JPH08264684A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ及びその製造方法Info
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- JPH08264684A JPH08264684A JP7064286A JP6428695A JPH08264684A JP H08264684 A JPH08264684 A JP H08264684A JP 7064286 A JP7064286 A JP 7064286A JP 6428695 A JP6428695 A JP 6428695A JP H08264684 A JPH08264684 A JP H08264684A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板上の半導体素子やボンディングワイ
ヤ等の回路素子の封止に要するスリーブ構造に工夫を加
えて、回路素子の外部環境からの保護を確保する半導体
パッケージ及びその製造方法を提供する。 【構成】 ＳＩＰは混成集積回路装置Ｓａをケーシング
１０内にエポキシ樹脂２０により封止して構成されてい
る。スリーブ７０は、セラミック基板３０の表面に接着
されて、混成集積回路装置Ｓａの各回路素子４０、５
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ等を覆うようにシ
リコンゴムによりポケット形状に形成されている。ま
た、このスリーブ７０には、下方に向けて開口部７１が
形成されている。スリーブ７０内には、シリコンゲル８
０が封止材料として注入硬化されて上記各回路素子を封
止している。ターミナル９０は、セラミック基板３０の
端部３５からケーシング１０の開口部１１を通し下方へ
互いに並行に延出している。
ヤ等の回路素子の封止に要するスリーブ構造に工夫を加
えて、回路素子の外部環境からの保護を確保する半導体
パッケージ及びその製造方法を提供する。 【構成】 ＳＩＰは混成集積回路装置Ｓａをケーシング
１０内にエポキシ樹脂２０により封止して構成されてい
る。スリーブ７０は、セラミック基板３０の表面に接着
されて、混成集積回路装置Ｓａの各回路素子４０、５
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ等を覆うようにシ
リコンゴムによりポケット形状に形成されている。ま
た、このスリーブ７０には、下方に向けて開口部７１が
形成されている。スリーブ７０内には、シリコンゲル８
０が封止材料として注入硬化されて上記各回路素子を封
止している。ターミナル９０は、セラミック基板３０の
端部３５からケーシング１０の開口部１１を通し下方へ
互いに並行に延出している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＩＰ（Single In Li
ne Package）やＤＩＰ（Dual In Line Package) 等の各
種の半導体パッケージのための構成部材及び当該半導体
パッケージ並びにその製造方法に関する。ここで、半導
体パッケージの構成部材としては、半導体チップやボン
ディングワイヤ等の回路素子を実装した回路基板上にこ
れら回路素子を封止してなる構成部材が挙げられる。
ne Package）やＤＩＰ（Dual In Line Package) 等の各
種の半導体パッケージのための構成部材及び当該半導体
パッケージ並びにその製造方法に関する。ここで、半導
体パッケージの構成部材としては、半導体チップやボン
ディングワイヤ等の回路素子を実装した回路基板上にこ
れら回路素子を封止してなる構成部材が挙げられる。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体パッケージにおい
ては、例えば、図２６及び図２７にて示すように、混成
集積回路装置Ｓをケーシング１内にエポキシ樹脂２によ
り封止して構成したＳＩＰがある。ここで、混成集積回
路装置Ｓにおいては、セラミック基板３の表面に装着し
た半導体チップ４及び各ボンディングパッド５が各ボン
ディングワイヤ６により接続されている。また、セラミ
ック基板３の表面には、環状のスリーブ７が接着されて
おり、このスリーブ７は、半導体チップ４、各ボンディ
ングワイヤ６及び各ボンディングパッド５を外周から包
囲している。
ては、例えば、図２６及び図２７にて示すように、混成
集積回路装置Ｓをケーシング１内にエポキシ樹脂２によ
り封止して構成したＳＩＰがある。ここで、混成集積回
路装置Ｓにおいては、セラミック基板３の表面に装着し
た半導体チップ４及び各ボンディングパッド５が各ボン
ディングワイヤ６により接続されている。また、セラミ
ック基板３の表面には、環状のスリーブ７が接着されて
おり、このスリーブ７は、半導体チップ４、各ボンディ
ングワイヤ６及び各ボンディングパッド５を外周から包
囲している。
【０００３】また、半導体チップ４、各ボンディングワ
イヤ６及び各ボンディングパッド５は、シリコンゲル８
（図２７参照）によりスリーブ７内に封止されている。
なお、図２６及び図２７において、符号９は、セラミッ
ク基板３の端部から延出するターミナルを示す。
イヤ６及び各ボンディングパッド５は、シリコンゲル８
（図２７参照）によりスリーブ７内に封止されている。
なお、図２６及び図２７において、符号９は、セラミッ
ク基板３の端部から延出するターミナルを示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
なＳＩＰの製造にあたり、スリーブ７内へのシリコンゲ
ル８による封止は、図２８にて示すごとく、スリーブ７
の開口部が上を向くようにセラミック基板３を保持した
状態で、シリコンゲル８をディスペンサ８ａによりスリ
ーブ７内に注入した後熱硬化させることにより行う。
なＳＩＰの製造にあたり、スリーブ７内へのシリコンゲ
ル８による封止は、図２８にて示すごとく、スリーブ７
の開口部が上を向くようにセラミック基板３を保持した
状態で、シリコンゲル８をディスペンサ８ａによりスリ
ーブ７内に注入した後熱硬化させることにより行う。
【０００５】そして、このようにスリーブ７内への封止
を完了した混成集積回路装置Ｓをエポキシ樹脂２により
ケーシング１内に封止するにあたっては、セラミック基
板３をケーシング１内に挿入した後、エポキシ樹脂２を
ケーシング１内に注入熱硬化させて行う。しかし、これ
らの作業を手作業によると、人手やその作業時間が余分
にかかるので、ロボット等により自動化したいという要
請がある。
を完了した混成集積回路装置Ｓをエポキシ樹脂２により
ケーシング１内に封止するにあたっては、セラミック基
板３をケーシング１内に挿入した後、エポキシ樹脂２を
ケーシング１内に注入熱硬化させて行う。しかし、これ
らの作業を手作業によると、人手やその作業時間が余分
にかかるので、ロボット等により自動化したいという要
請がある。
【０００６】この自動化にあたっては、上述のようなス
リーブ７内へのシリコンゲル８の注入及びケーシング１
内へのエポキシ樹脂２の注入は、シリコンゲル８やエポ
キシ樹脂２の各ターミナル９への付着を防止するため、
各ターミナル９を上方に保持しセラミック基板３を下方
に位置させた状態で行うことが必要である。このため、
スリーブ７が横方向に開口した状態に保持されるので、
シリコンゲル８のスリーブ７内への注入は横方向に行わ
ねばならない。従って、スリーブ７内に注入したシリコ
ンゲル８がスリーブ７内から流れ出てしまう。
リーブ７内へのシリコンゲル８の注入及びケーシング１
内へのエポキシ樹脂２の注入は、シリコンゲル８やエポ
キシ樹脂２の各ターミナル９への付着を防止するため、
各ターミナル９を上方に保持しセラミック基板３を下方
に位置させた状態で行うことが必要である。このため、
スリーブ７が横方向に開口した状態に保持されるので、
シリコンゲル８のスリーブ７内への注入は横方向に行わ
ねばならない。従って、スリーブ７内に注入したシリコ
ンゲル８がスリーブ７内から流れ出てしまう。
【０００７】その結果、スリーブ７内にシリコンゲル２
を満たすことができず、半導体チップ４、各ボンディン
グワイヤ６及び各ボンディングパッド５をシリコンゲル
８によって封止することができない。よって、このよう
なスリーブ７の構造では、半導体パッケージの自動化に
は適さないという不具合が生ずる。そこで、本発明は、
以上のようなことに対処すべく、回路基板上の半導体素
子やボンディングワイヤ等の回路素子の封止に要するス
リーブ構造に工夫を加えて、自動化に適した半導体パッ
ケージ及びその構成部材並びに半導体パッケージの製造
方法を提供することを目的とする。
を満たすことができず、半導体チップ４、各ボンディン
グワイヤ６及び各ボンディングパッド５をシリコンゲル
８によって封止することができない。よって、このよう
なスリーブ７の構造では、半導体パッケージの自動化に
は適さないという不具合が生ずる。そこで、本発明は、
以上のようなことに対処すべく、回路基板上の半導体素
子やボンディングワイヤ等の回路素子の封止に要するス
リーブ構造に工夫を加えて、自動化に適した半導体パッ
ケージ及びその構成部材並びに半導体パッケージの製造
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、回路基板（３
０）と、この回路基板上に実装された半導体素子やボン
ディングワイヤ等の回路素子（４０、５０、６０、４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と、回路基板（３０）を
回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０
ａ、５０ｂ）と共に収容するケーシング（１０）とを備
えた半導体パッケージにおいて、回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を覆うよ
うに回路基板（３０）上に設けられてこの回路基板に沿
う方向に向け開口する開口部（７１、１０１、１１１、
１２１、１３１）を有するカバー部材（７０、１００、
１１０、１２０、１３０）と、このカバー部材内にその
開口部（７１、１０１、１１１、１２１、１３１）から
充填されて回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０
ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁性樹脂からなる第
１充填材（８０）と、ケーシング（１０）内にその開口
部（１１）から充填されて回路基板（３０）及びカバー
部材（７０、１００、１１０、１２０、１３０）を封止
する絶縁性樹脂からなる第２充填材（２０）とを備える
ことを特徴とする半導体パッケージが提供される。
め、請求項１に記載の発明においては、回路基板（３
０）と、この回路基板上に実装された半導体素子やボン
ディングワイヤ等の回路素子（４０、５０、６０、４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と、回路基板（３０）を
回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０
ａ、５０ｂ）と共に収容するケーシング（１０）とを備
えた半導体パッケージにおいて、回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を覆うよ
うに回路基板（３０）上に設けられてこの回路基板に沿
う方向に向け開口する開口部（７１、１０１、１１１、
１２１、１３１）を有するカバー部材（７０、１００、
１１０、１２０、１３０）と、このカバー部材内にその
開口部（７１、１０１、１１１、１２１、１３１）から
充填されて回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０
ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁性樹脂からなる第
１充填材（８０）と、ケーシング（１０）内にその開口
部（１１）から充填されて回路基板（３０）及びカバー
部材（７０、１００、１１０、１２０、１３０）を封止
する絶縁性樹脂からなる第２充填材（２０）とを備える
ことを特徴とする半導体パッケージが提供される。
【０００９】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１に記載の半導体パッケージにおいて、第１充填材（８
０）がシリコンゲルであり、第２充填材（２０）がエポ
キシ樹脂であることを特徴とする。また、請求項３に記
載の発明では、請求項１又は２に記載の半導体パッケー
ジにおいて、カバー部材（７０、１００、１１０、１２
０、１３０）が、回路基板（３０）に沿う方向に向け開
口する開口部（７１、１０１、１１１、１２１、１３
１）を備えたポケット形状のカバー部材であることを特
徴とする。
１に記載の半導体パッケージにおいて、第１充填材（８
０）がシリコンゲルであり、第２充填材（２０）がエポ
キシ樹脂であることを特徴とする。また、請求項３に記
載の発明では、請求項１又は２に記載の半導体パッケー
ジにおいて、カバー部材（７０、１００、１１０、１２
０、１３０）が、回路基板（３０）に沿う方向に向け開
口する開口部（７１、１０１、１１１、１２１、１３
１）を備えたポケット形状のカバー部材であることを特
徴とする。
【００１０】また、請求項４に記載の発明では、請求項
３に記載の半導体パッケージにおいて、カバー部材（７
０、１００、１１０、１２０、１３０）の開口部（７
１、１０１、１１１、１２１、１３１）が幅狭（１２
１、１３１）に形成されていることを特徴とする。
３に記載の半導体パッケージにおいて、カバー部材（７
０、１００、１１０、１２０、１３０）の開口部（７
１、１０１、１１１、１２１、１３１）が幅狭（１２
１、１３１）に形成されていることを特徴とする。
【００１１】また、請求項５に記載の発明においては、
回路基板（３０）と、この回路基板上に実装された半導
体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と、回路
基板（３０）を回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、
４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に収容するケーシング
（１０）とを備えた半導体パッケージにおいて、回路素
子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０
ｂ）を覆うように回路基板（３０）上に設けられてこの
回路基板に対する対向壁（１４３）の一部にて開口する
開口部（１４１、１４２）を有する箱状カバー部材（１
４０）と、このカバー部材内にその開口部（１４１、１
４２）から充填されて回路素子（４０、５０、６０、４
０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁性樹脂
からなる第１充填材（８０）と、ケーシング（１０）内
にその開口部（１１）から充填されて回路基板（３０）
及びカバー部材（１４０）を封止する絶縁性樹脂からな
る第２充填材（２０）とを備えることを特徴とする半導
体パッケージが提供される。
回路基板（３０）と、この回路基板上に実装された半導
体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と、回路
基板（３０）を回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、
４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に収容するケーシング
（１０）とを備えた半導体パッケージにおいて、回路素
子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０
ｂ）を覆うように回路基板（３０）上に設けられてこの
回路基板に対する対向壁（１４３）の一部にて開口する
開口部（１４１、１４２）を有する箱状カバー部材（１
４０）と、このカバー部材内にその開口部（１４１、１
４２）から充填されて回路素子（４０、５０、６０、４
０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁性樹脂
からなる第１充填材（８０）と、ケーシング（１０）内
にその開口部（１１）から充填されて回路基板（３０）
及びカバー部材（１４０）を封止する絶縁性樹脂からな
る第２充填材（２０）とを備えることを特徴とする半導
体パッケージが提供される。
【００１２】また、請求項６に記載の発明では、請求項
１乃至５のいずれか一つに記載の半導体パッケージにお
いて、カバー部材（７０、１００、１１０、１２０、１
３０、１４０）が弾性絶縁材料からなることを特徴とす
る。また、請求項７に記載の発明では、請求項６に記載
の半導体パッケージにおいて、弾性絶縁材料がシリコン
ゴムであることを特徴とする。
１乃至５のいずれか一つに記載の半導体パッケージにお
いて、カバー部材（７０、１００、１１０、１２０、１
３０、１４０）が弾性絶縁材料からなることを特徴とす
る。また、請求項７に記載の発明では、請求項６に記載
の半導体パッケージにおいて、弾性絶縁材料がシリコン
ゴムであることを特徴とする。
【００１３】また、請求項８に記載の発明においては、
回路基板（３０）と、この回路基板上に実装された半導
体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と、回路
基板（３０）を回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、
４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に収容するケーシング
（１０）とを備えた半導体パッケージにおいて、回路素
子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０
ｂ）を被覆して封止するように回路基板（３０）上に設
けられた箱状カバー部材（１５０）と、ケーシング（１
０）内にその開口部（１１）から充填されて回路基板
（３０）及びカバー部材（１５０）を封止する絶縁性樹
脂からなる充填材（８０）とを備えることを特徴とする
半導体パッケージが提供される。
回路基板（３０）と、この回路基板上に実装された半導
体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と、回路
基板（３０）を回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、
４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に収容するケーシング
（１０）とを備えた半導体パッケージにおいて、回路素
子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０
ｂ）を被覆して封止するように回路基板（３０）上に設
けられた箱状カバー部材（１５０）と、ケーシング（１
０）内にその開口部（１１）から充填されて回路基板
（３０）及びカバー部材（１５０）を封止する絶縁性樹
脂からなる充填材（８０）とを備えることを特徴とする
半導体パッケージが提供される。
【００１４】また、請求項９に記載の発明においては、
回路基板（３０）を、この回路基板上に実装された半導
体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共にケ
ーシング（１０）内に収容するとともに、回路基板（３
０）の端部（３５）からケーシング（１０）の開口部
（１１）を通してターミナル（９０）を延出させるよう
に構成する半導体パッケージの製造方法において、ポケ
ット状カバー部材（７０、１００、１１０、１２０、１
３０）を、回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０
ｂ、５０ａ、５０ｂ）を覆うとともにその開口部にてタ
ーミナル（９０）の延出方向に向け開口するように、回
路基板（３０）上に設ける工程（Ｓ６）と、カバー部材
（７０、１００、１１０、１２０、１３０）をその開口
部にて上方に向け開口させた状態で回路基板（３０）を
シリコンゲル内に降下させてカバー部材（７０、１０
０、１１０、１２０、１３０）内にその開口部（７１、
１０１、１１１、１２１、１３１）を介しシリコンゲル
を注入硬化させて回路素子（４０、５０、６０、４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する工程（Ｓ７）
と、ターミナル（９０）を回路基板（３０）の上方に位
置させた状態でこの回路基板及びカバー部材（７０、１
００、１１０、１２０、１３０）をケーシング（１０）
内にその開口部（１１）を通し上方から挿入する工程
（Ｓ９）と、ターミナル（９０）をケーシング（１０）
の開口部（１１）から上方に向け延出させた状態でエポ
キシ樹脂をケーシング（１０）内にその開口部（１１）
を通して注入硬化させてカバー部材（７０、１００、１
１０、１２０、１３０）及びこのカバー部材内のシリコ
ンゲルを封止する工程（Ｓ９）とを備えることを特徴と
する半導体パッケージの製造方法が提供される。
回路基板（３０）を、この回路基板上に実装された半導
体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、５
０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共にケ
ーシング（１０）内に収容するとともに、回路基板（３
０）の端部（３５）からケーシング（１０）の開口部
（１１）を通してターミナル（９０）を延出させるよう
に構成する半導体パッケージの製造方法において、ポケ
ット状カバー部材（７０、１００、１１０、１２０、１
３０）を、回路素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０
ｂ、５０ａ、５０ｂ）を覆うとともにその開口部にてタ
ーミナル（９０）の延出方向に向け開口するように、回
路基板（３０）上に設ける工程（Ｓ６）と、カバー部材
（７０、１００、１１０、１２０、１３０）をその開口
部にて上方に向け開口させた状態で回路基板（３０）を
シリコンゲル内に降下させてカバー部材（７０、１０
０、１１０、１２０、１３０）内にその開口部（７１、
１０１、１１１、１２１、１３１）を介しシリコンゲル
を注入硬化させて回路素子（４０、５０、６０、４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する工程（Ｓ７）
と、ターミナル（９０）を回路基板（３０）の上方に位
置させた状態でこの回路基板及びカバー部材（７０、１
００、１１０、１２０、１３０）をケーシング（１０）
内にその開口部（１１）を通し上方から挿入する工程
（Ｓ９）と、ターミナル（９０）をケーシング（１０）
の開口部（１１）から上方に向け延出させた状態でエポ
キシ樹脂をケーシング（１０）内にその開口部（１１）
を通して注入硬化させてカバー部材（７０、１００、１
１０、１２０、１３０）及びこのカバー部材内のシリコ
ンゲルを封止する工程（Ｓ９）とを備えることを特徴と
する半導体パッケージの製造方法が提供される。
【００１５】また、請求項１０に記載の発明では、請求
項９に記載の半導体パッケージの製造方法において、カ
バー部材（７０、１００、１１０、１２０、１３０）の
開口部（７１、１０１、１１１、１１１ａ、１２１、１
３１、１３２ａ）の周壁が、少なくともその一部（１０
１、１１１ａ、１３２ａ）にて当該周壁に沿い凹形状に
形成さていることを特徴とする。
項９に記載の半導体パッケージの製造方法において、カ
バー部材（７０、１００、１１０、１２０、１３０）の
開口部（７１、１０１、１１１、１１１ａ、１２１、１
３１、１３２ａ）の周壁が、少なくともその一部（１０
１、１１１ａ、１３２ａ）にて当該周壁に沿い凹形状に
形成さていることを特徴とする。
【００１６】また、請求項１１に記載の発明では、請求
項１０に記載の半導体パッケージの製造方法において、
開口部（７１、１０１、１１１、１１１ａ、１２１、１
３１、１３２ａ）の周壁の凹形状がＶ字状であることを
特徴とする。また、請求項１２に記載の発明では、請求
項９乃至１１のいずれか一つに記載の半導体パッケージ
の製造方法において、カバー部材（７０、１００、１１
０、１２０、１３０）の開口部（７１、１０１、１１
１、１１１ａ、１２１、１３１、１３２ａ）が幅狭（１
２１、１３１）に形成されていることを特徴とする。
項１０に記載の半導体パッケージの製造方法において、
開口部（７１、１０１、１１１、１１１ａ、１２１、１
３１、１３２ａ）の周壁の凹形状がＶ字状であることを
特徴とする。また、請求項１２に記載の発明では、請求
項９乃至１１のいずれか一つに記載の半導体パッケージ
の製造方法において、カバー部材（７０、１００、１１
０、１２０、１３０）の開口部（７１、１０１、１１
１、１１１ａ、１２１、１３１、１３２ａ）が幅狭（１
２１、１３１）に形成されていることを特徴とする。
【００１７】また、請求項１３に記載の発明において
は、回路基板（３０）を、この回路基板上に実装された
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に
ケーシング（１０）内に収容するとともに、回路基板
（３０）の端部（３５）からケーシング（１０）の開口
部（１１）を通してターミナル（９０）を延出させるよ
うに構成する半導体パッケージの製造方法において、箱
状カバー部材（１５０）を、回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を被覆して封止
するように回路基板（３０）上に設ける工程と、ターミ
ナル（９０）を回路基板（３０）の上方に位置させた状
態でこの回路基板及びカバー部材（１５０）をケーシン
グ（１０）内にその開口部（１１）を通し上方から挿入
する工程と、ターミナル（９０）をケーシング（１０）
の開口部（１１）から上方に延出させた状態でエポキシ
樹脂をケーシング（１０）内にその開口部（１１）を通
して注入硬化させてカバー部材（１５０）を封止する工
程とを備えることを特徴とする半導体パッケージの製造
方法が提供される。
は、回路基板（３０）を、この回路基板上に実装された
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に
ケーシング（１０）内に収容するとともに、回路基板
（３０）の端部（３５）からケーシング（１０）の開口
部（１１）を通してターミナル（９０）を延出させるよ
うに構成する半導体パッケージの製造方法において、箱
状カバー部材（１５０）を、回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を被覆して封止
するように回路基板（３０）上に設ける工程と、ターミ
ナル（９０）を回路基板（３０）の上方に位置させた状
態でこの回路基板及びカバー部材（１５０）をケーシン
グ（１０）内にその開口部（１１）を通し上方から挿入
する工程と、ターミナル（９０）をケーシング（１０）
の開口部（１１）から上方に延出させた状態でエポキシ
樹脂をケーシング（１０）内にその開口部（１１）を通
して注入硬化させてカバー部材（１５０）を封止する工
程とを備えることを特徴とする半導体パッケージの製造
方法が提供される。
【００１８】また、請求項１４に記載の発明において
は、回路基板（３０）を、この回路基板上に実装された
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に
ケーシング（１０）内に収容するとともに、回路基板
（３０）の端部（３５）からケーシング（１０）の開口
部（１１）を通してターミナル（９０）を延出させるよ
うに構成する半導体パッケージの製造方法において、箱
状カバー部材（１４０）を、回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を覆うとともに
回路基板（３０）に対する対向壁（１４３）の一部（１
４１、１４２）にて開口するように、回路基板（３０）
上に設ける工程と、カバー部材（１４０）をその対向壁
（１４３）の一部（１４１、１４２）にて斜め上方に向
け開口させた状態で回路基板（３０）をシリコンゲル内
に降下させてカバー部材（１４０）内にその対向壁（１
４３）の一部（１４１、１４２）を介し前記シリコンゲ
ルを注入硬化させて回路素子（４０、５０、６０、４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する工程と、ター
ミナル（９０）を回路基板（３０）の斜め上方に位置さ
せた状態でこの回路基板及びケーシング（１０）内にそ
の開口部（１１）を通し斜め上方から挿入する工程と、
ターミナル（９０）をケーシング（１０）の開口部（１
１）から斜め上方に向け延出させた状態でエポキシ樹脂
をケーシング（１０）内にその開口部（１１）を通して
注入硬化させてカバー部材（１４０）及びこのカバー部
材内のシリコンゲルを封止する工程とを備えることを特
徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。
は、回路基板（３０）を、この回路基板上に実装された
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）と共に
ケーシング（１０）内に収容するとともに、回路基板
（３０）の端部（３５）からケーシング（１０）の開口
部（１１）を通してターミナル（９０）を延出させるよ
うに構成する半導体パッケージの製造方法において、箱
状カバー部材（１４０）を、回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を覆うとともに
回路基板（３０）に対する対向壁（１４３）の一部（１
４１、１４２）にて開口するように、回路基板（３０）
上に設ける工程と、カバー部材（１４０）をその対向壁
（１４３）の一部（１４１、１４２）にて斜め上方に向
け開口させた状態で回路基板（３０）をシリコンゲル内
に降下させてカバー部材（１４０）内にその対向壁（１
４３）の一部（１４１、１４２）を介し前記シリコンゲ
ルを注入硬化させて回路素子（４０、５０、６０、４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する工程と、ター
ミナル（９０）を回路基板（３０）の斜め上方に位置さ
せた状態でこの回路基板及びケーシング（１０）内にそ
の開口部（１１）を通し斜め上方から挿入する工程と、
ターミナル（９０）をケーシング（１０）の開口部（１
１）から斜め上方に向け延出させた状態でエポキシ樹脂
をケーシング（１０）内にその開口部（１１）を通して
注入硬化させてカバー部材（１４０）及びこのカバー部
材内のシリコンゲルを封止する工程とを備えることを特
徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。
【００１９】また、請求項１５に記載の発明において
は、半導体パッケージのケーシング（１０）内に収容さ
れる回路基板（３０）と、この回路基板上に実装されて
当該回路基板と共にケーシング（１０）内に収容される
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）とを備
える半導体パッケージのための構成部材であって、回路
素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５
０ｂ）を覆うように回路基板（３０）上に設けられてこ
の回路基板に沿う方向に向け開口する開口部（７１、１
０１、１１１、１２１、１３１）を有するカバー部材
（７０、１００、１１０、１２０、１３０）と、このカ
バー部材内にその開口部（７１、１０１、１１１、１２
１、１３１）から充填されて回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁
性樹脂からなる充填材（８０）とを具備することを特徴
とする半導体パッケージのための構成部材が提供され
る。
は、半導体パッケージのケーシング（１０）内に収容さ
れる回路基板（３０）と、この回路基板上に実装されて
当該回路基板と共にケーシング（１０）内に収容される
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）とを備
える半導体パッケージのための構成部材であって、回路
素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５
０ｂ）を覆うように回路基板（３０）上に設けられてこ
の回路基板に沿う方向に向け開口する開口部（７１、１
０１、１１１、１２１、１３１）を有するカバー部材
（７０、１００、１１０、１２０、１３０）と、このカ
バー部材内にその開口部（７１、１０１、１１１、１２
１、１３１）から充填されて回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁
性樹脂からなる充填材（８０）とを具備することを特徴
とする半導体パッケージのための構成部材が提供され
る。
【００２０】また、請求項１６に記載の発明において
は、半導体パッケージのケーシング（１０）内に収容さ
れる回路基板（３０）と、この回路基板上に実装されて
当該回路基板と共にケーシング（１０）内に収容される
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）とを備
える半導体パッケージのための構成部材であって、回路
素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５
０ｂ）を被覆して封止するように回路基板（３０）上に
設けられた箱状カバー部材（１５０）を具備することを
特徴とする半導体パッケージのための構成部材が提供さ
れる。
は、半導体パッケージのケーシング（１０）内に収容さ
れる回路基板（３０）と、この回路基板上に実装されて
当該回路基板と共にケーシング（１０）内に収容される
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）とを備
える半導体パッケージのための構成部材であって、回路
素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５
０ｂ）を被覆して封止するように回路基板（３０）上に
設けられた箱状カバー部材（１５０）を具備することを
特徴とする半導体パッケージのための構成部材が提供さ
れる。
【００２１】また、請求項１７に記載の発明において
は、半導体パッケージのケーシング（１０）内に収容さ
れる回路基板（３０）と、この回路基板上に実装されて
当該回路基板と共にケーシング（１０）内に収容される
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）とを備
える半導体パッケージのための構成部材であって、回路
素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５
０ｂ）を覆うように回路基板（３０）上に設けられてこ
の回路基板に対する対向壁（１４３）の一部にて開口す
る開口部（１４１、１４２）を有する箱状カバー部材
（１４０）と、このカバー部材内にその開口部（１４
１、１４２）から充填されて回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁
性樹脂からなる充填材（８０）とを具備することを特徴
とする半導体パッケージのための構成部材が提供され
る。
は、半導体パッケージのケーシング（１０）内に収容さ
れる回路基板（３０）と、この回路基板上に実装されて
当該回路基板と共にケーシング（１０）内に収容される
半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子（４０、
５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）とを備
える半導体パッケージのための構成部材であって、回路
素子（４０、５０、６０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５
０ｂ）を覆うように回路基板（３０）上に設けられてこ
の回路基板に対する対向壁（１４３）の一部にて開口す
る開口部（１４１、１４２）を有する箱状カバー部材
（１４０）と、このカバー部材内にその開口部（１４
１、１４２）から充填されて回路素子（４０、５０、６
０、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ）を封止する絶縁
性樹脂からなる充填材（８０）とを具備することを特徴
とする半導体パッケージのための構成部材が提供され
る。
【００２２】なお、上記各構成要素及び工程のカッコ内
の符号は、後述する実施例記載の具体的な構成要素及び
工程との対応関係を示すものである。
の符号は、後述する実施例記載の具体的な構成要素及び
工程との対応関係を示すものである。
【００２３】
【発明の作用効果】上記各請求項１乃至４及び６、７に
記載の発明によれば、カバー部材が、回路素子を覆うよ
うに回路基板上に設けられてその開口部にて回路基板に
沿う方向に向いている。また、第１充填材がカバー部材
内に充填されて回路素子を封止し、第２充填材がケーシ
ング内に充填されて回路基板及びカバー部材を封止して
いる。
記載の発明によれば、カバー部材が、回路素子を覆うよ
うに回路基板上に設けられてその開口部にて回路基板に
沿う方向に向いている。また、第１充填材がカバー部材
内に充填されて回路素子を封止し、第２充填材がケーシ
ング内に充填されて回路基板及びカバー部材を封止して
いる。
【００２４】このため、カバー部材の開口部を上方に向
けたままで、カバー部材内への第１充填材の充填、回路
基板及びカバー部材のケーシング内への挿入、並びにケ
ーシング内への第２充填材の充填を行うことができる。
従って、カバー部材を上記構成とすることで、自動化に
適した半導体パッケージを提供することができる。ま
た、請求項５に記載の発明の構成によれば、カバー部材
を斜め上方に向け開口させるように回路基板を傾斜させ
たままで、カバー部材内への第１充填材の充填、回路基
板及びカバー部材のケーシング内への挿入、並びにケー
シング内への第２充填材の充填を行うことができる。
けたままで、カバー部材内への第１充填材の充填、回路
基板及びカバー部材のケーシング内への挿入、並びにケ
ーシング内への第２充填材の充填を行うことができる。
従って、カバー部材を上記構成とすることで、自動化に
適した半導体パッケージを提供することができる。ま
た、請求項５に記載の発明の構成によれば、カバー部材
を斜め上方に向け開口させるように回路基板を傾斜させ
たままで、カバー部材内への第１充填材の充填、回路基
板及びカバー部材のケーシング内への挿入、並びにケー
シング内への第２充填材の充填を行うことができる。
【００２５】従って、このようなカバー部材の構成でも
ってしても、自動化に適した半導体パッケージを提供す
ることができる。また、請求項８に記載の発明によれ
ば、箱状カバー部材が、回路素子を被覆して封止するよ
うに回路基板上に設けられている。また、充填材がケー
シング内に充填されて回路基板及びカバー部材を封止し
ている。
ってしても、自動化に適した半導体パッケージを提供す
ることができる。また、請求項８に記載の発明によれ
ば、箱状カバー部材が、回路素子を被覆して封止するよ
うに回路基板上に設けられている。また、充填材がケー
シング内に充填されて回路基板及びカバー部材を封止し
ている。
【００２６】このため、請求項１に記載の発明と同様に
自動化に適した半導体パッケージの提供を確保し得るの
は勿論のこと、シリコンゲルのカバー部材内への充填が
廃止される。従って、半導体パッケージにおける構成要
素の減少に役立つ。また、請求項９乃至１２に記載の発
明によれば、ポケット状カバー部材を、回路素子を覆う
とともにその開口部にてターミナルの延出方向に向け開
口するように、回路基板上に設ける。
自動化に適した半導体パッケージの提供を確保し得るの
は勿論のこと、シリコンゲルのカバー部材内への充填が
廃止される。従って、半導体パッケージにおける構成要
素の減少に役立つ。また、請求項９乃至１２に記載の発
明によれば、ポケット状カバー部材を、回路素子を覆う
とともにその開口部にてターミナルの延出方向に向け開
口するように、回路基板上に設ける。
【００２７】そして、カバー部材をその開口部にて上方
に向け開口させた状態で回路基板をシリコンゲル内に降
下させてカバー部材内にその開口部を介しシリコンゲル
を注入硬化させて回路素子を封止する。ついで、ターミ
ナルを回路基板の上方に位置させた状態でこの回路基板
及びカバー部材をケーシング内にその開口部を通し上方
から挿入する。
に向け開口させた状態で回路基板をシリコンゲル内に降
下させてカバー部材内にその開口部を介しシリコンゲル
を注入硬化させて回路素子を封止する。ついで、ターミ
ナルを回路基板の上方に位置させた状態でこの回路基板
及びカバー部材をケーシング内にその開口部を通し上方
から挿入する。
【００２８】そして、ターミナルをケーシングの開口部
から上方に向け延出させた状態で、エポキシ樹脂をケー
シング内にその開口部を通して注入硬化させて、カバー
部材及びこのカバー部材内のシリコンゲルを封止する。
このように、カバー部材がターミナルの延出方向に向け
開口する構造を有するので、シリコンゲルのカバー部材
内への注入、回路基板のケーシング内への挿入及びエポ
キシ樹脂のケーシング内への注入を、カバー部材の開口
部を上方に向けた状態を維持したままで、行うことがで
きる。従って、これら注入工程の自動化が容易に実現で
きる。その結果、この種半導体パッケージの自動化も可
能となる。
から上方に向け延出させた状態で、エポキシ樹脂をケー
シング内にその開口部を通して注入硬化させて、カバー
部材及びこのカバー部材内のシリコンゲルを封止する。
このように、カバー部材がターミナルの延出方向に向け
開口する構造を有するので、シリコンゲルのカバー部材
内への注入、回路基板のケーシング内への挿入及びエポ
キシ樹脂のケーシング内への注入を、カバー部材の開口
部を上方に向けた状態を維持したままで、行うことがで
きる。従って、これら注入工程の自動化が容易に実現で
きる。その結果、この種半導体パッケージの自動化も可
能となる。
【００２９】この場合、ターミナルが常にカバー部材の
上方に位置しているので、上記注入工程においてシリコ
ンゲルやエポキシ樹脂がターミナルに付着することもな
い。また、請求項１０、１１に記載の発明のようにカバ
ー部材の開口部の形状を凹形状、Ｖ字状にすれば、カバ
ー部材内へのシリコンゲルの注入開始時期が早くなるの
で、カバー部材内にシリコンゲルを満たすに要する時間
が短縮されてこの種半導体パッケージの製造時間が短縮
される。
上方に位置しているので、上記注入工程においてシリコ
ンゲルやエポキシ樹脂がターミナルに付着することもな
い。また、請求項１０、１１に記載の発明のようにカバ
ー部材の開口部の形状を凹形状、Ｖ字状にすれば、カバ
ー部材内へのシリコンゲルの注入開始時期が早くなるの
で、カバー部材内にシリコンゲルを満たすに要する時間
が短縮されてこの種半導体パッケージの製造時間が短縮
される。
【００３０】また、請求項１３に記載の発明によれば、
箱状カバー部材を、回路素子を被覆して封止するように
前記回路基板上に設け、ターミナルを回路基板の上方に
位置させた状態でこの回路基板及びカバー部材をケーシ
ング内にその開口部を通し上方から挿入し、ターミナル
をケーシングの開口部から上方に延出させた状態でエポ
キシ樹脂をケーシング内にその開口部を通して注入硬化
させてカバー部材を封止する。
箱状カバー部材を、回路素子を被覆して封止するように
前記回路基板上に設け、ターミナルを回路基板の上方に
位置させた状態でこの回路基板及びカバー部材をケーシ
ング内にその開口部を通し上方から挿入し、ターミナル
をケーシングの開口部から上方に延出させた状態でエポ
キシ樹脂をケーシング内にその開口部を通して注入硬化
させてカバー部材を封止する。
【００３１】このように、カバー部材内にシリコンゲル
を注入するという工程なくして、ケーシング内へのカバ
ー部材及び回路基板の挿入並びにケーシング内へのエポ
キシ樹脂の注入硬化を実現できるので、半導体パッケー
ジの製造の効率のよい自動化が可能となる。また、請求
項１４に記載の発明によれば、カバー部材をその対向壁
の一部にて斜め上方に向け開口させた状態で回路基板を
シリコンゲル内に降下させてカバー部材内にその対向壁
の一部を介しシリコンゲルを注入硬化させて前記回路素
子を封止する。
を注入するという工程なくして、ケーシング内へのカバ
ー部材及び回路基板の挿入並びにケーシング内へのエポ
キシ樹脂の注入硬化を実現できるので、半導体パッケー
ジの製造の効率のよい自動化が可能となる。また、請求
項１４に記載の発明によれば、カバー部材をその対向壁
の一部にて斜め上方に向け開口させた状態で回路基板を
シリコンゲル内に降下させてカバー部材内にその対向壁
の一部を介しシリコンゲルを注入硬化させて前記回路素
子を封止する。
【００３２】このため、カバー部材内への第１充填材の
充填、回路基板及びカバー部材のケーシング内への挿
入、並びにケーシング内への第２充填材の充填を、回路
基板を傾斜させた状態で行うことができる。従って、本
請求項１４に記載のカバー部材の構成においても、半導
体パッケージの自動化が可能となる。また、請求項１５
乃至１７に記載の発明のカバー部材構造とすれば、半導
体パッケージの自動化に適した構成部材を提供できる。
充填、回路基板及びカバー部材のケーシング内への挿
入、並びにケーシング内への第２充填材の充填を、回路
基板を傾斜させた状態で行うことができる。従って、本
請求項１４に記載のカバー部材の構成においても、半導
体パッケージの自動化が可能となる。また、請求項１５
乃至１７に記載の発明のカバー部材構造とすれば、半導
体パッケージの自動化に適した構成部材を提供できる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図面に基づいて
説明する。図１及び図２は、本発明に係る半導体パッケ
ージの一例を示している。この半導体パッケージは、混
成集積回路装置Ｓａを直方体形状のケーシング１０内に
エポキシ樹脂２０により封止して構成されている。な
お、本実施例における半導体パッケージとしては、ＳＩ
Ｐが採用れている。
説明する。図１及び図２は、本発明に係る半導体パッケ
ージの一例を示している。この半導体パッケージは、混
成集積回路装置Ｓａを直方体形状のケーシング１０内に
エポキシ樹脂２０により封止して構成されている。な
お、本実施例における半導体パッケージとしては、ＳＩ
Ｐが採用れている。
【００３４】混成集積回路装置Ｓａは、セラミック基板
３０を有しており、このセラミック基板３０の表面の左
右両側部には、Ｄ−ＭＯＳからなる各半導体チップ４
０、５０が装着されている。半導体チップ４０は、その
両電極４１、４２にて、各ボンディングワイヤ４０ａ、
４０ｂにより、セラミック基板３０の表面に半導体チッ
プ４０の近傍にて形成した各ボンディングパッド３１、
３２にワイヤボンディング法でもって接続されている。
３０を有しており、このセラミック基板３０の表面の左
右両側部には、Ｄ−ＭＯＳからなる各半導体チップ４
０、５０が装着されている。半導体チップ４０は、その
両電極４１、４２にて、各ボンディングワイヤ４０ａ、
４０ｂにより、セラミック基板３０の表面に半導体チッ
プ４０の近傍にて形成した各ボンディングパッド３１、
３２にワイヤボンディング法でもって接続されている。
【００３５】一方、半導体チップ５０は、その両電極５
１、５２にて、各ボンディングワイヤ５０ａ、５０ｂに
より、セラミック基板３０の表面に半導体チップ５０の
近傍にて形成した各ボンディングパッド３３、３４に、
ワイヤボンディング法でもって接続されている。なお、
図１にて符号６０は、セラミック基板３０の表面中央に
装着したモノリシックＩＣ（以下、ＭＩＣという）を示
す。
１、５２にて、各ボンディングワイヤ５０ａ、５０ｂに
より、セラミック基板３０の表面に半導体チップ５０の
近傍にて形成した各ボンディングパッド３３、３４に、
ワイヤボンディング法でもって接続されている。なお、
図１にて符号６０は、セラミック基板３０の表面中央に
装着したモノリシックＩＣ（以下、ＭＩＣという）を示
す。
【００３６】スリーブ（カバー部材に相当する）７０
は、セラミック基板３０の表面に接着されている。この
スリーブ６０は、各半導体チップ４０、５０、各ボンデ
ィングワイヤ４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ、各ボン
ディングパッド３１乃至３４をそれぞれ回路素子とし
て、図１にて示すごとく外周側から囲うとともに図２か
ら理解されるごとく当該各回路素子をその上方から覆う
ようにシリコンゴムによりポケット形状に形成されてい
る。また、このスリーブ７０には、図１にて図示下方に
向けて開口部７１が形成されている。
は、セラミック基板３０の表面に接着されている。この
スリーブ６０は、各半導体チップ４０、５０、各ボンデ
ィングワイヤ４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ、各ボン
ディングパッド３１乃至３４をそれぞれ回路素子とし
て、図１にて示すごとく外周側から囲うとともに図２か
ら理解されるごとく当該各回路素子をその上方から覆う
ようにシリコンゴムによりポケット形状に形成されてい
る。また、このスリーブ７０には、図１にて図示下方に
向けて開口部７１が形成されている。
【００３７】スリーブ７０内には、シリコンゲル８０が
封止材料として注入硬化されて上記各回路素子を封止し
ている。複数のターミナル９０は、スリーブ７０の開口
部７１側に位置するセラミック基板３０の端部３５に接
続されており、これら各ターミナル９０は、セラミック
基板３０の端部３５からケーシング１０の開口部１１を
通し図１にて図示下方へ互いに並行に延出している。な
お、各ターミナル９０とセラミック基板３０の端部３５
との接続は、各ターミナル９０の先端クリップ部９１に
てセラミック基板３０の端部３５を挟み込むとともにこ
の挟み込み部にはんだ付け９１ａを施すことにより行わ
れている。
封止材料として注入硬化されて上記各回路素子を封止し
ている。複数のターミナル９０は、スリーブ７０の開口
部７１側に位置するセラミック基板３０の端部３５に接
続されており、これら各ターミナル９０は、セラミック
基板３０の端部３５からケーシング１０の開口部１１を
通し図１にて図示下方へ互いに並行に延出している。な
お、各ターミナル９０とセラミック基板３０の端部３５
との接続は、各ターミナル９０の先端クリップ部９１に
てセラミック基板３０の端部３５を挟み込むとともにこ
の挟み込み部にはんだ付け９１ａを施すことにより行わ
れている。
【００３８】次に、このように構成した半導体パッケー
ジを自動的に製造する方法について、図３乃至図１３を
参照して説明する。まず、図３のスクライブ・はんだ印
刷工程Ｓ１において、図４の点線及び実線にて示すごと
く、多連セラミック基板３０Ａの表面に、各セラミック
基板３０に分断するための分断線をレーザによりいれる
スクライブ処理を行う。然る後、多連セラミック基板３
０Ａの各セラミック基板３０の表面の左右両側部に対応
する部分にて、スクリーン印刷機により所望の複数箇所
（上記各回路素子の装着箇所）にはんだ印刷処理を施
す。
ジを自動的に製造する方法について、図３乃至図１３を
参照して説明する。まず、図３のスクライブ・はんだ印
刷工程Ｓ１において、図４の点線及び実線にて示すごと
く、多連セラミック基板３０Ａの表面に、各セラミック
基板３０に分断するための分断線をレーザによりいれる
スクライブ処理を行う。然る後、多連セラミック基板３
０Ａの各セラミック基板３０の表面の左右両側部に対応
する部分にて、スクリーン印刷機により所望の複数箇所
（上記各回路素子の装着箇所）にはんだ印刷処理を施
す。
【００３９】ついで、回路素子実装・洗浄・リフロー工
程Ｓ２において、図５にて示すごとく、各半導体チップ
４０、５０、ＭＩＣ６０及び各ボンディングパッド４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂを上記はんだ印刷部分に仮
装着する。然る後、このように仮装着を施した多連セラ
ミック基板３０Ａを洗浄した上リフロー炉を通しはんだ
印刷部を溶融硬化させる。
程Ｓ２において、図５にて示すごとく、各半導体チップ
４０、５０、ＭＩＣ６０及び各ボンディングパッド４０
ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂを上記はんだ印刷部分に仮
装着する。然る後、このように仮装着を施した多連セラ
ミック基板３０Ａを洗浄した上リフロー炉を通しはんだ
印刷部を溶融硬化させる。
【００４０】このような処理後、分断工程Ｓ３におい
て、多連セラミック基板３０Ａを、図６にて示すごと
く、上記分断線に沿い分断して、各セラミック基板３０
に分割する。そして、クリップ実装・洗浄・リフロー工
程Ｓ４において、上述のように分割した各セラミック基
板３０の端部３５に、図７にて例示するごとく、クリッ
プ９０Ａを実装する。この場合、クリップ９０Ａは、図
７にて示すごとく、連結部９２から各ターミナル９０を
一体的に延出させて形成してなるもので、各ターミナル
９０とセラミック基板３０の端部３５との実装は、上述
のごとく、各ターミナル９０の先端クリップ部９１にて
セラミック基板３０の端部３５を挟み込むとともにこの
挟み込み部にはんだ付けを施すことにより行われる。
て、多連セラミック基板３０Ａを、図６にて示すごと
く、上記分断線に沿い分断して、各セラミック基板３０
に分割する。そして、クリップ実装・洗浄・リフロー工
程Ｓ４において、上述のように分割した各セラミック基
板３０の端部３５に、図７にて例示するごとく、クリッ
プ９０Ａを実装する。この場合、クリップ９０Ａは、図
７にて示すごとく、連結部９２から各ターミナル９０を
一体的に延出させて形成してなるもので、各ターミナル
９０とセラミック基板３０の端部３５との実装は、上述
のごとく、各ターミナル９０の先端クリップ部９１にて
セラミック基板３０の端部３５を挟み込むとともにこの
挟み込み部にはんだ付けを施すことにより行われる。
【００４１】ついで、このようにクリップ９０Ａを実装
した状態で、各セラミック基板３０をリフロー炉を通し
て上記挟み込み部のはんだの溶融硬化処理をした後洗浄
する。次に、ボンディングワイヤ実装工程Ｓ５におい
て、図８にて例示するごとく、各セラミック基板３０の
半導体チップ４０の各電極を各ボンディングワイヤ４０
ａ、４０ｂにより各ボンディングパッド３１、３２にワ
イヤボンディング法により接続するとともに、各セラミ
ック基板３０の半導体チップ５０の各電極を各ボンディ
ングワイヤ５０ａ、５０ｂにより各ボンディングパッド
３３、３４にワイヤボンディング法により接続する。
した状態で、各セラミック基板３０をリフロー炉を通し
て上記挟み込み部のはんだの溶融硬化処理をした後洗浄
する。次に、ボンディングワイヤ実装工程Ｓ５におい
て、図８にて例示するごとく、各セラミック基板３０の
半導体チップ４０の各電極を各ボンディングワイヤ４０
ａ、４０ｂにより各ボンディングパッド３１、３２にワ
イヤボンディング法により接続するとともに、各セラミ
ック基板３０の半導体チップ５０の各電極を各ボンディ
ングワイヤ５０ａ、５０ｂにより各ボンディングパッド
３３、３４にワイヤボンディング法により接続する。
【００４２】そして、スリーブ実装工程Ｓ６において、
予め準備したスリーブ７０を、図９にて例示するごと
く、セラミック基板３０の表面に接着する。この接着
は、スリーブ７０の開口部７１をセラミック基板３０の
端部３５側に向けるとともに、スリーブ７０内に、各半
導体チップ４０、５０、各ボンディングパッド３１乃至
３４、各ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ、５０ａ、
５０ｂ及びＭＩＣ６０を覆うようにして行う。
予め準備したスリーブ７０を、図９にて例示するごと
く、セラミック基板３０の表面に接着する。この接着
は、スリーブ７０の開口部７１をセラミック基板３０の
端部３５側に向けるとともに、スリーブ７０内に、各半
導体チップ４０、５０、各ボンディングパッド３１乃至
３４、各ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ、５０ａ、
５０ｂ及びＭＩＣ６０を覆うようにして行う。
【００４３】次のディップ・硬化工程Ｓ７においては、
図１０及び図１１にて示すごとく、クリップ９０Ａの連
結部９２をロボットでもって把持することによりセラミ
ック基板３０を垂下させてディップ槽Ｐの直上に保持す
る。そして、この状態で、上記ロボットによりクリップ
９０Ａを降下させてセラミック基板３０をディップ槽Ｐ
内のシリコンゲルに浸漬させる。
図１０及び図１１にて示すごとく、クリップ９０Ａの連
結部９２をロボットでもって把持することによりセラミ
ック基板３０を垂下させてディップ槽Ｐの直上に保持す
る。そして、この状態で、上記ロボットによりクリップ
９０Ａを降下させてセラミック基板３０をディップ槽Ｐ
内のシリコンゲルに浸漬させる。
【００４４】このとき、この浸漬は、スリーブ７０がそ
の開口部７１まで含め全体的にシリコンゲル内に入るよ
うに行う。この場合、スリーブ７０がポケット形状にて
上方に向け開口しているので、スリーブ７０内の空気
が、このスリーブ７０内へのシリコンゲルの浸入に伴い
上方へ押し出される。このため、スリーブ７０内には、
空気を残留させることなく、シリコンゲルを浸入させる
ことができる。
の開口部７１まで含め全体的にシリコンゲル内に入るよ
うに行う。この場合、スリーブ７０がポケット形状にて
上方に向け開口しているので、スリーブ７０内の空気
が、このスリーブ７０内へのシリコンゲルの浸入に伴い
上方へ押し出される。このため、スリーブ７０内には、
空気を残留させることなく、シリコンゲルを浸入させる
ことができる。
【００４５】一定時間の経過により、シリコンゲルが、
スリーブ７０内への浸入を終えて、スリーブ７０内の各
回路素子を覆うと、上記ロボットによりクリップ９０Ａ
を上昇させてセラミック基板３０をディップ槽Ｐ内のシ
リコンゲルから脱出させるとともに、スリーブ７０内の
シリコンゲルを熱硬化させる。この場合、仮にスリーブ
７０内に空気が残っていても、この空気はシリコンゲル
の熱硬化時にスリーブ７０の開口部７１から放出され
る。
スリーブ７０内への浸入を終えて、スリーブ７０内の各
回路素子を覆うと、上記ロボットによりクリップ９０Ａ
を上昇させてセラミック基板３０をディップ槽Ｐ内のシ
リコンゲルから脱出させるとともに、スリーブ７０内の
シリコンゲルを熱硬化させる。この場合、仮にスリーブ
７０内に空気が残っていても、この空気はシリコンゲル
の熱硬化時にスリーブ７０の開口部７１から放出され
る。
【００４６】なお、この工程では、クリップ９０Ａが、
ディップ槽Ｐ内のシリコンゲルの上方に常に位置してい
るので、このシリコンゲルがクリップ９０Ａの各ターミ
ナル９０に付着することはない。このような処理後、エ
ポキシ樹脂注入工程Ｓ８において、図１２にて示すごと
