅が１００Ｖである正の書き込みパル
ス、第Ｎ番目の走査電極ＳＣＮN に振幅が２００Ｖであ
る負の走査パルスが印加されると、前記所定のデータ電
極ＤＡＴＡ1 〜ＤＡＴＡM と第Ｎ番目の走査電極ＳＣＮ
N の交点部の保護膜層表面に電荷が蓄積される。
【０００９】続く維持期間において、全ての維持電極Ｓ
ＵＳ1 〜ＳＵＳN と全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN
に交互に振幅が２００Ｖである負の維持パルスが印加さ
れると、前記蓄積された電荷により起動されて、その部
分の維持電極ＳＵＳ1 〜ＳＵＳN と走査電極ＳＣＮ1 〜
ＳＣＮN 間で維持放電を開始し、その後維持パルスの印
加を続けている間、維持放電が継続する。
ＵＳ1 〜ＳＵＳN と全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN
に交互に振幅が２００Ｖである負の維持パルスが印加さ
れると、前記蓄積された電荷により起動されて、その部
分の維持電極ＳＵＳ1 〜ＳＵＳN と走査電極ＳＣＮ1 〜
ＳＣＮN 間で維持放電を開始し、その後維持パルスの印
加を続けている間、維持放電が継続する。
【００１０】つぎに、消去期間において全ての維持電極
ＳＵＳ1 〜ＳＵＳN に振幅が２００Ｖである負の細幅消
去パルスが加わると、消去放電が起こり、維持放電によ
って保護膜層表面に蓄積された電荷が消滅して、つぎの
維持パルスが印加されても放電を継続しなくなる。上記
のような面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネルの駆
動装置のうち、特にこの発明に関わる従来の走査電極駆
動回路部分について、さらに詳細に説明する。
ＳＵＳ1 〜ＳＵＳN に振幅が２００Ｖである負の細幅消
去パルスが加わると、消去放電が起こり、維持放電によ
って保護膜層表面に蓄積された電荷が消滅して、つぎの
維持パルスが印加されても放電を継続しなくなる。上記
のような面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネルの駆
動装置のうち、特にこの発明に関わる従来の走査電極駆
動回路部分について、さらに詳細に説明する。
【００１１】図７は、従来の走査電極駆動回路の構成の
一例を示したものである。この図において、走査電極Ｓ
ＣＮ1 〜ＳＣＮN のそれぞれに独立して高耐圧Ｐチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン電極および高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン電極が接続されてい
る。また、高耐圧ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のソース
電極はグラウンドに、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１
４のソース電極はマイナス２００Ｖの高圧電源に接続さ
れており、高耐圧ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３と高耐圧
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４とがプッシュプル形式の高
耐圧出力部を構成している。
一例を示したものである。この図において、走査電極Ｓ
ＣＮ1 〜ＳＣＮN のそれぞれに独立して高耐圧Ｐチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン電極および高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン電極が接続されてい
る。また、高耐圧ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のソース
電極はグラウンドに、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１
４のソース電極はマイナス２００Ｖの高圧電源に接続さ
れており、高耐圧ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３と高耐圧
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４とがプッシュプル形式の高
耐圧出力部を構成している。
【００１２】そして、高耐圧ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１
３群は高耐圧レベルシフト回路（Ｌ／Ｓ）１５を介して
走査用論理回路１６に接続され、高耐圧ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ１４群は直接走査用論理回路１６に接続されて
いる。なお、走査用論理回路１６は、シフトレジスタ１
７，ゲート１８群，ゲート１９群およびインバータ２０
群から構成されており、信号レベルの基準となる共通ラ
インはマイナス２００Ｖの高圧電源に接続されている。
３群は高耐圧レベルシフト回路（Ｌ／Ｓ）１５を介して
走査用論理回路１６に接続され、高耐圧ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ１４群は直接走査用論理回路１６に接続されて
いる。なお、走査用論理回路１６は、シフトレジスタ１
７，ゲート１８群，ゲート１９群およびインバータ２０
群から構成されており、信号レベルの基準となる共通ラ
インはマイナス２００Ｖの高圧電源に接続されている。
【００１３】図８はこのような従来の走査電極駆動回路
における動作タイミングを示したものである。書き込み
期間において、シフトレジスタ１７に走査データ信号／
ＳＩ（／ＳＩはＳＩの反転信号である。以下、同じ）お
よびクロック信号／ＣＬＫ（／ＣＬＫはＣＬＫの反転信
号である。以下、同じ）が入力されると、走査データ信
号／ＳＩがクロック信号／ＣＬＫの立ち下がりエッジで
取り込まれ、シフトレジスタ１７の出力が順次ローレベ
ルになり走査信号が出力されることになる。ブランク信
号／ＢＬＫ（／ＢＬＫはＢＬＫの反転信号である。以
下、同じ）がローレベルの間だけ、これらの信号がゲー
ト１８群を通過し、さらにゲート１９群、インバータ２
０群および高耐圧レベルシフト回路１５群を通して各高
耐圧ＭＯＳＦＥＴ１３，１４群に印加され、走査電極Ｓ
ＣＮ1 〜ＳＣＮN に走査パルスを順次発生する。
における動作タイミングを示したものである。書き込み
期間において、シフトレジスタ１７に走査データ信号／
ＳＩ（／ＳＩはＳＩの反転信号である。以下、同じ）お
よびクロック信号／ＣＬＫ（／ＣＬＫはＣＬＫの反転信
号である。以下、同じ）が入力されると、走査データ信
号／ＳＩがクロック信号／ＣＬＫの立ち下がりエッジで
取り込まれ、シフトレジスタ１７の出力が順次ローレベ
ルになり走査信号が出力されることになる。ブランク信
号／ＢＬＫ（／ＢＬＫはＢＬＫの反転信号である。以
下、同じ）がローレベルの間だけ、これらの信号がゲー
ト１８群を通過し、さらにゲート１９群、インバータ２
０群および高耐圧レベルシフト回路１５群を通して各高
耐圧ＭＯＳＦＥＴ１３，１４群に印加され、走査電極Ｓ
ＣＮ1 〜ＳＣＮN に走査パルスを順次発生する。
【００１４】また、維持期間において、維持信号／ＳＵ
（／ＳＵはＳＵの反転信号である。以下、同じ）がゲー
ト１９群に入力されると、全ての走査電極ＳＣＮ1 〜Ｓ
ＣＮ N に維持パルスを同時に発生する。なお、従来は図
７のように構成された走査電極駆動回路を小型化するた
めに、これを適当なブロック数に分割してモノリシック
ＩＣ化を行っていた。
（／ＳＵはＳＵの反転信号である。以下、同じ）がゲー
ト１９群に入力されると、全ての走査電極ＳＣＮ1 〜Ｓ
ＣＮ N に維持パルスを同時に発生する。なお、従来は図
７のように構成された走査電極駆動回路を小型化するた
めに、これを適当なブロック数に分割してモノリシック
ＩＣ化を行っていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のプラズマディスプレイパネルの駆動装置で
は、全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN に高耐圧Ｐチャ
ネルＭＯＳＦＥＴと高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとか
らなるプッシュプル形式の高耐圧出力部が必要であると
同時に高耐圧レベルシフト回路が必要であるので、走査
電極駆動回路のＩＣ化が比較的困難であり、ＩＣ化した
場合もチップ面積が大きくなるため、装置のコスト高を
招くという問題を有していた。また、走査電極間でショ
ートが発生すると、走査電極駆動回路が破壊してしまう
という問題も有していた。
ような従来のプラズマディスプレイパネルの駆動装置で
は、全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN に高耐圧Ｐチャ
ネルＭＯＳＦＥＴと高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとか
らなるプッシュプル形式の高耐圧出力部が必要であると
同時に高耐圧レベルシフト回路が必要であるので、走査
電極駆動回路のＩＣ化が比較的困難であり、ＩＣ化した
場合もチップ面積が大きくなるため、装置のコスト高を
招くという問題を有していた。また、走査電極間でショ
ートが発生すると、走査電極駆動回路が破壊してしまう
という問題も有していた。
【００１６】この発明の目的は、ＩＣ化が容易で低コス
ト化が可能で、走査電極間をショートしても走査電極駆
動回路が破壊しない気体放電型表示装置の駆動装置を提
供するものである。
ト化が可能で、走査電極間をショートしても走査電極駆
動回路が破壊しない気体放電型表示装置の駆動装置を提
供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の気体放電
型表示装置の駆動装置は、複数のデータ電極と、これら
複数のデータ電極に直交する複数の走査電極とを有する
気体放電型表示装置を駆動する気体放電型表示装置の駆
動装置であって、逆導通ダイオードをそれぞれ並列に有
し複数の走査電極にそれぞれ独立して一方の主電極が接
続された高耐圧スイッチング素子群と、高耐圧スイッチ
ング素子群の各制御電極に接続された走査用論理回路
と、高耐圧スイッチング素子群の各他方の主電極が出力
に接続されるとともに走査用論理回路における信号レベ
ルの基準となる共通ラインが出力に接続された高耐圧プ
ッシュプル回路とを有する走査電極駆動回路を備えたこ
とを特徴とする。
型表示装置の駆動装置は、複数のデータ電極と、これら
複数のデータ電極に直交する複数の走査電極とを有する
気体放電型表示装置を駆動する気体放電型表示装置の駆
動装置であって、逆導通ダイオードをそれぞれ並列に有
し複数の走査電極にそれぞれ独立して一方の主電極が接
続された高耐圧スイッチング素子群と、高耐圧スイッチ
ング素子群の各制御電極に接続された走査用論理回路
と、高耐圧スイッチング素子群の各他方の主電極が出力
に接続されるとともに走査用論理回路における信号レベ
ルの基準となる共通ラインが出力に接続された高耐圧プ
ッシュプル回路とを有する走査電極駆動回路を備えたこ
とを特徴とする。
【００１８】請求項２記載の気体放電型表示装置の駆動
装置は、請求項１記載の気体放電型表示装置の駆動装置
において、高耐圧スイッチング素子が高耐圧Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴであり、逆導通ダイオードが高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴに形成された寄生ダイオードである。
請求項３記載の気体放電型表示装置の駆動装置は、請求
項１記載の気体放電型表示装置の駆動装置において、高
耐圧スイッチング素子が高耐圧ＮＰＮバイポーラトラン
ジスタである。
装置は、請求項１記載の気体放電型表示装置の駆動装置
において、高耐圧スイッチング素子が高耐圧Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴであり、逆導通ダイオードが高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴに形成された寄生ダイオードである。
請求項３記載の気体放電型表示装置の駆動装置は、請求
項１記載の気体放電型表示装置の駆動装置において、高
耐圧スイッチング素子が高耐圧ＮＰＮバイポーラトラン
ジスタである。
【００１９】
【作用】この発明の構成によれば、複数の走査電極につ
いて共用の高耐圧プッシュプル回路を設け、複数の走査
電極に独立して高圧出力部をなす高耐圧スイッチング素
子群（例えば、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ群または
高耐圧ＮＰＮバイポーラトランジスタ群）の一方の主電
極（例えば、ドレイン電極またはコレタク電極）を接続
し、走査用論理回路を高耐圧スイッチング素子群の各制
御電極（例えばゲート電極またはベース電極）に接続
し、高耐圧プッシュプル回路の出力に高耐圧スイッチン
グ素子群の各他方の主電極（例えば、ソース電極または
エミッタ電極）を接続するとともに、高耐圧プッシュプ
ル回路の出力に走査用論理回路における信号レベルの基
準となる共通ラインを接続したので、従来例のように走
査電極毎にプッシュプル形式の高耐圧出力部と高耐圧レ
ベルシフト回路を設けることなく、複数の走査電極につ
いて共用の高耐圧プッシュプル回路と複数の走査電極に
独立した高耐圧スイッチング素子群のみで複数の走査電
極の駆動が可能で、回路構成が簡略されてＩＣ化が容易
で、低コスト化が可能である。また、複数の走査電極に
接続する高耐圧スイッチング素子群である高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ群または高耐圧ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ群はオープンドレイン形式またはオープンコレ
クタ形式であるので、走査電極間をショートしても走査
電極駆動回路が破壊しない。
いて共用の高耐圧プッシュプル回路を設け、複数の走査
電極に独立して高圧出力部をなす高耐圧スイッチング素
子群（例えば、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ群または
高耐圧ＮＰＮバイポーラトランジスタ群）の一方の主電
極（例えば、ドレイン電極またはコレタク電極）を接続
し、走査用論理回路を高耐圧スイッチング素子群の各制
御電極（例えばゲート電極またはベース電極）に接続
し、高耐圧プッシュプル回路の出力に高耐圧スイッチン
グ素子群の各他方の主電極（例えば、ソース電極または
エミッタ電極）を接続するとともに、高耐圧プッシュプ
ル回路の出力に走査用論理回路における信号レベルの基
準となる共通ラインを接続したので、従来例のように走
査電極毎にプッシュプル形式の高耐圧出力部と高耐圧レ
ベルシフト回路を設けることなく、複数の走査電極につ
いて共用の高耐圧プッシュプル回路と複数の走査電極に
独立した高耐圧スイッチング素子群のみで複数の走査電
極の駆動が可能で、回路構成が簡略されてＩＣ化が容易
で、低コスト化が可能である。また、複数の走査電極に
接続する高耐圧スイッチング素子群である高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ群または高耐圧ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ群はオープンドレイン形式またはオープンコレ
クタ形式であるので、走査電極間をショートしても走査
電極駆動回路が破壊しない。
【００２０】
【実施例】以下、この発明の一実施例の面放電形ＡＣプ
ラズマディスプレイパネルの駆動装置について、図面を
参照しながら説明する。この発明の一実施例の面放電形
ＡＣプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、図１に
示すような走査電極駆動回路を有する。なお、プラズマ
ディスプレイパネルの構造、データ電極駆動回路および
維持電極駆動回路の構成および動作は、図４、図５、図
６で説明した従来例のものと同一である。
ラズマディスプレイパネルの駆動装置について、図面を
参照しながら説明する。この発明の一実施例の面放電形
ＡＣプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、図１に
示すような走査電極駆動回路を有する。なお、プラズマ
ディスプレイパネルの構造、データ電極駆動回路および
維持電極駆動回路の構成および動作は、図４、図５、図
６で説明した従来例のものと同一である。
【００２１】この発明の一実施例の面放電形ＡＣプラズ
マディスプレイパネルの駆動装置において、走査電極駆
動回路が図７に示す従来の走査電極駆動回路と構成上で
異なる点は、図１において走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN
にそれぞれ独立して高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１
が接続されて、オープンドレイン形式で高耐圧出力部が
構成されるようになった点と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ２１のゲート電極に接続された走査用論理回路２
３の中に走査用信号発生回路２４が追加された点と、高
耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のソース電極が出力に
接続されるとともに走査用論理回路２３における信号レ
ベルの基準となる共通ラインが出力に接続された高耐圧
プッシュプル回路２２が追加された点である。すなわ
ち、図１に示す走査電極駆動回路の構成はつぎのようで
ある。
マディスプレイパネルの駆動装置において、走査電極駆
動回路が図７に示す従来の走査電極駆動回路と構成上で
異なる点は、図１において走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN
にそれぞれ独立して高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１
が接続されて、オープンドレイン形式で高耐圧出力部が
構成されるようになった点と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ２１のゲート電極に接続された走査用論理回路２
３の中に走査用信号発生回路２４が追加された点と、高
耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のソース電極が出力に
接続されるとともに走査用論理回路２３における信号レ
ベルの基準となる共通ラインが出力に接続された高耐圧
プッシュプル回路２２が追加された点である。すなわ
ち、図１に示す走査電極駆動回路の構成はつぎのようで
ある。
【００２２】図１において、走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮ
N のそれぞれに独立して高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
２１のドレイン電極（一方の主電極）が接続されてお
り、オープンドレイン形式の高耐圧出力部を構成してい
る。そして、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群のソ
ース電極（他方の主電極）は高耐圧プッシュプル回路２
２の出力ＳＣＣＯＭに接続され、同ゲート電極（制御電
極）は走査用論理回路２３の出力にそれぞれ接続されて
いる。
N のそれぞれに独立して高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
２１のドレイン電極（一方の主電極）が接続されてお
り、オープンドレイン形式の高耐圧出力部を構成してい
る。そして、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群のソ
ース電極（他方の主電極）は高耐圧プッシュプル回路２
２の出力ＳＣＣＯＭに接続され、同ゲート電極（制御電
極）は走査用論理回路２３の出力にそれぞれ接続されて
いる。
【００２３】走査用論理回路２３は、走査データ信号／
ＳＩ、クロック信号／ＣＬＫ、ブランク信号／ＢＬＫお
よび維持信号／ＳＵを発生する走査用信号発生回路２４
と、シフトレジスタ２５、ゲート２６群、ゲート２７群
およびインバータ２８群から構成されており、この走査
用論理回路２３において信号レベルの基準となる共通ラ
インは高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭに
接続されている。
ＳＩ、クロック信号／ＣＬＫ、ブランク信号／ＢＬＫお
よび維持信号／ＳＵを発生する走査用信号発生回路２４
と、シフトレジスタ２５、ゲート２６群、ゲート２７群
およびインバータ２８群から構成されており、この走査
用論理回路２３において信号レベルの基準となる共通ラ
