JPH0714941A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0714941A JPH0714941A JP5142476A JP14247693A JPH0714941A JP H0714941 A JPH0714941 A JP H0714941A JP 5142476 A JP5142476 A JP 5142476A JP 14247693 A JP14247693 A JP 14247693A JP H0714941 A JPH0714941 A JP H0714941A
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】チップ部品を内蔵した半導体装置の実装時の半
田リフローの加熱によるチップ部品の接合剥れを防ぐ。 【構成】ガラスエポキシ基板1に設けた凹部10に搭載
したチップコンデンサ3と、内部リード5との間を導電
性接着剤(Agペースト)4で接合することにより、半
田で接合したときのように後工程の加熱で生ずる接合剥
れを防止する。
田リフローの加熱によるチップ部品の接合剥れを防ぐ。 【構成】ガラスエポキシ基板1に設けた凹部10に搭載
したチップコンデンサ3と、内部リード5との間を導電
性接着剤(Agペースト)4で接合することにより、半
田で接合したときのように後工程の加熱で生ずる接合剥
れを防止する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
チップ部品を内蔵した半導体装置に関する。
チップ部品を内蔵した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、チップコンデンサ等のチップ部品
を内蔵した半導体装置としては、特開昭59−2229
48号公報に記載されているように、半導体パッケージ
の基板の主面に複数のチップ部品を個々に搭載するため
の凹凸を形成して実装工程中のチップ部品のアライメン
トを容易にすると共にチップ部品の接合材である半田の
熔融によってもアライメントがずれないようにしたもの
や、特開昭58−191496号公報に記載されている
ように、パッケージの金属基板上にガラスエポキシ樹脂
からなる絶縁層が形成され、その絶縁層上に回路が形成
され、その回路に接続してチップコンデンサやミニモー
ルドトランジスタ等の電子部品が半田付けされており、
かつ基板の周囲に起立壁を設け、樹脂でコーティングさ
れているものが知られている。
を内蔵した半導体装置としては、特開昭59−2229
48号公報に記載されているように、半導体パッケージ
の基板の主面に複数のチップ部品を個々に搭載するため
の凹凸を形成して実装工程中のチップ部品のアライメン
トを容易にすると共にチップ部品の接合材である半田の
熔融によってもアライメントがずれないようにしたもの
や、特開昭58−191496号公報に記載されている
ように、パッケージの金属基板上にガラスエポキシ樹脂
からなる絶縁層が形成され、その絶縁層上に回路が形成
され、その回路に接続してチップコンデンサやミニモー
ルドトランジスタ等の電子部品が半田付けされており、
かつ基板の周囲に起立壁を設け、樹脂でコーティングさ
れているものが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
は、チップコンデンサ等の電子部品が半田で接合されて
搭載されており、半田のフラックスにより汚れが発生す
るため、この汚れを除く洗浄が必要となるという問題点
がある。また、半田リフロー法でプリント基板上に表面
実装しようとした場合、半田が再熔融して電子部品の接
合が剥れたり半田付強度が劣化するなどの欠点があっ
た。
は、チップコンデンサ等の電子部品が半田で接合されて
搭載されており、半田のフラックスにより汚れが発生す
るため、この汚れを除く洗浄が必要となるという問題点
がある。また、半田リフロー法でプリント基板上に表面
実装しようとした場合、半田が再熔融して電子部品の接
合が剥れたり半田付強度が劣化するなどの欠点があっ
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
表面に搭載する素子のそれぞれを収納できる面積および
これらの素子の高さに相当する深さの凹部を有するガラ
スエポキシ基板と、前記ガラスエポキシ基板の前記凹部
以外の表面に設けた内部リードと、前記凹部それぞれの
内にマウントされた半導体ペレットおよびチップ部品
と、前記半導体ペレットと内部リードとの間を接続する
金属細線と、前記チップ部品と内部リードとの間を接続
する導電性接着剤と、前記素子を含む表面を被覆して封
止する樹脂とを有する。
表面に搭載する素子のそれぞれを収納できる面積および
これらの素子の高さに相当する深さの凹部を有するガラ
スエポキシ基板と、前記ガラスエポキシ基板の前記凹部
以外の表面に設けた内部リードと、前記凹部それぞれの
内にマウントされた半導体ペレットおよびチップ部品
と、前記半導体ペレットと内部リードとの間を接続する
金属細線と、前記チップ部品と内部リードとの間を接続
する導電性接着剤と、前記素子を含む表面を被覆して封
止する樹脂とを有する。
【0005】
【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。
する。
【0006】図1(a),(b)は本発明の第1の実施
例を示す平面図および模式的断面図である。
例を示す平面図および模式的断面図である。
【0007】図1(a),(b)に示すように、ガラス
エポキシ基板1の表面には半導体ペレットやチップコン
デンサのそれぞれを搭載する部分に、これらの半導体ペ
レットやチップコンデンサを収納できる面積とこれらの
素子の高さに相当する深さを有する凹部10が形成さ
れ、凹部10以外のガラスエポキシ基板1の表面に内部
リード5が形成されている。この凹部10に半導体ペレ
ット2及びチップコンデンサ3のそれぞれを絶縁性接着
剤等で接着して搭載し、チップコンデンサ3の電極とガ
ラスエポキシ基板1上の内部リード5との間を接続する
導電性接着剤4(たとえばAgペースト)を塗布する。
次に、内部リード5と半導体ペレット2との間をAu線
6で接続する。ガラスエポキシ基板1の周縁には樹脂枠
9が取りつけられ、樹脂枠9の内側にエポキシ樹脂7を
樹脂枠9の高さとほぼ同じで表面が平らになるように充
填して封止する、半導体ペレット2およびチップコンデ
ンサ3と接続された内部リード5に接続して樹脂枠9の
外部に引出された外部リード8はガラスエポキシ基板1
の側面に沿って下面に延在されている。
エポキシ基板1の表面には半導体ペレットやチップコン
デンサのそれぞれを搭載する部分に、これらの半導体ペ
レットやチップコンデンサを収納できる面積とこれらの
素子の高さに相当する深さを有する凹部10が形成さ
れ、凹部10以外のガラスエポキシ基板1の表面に内部