く、予め準備したケーシング１０内に、エポキシ樹脂を
ディスペンサＤにより所定量（ケーシング１０の容積の
約半分程の量）注入する。
ディップ槽Ｐ内のシリコンゲルの上方に常に位置してい
るので、このシリコンゲルがクリップ９０Ａの各ターミ
ナル９０に付着することはない。このような処理後、エ
ポキシ樹脂注入工程Ｓ８において、図１２にて示すごと
く、予め準備したケーシング１０内に、エポキシ樹脂を
ディスペンサＤにより所定量（ケーシング１０の容積の
約半分程の量）注入する。
【００４７】そして、挿入及びエポキシ樹脂注入・硬化
工程Ｓ９において、図１２にて示すごとく、上述のよう
にクリップ９０Ａの連結部９２をロボットにより把持す
ることによりセラミック基板３０を垂下させてケーシン
グ１０の直上に保持する。然る後、上記ロボットにより
クリップ９０Ａを降下させてセラミック基板３０をケー
シング１０内に挿入する。このとき、この降下は、クリ
ップ９０Ａの各ターミナル９０のクリップ部９１がケー
シング１０内に侵入するように行う。
工程Ｓ９において、図１２にて示すごとく、上述のよう
にクリップ９０Ａの連結部９２をロボットにより把持す
ることによりセラミック基板３０を垂下させてケーシン
グ１０の直上に保持する。然る後、上記ロボットにより
クリップ９０Ａを降下させてセラミック基板３０をケー
シング１０内に挿入する。このとき、この降下は、クリ
ップ９０Ａの各ターミナル９０のクリップ部９１がケー
シング１０内に侵入するように行う。
【００４８】かかる場合、スリーブ７０がポケット形状
に形成されているので、上述のように、シリコンゲルの
スリーブ７０内への自動注入により、スリーブ７０内に
シリコンゲルを確実に満たすことができる。従って、エ
ポキシ樹脂のスリーブ７０内の各回路素子への付着を招
くことなく、ケーシング１０内へのセラミック基板３０
の自動挿入が容易に行える。
に形成されているので、上述のように、シリコンゲルの
スリーブ７０内への自動注入により、スリーブ７０内に
シリコンゲルを確実に満たすことができる。従って、エ
ポキシ樹脂のスリーブ７０内の各回路素子への付着を招
くことなく、ケーシング１０内へのセラミック基板３０
の自動挿入が容易に行える。
【００４９】然る後、ディスペンサＤによりエポキシ樹
脂をケーシング１０内にスリーブ７０、セラミック基板
３０及び各ターミナル９０のクリップ部９１を覆うよう
に注入した後熱硬化させる。これにより、エポキシ樹脂
によるスリーブ７０及びその内部の各回路素子の封止が
完了する。この場合、ケーシング１０内のエポキシ樹脂
がスリーブ７０内のシリコンゲルによりこのスリーブ７
０内の回路素子から確実に遮断されるので、エポキシ樹
脂の熱応力からスリーブ７０内の各回路素子を確実に保
護できる。
脂をケーシング１０内にスリーブ７０、セラミック基板
３０及び各ターミナル９０のクリップ部９１を覆うよう
に注入した後熱硬化させる。これにより、エポキシ樹脂
によるスリーブ７０及びその内部の各回路素子の封止が
完了する。この場合、ケーシング１０内のエポキシ樹脂
がスリーブ７０内のシリコンゲルによりこのスリーブ７
０内の回路素子から確実に遮断されるので、エポキシ樹
脂の熱応力からスリーブ７０内の各回路素子を確実に保
護できる。
【００５０】また、スリーブ７０内の各回路素子がこの
スリーブ７０内のシリコンゲル、ケーシング１０内のエ
ポキシ樹脂及びケーシング１０により外気から遮断され
るので、スリーブ７０内の回路素子に外部から湿気等が
侵入することがなく、当該各回路素子、例えば、半導体
チップ４０、５０やボンディングワイヤ４０ａ、４０
ｂ、５０ａ、５０ｂの信頼性を十分に維持しつつその寿
命を長くできる。
スリーブ７０内のシリコンゲル、ケーシング１０内のエ
ポキシ樹脂及びケーシング１０により外気から遮断され
るので、スリーブ７０内の回路素子に外部から湿気等が
侵入することがなく、当該各回路素子、例えば、半導体
チップ４０、５０やボンディングワイヤ４０ａ、４０
ｂ、５０ａ、５０ｂの信頼性を十分に維持しつつその寿
命を長くできる。
【００５１】上述のように、エポキシ樹脂注入・硬化工
程Ｓ９での処理が終了した後は、クリップ切断工程Ｓ１
０において、図１３にて示すごとく、クリップ９０Ａの
連結部９２を各ターミナル９０から切断する。以上によ
り、複数の半導体パッケージの自動的な製造が効率よく
完了するとともに、上述のような構成をもつ自動化に適
した半導体パッケージを提供できる。
程Ｓ９での処理が終了した後は、クリップ切断工程Ｓ１
０において、図１３にて示すごとく、クリップ９０Ａの
連結部９２を各ターミナル９０から切断する。以上によ
り、複数の半導体パッケージの自動的な製造が効率よく
完了するとともに、上述のような構成をもつ自動化に適
した半導体パッケージを提供できる。
【００５２】ここで、上記各回路素子がシリコンゲル８
０、エポキシ樹脂２０及びケーシング１０により多重的
に封止されるので、この種半導体パッケージにおける回
路素子の外部環境からの保護が強化され得る。図１４及
び図１５は、本発明の第２実施例を示している。この第
２実施例においては、上記第１実施例にて述べたスリー
ブ７０に代えて、スリーブ１００をセラミック基板３０
の表面に接着したことにその構成上の特徴がある。
０、エポキシ樹脂２０及びケーシング１０により多重的
に封止されるので、この種半導体パッケージにおける回
路素子の外部環境からの保護が強化され得る。図１４及
び図１５は、本発明の第２実施例を示している。この第
２実施例においては、上記第１実施例にて述べたスリー
ブ７０に代えて、スリーブ１００をセラミック基板３０
の表面に接着したことにその構成上の特徴がある。
【００５３】このスリーブ１００は、Ｖ字状に形成した
開口部１０１（スリーブ７０の開口部７１に対応する）
を備えている。この第２実施例によれば、ディップ・硬
化工程Ｓ７において、スリーブ１００を、スリーブ７０
と同様にディップ槽Ｐ（図１０及び図１１参照）内のシ
リコンゲルに浸漬する場合、スリーブ１００の開口部１
０１がＶ字状に形成されているので、スリーブ１００内
へのシリコンゲルの注入がスリーブ７０の場合に比べて
早く開始される。
開口部１０１（スリーブ７０の開口部７１に対応する）
を備えている。この第２実施例によれば、ディップ・硬
化工程Ｓ７において、スリーブ１００を、スリーブ７０
と同様にディップ槽Ｐ（図１０及び図１１参照）内のシ
リコンゲルに浸漬する場合、スリーブ１００の開口部１
０１がＶ字状に形成されているので、スリーブ１００内
へのシリコンゲルの注入がスリーブ７０の場合に比べて
早く開始される。
【００５４】このため、スリーブ１００内にシリコンゲ
ルを満たすに要する待ち時間の短縮が達成され得る。そ
の他の構成及び作用効果は上記第１実施例と同様であ
る。図１６及び図１７は、上記第２実施例の変形例を示
している。この変形例においては、上記第２実施例にて
述べたスリーブ１００に代えて、スリーブ１１０をセラ
ミック基板３０の表面に接着したことにその構成上の特
徴がある。
ルを満たすに要する待ち時間の短縮が達成され得る。そ
の他の構成及び作用効果は上記第１実施例と同様であ
る。図１６及び図１７は、上記第２実施例の変形例を示
している。この変形例においては、上記第２実施例にて
述べたスリーブ１００に代えて、スリーブ１１０をセラ
ミック基板３０の表面に接着したことにその構成上の特
徴がある。
【００５５】このスリーブ１１０は、スリーブ７０の開
口部に対応する開口部１１１を備えており、この開口部
１１１は、セラミック基板３０に対するスリーブ１１０
の対向壁１１２の中央部に形成した切欠１１１ａまで広
がっている。このため、ディップ・硬化工程Ｓ７におい
て、スリーブ１１０を、スリーブ１００と同様にディッ
プ槽Ｐ（図１０及び図１１参照）内のシリコンゲルに浸
漬する場合、スリーブ１１０内へのシリコンゲルの注入
が切欠１１１ａから開始される。
口部に対応する開口部１１１を備えており、この開口部
１１１は、セラミック基板３０に対するスリーブ１１０
の対向壁１１２の中央部に形成した切欠１１１ａまで広
がっている。このため、ディップ・硬化工程Ｓ７におい
て、スリーブ１１０を、スリーブ１００と同様にディッ
プ槽Ｐ（図１０及び図１１参照）内のシリコンゲルに浸
漬する場合、スリーブ１１０内へのシリコンゲルの注入
が切欠１１１ａから開始される。
【００５６】従って、スリーブ１１０内へのシリコンゲ
ルの注入がスリーブ１００の場合に比べて早く開始され
る。その結果、スリーブ１１０内にシリコンゲルを満た
すに要する待ち時間のより一層の短縮が達成され得る。
なお、切欠１１１ａの左右方向幅は、スリーブ１１０内
に注入したシリコンゲルがその表面張力との関係で切欠
１１１ａから流れ出さない程度の小さな値とするのが望
ましい。
ルの注入がスリーブ１００の場合に比べて早く開始され
る。その結果、スリーブ１１０内にシリコンゲルを満た
すに要する待ち時間のより一層の短縮が達成され得る。
なお、切欠１１１ａの左右方向幅は、スリーブ１１０内
に注入したシリコンゲルがその表面張力との関係で切欠
１１１ａから流れ出さない程度の小さな値とするのが望
ましい。
【００５７】図１８及び図１９は、本発明の第３実施例
を示している。この第３実施例においては、上記第１実
施例にて述べたスリーブ７０に代えて、スリーブ１２０
をセラミック基板３０の表面に接着したことにその構成
上の特徴がある。このスリーブ１２０は、スリーブ７０
の開口部７１とは異なり、幅狭な開口部１２１を備えて
おり、この開口部１２１は、セラミック基板３０の端部
３５の幅方向中央側に向け開口している。
を示している。この第３実施例においては、上記第１実
施例にて述べたスリーブ７０に代えて、スリーブ１２０
をセラミック基板３０の表面に接着したことにその構成
上の特徴がある。このスリーブ１２０は、スリーブ７０
の開口部７１とは異なり、幅狭な開口部１２１を備えて
おり、この開口部１２１は、セラミック基板３０の端部
３５の幅方向中央側に向け開口している。
【００５８】この第３実施例によれば、スリーブ１２０
の開口部１２１がスリーブ７０の開口部よりも幅狭であ
る。このため、スリーブ１２０内の各回路素子を封止す
るようにこのスリーブ１２０内に満たされたシリコンゲ
ルとケーシング１０内に満たされたエポキシ樹脂との接
触面積が、上記第１実施例の場合に比べて減少する。従
って、スリーブ１２０内の各回路素子に対するケーシン
グ１０内のエポキシ樹脂からの保護を強化できる。その
他の構成及び作用効果は上記第１実施例と同様である。
の開口部１２１がスリーブ７０の開口部よりも幅狭であ
る。このため、スリーブ１２０内の各回路素子を封止す
るようにこのスリーブ１２０内に満たされたシリコンゲ
ルとケーシング１０内に満たされたエポキシ樹脂との接
触面積が、上記第１実施例の場合に比べて減少する。従
って、スリーブ１２０内の各回路素子に対するケーシン
グ１０内のエポキシ樹脂からの保護を強化できる。その
他の構成及び作用効果は上記第１実施例と同様である。
【００５９】図２０及び図２１は、上記第３実施例の変
形例を示している。この変形例においては、上記第３実
施例にて述べたスリーブ１２０に代えて、スリーブ１３
０をセラミック基板３０の表面に接着したことにその構
成上の特徴がある。このスリーブ１３０は、スリーブ１
２０の開口部１２１に比べて、さらに幅狭な開口部１３
１を備えている。また、この開口部１３１は、セラミッ
ク基板３０の端部３５の幅方向中央側に向け開口すると
ともに、セラミック基板３０に対するスリーブ１３０の
対向壁１３２の中央に形成した切欠１３２ａまで広がっ
ている。
形例を示している。この変形例においては、上記第３実
施例にて述べたスリーブ１２０に代えて、スリーブ１３
０をセラミック基板３０の表面に接着したことにその構
成上の特徴がある。このスリーブ１３０は、スリーブ１
２０の開口部１２１に比べて、さらに幅狭な開口部１３
１を備えている。また、この開口部１３１は、セラミッ
ク基板３０の端部３５の幅方向中央側に向け開口すると
ともに、セラミック基板３０に対するスリーブ１３０の
対向壁１３２の中央に形成した切欠１３２ａまで広がっ
ている。
【００６０】このため、ディップ・硬化工程Ｓ７におい
て、スリーブ１３０を、スリーブ１２０と同様にディッ
プ槽Ｐ（図１０及び図１１参照）内のシリコンゲルに浸
漬する場合、スリーブ１３０内へのシリコンゲルの注入
が切欠１３２ａから開始される。従って、スリーブ１３
０内へのシリコンゲルの注入がスリーブ１２０の場合に
比べて早く開始される。その結果、上記第３実施例にて
述べた作用効果を達成しつつ、スリーブ１３０内にシリ
コンゲルを満たすに要する待ち時間の短縮を達成し得
る。
て、スリーブ１３０を、スリーブ１２０と同様にディッ
プ槽Ｐ（図１０及び図１１参照）内のシリコンゲルに浸
漬する場合、スリーブ１３０内へのシリコンゲルの注入
が切欠１３２ａから開始される。従って、スリーブ１３
０内へのシリコンゲルの注入がスリーブ１２０の場合に
比べて早く開始される。その結果、上記第３実施例にて
述べた作用効果を達成しつつ、スリーブ１３０内にシリ
コンゲルを満たすに要する待ち時間の短縮を達成し得
る。
【００６１】なお、切欠１３２ａの左右方向幅は、スリ
ーブ１３０内に注入したシリコンゲルがその表面張力と
の関係で切欠１３２ａから流れ出さない程度の小さな値
とするのが望ましい。図２２及び図２３は、本発明の第
４実施例を示している。この第４実施例においては、上
記第１実施例にて述べたスリーブ７０に代えて、スリー
ブ１４０をセラミック基板３０の表面に接着したことに
その構成上の特徴がある。
ーブ１３０内に注入したシリコンゲルがその表面張力と
の関係で切欠１３２ａから流れ出さない程度の小さな値
とするのが望ましい。図２２及び図２３は、本発明の第
４実施例を示している。この第４実施例においては、上
記第１実施例にて述べたスリーブ７０に代えて、スリー
ブ１４０をセラミック基板３０の表面に接着したことに
その構成上の特徴がある。
【００６２】スリーブ１４０は、一対の開口部１４１、
１４２を備えており、これら各開口部１４１、１４２
は、セラミック基板３０に対するスリーブ１４０の対向
壁１４３に形成されている。また、開口部１４１は、上
記第１実施例にて述べた半導体チップ４０、両ボンディ
ングワイヤ４０ａ、４０ｂ及び両ボンディングパッド３
１、３２に対向しており、一方、開口部１４２は、上記
第１実施例にて述べた半導体チップ５０、両ボンディン
グワイヤ５０ａ、５０ｂ及び両ボンディングパッド３
３、３４に対向している。その他の構成は上記第１実施
例と同様である。
１４２を備えており、これら各開口部１４１、１４２
は、セラミック基板３０に対するスリーブ１４０の対向
壁１４３に形成されている。また、開口部１４１は、上
記第１実施例にて述べた半導体チップ４０、両ボンディ
ングワイヤ４０ａ、４０ｂ及び両ボンディングパッド３
１、３２に対向しており、一方、開口部１４２は、上記
第１実施例にて述べた半導体チップ５０、両ボンディン
グワイヤ５０ａ、５０ｂ及び両ボンディングパッド３
３、３４に対向している。その他の構成は上記第１実施
例と同様である。
【００６３】このように構成した本第４実施例において
は、ディップ・硬化工程Ｓ７において、スリーブ１４０
の両開口部１４１、１４２が斜め上方に向け開口するよ
うにセラミック基板３０を傾斜状態に保持した状態に
て、このセラミック基板３０をディップ槽Ｐ内に斜め方
向に降下させてスリーブ１４０をシリコンゲル内に浸漬
させる。これにより、スリーブ１４０内へのシリコンゲ
ルの注入がなされる。
は、ディップ・硬化工程Ｓ７において、スリーブ１４０
の両開口部１４１、１４２が斜め上方に向け開口するよ
うにセラミック基板３０を傾斜状態に保持した状態に
て、このセラミック基板３０をディップ槽Ｐ内に斜め方
向に降下させてスリーブ１４０をシリコンゲル内に浸漬
させる。これにより、スリーブ１４０内へのシリコンゲ
ルの注入がなされる。
【００６４】この場合、スリーブ１４０の両開口部１４
１、１４２の開口面積は、スリーブ１４０の上壁１４３
の表面積よりも小さいので、セラミック基板３０が傾斜
していても、スリーブ１４０内へのシリコンゲルの注入
が適正になされ得る。従って、半導体パッケージの製造
がセラミック基板３０を上述のように傾斜させた状態で
なされ得るので、本第３実施例によるスリーブ構造でも
ってしても、半導体パッケージの製造の自動化が可能と
なるとともに自動化に適した半導体パッケージの提供が
可能となる。
１、１４２の開口面積は、スリーブ１４０の上壁１４３
の表面積よりも小さいので、セラミック基板３０が傾斜
していても、スリーブ１４０内へのシリコンゲルの注入
が適正になされ得る。従って、半導体パッケージの製造
がセラミック基板３０を上述のように傾斜させた状態で
なされ得るので、本第３実施例によるスリーブ構造でも
ってしても、半導体パッケージの製造の自動化が可能と
なるとともに自動化に適した半導体パッケージの提供が
可能となる。
【００６５】また、上述のように、開口部１４１が、半
導体チップ４０、両ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ
及び両ボンディングパッド３１、３２に対向しており、
一方、開口部１４２が、半導体チップ５０、両ボンディ
ングワイヤ５０ａ、５０ｂ及び両ボンディングパッド３
３、３４に対向しているので、これら各回路素子に対す
る外観検査が各開口部１４１、１４２を通して容易に行
える。
導体チップ４０、両ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ
及び両ボンディングパッド３１、３２に対向しており、
一方、開口部１４２が、半導体チップ５０、両ボンディ
ングワイヤ５０ａ、５０ｂ及び両ボンディングパッド３
３、３４に対向しているので、これら各回路素子に対す
る外観検査が各開口部１４１、１４２を通して容易に行
える。
【００６６】なお、これら両開口部１４１、１４２の数
を変更して実施してもよく、また、これら開口部１４
１、１４２の上壁１４３に対する形成位置は、ターミナ
ル９０側に近い程、スリーブ１４０内へのシリコンゲル
の自動的な注入は行い易い。また、本第３実施例におけ
るスリーブ１４０内へのシリコンゲルの注入は、このス
リーブ１４０を水平に維持して手作業により行うことも
できる。
を変更して実施してもよく、また、これら開口部１４
１、１４２の上壁１４３に対する形成位置は、ターミナ
ル９０側に近い程、スリーブ１４０内へのシリコンゲル
の自動的な注入は行い易い。また、本第３実施例におけ
るスリーブ１４０内へのシリコンゲルの注入は、このス
リーブ１４０を水平に維持して手作業により行うことも
できる。
【００６７】図２４及び図２５は、本発明の第５実施例
を示している。この第５実施例においては、上記第１実
施例にて述べたスリーブ７０に代えて、スリーブ１５０
をセラミック基板３０の表面に接着するとともに、シリ
コンゲル８０を廃止したことにその構成上の特徴があ
る。スリーブ１５０は、箱状に形成されて、セラミック
基板３０の表面上にて、各半導体チップ４０、５０、Ｍ
ＩＣ６０、各ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ、５０
ａ、５０ｂ及び各ボンディングパッド３１乃至３４をセ
ラミック基板３０上にて全体的に被覆している。
を示している。この第５実施例においては、上記第１実
施例にて述べたスリーブ７０に代えて、スリーブ１５０
をセラミック基板３０の表面に接着するとともに、シリ
コンゲル８０を廃止したことにその構成上の特徴があ
る。スリーブ１５０は、箱状に形成されて、セラミック
基板３０の表面上にて、各半導体チップ４０、５０、Ｍ
ＩＣ６０、各ボンディングワイヤ４０ａ、４０ｂ、５０
ａ、５０ｂ及び各ボンディングパッド３１乃至３４をセ
ラミック基板３０上にて全体的に被覆している。
【００６８】このため、スリーブ１５０内の各回路素子
は、シリコンゲルに依存することなく、スリーブ１５０
のみにより封止される。また、上述のようにシリコンゲ
ル８０を廃止したので、上記第１実施例にて述べたよう
なスリーブ内へのシリコンゲルの注入工程を廃止するこ
とができる。その結果、半導体パッケージの自動的な製
造が可能になるとともに構成材料の減少に役立つ。
は、シリコンゲルに依存することなく、スリーブ１５０
のみにより封止される。また、上述のようにシリコンゲ
ル８０を廃止したので、上記第１実施例にて述べたよう
なスリーブ内へのシリコンゲルの注入工程を廃止するこ
とができる。その結果、半導体パッケージの自動的な製
造が可能になるとともに構成材料の減少に役立つ。
【００６９】なお、上記各実施例及び変形例において
は、スリーブの形成材料としてシリコンゴムを採用した
例について説明したが、これに限らず、エポキシ樹脂の
シリコンゲルへの熱応力の伝達を遮断できる電気的絶縁
材料、例えば、弾性樹脂絶縁材をスリーブの形成材料と
して採用して実施してもよい。また、本発明の実施にあ
たっては、上記各実施例及び変形例にて述べたエポキシ
樹脂に代えて、このエポキシ樹脂と同様の特性をもつ各
種の樹脂やシリコンゴムを採用して実施してもよい。
は、スリーブの形成材料としてシリコンゴムを採用した
例について説明したが、これに限らず、エポキシ樹脂の
シリコンゲルへの熱応力の伝達を遮断できる電気的絶縁
材料、例えば、弾性樹脂絶縁材をスリーブの形成材料と
して採用して実施してもよい。また、本発明の実施にあ
たっては、上記各実施例及び変形例にて述べたエポキシ
樹脂に代えて、このエポキシ樹脂と同様の特性をもつ各
種の樹脂やシリコンゴムを採用して実施してもよい。
【００７０】また、本発明の実施にあたり、半導体パッ
ケージの種類としては、ＳＩＰに限ることなく、例え
ば、セラミック基板上に装着した半導体チップやボンデ
ィングワイヤのような回路素子を封止する必要があるＤ
ＩＰ等の各種の半導体パッケージに本発明を適用して実
施してもよい。
ケージの種類としては、ＳＩＰに限ることなく、例え
ば、セラミック基板上に装着した半導体チップやボンデ
ィングワイヤのような回路素子を封止する必要があるＤ
ＩＰ等の各種の半導体パッケージに本発明を適用して実
施してもよい。
【図１】本発明に係る半導体パッケージの第１実施例を
図２の１−１線に沿う断面にて示す図である。
図２の１−１線に沿う断面にて示す図である。
【図２】図１の２−２線に沿う断面図である。
【図３】図１の半導体パッケージの製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図４】図３のスクライブ・はんだ印刷工程において多
連セラミック基板に分断線をいれた状態を示す平面図で
ある。
連セラミック基板に分断線をいれた状態を示す平面図で
ある。
【図５】図３の回路素子実装・洗浄・リフロー工程にお
いて各回路素子を実装した状態を示す平面図である。
いて各回路素子を実装した状態を示す平面図である。
【図６】図３の分断工程において多連セラミック基板を
分断した状態を示す平面図である。
分断した状態を示す平面図である。
【図７】図３のクリップ実装・洗浄・リフロー工程にお
いてクリップを実装した状態を示す平面図である。
いてクリップを実装した状態を示す平面図である。
【図８】図３のボンディングワイヤ実装工程において各
ボンディングワイヤを実装した状態を示す平面図であ
る。
ボンディングワイヤを実装した状態を示す平面図であ
る。
【図９】図３のスリーブ実装工程においてスリーブを接
着した状態を示す平面図である。
着した状態を示す平面図である。
【図１０】図３のディップ・硬化工程においてセラミッ
ク基板をディップ槽のシリコンゲル内に浸入させた状態
を示す部分断面図である。
ク基板をディップ槽のシリコンゲル内に浸入させた状態
を示す部分断面図である。
【図１１】図３のディップ・硬化工程においてセラミッ
ク基板をディップ槽のシリコンゲル内に浸入させた状態
を示す部分断面図である。
ク基板をディップ槽のシリコンゲル内に浸入させた状態
を示す部分断面図である。
【図１２】図３のエポキシ樹脂注入工程並びに挿入及び
エポキシ樹脂注入工程においてケーシング内にエポキシ
樹脂を部分的に注入するとともにセラミック基板をケー
シング内に挿入する状態を示す部分断面図である。
エポキシ樹脂注入工程においてケーシング内にエポキシ
樹脂を部分的に注入するとともにセラミック基板をケー
シング内に挿入する状態を示す部分断面図である。
【図１３】図３のクリップ切断工程においてクリップの
連結部を切断した状態を示す平面図である。
連結部を切断した状態を示す平面図である。
【図１４】本発明の第２実施例の要部を示す平面図であ
る。
る。
【図１５】上記第２実施例の要部を示す側面図である。
【図１６】上記第２実施例の変形例の要部を示す平面図
である。
である。
【図１７】上記第２実施例の変形例の要部を示す側面図
である。
である。
【図１８】本発明の第３実施例の要部を示す平面図であ
る。
る。
【図１９】上記第３実施例の要部を示す側面図である。
【図２０】上記第３実施例の変形例の要部を示す平面図
である。
である。
【図２１】上記第３実施例の変形例の要部を示す側面図
である。
である。
【図２２】本発明の第４実施例の要部を示す平面図であ
る。
る。
【図２３】上記第４実施例の要部を示す側面図である。
【図２４】本発明の第５実施例の要部を示す平面図であ
る。
る。
【図２５】上記第５実施例の要部を示す側面図である。
【図２６】従来の半導体パッケージの図２７にて２６−
２６線に沿う断面図である。
２６線に沿う断面図である。
【図２７】従来の半導体パッケージの図２６にて２７−
２７線に沿う断面図である。
２７線に沿う断面図である。
【図２８】従来の半導体パッケージのスリーブ内にシリ
コンゲルを注入する状態を示す図である。
コンゲルを注入する状態を示す図である。
１０・・・ケーシング、２０・・・エポキシ樹脂、３０
・・・セラミック基板、４０、５０・・・半導体チッ
プ、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ・・・ボンディン
グワイヤ、７０、１００、１１０、１２０、１３０、１
４０、１５０・・・スリーブ、７１、１０１、１１１、
１２１、１３１、１４１、１４２・・・開口部、８０・
・・シリコンゲル、９０・・・ターミナル、１１１ａ、
１３２ａ・・・切欠。
・・・セラミック基板、４０、５０・・・半導体チッ
プ、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ・・・ボンディン
グワイヤ、７０、１００、１１０、１２０、１３０、１
４０、１５０・・・スリーブ、７１、１０１、１１１、
１２１、１３１、１４１、１４２・・・開口部、８０・
・・シリコンゲル、９０・・・ターミナル、１１１ａ、
１３２ａ・・・切欠。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 子安 貴久 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】 回路基板と、 この回路基板上に実装された半導体素子やボンディング
ワイヤ等の回路素子と、 前記回路基板を前記回路素子と共に収容するケーシング
とを備えた半導体パッケージにおいて、 前記回路素子を覆うように前記回路基板上に設けられて
この回路基板に沿う方向に向け開口する開口部を有する
カバー部材と、 このカバー部材内にその開口部から充填されて前記回路
素子を封止する絶縁性樹脂からなる第１充填材と、 前記ケーシング内にその開口部から充填されて前記回路
基板及び前記カバー部材を封止する絶縁性樹脂からなる
第２充填材とを備えることを特徴とする半導体パッケー
ジ。 - 【請求項２】 前記第１充填材がシリコンゲルであり、
前記第２充填材がエポキシ樹脂であることを特徴とする
請求項１に記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３】 前記カバー部材が、前記回路基板に沿う
方向に向け開口する開口部を備えたポケット形状のカバ
ー部材であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
半導体パッケージ。 - 【請求項４】 前記カバー部材の開口部が幅狭に形成さ
れていることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッ
ケージ。 - 【請求項５】 回路基板と、 この回路基板上に実装された半導体素子やボンディング
ワイヤ等の回路素子と、 前記回路基板を前記回路素子と共に収容するケーシング
とを備えた半導体パッケージにおいて、 前記回路素子を覆うように前記回路基板上に設けられて
この回路基板に対する対向壁の一部にて開口する開口部
を有する箱状カバー部材と、 このカバー部材内にその開口部から充填されて前記回路
素子を封止する絶縁性樹脂からなる第１充填材と、 前記ケーシング内にその開口部から充填されて前記回路
基板及び前記カバー部材を封止する絶縁性樹脂からなる
第２充填材とを備えることを特徴とする半導体パッケー
ジ。 - 【請求項６】 前記カバー部材が弾性絶縁材料からなる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載
の半導体パッケージ。 - 【請求項７】 前記弾性絶縁材料がシリコンゴムである
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ。 - 【請求項８】 回路基板と、 この回路基板上に実装された半導体素子やボンディング
ワイヤ等の回路素子と、 前記回路基板を前記回路素子と共に収容するケーシング
とを備えた半導体パッケージにおいて、 前記回路素子を被覆して封止するように前記回路基板上
に設けられた箱状カバー部材と、 前記ケーシング内にその開口部から充填されて前記回路
基板及び前記カバー部材を封止する絶縁性樹脂からなる
充填材とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項９】 回路基板を、この回路基板上に実装され
た半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子と共に
ケーシング内に収容するとともに、前記回路基板の端部
から前記ケーシングの開口部を通してターミナルを延出
させるように構成する半導体パッケージの製造方法にお
いて、 ポケット状カバー部材を、前記回路素子を覆うとともに
その開口部にて前記ターミナルの延出方向に向け開口す
るように、前記回路基板上に設ける工程と、 前記カバー部材をその開口部にて上方に向け開口させた
状態で前記回路基板をシリコンゲル内に降下させて前記
カバー部材内にその開口部を介し前記シリコンゲルを注
入硬化させて前記回路素子を封止する工程と、 前記ターミナルを前記回路基板の上方に位置させた状態
でこの回路基板及びカバー部材を前記ケーシング内にそ
の開口部を通し上方から挿入する工程と、 前記ターミナルを前記ケーシングの開口部から上方に向
け延出させた状態でエポキシ樹脂を前記ケーシング内に
その開口部を通して注入硬化させて前記カバー部材及び
このカバー部材内のシリコンゲルを封止する工程とを備
えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１０】 前記カバー部材の開口部の周壁が、少
なくともその一部にて当該周壁に沿い凹形状に形成さて
いることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケー
ジの製造方法。 - 【請求項１１】 前記開口部の周壁の凹形状がＶ字状で
あることを特徴とする請求項１０に記載の半導体パッケ
ージの製造方法。 - 【請求項１２】 前記カバー部材の開口部が幅狭に形成
されていることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれ
か一つに記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１３】 回路基板を、この回路基板上に実装さ
れた半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子と共
にケーシング内に収容するとともに、前記回路基板の端
部から前記ケーシングの開口部を通してターミナルを延
出させるように構成する半導体パッケージの製造方法に
おいて、 箱状カバー部材を、前記回路素子を被覆して封止するよ
うに前記回路基板上に設ける工程と、 前記ターミナルを前記回路基板の上方に位置させた状態
でこの回路基板及びカバー部材を前記ケーシング内にそ
の開口部を通し上方から挿入する工程と、 前記ターミナルを前記ケーシングの開口部から上方に延
出させた状態でエポキシ樹脂を前記ケーシング内にその
開口部を通して注入硬化させて前記カバー部材を封止す
る工程とを備えることを特徴とする半導体パッケージの
製造方法。 - 【請求項１４】 回路基板を、この回路基板上に実装さ
れた半導体素子やボンディングワイヤ等の回路素子と共
にケーシング内に収容するとともに、前記回路基板の端
部から前記ケーシングの開口部を通してターミナルを延
出させるように構成する半導体パッケージの製造方法に
おいて、 箱状カバー部材を、前記回路素子を覆うとともに前記回
路基板に対する対向壁の一部にて開口するように、前記
回路基板上に設ける工程と、 前記カバー部材をその対向壁の一部にて斜め上方に向け
開口させた状態で前記回路基板をシリコンゲル内に降下
させて前記カバー部材内にその対向壁の一部を介し前記
シリコンゲルを注入硬化させて前記回路素子を封止する
工程と、 前記ターミナルを前記回路基板の斜め上方に位置させた
状態でこの回路基板及びす前記ケーシング内にその開口
部を通し斜め上方から挿入する工程と、 前記ターミナルを前記ケーシングの開口部から斜め上方
に向け延出させた状態でエポキシ樹脂を前記ケーシング
内にその開口部を通して注入硬化させて前記カバー部材
及びこのカバー部材内のシリコンゲルを封止する工程と
を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項１５】 半導体パッケージのケーシング内に収
容される回路基板と、 この回路基板上に実装されて当該回路基板と共に前記ケ
ーシング内に収容される半導体素子やボンディングワイ
ヤ等の回路素子とを備える半導体パッケージのための構
成部材であって、 前記回路素子を覆うように前記回路基板上に設けられて
この回路基板に沿う方向に向け開口する開口部を有する
カバー部材と、 このカバー部材内にその開口部から充填されて前記回路
素子を封止する絶縁性樹脂からなる充填材とを具備する
ことを特徴とする半導体パッケージのための構成部材。 - 【請求項１６】 半導体パッケージのケーシング内に収
容される回路基板と、 この回路基板上に実装されて当該回路基板と共に前記ケ
ーシング内に収容される半導体素子やボンディングワイ
ヤ等の回路素子とを備える半導体パッケージのための構
成部材であって、 前記回路素子を被覆して封止するように前記回路基板上
に設けられた箱状カバー部材を具備することを特徴とす
る半導体パッケージのための構成部材。 - 【請求項１７】 半導体パッケージのケーシング内に収
容される回路基板と、 この回路基板上に実装されて当該回路基板と共に前記ケ
ーシング内に収容される半導体素子やボンディングワイ
ヤ等の回路素子とを備える半導体パッケージのための構
成部材であって、 前記回路素子を覆うように前記回路基板上に設けられて
この回路基板に対する対向壁の一部にて開口する開口部
を有する箱状カバー部材と、 このカバー部材内にその開口部から充填されて前記回路
素子を封止する絶縁性樹脂からなる充填材とを具備する
ことを特徴とする半導体パッケージのための構成部材。
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