インは高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭに
接続されている。
【００２４】なお、上記共通ラインを出力ＳＣＣＯＭに
接続しているのは、高耐圧プッシュプル回路２２の出力
ＳＣＣＯＭの変化に伴って、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ２１のソース電極の電位が変化したときに、それに
合わせて走査用論理回路２３において信号レベルを変化
させて、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲート電
極とソース電極の電位差を例えば５Ｖレベル（０Ｖ⇔＋
５Ｖ）に保ち、高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣ
ＣＯＭに加わる電圧の変化（０Ｖ⇔−２００Ｖ）の影響
を受けないようにするためである。
接続しているのは、高耐圧プッシュプル回路２２の出力
ＳＣＣＯＭの変化に伴って、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ２１のソース電極の電位が変化したときに、それに
合わせて走査用論理回路２３において信号レベルを変化
させて、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲート電
極とソース電極の電位差を例えば５Ｖレベル（０Ｖ⇔＋
５Ｖ）に保ち、高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣ
ＣＯＭに加わる電圧の変化（０Ｖ⇔−２００Ｖ）の影響
を受けないようにするためである。
【００２５】また、高耐圧プッシュプル回路２２は、ド
レイン電極がグラウンドに接続された高耐圧Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２９と、ソース電極がマイナス２００Ｖの
高圧電源に接続された高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３
０とを有し、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９のソー
ス電極と高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０のドレイン
電極とが接続された点が出力ＳＣＣＯＭとなって、プッ
シュプル出力を構成している。
レイン電極がグラウンドに接続された高耐圧Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２９と、ソース電極がマイナス２００Ｖの
高圧電源に接続された高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３
０とを有し、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９のソー
ス電極と高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０のドレイン
電極とが接続された点が出力ＳＣＣＯＭとなって、プッ
シュプル出力を構成している。
【００２６】そして、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２
９のゲート電極にはレベルシフト回路（Ｌ／Ｓ）３１を
介してクロック信号／ＳＣ（／ＳＣはＳＣの反転信号で
ある。以下、同じ）が入力され、高耐圧ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ３０のゲート電極にはインバータ３２を介して
クロック信号／ＳＣが入力されている。一方、走査用論
理回路２３には、走査／維持セレクト信号ＳＥＬがレベ
ルシフト回路３３を介して入力され、クロック信号／Ｓ
Ｃがレベルシフト回路３１を介して入力されている。
９のゲート電極にはレベルシフト回路（Ｌ／Ｓ）３１を
介してクロック信号／ＳＣ（／ＳＣはＳＣの反転信号で
ある。以下、同じ）が入力され、高耐圧ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ３０のゲート電極にはインバータ３２を介して
クロック信号／ＳＣが入力されている。一方、走査用論
理回路２３には、走査／維持セレクト信号ＳＥＬがレベ
ルシフト回路３３を介して入力され、クロック信号／Ｓ
Ｃがレベルシフト回路３１を介して入力されている。
【００２７】以上のように構成された走査電極駆動回路
の動作について、図２に示すタイムチャートを用いて説
明する。なお、説明の中にあるパルス振幅の値は代表例
であり、この限りではない。まず、書き込み期間におい
て、走査／維持セレクト信号ＳＥＬがハイレベルとな
り、高耐圧プッシュプル回路２２にクロック信号／ＳＣ
が入力されると、これらの信号は高耐圧レベルシフト回
路３１，３３を介して走査用信号発生回路２４に入力さ
れる。走査／維持セレクト信号ＳＥＬがハイレベルであ
ると、走査用信号発生回路２４が書き込み期間の動作モ
ードとなって、走査データ信号／ＳＩ、クロック信号／
ＣＬＫおよびブランク信号／ＢＬＫを出力する。
の動作について、図２に示すタイムチャートを用いて説
明する。なお、説明の中にあるパルス振幅の値は代表例
であり、この限りではない。まず、書き込み期間におい
て、走査／維持セレクト信号ＳＥＬがハイレベルとな
り、高耐圧プッシュプル回路２２にクロック信号／ＳＣ
が入力されると、これらの信号は高耐圧レベルシフト回
路３１，３３を介して走査用信号発生回路２４に入力さ
れる。走査／維持セレクト信号ＳＥＬがハイレベルであ
ると、走査用信号発生回路２４が書き込み期間の動作モ
ードとなって、走査データ信号／ＳＩ、クロック信号／
ＣＬＫおよびブランク信号／ＢＬＫを出力する。
【００２８】そして、シフトレジスタ２５にそれらの走
査データ信号／ＳＩおよびクロック信号／ＣＬＫが入力
されると、走査データ信号／ＳＩがクロック信号／ＣＬ
Ｋの立ち下がりエッジで取り込まれ、シフトレジスタ２
５の出力が順次ローレベルになり、走査信号が出力され
ることになる。さらに、ブランク信号／ＢＬＫがローレ
ベルの間だけ、これらの信号がゲート２６群を通過し、
さらにゲート２７群、インバータ２８群を通して高耐圧
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群の各ゲート電極に印加さ
れる。
査データ信号／ＳＩおよびクロック信号／ＣＬＫが入力
されると、走査データ信号／ＳＩがクロック信号／ＣＬ
Ｋの立ち下がりエッジで取り込まれ、シフトレジスタ２
５の出力が順次ローレベルになり、走査信号が出力され
ることになる。さらに、ブランク信号／ＢＬＫがローレ
ベルの間だけ、これらの信号がゲート２６群を通過し、
さらにゲート２７群、インバータ２８群を通して高耐圧
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群の各ゲート電極に印加さ
れる。
【００２９】そして、走査信号によって選択された１つ
の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ２１がオンに移行し、他の高耐圧
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１はオフのままである。この
状態において、クロック信号／ＳＣによって高耐圧プッ
シュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭに振幅が２００Ｖで
ある負のパルスが出力されると、前記オンに移行した１
つの高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１に接続された走
査電極のみに振幅が２００Ｖである負の走査パルスが印
加されることとなり、前記オフのままの他の多数の高耐
圧ＭＯＳＦＥＴ２１に接続された走査電極には、その電
極が持つ浮遊容量により電圧を保持し続けるので走査パ
ルスは印加されず、０Ｖのままである。
の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ２１がオンに移行し、他の高耐圧
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１はオフのままである。この
状態において、クロック信号／ＳＣによって高耐圧プッ
シュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭに振幅が２００Ｖで
ある負のパルスが出力されると、前記オンに移行した１
つの高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１に接続された走
査電極のみに振幅が２００Ｖである負の走査パルスが印
加されることとなり、前記オフのままの他の多数の高耐
圧ＭＯＳＦＥＴ２１に接続された走査電極には、その電
極が持つ浮遊容量により電圧を保持し続けるので走査パ
ルスは印加されず、０Ｖのままである。
【００３０】そして、高耐圧プッシュプル回路２２の出
力ＳＣＣＯＭがマイナス２００Ｖから０Ｖに復帰する
と、前記オンに移行した１つの高耐圧ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ２１に接続された走査電極は、高耐圧ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１が持つソースとドレイン電極間の寄生ダイオード
によって高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭ
の電圧にクランプされるので、０Ｖに復帰することがで
きる。
力ＳＣＣＯＭがマイナス２００Ｖから０Ｖに復帰する
と、前記オンに移行した１つの高耐圧ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ２１に接続された走査電極は、高耐圧ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１が持つソースとドレイン電極間の寄生ダイオード
によって高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭ
の電圧にクランプされるので、０Ｖに復帰することがで
きる。
【００３１】このような動作を繰り返し、各走査電極Ｓ
ＣＮ1 〜ＳＣＮN に走査パルスが順次印加されることと
なる。続く維持期間において、走査／維持セレクト信号
ＳＥＬがローレベルとなり、高耐圧プッシュプル回路２
２にクロック信号／ＳＣが入力され、これらの信号は高
耐圧レベルシフト回路３１，３３を介して走査用信号発
生回路２４に入力される。走査／維持セレクト信号ＳＥ
Ｌがローレベルであると、走査用信号発生回路２４が維
持期間の動作モードとなって、維持信号／ＳＵを出力す
る。この維持信号／ＳＵがゲート２７群およびインバー
タ２８群を介して高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群
のゲート電極に入力され、全ての高耐圧ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ２１を一斉にオンに移行する。
ＣＮ1 〜ＳＣＮN に走査パルスが順次印加されることと
なる。続く維持期間において、走査／維持セレクト信号
ＳＥＬがローレベルとなり、高耐圧プッシュプル回路２
２にクロック信号／ＳＣが入力され、これらの信号は高
耐圧レベルシフト回路３１，３３を介して走査用信号発
生回路２４に入力される。走査／維持セレクト信号ＳＥ
Ｌがローレベルであると、走査用信号発生回路２４が維
持期間の動作モードとなって、維持信号／ＳＵを出力す
る。この維持信号／ＳＵがゲート２７群およびインバー
タ２８群を介して高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群
のゲート電極に入力され、全ての高耐圧ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ２１を一斉にオンに移行する。
【００３２】この状態において、クロック信号／ＳＣに
よって高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭに
振幅が２００Ｖである負のパルスが出力されると、前記
オンに移行した全ての高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２
１に接続された全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN に振
幅が２００Ｖである負の維持パルスが印加されることと
なる。
よって高耐圧プッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭに
振幅が２００Ｖである負のパルスが出力されると、前記
オンに移行した全ての高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２
１に接続された全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN に振
幅が２００Ｖである負の維持パルスが印加されることと
なる。
【００３３】そして、高耐圧プッシュプル回路２２の出
力ＳＣＣＯＭがマイナス２００Ｖから０Ｖに復帰する
と、前記オンに移行した全ての高耐圧ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ２１に接続された全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣ
ＮN は、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１が持つソー
スとドレイン電極間の寄生ダイオードによって高耐圧プ
ッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭの電圧にクランプ
されるので、０Ｖに復帰することができる。このような
動作を繰り返し、各走査電極に維持パルスが印加される
こととなる。
力ＳＣＣＯＭがマイナス２００Ｖから０Ｖに復帰する
と、前記オンに移行した全ての高耐圧ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ２１に接続された全ての走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣ
ＮN は、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１が持つソー
スとドレイン電極間の寄生ダイオードによって高耐圧プ
ッシュプル回路２２の出力ＳＣＣＯＭの電圧にクランプ
されるので、０Ｖに復帰することができる。このような
動作を繰り返し、各走査電極に維持パルスが印加される
こととなる。
【００３４】また、維持期間において、図５に示すよう
に、維持電極ＳＵＳ1 〜ＳＵＳN に維持パルスが印加さ
れたときには、走査電極駆動回路からソース電流を走査
電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN に供給する必要があるが、この
電流も前記寄生ダイオードを介して供給できる。なお、
図１に示す走査電極駆動回路において、例えば高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳＦＥＴ２１群と走査用論理回路２３とを
適当なブロック数に分割してモノリシックＩＣ化する
と、高耐圧出力部がオープンドレイン形式なので、ＩＣ
化が容易でチップサイズを小さくできＩＣが安価にな
る。また、レベルシフト回路３３と高耐圧プッシュプル
回路２２は走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN の全てに共通の
回路であり、それぞれ１回路かまたは高耐圧プッシュプ
ル回路２２の駆動能力に制約がある場合などはそれに応
じて必要最低限の回路数を用意すれば良く、これらの回
路がコストの中に占める割合は小さい。さらに、高耐圧
出力部がオープンドレイン形式なので、走査電極間がシ
ョートしても破壊することがない。
に、維持電極ＳＵＳ1 〜ＳＵＳN に維持パルスが印加さ
れたときには、走査電極駆動回路からソース電流を走査
電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN に供給する必要があるが、この
電流も前記寄生ダイオードを介して供給できる。なお、
図１に示す走査電極駆動回路において、例えば高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳＦＥＴ２１群と走査用論理回路２３とを
適当なブロック数に分割してモノリシックＩＣ化する
と、高耐圧出力部がオープンドレイン形式なので、ＩＣ
化が容易でチップサイズを小さくできＩＣが安価にな
る。また、レベルシフト回路３３と高耐圧プッシュプル
回路２２は走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN の全てに共通の
回路であり、それぞれ１回路かまたは高耐圧プッシュプ
ル回路２２の駆動能力に制約がある場合などはそれに応
じて必要最低限の回路数を用意すれば良く、これらの回
路がコストの中に占める割合は小さい。さらに、高耐圧
出力部がオープンドレイン形式なので、走査電極間がシ
ョートしても破壊することがない。
【００３５】また、走査用論理回路２３の電源は、例え
ばチャージポンプ方式により従来の走査用論理回路の電
源から容易に作ることができる。以上のように、この実
施例によれば、複数の走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN にそ
れぞれ独立してドレイン電極が接続された高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ２１群と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ２１群のゲート電極に接続された走査用論理回路２
３と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群のソース電
極が出力に接続されるとともに走査用論理回路２３にお
ける信号レベルの基準となる共通ラインが出力に接続さ
れた高耐圧プッシュプル回路２２とを有する走査電極駆
動回路を備えたことにより、走査電極駆動回路における
高耐圧出力部の回路構成がオープンドレイン形式となっ
て極めて簡略化されることとなり、ＩＣ化が容易で低コ
スト化が可能で、走査電極間をショートしても走査電極
駆動回路が破壊しない気体放電型表示装置の駆動装置を
提供することができる。
ばチャージポンプ方式により従来の走査用論理回路の電
源から容易に作ることができる。以上のように、この実
施例によれば、複数の走査電極ＳＣＮ1 〜ＳＣＮN にそ
れぞれ独立してドレイン電極が接続された高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ２１群と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ２１群のゲート電極に接続された走査用論理回路２
３と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１群のソース電
極が出力に接続されるとともに走査用論理回路２３にお
ける信号レベルの基準となる共通ラインが出力に接続さ
れた高耐圧プッシュプル回路２２とを有する走査電極駆
動回路を備えたことにより、走査電極駆動回路における
高耐圧出力部の回路構成がオープンドレイン形式となっ
て極めて簡略化されることとなり、ＩＣ化が容易で低コ
スト化が可能で、走査電極間をショートしても走査電極
駆動回路が破壊しない気体放電型表示装置の駆動装置を
提供することができる。
【００３６】なお、上記実施例では面放電形ＡＣプラズ
マディスプレイパネルの駆動装置を例に上げて説明した
が、複数のデータ電極と、これらに直交する複数の走査
電極を有するプラズマディスプレイパネルの駆動装置で
ある対向放電形ＡＣプラズマディスプレイパネルの駆動
装置や、ＤＣプラズマディスプレイパネルの駆動装置に
おいて実施した場合でも、この実施例と同一の効果を得
ることができる。
マディスプレイパネルの駆動装置を例に上げて説明した
が、複数のデータ電極と、これらに直交する複数の走査
電極を有するプラズマディスプレイパネルの駆動装置で
ある対向放電形ＡＣプラズマディスプレイパネルの駆動
装置や、ＤＣプラズマディスプレイパネルの駆動装置に
おいて実施した場合でも、この実施例と同一の効果を得
ることができる。
【００３７】また、以上の実施例（図１参照）では、複
数の走査電極にそれぞれ独立して一方の主電極を接続す
るスイッチング素子として、逆導通ダイオードである寄
生ダイオードを有する高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを
使用した場合について説明したが、逆導通ダイオードと
しての寄生ダイオードを持たないスイッチング素子でっ
ても、そのスイッチング素子に対して逆導通ダイオード
を並列に追加すれば、走査電極用のスイッチング素子と
して使用することが可能である。
数の走査電極にそれぞれ独立して一方の主電極を接続す
るスイッチング素子として、逆導通ダイオードである寄
生ダイオードを有する高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを
使用した場合について説明したが、逆導通ダイオードと
しての寄生ダイオードを持たないスイッチング素子でっ
ても、そのスイッチング素子に対して逆導通ダイオード
を並列に追加すれば、走査電極用のスイッチング素子と
して使用することが可能である。
【００３８】図３はそのような例を示したもので、高耐
圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１に代えて、高耐圧ＮＰＮ
バイポーラトランジスタ３４に逆導通ダイオード３５を
並列接続したものを用いており、高耐圧ＮＰＮバイポー
ラトランジスタ３４のコレクタが走査電極ＳＣＮ1 〜Ｓ
ＣＮN に接続され、同ベースが走査用論理回路２３に接
続され、同エミッタが高耐圧プッシュプル回路２２の出
力に接続される。その他の構成は図１のものと同様であ
る。
圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１に代えて、高耐圧ＮＰＮ
バイポーラトランジスタ３４に逆導通ダイオード３５を
並列接続したものを用いており、高耐圧ＮＰＮバイポー
ラトランジスタ３４のコレクタが走査電極ＳＣＮ1 〜Ｓ
ＣＮN に接続され、同ベースが走査用論理回路２３に接
続され、同エミッタが高耐圧プッシュプル回路２２の出
力に接続される。その他の構成は図１のものと同様であ
る。
【００３９】なお、バイポーラトランジスタの中には、
ＭＯＳＦＥＴと同様に製造プロセスで寄生ダイオードが
形成される場合があり、この場合には、寄生ダイオード
が逆導通ダイオードとなり、別に逆導通ダイオードを接
続する必要はない。また、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２１の構成や、高耐圧ＮＰＮバイポーラトランジスタ
３４と逆導通ダイオード３５の並列構成については、走
査用論理回路２３等と合わせてモノリシックＩＣ化して
も、またディスクリート部品を準備して例えば基板上で
回路構成に従って組み立てても、どちらでもよい。
ＭＯＳＦＥＴと同様に製造プロセスで寄生ダイオードが
形成される場合があり、この場合には、寄生ダイオード
が逆導通ダイオードとなり、別に逆導通ダイオードを接
続する必要はない。また、高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２１の構成や、高耐圧ＮＰＮバイポーラトランジスタ
３４と逆導通ダイオード３５の並列構成については、走
査用論理回路２３等と合わせてモノリシックＩＣ化して
も、またディスクリート部品を準備して例えば基板上で
回路構成に従って組み立てても、どちらでもよい。
【００４０】
【発明の効果】この発明によれば、複数の走査電極にそ
れぞれ独立して一方の主電極が接続された高耐圧スイッ
チング素子群と、高耐圧スイッチング素子群の制御電極
に接続された走査用論理回路と、高耐圧スイッチング素
子群の他方の主電極が出力に接続されるとともに走査用
論理回路における信号レベルの基準となる共通ラインが
出力に接続された高耐圧プッシュプル回路とを有する走
査電極駆動回路を備えたことにより、ＩＣ化が容易で低
コスト化が可能で、走査電極間をショートしても走査電
極駆動回路が破壊しないプラズマディスプレイパネルの
駆動装置を提供することができる。
れぞれ独立して一方の主電極が接続された高耐圧スイッ
チング素子群と、高耐圧スイッチング素子群の制御電極
に接続された走査用論理回路と、高耐圧スイッチング素
子群の他方の主電極が出力に接続されるとともに走査用
論理回路における信号レベルの基準となる共通ラインが
出力に接続された高耐圧プッシュプル回路とを有する走
査電極駆動回路を備えたことにより、ＩＣ化が容易で低
コスト化が可能で、走査電極間をショートしても走査電
極駆動回路が破壊しないプラズマディスプレイパネルの
駆動装置を提供することができる。
【図１】この発明の一実施例の面放電形ＡＣプラズマデ
ィスプレイパネルの駆動装置における走査電極駆動回路
の構成を示すブロック図である。
ィスプレイパネルの駆動装置における走査電極駆動回路
の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した走査電極駆動回路の動作タイミン
グを示すタイムチャートである。
グを示すタイムチャートである。
【図３】走査電極駆動回路の他の例を示すブロック図で
ある。
ある。
【図４】（ａ）は従来の面放電形ＡＣプラズマディスプ
レイパネルの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線
断面図である。
レイパネルの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線
断面図である。
【図５】図４に示した面放電形ＡＣプラズマディスプレ
イパネルの駆動装置の従来例の構成を示すブロック図で
ある。
イパネルの駆動装置の従来例の構成を示すブロック図で
ある。
【図６】図５に示した駆動装置の動作タイミングを示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図７】従来の面放電形ＡＣプラズマディスプレイパネ
ルの駆動装置における走査電極駆動回路の構成を示すブ
ロック図である。
ルの駆動装置における走査電極駆動回路の構成を示すブ
ロック図である。
【図８】図７に示した走査電極駆動回路の動作タイミン
グを示すタイムチャートである。
グを示すタイムチャートである。
２ 走査電極 ７ データ電極 １１ 走査電極駆動回路 ２１ 高耐圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（高耐圧スイッ
チング素子） ２２ 高耐圧プッシュプル回路 ２３ 走査用論理回路 ３４ 高耐圧ＮＰＮバイポーラトランジスタ（高耐圧
スイッチング素子） ３５ 逆導通ダイオード
チング素子） ２２ 高耐圧プッシュプル回路 ２３ 走査用論理回路 ３４ 高耐圧ＮＰＮバイポーラトランジスタ（高耐圧
スイッチング素子） ３５ 逆導通ダイオード
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のデータ電極と、これら複数のデー
タ電極に直交する複数の走査電極とを有する気体放電型
表示装置を駆動する気体放電型表示装置の駆動装置であ
って、 逆導通ダイオードをそれぞれ並列に有し前記複数の走査
電極にそれぞれ独立して一方の主電極が接続された高耐
圧スイッチング素子群と、前記高耐圧スイッチング素子
群の各制御電極に接続された走査用論理回路と、前記高
耐圧スイッチング素子群の各他方の主電極が出力に接続
されるとともに前記走査用論理回路における信号レベル
の基準となる共通ラインが出力に接続された高耐圧プッ
シュプル回路とを有する走査電極駆動回路を備えたこと
を特徴とする気体放電型表示装置の駆動装置。 - 【請求項２】 高耐圧スイッチング素子が高耐圧Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴであり、逆導通ダイオードが前記高耐
圧ＮチャネルＭＯＳＦＥＴに形成された寄生ダイオード
である請求項１記載の気体放電型表示装置の駆動装置。 - 【請求項３】 高耐圧スイッチング素子が高耐圧ＮＰＮ
バイポーラトランジスタである請求項１記載の気体放電
型表示装置の駆動装置。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6165463A JPH0830227A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 気体放電型表示装置の駆動装置 |
| US08/428,575 US5656893A (en) | 1994-04-28 | 1995-04-25 | Gas discharge display apparatus |
| CA002147902A CA2147902C (en) | 1994-04-28 | 1995-04-26 | Gas discharge display apparatus and method for driving the same |
| DE69531174T DE69531174T2 (de) | 1994-04-28 | 1995-04-26 | Verfahren zur Steuerung eines Gasentladungs-Anzeigegeräts |
| EP95106246A EP0680067B1 (en) | 1994-04-28 | 1995-04-26 | Method for driving a gas discharge display device |
| FI952020A FI952020A (fi) | 1994-04-28 | 1995-04-27 | Plasmanäytinlaite ja menetelmä sen ohjaamiseksi |
| KR1019950010890A KR0178306B1 (ko) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 가스 방전 디스플레이 장치 및 그 구동방법 |
| CN95105795A CN1074164C (zh) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 气体放电显示装置 |
| CNB001036351A CN1227635C (zh) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 气体放电显示装置和驱动该装置的方法 |
| US08/745,074 US6150766A (en) | 1994-04-28 | 1996-11-07 | Gas discharge display apparatus and method for driving the same |
| US09/108,577 US5969478A (en) | 1994-04-28 | 1998-07-01 | Gas discharge display apparatus and method for driving the same |
| US09/280,594 US6072279A (en) | 1994-04-28 | 1999-03-29 | Gas discharge display apparatus and method for driving the same |
| US09/353,710 US6118220A (en) | 1994-04-28 | 1999-07-14 | Gas discharge display apparatus and method for driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6165463A JPH0830227A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 気体放電型表示装置の駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0830227A true JPH0830227A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15812901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6165463A Pending JPH0830227A (ja) | 1994-04-28 | 1994-07-18 | 気体放電型表示装置の駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11296140A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法 |
| WO2000034940A1 (fr) * | 1998-12-08 | 2000-06-15 | Fujitsu Limited | Procede de commande de panneau d'affichage et dispositif d'affichage |
| KR100844858B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2008-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동방법 |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP6165463A patent/JPH0830227A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11296140A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法 |
| WO2000034940A1 (fr) * | 1998-12-08 | 2000-06-15 | Fujitsu Limited | Procede de commande de panneau d'affichage et dispositif d'affichage |
| US6906706B2 (en) | 1998-12-08 | 2005-06-14 | Fujitsu Limited | Driving method of display panel and display device |
| KR100844858B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2008-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동방법 |
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