リード5が形成されている。この凹部10に半導体ペレ
ット2及びチップコンデンサ3のそれぞれを絶縁性接着
剤等で接着して搭載し、チップコンデンサ3の電極とガ
ラスエポキシ基板1上の内部リード5との間を接続する
導電性接着剤4(たとえばAgペースト)を塗布する。
次に、内部リード5と半導体ペレット2との間をAu線
6で接続する。ガラスエポキシ基板1の周縁には樹脂枠
9が取りつけられ、樹脂枠9の内側にエポキシ樹脂7を
樹脂枠9の高さとほぼ同じで表面が平らになるように充
填して封止する、半導体ペレット2およびチップコンデ
ンサ3と接続された内部リード5に接続して樹脂枠9の
外部に引出された外部リード8はガラスエポキシ基板1
の側面に沿って下面に延在されている。
【0008】図2(a),(b)は本発明の第2の実施
例を示す平面図および模式的断面図である。
例を示す平面図および模式的断面図である。
【0009】図2(a),(b)に示すように、ガラス
エポキシ基板1の周縁部の内側に凹部を設けて凹部底面
に半導体ペレットを搭載するためのダイパッド11およ
び内部リード5を設けており、ダイパッド11上に半導
体ペレット2をマウントし、内部リード5に導電性接着
剤(Agペースト)でチップコンデンサ3を接続してエ
ポキシ樹脂7をガラスエポキシ基板1の周縁部の内側に
充填している以外は第1の実施例と同様の構成を有して
おり、ガラスエポキシ基板1の周縁部に絶縁枠を必要と
せず、パッケージの高さを低くできる利点があり、プリ
ント基板上に上下を反対にして搭載することで、裏面に
も部品を搭載することが可能となり、更に集積度を向上
させることができる。
エポキシ基板1の周縁部の内側に凹部を設けて凹部底面
に半導体ペレットを搭載するためのダイパッド11およ
び内部リード5を設けており、ダイパッド11上に半導
体ペレット2をマウントし、内部リード5に導電性接着
剤(Agペースト)でチップコンデンサ3を接続してエ
ポキシ樹脂7をガラスエポキシ基板1の周縁部の内側に
充填している以外は第1の実施例と同様の構成を有して
おり、ガラスエポキシ基板1の周縁部に絶縁枠を必要と
せず、パッケージの高さを低くできる利点があり、プリ
ント基板上に上下を反対にして搭載することで、裏面に
も部品を搭載することが可能となり、更に集積度を向上
させることができる。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、チップコ
ンデンサ等の電子部品を導電性接着剤でガラスエポキシ
基板の内部リードに接続することにより、半田を使用し
た場合のように洗浄が必要でなくなり、また、本発明の
半導体装置を半田リフロ法でプリント基板等に表面実装
するときの接合剥れや接合強度の低下を防ぐことができ
るという効果を有する。
ンデンサ等の電子部品を導電性接着剤でガラスエポキシ
基板の内部リードに接続することにより、半田を使用し
た場合のように洗浄が必要でなくなり、また、本発明の
半導体装置を半田リフロ法でプリント基板等に表面実装
するときの接合剥れや接合強度の低下を防ぐことができ
るという効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例を示す平面図および模式
的断面図。
的断面図。
【図2】本発明の第2の実施例を示す平面図および模式
的断面図。
的断面図。
1 ガラスエポキシ基板 2 半導体ペレット 3 チップコンデンサ 4 導電性接着剤 5 内部リード 6 Au線 7 エポキシ樹脂 8 外部リード 9 樹脂枠 10 凹部 11 ダイパッド
Claims (1)
- 【請求項1】 表面に搭載する素子のそれぞれを収納で
きる面積およびこれらの素子の高さに相当する深さの凹
部を有するガラスエポキシ基板と、前記ガラスエポキシ
基板の前記凹部以外の表面に設けた内部リードと、前記
凹部それぞれの内にマウントされた半導体ペレットおよ
びチップ部品と、前記半導体ペレットと内部リードとの
間を接続する金属細線と、前記チップ部品と内部リード
との間を接続する導電性接着剤と、前記素子を含む表面
を被覆して封止する樹脂とを有することを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5142476A JP2500610B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5142476A JP2500610B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0714941A true JPH0714941A (ja) | 1995-01-17 |
JP2500610B2 JP2500610B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=15316212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5142476A Expired - Fee Related JP2500610B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2500610B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281727A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Tdk Corp | 表面実装パッケージおよびそれを用いた電子部品 |
WO2005004565A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corporation | 実装電極、パッケージ、デバイスおよびデバイスの製造方法 |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP5142476A patent/JP2500610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281727A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Tdk Corp | 表面実装パッケージおよびそれを用いた電子部品 |
WO2005004565A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corporation | 実装電極、パッケージ、デバイスおよびデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2500610B2 (ja) | 1996-05-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960123 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |